JPS6184512A - 二層メツキ測定方法 - Google Patents
二層メツキ測定方法Info
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- JPS6184512A JPS6184512A JP20757984A JP20757984A JPS6184512A JP S6184512 A JPS6184512 A JP S6184512A JP 20757984 A JP20757984 A JP 20757984A JP 20757984 A JP20757984 A JP 20757984A JP S6184512 A JPS6184512 A JP S6184512A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B15/00—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
- G01B15/02—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons for measuring thickness
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ａ、産業上の利用分野
本発明はケイ光Ｘ線を用いた幌４計に関し、特に二層メ
ッキ試料の中間メッキ厚測定に関するものである。
ッキ試料の中間メッキ厚測定に関するものである。
ｂ、従来技術
従来、二層メッキ試料の中間メッキ厚の測定は、素材金
属をＡ１中間メッキ金属′ｔ−Ｂ１表面メッキ金属をＣ
とすると、中間メッキ金属Ｂから発生するケイ光ｘＩ確
強度と中間メッキ厚との関係を示す検量線の方程式（１
）式は仄の通シである。
属をＡ１中間メッキ金属′ｔ−Ｂ１表面メッキ金属をＣ
とすると、中間メッキ金属Ｂから発生するケイ光ｘＩ確
強度と中間メッキ厚との関係を示す検量線の方程式（１
）式は仄の通シである。
より−（（よりｏｏ−より０）−（１−ｅｘｐ（−μ５
−Ｘｓ）））・ｅｘｐ（−μ′・ＸＣ）＋１ＯＣＸ Ｏ
） −・・・−・−・［１１ここで、工ｏ（ｘｃ）は
金属Ｃの厚さ変化にともなう金ｄＢのケイ元Ｘ線強度の
バック・グラウンドの補正を示す関数であ＃）＋２１式
で示される。
−Ｘｓ）））・ｅｘｐ（−μ′・ＸＣ）＋１ＯＣＸ Ｏ
） −・・・−・−・［１１ここで、工ｏ（ｘｃ）は
金属Ｃの厚さ変化にともなう金ｄＢのケイ元Ｘ線強度の
バック・グラウンドの補正を示す関数であ＃）＋２１式
で示される。
工０（ＸＡ）＝（工ｏｏｏ−工ｏ ） （１−ｅｘｐ（
−ｔｔｏ ４０ ） ）＋１０ ・１２１より’ ＝（
よりｏｏ−工ｎｏ）（１−６ｚｐ（−μ３４ｇ））十よ
りＯ・−−−ｉ３１ここで、（１）式中のＸＢは中間メ
ッキ金属Ｂの厚さであり、より００はケイ光Ｘ線が飽和
するに十分な厚さく以後、飽和厚と呼ぶ）をもった金属
Ｂのケイ光Ｘ ｔ９強度であり、 よりＯは全属人ｔ−
測定した際の金属Ｂ（７）Ｘ線強度（バックグラウンド
）でありμＢは金属Ｂのケイ光Ｘ線に対する金属Ｂの吸
収係数であり（３）式１り計算される。足ｅ 工”０＋
よりＯ。
−ｔｔｏ ４０ ） ）＋１０ ・１２１より’ ＝（
よりｏｏ−工ｎｏ）（１−６ｚｐ（−μ３４ｇ））十よ
りＯ・−−−ｉ３１ここで、（１）式中のＸＢは中間メ
ッキ金属Ｂの厚さであり、より００はケイ光Ｘ線が飽和
するに十分な厚さく以後、飽和厚と呼ぶ）をもった金属
Ｂのケイ光Ｘ ｔ９強度であり、 よりＯは全属人ｔ−
測定した際の金属Ｂ（７）Ｘ線強度（バックグラウンド
）でありμＢは金属Ｂのケイ光Ｘ線に対する金属Ｂの吸
収係数であり（３）式１り計算される。足ｅ 工”０＋
よりＯ。
μＢは厚さの各々異なる５個以上の純粋の金属Ｂの厚さ
を有する金属Ａ上の金属Ｂ標準試料（以後、Ａ上のＢｍ
準試料と呼ぶ。）のケイ元Ｘ線強度より′を測定し、そ
の強度を（３）式に代入し連立方程式を解くことによっ
て求める。
を有する金属Ａ上の金属Ｂ標準試料（以後、Ａ上のＢｍ
準試料と呼ぶ。）のケイ元Ｘ線強度より′を測定し、そ
の強度を（３）式に代入し連立方程式を解くことによっ
て求める。
μ′は金属Ｂのケイ光Ｘ線に対する金属Ｃの吸収係Ｏで
あり、厚さの各々異なる５個以上の純粋の金属Ｃの厚さ
を有する金属Ｂ上の金属Ｃａ準試料（以後、Ｂ上のＣ標
準試料と呼ぶ。）のケイ元Ｘ線強度を測定し、その強度
を（１）式に代入することにニジ求められる。（１）式
中の工０（ＸＯ）は金属Ｃの厚さ変化にともなう金属Ｂ
のケイ光Ｘ線強度のバックグラウンドであり金属Ｃのメ
ッキ厚みＸＯの関数である。工ｏｏｏ 、 工０はＡ上
のａＳＳ試料の厚さが各々、０と飽和厚みに対応する金
属Ｂの螢光Ｘ＠強度であり、μＯは金属Ｂのケイ元Ｘ線
強度の減衰を表わす係数であシ、厚さの各々異なる３個
以上のＡ上のＣ標準試料の金属Ｂのケイ光Ｘ線強度を測
足し、その強！ ’ｋ ＋２１式に代入し、連立方程式
を解くことに工って求める。
あり、厚さの各々異なる５個以上の純粋の金属Ｃの厚さ
を有する金属Ｂ上の金属Ｃａ準試料（以後、Ｂ上のＣ標
準試料と呼ぶ。）のケイ元Ｘ線強度を測定し、その強度
を（１）式に代入することにニジ求められる。（１）式
中の工０（ＸＯ）は金属Ｃの厚さ変化にともなう金属Ｂ
のケイ光Ｘ線強度のバックグラウンドであり金属Ｃのメ
ッキ厚みＸＯの関数である。工ｏｏｏ 、 工０はＡ上
のａＳＳ試料の厚さが各々、０と飽和厚みに対応する金
属Ｂの螢光Ｘ＠強度であり、μＯは金属Ｂのケイ元Ｘ線
強度の減衰を表わす係数であシ、厚さの各々異なる３個
以上のＡ上のＣ標準試料の金属Ｂのケイ光Ｘ線強度を測
足し、その強！ ’ｋ ＋２１式に代入し、連立方程式
を解くことに工って求める。
以上の工うにして決定した（１１式及び（２）式の各パ
ラメータ全周いて、金ＭＡ上の金属Ｂ上の金属Ｃ二層メ
ッキ試料の金属Ｂのケイ光Ｘ＠強度を測定し％（１）式
から中間メッキ金属Ｂのメッキ厚みを求めていた。
ラメータ全周いて、金ＭＡ上の金属Ｂ上の金属Ｃ二層メ
ッキ試料の金属Ｂのケイ光Ｘ＠強度を測定し％（１）式
から中間メッキ金属Ｂのメッキ厚みを求めていた。
Ｃ１本発明が解決し二うとする問題点
中間メッキの金属Ｂのケイ光Ｘｉは表面メッキである金
属ＣＫ工って減衰するため信号取分は小さなものとなる
。工ってノイズに相当するバックグラウンドを正確に求
めることが正確な中間メッキ厚を求めるためには必要だ
が、従来の金属Ｂのケイ光Ｘ線強度のバックグラウンド
の補正を示す関ｆｌ 工０（ＸＡ）は単調増加又は単調
減少を示す指僻関数であるが、金属Ａ、Ｂ、Ｃの組甘せ
により金属Ｂのケイ光Ｘ線強度が単調な増加又は減少を
示さない事が多い。この例を表１に示す。（Ｃｕ上のＮ
ｉ上のＡｕ二層メッキの例におけるＡ上のＣ標準試料の
場合） 表１． 金属Ｃ厚による金）Ｉ１４Ｂケイ光Ｘ＠強度パ
ックグラウンド変化 表１の場合、表面Ａｕ厚が増すにつれバックグラウンド
が減少から増加へと変化しており、従来の（２）式では
パンクグラウンドを正しく補正できないため積度の高い
中間メッキ（金属Ｂ）厚の測定ができなかった。
属ＣＫ工って減衰するため信号取分は小さなものとなる
。工ってノイズに相当するバックグラウンドを正確に求
めることが正確な中間メッキ厚を求めるためには必要だ
が、従来の金属Ｂのケイ光Ｘ線強度のバックグラウンド
の補正を示す関ｆｌ 工０（ＸＡ）は単調増加又は単調
減少を示す指僻関数であるが、金属Ａ、Ｂ、Ｃの組甘せ
により金属Ｂのケイ光Ｘ線強度が単調な増加又は減少を
示さない事が多い。この例を表１に示す。（Ｃｕ上のＮ
ｉ上のＡｕ二層メッキの例におけるＡ上のＣ標準試料の
場合） 表１． 金属Ｃ厚による金）Ｉ１４Ｂケイ光Ｘ＠強度パ
ックグラウンド変化 表１の場合、表面Ａｕ厚が増すにつれバックグラウンド
が減少から増加へと変化しており、従来の（２）式では
パンクグラウンドを正しく補正できないため積度の高い
中間メッキ（金属Ｂ）厚の測定ができなかった。
ｄ１問題点を解決するための手段
従来の問題点を解決するｔめ、各々厚みの異なる４個以
上のＡ上のＣ標準試料の金属Ｂのケイ元ｘ６強度（バッ
クグラウンド）を測定し、その変化ｔを（４）式のバッ
クグラウンドの補正式ｌ０（ＸＯ）で表わす。又、検量
線の方程式（１）式を（５）式へ改良する。
上のＡ上のＣ標準試料の金属Ｂのケイ元ｘ６強度（バッ
クグラウンド）を測定し、その変化ｔを（４）式のバッ
クグラウンドの補正式ｌ０（ＸＯ）で表わす。又、検量
線の方程式（１）式を（５）式へ改良する。
Ｉｏ’（Ｘｃ）＝工ｏ−ｅ−μ＋”’＋Ｉｏａｅ・（１
−ｅ−μ２°ｘ０）−１４）より＝〔（より一一より０
）−４１−ｅｘｐ（−ｕＢ−ＸＢ））：ｌ’ｅＸｐ（−
μ’ Ｘａ ）＋１０’ （ＸＣ）−（５１ここで、（
４）式中の工０及び工０（１）は（２）式中の工Ｏ及び
工Ｑｏｏと同じであり、μ、及びμ、は０．艮を示す係
数であり（４）式に各データを代入し、連立方程式を解
くことに工って求める。金属Ｃの厚み変化によるバック
グラウンドが単調に減少又Ｖ′ｉ逓カロする場合はμｍ
＝μ、とする。
−ｅ−μ２°ｘ０）−１４）より＝〔（より一一より０
）−４１−ｅｘｐ（−ｕＢ−ＸＢ））：ｌ’ｅＸｐ（−
μ’ Ｘａ ）＋１０’ （ＸＣ）−（５１ここで、（
４）式中の工０及び工０（１）は（２）式中の工Ｏ及び
工Ｑｏｏと同じであり、μ、及びμ、は０．艮を示す係
数であり（４）式に各データを代入し、連立方程式を解
くことに工って求める。金属Ｃの厚み変化によるバック
グラウンドが単調に減少又Ｖ′ｉ逓カロする場合はμｍ
＝μ、とする。
００作用
Ａ上のＣ標準試料の金属Ｃの厚さの変化による金属Ｂの
ケイ光Ｘ線強度（バックグラウンド）の変化を（４）式
の工うに改良することにより、正確々バックグラウンド
を求める事ができる。表１中のデータからＡｕ厚Ｏμ属
、１．６μｍ、４．０μｍ、飽和厚の４点をとシだし、
（４）式に代入し、連立させてμ７．μｗｅ求め、その
結果工す、他のＡｕ厚に対応するＮｉ ７．線強度を計
算した結果を表２に示す。
ケイ光Ｘ線強度（バックグラウンド）の変化を（４）式
の工うに改良することにより、正確々バックグラウンド
を求める事ができる。表１中のデータからＡｕ厚Ｏμ属
、１．６μｍ、４．０μｍ、飽和厚の４点をとシだし、
（４）式に代入し、連立させてμ７．μｗｅ求め、その
結果工す、他のＡｕ厚に対応するＮｉ ７．線強度を計
算した結果を表２に示す。
表２． （４１式によるバックグラウンド計算値以上
の工うな精度を示す本発明による（４）式と従来の（２
）式を用いた二ノーメッキ（Ｃｕ上のＮ１メッキ上のＡ
ｕメッキ）中の中間メッキ厚測足梢度を表３に示します
。
の工うな精度を示す本発明による（４）式と従来の（２
）式を用いた二ノーメッキ（Ｃｕ上のＮ１メッキ上のＡ
ｕメッキ）中の中間メッキ厚測足梢度を表３に示します
。
表五 中間メッキ厚測定精度
（Ｃｕ上のＮ１メッキ上のＡｕメッキ）金属Ｃ厚の変化
によるバック・グラウンドの変化を新規な（４）式を用
いると表５に示す工うに精度の高い二層メッキ測定が可
能です。
によるバック・グラウンドの変化を新規な（４）式を用
いると表５に示す工うに精度の高い二層メッキ測定が可
能です。
ｆ、実施例
以下図面と共に本発明による膜厚測定法について詳細ｔ
−説明する。図面は本発明に関わる厚み測定装置ｉ１に
示し、図中符号１で示されるものはＸ線源であり、Ｘ線
源１から照射された一次Ｘ線５はコリメータ２を通って
試料４に照射される。符号７は試料から発生する二次Ｘ
線（ケイ光Ｘ線）６を検出する放射線検出器、８は検出
器７の信号を増幅する＠買増幅器、９は増幅器８の出力
を線型にする之めの主増幅器、１０は増幅器９の出力か
ら波高分析する波高弁別器、１１は波高弁別器１０から
の出力を演算するＣＰＵ１１２はｃｐａｌｌの出力を表
示するための表示部である。
−説明する。図面は本発明に関わる厚み測定装置ｉ１に
示し、図中符号１で示されるものはＸ線源であり、Ｘ線
源１から照射された一次Ｘ線５はコリメータ２を通って
試料４に照射される。符号７は試料から発生する二次Ｘ
線（ケイ光Ｘ線）６を検出する放射線検出器、８は検出
器７の信号を増幅する＠買増幅器、９は増幅器８の出力
を線型にする之めの主増幅器、１０は増幅器９の出力か
ら波高分析する波高弁別器、１１は波高弁別器１０から
の出力を演算するＣＰＵ１１２はｃｐａｌｌの出力を表
示するための表示部である。
次に以上の工うな構成に訃ける発明による膜厚測定装置
を作動させる場合について述べる。各々厚さの異なる５
個以上のＡ上のＢ標準試料の金属Ｂのケイ元Ｘ線強度よ
り′を測定し、（３）式に代入し、連立方程式を解くこ
とにエリエ３ｏｎ、よりＯ、μＢを求める。仄に各々厚
さの異なる４個以上のＡ上のＣ標準試料の金属Ｂのケイ
元Ｘ線強度工ｏ’（Ｘｏ）を測定し、（４）式に代入し
、連立方程式を解くことにより、工０．工０■２μｍ、
μｔを求める。仄に各々厚さの異なる５個以上のＢ上の
Ｃ標準試料の金属Ｂのケイ元Ｘ線強度よりを測定し、（
５）式に代入し、因子μ′を求める。
を作動させる場合について述べる。各々厚さの異なる５
個以上のＡ上のＢ標準試料の金属Ｂのケイ元Ｘ線強度よ
り′を測定し、（３）式に代入し、連立方程式を解くこ
とにエリエ３ｏｎ、よりＯ、μＢを求める。仄に各々厚
さの異なる４個以上のＡ上のＣ標準試料の金属Ｂのケイ
元Ｘ線強度工ｏ’（Ｘｏ）を測定し、（４）式に代入し
、連立方程式を解くことにより、工０．工０■２μｍ、
μｔを求める。仄に各々厚さの異なる５個以上のＢ上の
Ｃ標準試料の金属Ｂのケイ元Ｘ線強度よりを測定し、（
５）式に代入し、因子μ′を求める。
より−〔（工］３ａｏ−工ｎｏ）（１−ｅｃｐ（−μｎ
−Ｘａ）ｌ）−６ｚｐ（−４’Ｘｃ）＋ＩＯ’（ＸＯ）
−（５１この工うにして前記方程式中の因子を決定し
、未知二）−メッキ試料の中間金属Ｂからのケイ光Ｘ線
強度を測定することに工って、表面メッキ厚ｘＯを公知
の方法で測定後、中間メッキ厚ＸＢを精度工く測定でき
る。
−Ｘａ）ｌ）−６ｚｐ（−４’Ｘｃ）＋ＩＯ’（ＸＯ）
−（５１この工うにして前記方程式中の因子を決定し
、未知二）−メッキ試料の中間金属Ｂからのケイ光Ｘ線
強度を測定することに工って、表面メッキ厚ｘＯを公知
の方法で測定後、中間メッキ厚ＸＢを精度工く測定でき
る。
ｇ０本発明の効果
本発明によるニノーメッキ厚さ測定法は以上の：うに、
表面金属Ｃ厚ＸＯＫよる中間金属Ｂのバックグラウンド
の変化を適切に補正しているので中間メッキ厚ＸＢを棺
度工く測定できる効果をもつ。
表面金属Ｃ厚ＸＯＫよる中間金属Ｂのバックグラウンド
の変化を適切に補正しているので中間メッキ厚ＸＢを棺
度工く測定できる効果をもつ。
図面は本発明の一実施例に関わる装置のブロック図であ
る。 １・・・Ｘ線源 ２・・・コリメータ ６・・・−仄Ｘ＃ ４・・・試料 ５・・・試料台 ６・・・二次Ｘ線 ７・・・放射線検出器 ８・・・前置増幅器 ９・・・主増幅器 １０・・・波高弁別器 １１ ・・・ ＯＦ σ １２・・・表示部 以 上
る。 １・・・Ｘ線源 ２・・・コリメータ ６・・・−仄Ｘ＃ ４・・・試料 ５・・・試料台 ６・・・二次Ｘ線 ７・・・放射線検出器 ８・・・前置増幅器 ９・・・主増幅器 １０・・・波高弁別器 １１ ・・・ ＯＦ σ １２・・・表示部 以 上
Claims (1)
- 本体に設けられたＸ線源からの一次Ｘ線によつて励起さ
れた試料から発生するケイ光Ｘ線を検出することによつ
て、素材上の中間膜上の表面膜の二層メッキにおける中
間膜の厚さを測定する方法において、中間幅から発生す
るケイ光Ｘ線強度をＸ線検出器で検出する工程と、厚さ
の各々異なる３個以上の純粋の中間金属の厚さを有する
素材上の中間金属のケイ光Ｘ線強度を測定する工程と、
厚さの各々異なる３個以上の純粋の表面金属の厚さを有
する中間金属上の表面金属のケイ光Ｘ線強度を測定する
工程と、厚さの各々異なる４個以上の純粋の表面金属の
厚さを有する素材上の表面金属のバックグラウンドケイ
光Ｘ線強度（金属Ｂケイ光Ｘ線強度）を測定し検量線の
方程式を決定する工程と、未知試料中の中間金属から放
射されるケイ光Ｘ線強度を測定することにより、表面金
属の膜厚より正確なバックグラウンドの補正をする工程
と、中間膜厚を求める工程とによつて演算測定すること
を特徴とする二層メッキの測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20757984A JPS6184512A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 二層メツキ測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20757984A JPS6184512A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 二層メツキ測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184512A true JPS6184512A (ja) | 1986-04-30 |
| JPH0371046B2 JPH0371046B2 (ja) | 1991-11-11 |
Family
ID=16542090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20757984A Granted JPS6184512A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 二層メツキ測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184512A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100887065B1 (ko) | 2006-12-27 | 2009-03-04 | 주식회사 포스코 | 접합부 중첩량 측정장치 |
-
1984
- 1984-10-03 JP JP20757984A patent/JPS6184512A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100887065B1 (ko) | 2006-12-27 | 2009-03-04 | 주식회사 포스코 | 접합부 중첩량 측정장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0371046B2 (ja) | 1991-11-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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