JPS6184822A - 電解コンデンサ - Google Patents
電解コンデンサInfo
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- JPS6184822A JPS6184822A JP20672284A JP20672284A JPS6184822A JP S6184822 A JPS6184822 A JP S6184822A JP 20672284 A JP20672284 A JP 20672284A JP 20672284 A JP20672284 A JP 20672284A JP S6184822 A JPS6184822 A JP S6184822A
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Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電解コンデンサにかかり、特に、電解質が
含浸されたコンデンサ素子に合成樹脂が被覆された外装
構造に関する。
含浸されたコンデンサ素子に合成樹脂が被覆された外装
構造に関する。
近来、電子機器の小型化に伴い、電解コンデンサのチッ
プ化が強く要請されるようになった。
プ化が強く要請されるようになった。
一般に電解コンデンサは、電極箔を巻回して形成したコ
ンデンサ素子に、電解質を含浸し、アルミニウム等から
なる外装ケースに収納して形成されている。また、電解
質として代表的なものには、エチレングリコールにアジ
ピン酸もしくはそのアンモニウム塩を溶解した液状の電
解質、あるいは、テトラシアノキノジメタンを主成分と
するゲル状の電解質等がある。これらの電解質は、電解
質自体の吸湿性、含有成分の飛散性等の性質を有してい
る。したがって、完成した電解コンデンサの電気的特性
を一定に維持するためには、コンデンサ素子を外気と遮
断する、高度な気密性が要求される。
ンデンサ素子に、電解質を含浸し、アルミニウム等から
なる外装ケースに収納して形成されている。また、電解
質として代表的なものには、エチレングリコールにアジ
ピン酸もしくはそのアンモニウム塩を溶解した液状の電
解質、あるいは、テトラシアノキノジメタンを主成分と
するゲル状の電解質等がある。これらの電解質は、電解
質自体の吸湿性、含有成分の飛散性等の性質を有してい
る。したがって、完成した電解コンデンサの電気的特性
を一定に維持するためには、コンデンサ素子を外気と遮
断する、高度な気密性が要求される。
また、電解コンデンサのチップ化は、電解質を含浸した
コンデンサ素子を外装樹脂で被覆し、コンデンサ素子か
ら導出したリードをプリント配線に臨むように外装樹脂
の側面および底面に沿って折曲して実現していた。この
チップ型電解コンデンサを実現する場合も、通常の電解
コンデンサと同様に、内部の気密性を保持する必要があ
る。
コンデンサ素子を外装樹脂で被覆し、コンデンサ素子か
ら導出したリードをプリント配線に臨むように外装樹脂
の側面および底面に沿って折曲して実現していた。この
チップ型電解コンデンサを実現する場合も、通常の電解
コンデンサと同様に、内部の気密性を保持する必要があ
る。
このような気密性を確保するためには、外装樹脂自体の
気密性、およびリードとの密着性が重要な要素となる。
気密性、およびリードとの密着性が重要な要素となる。
更に、半田リフロー処理における半田付は温度に対する
耐熱性、電解質に対する化学的安定性を考慮する必要が
ある。そこで、耐熱性に優れ、金属との密着性が良好な
、エポキシ等の熱硬化性合成樹脂が用いられ、その成形
はトランスファー成形によって行われている。
耐熱性、電解質に対する化学的安定性を考慮する必要が
ある。そこで、耐熱性に優れ、金属との密着性が良好な
、エポキシ等の熱硬化性合成樹脂が用いられ、その成形
はトランスファー成形によって行われている。
しかし、電解質を含浸したコンデンサ素子の外表面に、
熱硬化性合成樹脂からなる外装樹脂層を成形する場合、
そのトランスファー成形による樹脂温度および金型温度
は200〜250℃に達する。したがって、コンデンサ
素子に含浸された液状の電解質は、沸腋、蒸発してしま
い、製品化は容易でない。また、テトラシアノキノジメ
タンを主成分とするゲル状の電解質は、約200℃前後
で溶融するが、熱に対して脆弱であるため、短時間で熱
分解をはじめ、絶縁体に変化してしまう。したがって、
このような電解質を含浸したコンデンサ素子に、外装樹
脂を被覆する場合、電解質が成形加工の際に熱分解して
しまい、電気的特性が劣化する場合があった。
熱硬化性合成樹脂からなる外装樹脂層を成形する場合、
そのトランスファー成形による樹脂温度および金型温度
は200〜250℃に達する。したがって、コンデンサ
素子に含浸された液状の電解質は、沸腋、蒸発してしま
い、製品化は容易でない。また、テトラシアノキノジメ
タンを主成分とするゲル状の電解質は、約200℃前後
で溶融するが、熱に対して脆弱であるため、短時間で熱
分解をはじめ、絶縁体に変化してしまう。したがって、
このような電解質を含浸したコンデンサ素子に、外装樹
脂を被覆する場合、電解質が成形加工の際に熱分解して
しまい、電気的特性が劣化する場合があった。
そこで、第2図に示したような、外装樹脂層7を形成し
た後、電解質を含浸する構造が考えられた。すなわち、
コンデンサ素子1は、一部に突起部10が形成されてい
るとともに、この突起部10の中央部に透孔9ををする
内装用の箱体6に収納される。この箱体6の外表面には
、熱硬化性合成樹脂からなる外装樹脂層7が、前記透孔
9塞ぐことなく成形される。電解質はこの透孔9からコ
ンデンサ内部に注入され、コンデンサ素子1に含浸され
る。
た後、電解質を含浸する構造が考えられた。すなわち、
コンデンサ素子1は、一部に突起部10が形成されてい
るとともに、この突起部10の中央部に透孔9ををする
内装用の箱体6に収納される。この箱体6の外表面には
、熱硬化性合成樹脂からなる外装樹脂層7が、前記透孔
9塞ぐことなく成形される。電解質はこの透孔9からコ
ンデンサ内部に注入され、コンデンサ素子1に含浸され
る。
この構造によると、外装樹脂層7が成形された後にコン
デンサ素子に電解質が含浸されるので、外装樹脂層7の
成形熱で電解質が変性することは防げるが、コンデンサ
素子1自体の熱劣化を防止することは困難であった。ま
た、前記透孔9から注入できる電解質は、低密度の液状
電解質に限定され、ゲル状の電解質を用いた電解コンデ
ンサに応用することは困難である。
デンサ素子に電解質が含浸されるので、外装樹脂層7の
成形熱で電解質が変性することは防げるが、コンデンサ
素子1自体の熱劣化を防止することは困難であった。ま
た、前記透孔9から注入できる電解質は、低密度の液状
電解質に限定され、ゲル状の電解質を用いた電解コンデ
ンサに応用することは困難である。
また、電解質を注入する透孔9は、電解質注入の後、閉
塞栓8によって閉塞されるが、この閉塞栓8と外装樹脂
層7との間に微小な隙間が生じることがあり、気密性に
対する信頼性に乏しい。
塞栓8によって閉塞されるが、この閉塞栓8と外装樹脂
層7との間に微小な隙間が生じることがあり、気密性に
対する信頼性に乏しい。
この発明は、上記の点に鑑み、コンデンサ素子の気密性
を保持しつつ、外装樹脂の成形熱による熱劣化を抑制し
た、信頼性の高い電解コンデンサの提供を目的としてい
る。
を保持しつつ、外装樹脂の成形熱による熱劣化を抑制し
た、信頼性の高い電解コンデンサの提供を目的としてい
る。
この発明は、電極箔を巻回もしくは積層して形成したコ
ンデンサ素子と、このコンデンサ素子に含浸された電解
質と、前記電極箔に電気的に接続されているとともに、
コンデンサ素子端面から導出されたリードと、前記コン
デンサ素子およびリードの一部の表面に射出成形により
形成された第1の外装樹脂層と、第1の外装用脂層の外
表面に射出成形により形成された第2の外装樹脂層とか
らなることを特徴としている。また、前記第1の外装樹
脂はポリプロピレンもしくはポリエチレン等の低融点の
熱可塑性合成樹脂であり、第2の外装樹脂はポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエーテルスルボン、ポリエーテ
ルエーテルケトン、ポリオキシベンゾエート、ポリスル
ホン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテ
ルイミド、ポリフェニレンサルファイドから選択された
熱可塑性合成樹脂であることを特徴としている。
ンデンサ素子と、このコンデンサ素子に含浸された電解
質と、前記電極箔に電気的に接続されているとともに、
コンデンサ素子端面から導出されたリードと、前記コン
デンサ素子およびリードの一部の表面に射出成形により
形成された第1の外装樹脂層と、第1の外装用脂層の外
表面に射出成形により形成された第2の外装樹脂層とか
らなることを特徴としている。また、前記第1の外装樹
脂はポリプロピレンもしくはポリエチレン等の低融点の
熱可塑性合成樹脂であり、第2の外装樹脂はポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエーテルスルボン、ポリエーテ
ルエーテルケトン、ポリオキシベンゾエート、ポリスル
ホン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテ
ルイミド、ポリフェニレンサルファイドから選択された
熱可塑性合成樹脂であることを特徴としている。
次いで、この発明の実施例を図面にしたがい説明する。
第1図は、この発明の詳細な説明する断面図である。
コンデンサ素子1は、電極箔を巻回して形成されている
。リード4は電極箔に電気的に接続されているとともに
、コンデンサ素子1の端面から導出されている。このコ
ンデンサ素子1に、テトラシアノキノジメタンを主成分
とするゲル状の電解質を含浸する。含浸は、電解質を溶
融温度付近まで加熱して行う。
。リード4は電極箔に電気的に接続されているとともに
、コンデンサ素子1の端面から導出されている。このコ
ンデンサ素子1に、テトラシアノキノジメタンを主成分
とするゲル状の電解質を含浸する。含浸は、電解質を溶
融温度付近まで加熱して行う。
電解質が含浸されたコンデンサ素子1の外表面には、ポ
リプロピレンからなる第1の外装樹脂層2が射出成形に
よって形成されている。なお、第1の外装樹脂層2とリ
ード4との密着性が悪い場合はOH基またはC00II
5を有する第3成分をグラフト重合したポリプロピレン
を使用してもよい。
リプロピレンからなる第1の外装樹脂層2が射出成形に
よって形成されている。なお、第1の外装樹脂層2とリ
ード4との密着性が悪い場合はOH基またはC00II
5を有する第3成分をグラフト重合したポリプロピレン
を使用してもよい。
射出成形は、第3図に示したように、コンデンサ素子1
を金型11a、llbのほぼ中央部に収納して行われる
。金型11は、予め射出される合成樹脂の溶融温度より
も低く設定されているとともに、加熱溶融された樹脂が
高圧で注入される注入孔12が設けられている。また、
金型片11a、 llbの接合面には、コンデンサ素子
1から導出されたり−ド4の先端部分が嵌入する溝部1
3が設けられている。
を金型11a、llbのほぼ中央部に収納して行われる
。金型11は、予め射出される合成樹脂の溶融温度より
も低く設定されているとともに、加熱溶融された樹脂が
高圧で注入される注入孔12が設けられている。また、
金型片11a、 llbの接合面には、コンデンサ素子
1から導出されたり−ド4の先端部分が嵌入する溝部1
3が設けられている。
リード4の先端部分は、溝部13に嵌入して、金型11
の枠外に配置されるので、第1の外装樹脂層2が被覆し
ないことになる。コンデンサ素子1が収納され密封され
た金型11には、矢印Aの方向から加熱溶融されたポリ
プロピレンが注入される。金型1工は、予めポリプロピ
レンの溶融温度よりも低く設定されているので、金型1
1に注入されたポリプロピレンは短時間で固化し、第1
の装樹脂層2が形成される。
の枠外に配置されるので、第1の外装樹脂層2が被覆し
ないことになる。コンデンサ素子1が収納され密封され
た金型11には、矢印Aの方向から加熱溶融されたポリ
プロピレンが注入される。金型1工は、予めポリプロピ
レンの溶融温度よりも低く設定されているので、金型1
1に注入されたポリプロピレンは短時間で固化し、第1
の装樹脂層2が形成される。
第1の外装樹脂層2の外表面には、第1図に示すように
、更に第2の外装樹脂層3が形成されている。第2の外
装樹脂層3はポリエチレンテレフタレート等の高融点の
熱可塑性合成樹脂からなり、第1の外装樹脂層2と同様
に射出成形によって被覆される。
、更に第2の外装樹脂層3が形成されている。第2の外
装樹脂層3はポリエチレンテレフタレート等の高融点の
熱可塑性合成樹脂からなり、第1の外装樹脂層2と同様
に射出成形によって被覆される。
また、コンデンサ素子1から導出されたり一ド4は、半
田付は可能な金属、例えば、銅線もしく−ま銅板に錫メ
ッキを施した接続端子5と電気的に接続されている。更
に、第2の外装樹脂層3から突出した前記接続端子5は
、第2の外装樹脂層3の側面部および底面部に沿って折
曲され、底面部に臨む接続端子がフェイスポンディング
基板のプリント配線に当接することとなる。
田付は可能な金属、例えば、銅線もしく−ま銅板に錫メ
ッキを施した接続端子5と電気的に接続されている。更
に、第2の外装樹脂層3から突出した前記接続端子5は
、第2の外装樹脂層3の側面部および底面部に沿って折
曲され、底面部に臨む接続端子がフェイスポンディング
基板のプリント配線に当接することとなる。
コンデンサ素子1の外表面に被覆される第1および第2
の外装樹脂層2.3は、射出成形によって行われる。射
出成形は、前記のように、一般に材料である樹脂の溶融
温度よりも低く設定された金型11に、加熱/8融され
た樹脂が高圧で注入されて行われ、注入された樹脂は、
短時間のうちに固化する。したがって、コンデンサ素子
1および電解質に与える熱的ストレスはトランスファー
成形に比較して少ない。
の外装樹脂層2.3は、射出成形によって行われる。射
出成形は、前記のように、一般に材料である樹脂の溶融
温度よりも低く設定された金型11に、加熱/8融され
た樹脂が高圧で注入されて行われ、注入された樹脂は、
短時間のうちに固化する。したがって、コンデンサ素子
1および電解質に与える熱的ストレスはトランスファー
成形に比較して少ない。
なお、ポリプロピレンおよびポリエチレン等は、他の熱
可塑[生合成樹脂に比較して、低温で軟化する特性を有
し、低温域における射出成形が可能である。したがって
、これらの合成樹脂を電解質の含浸されたコンデンサ素
子lに直接被覆しても、電解質およびコンデンサ素子1
自体に、熱的ストレスによる悪影響を及ぼすことが少な
い。また、この第1の外装樹脂層2は、第2の外装樹脂
層3を形成する際の断熱作用を有し、第2の外装樹脂層
3が、射出成形によって形成されることと相俟って、コ
ンデンサ素子1および電解質に対する熱的ストレスを最
小限に止める。
可塑[生合成樹脂に比較して、低温で軟化する特性を有
し、低温域における射出成形が可能である。したがって
、これらの合成樹脂を電解質の含浸されたコンデンサ素
子lに直接被覆しても、電解質およびコンデンサ素子1
自体に、熱的ストレスによる悪影響を及ぼすことが少な
い。また、この第1の外装樹脂層2は、第2の外装樹脂
層3を形成する際の断熱作用を有し、第2の外装樹脂層
3が、射出成形によって形成されることと相俟って、コ
ンデンサ素子1および電解質に対する熱的ストレスを最
小限に止める。
また、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスル
ホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリオキシヘンゾ
エート、ポリスルホン、ポリアリレート、ポリアミドイ
ミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイ
ド等の合成樹脂は、いずれも高融点の熱可塑性合成樹脂
であり、半田リフローに対する耐熱性を有しているとと
もに、高温中においても、長期にわたって気密性を保持
することが可能である。更に、半田付は可能な金属との
密着性にも優れ、電解コンデンサの寿命特性の向上を図
ることができる。
ホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリオキシヘンゾ
エート、ポリスルホン、ポリアリレート、ポリアミドイ
ミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイ
ド等の合成樹脂は、いずれも高融点の熱可塑性合成樹脂
であり、半田リフローに対する耐熱性を有しているとと
もに、高温中においても、長期にわたって気密性を保持
することが可能である。更に、半田付は可能な金属との
密着性にも優れ、電解コンデンサの寿命特性の向上を図
ることができる。
次ぎに、この発明にかかる電解コンデンサと、従来の構
造にかかる電解コンデンサとの寿命特性の比較を行う。
造にかかる電解コンデンサとの寿命特性の比較を行う。
試料は、実施例および従来例のいずれも、定格電圧16
V、定格静電容量10μFで各々10個用意した。また
、電解質はテトラシアノキノジメタンとイソプロピル−
イソキノリウムとの錯塩にT−ブチロラクトンを添加し
た混合物を使用し、この電解質を溶融温度付近まで加熱
してコンデンサ素子に含浸した。
V、定格静電容量10μFで各々10個用意した。また
、電解質はテトラシアノキノジメタンとイソプロピル−
イソキノリウムとの錯塩にT−ブチロラクトンを添加し
た混合物を使用し、この電解質を溶融温度付近まで加熱
してコンデンサ素子に含浸した。
従来例1
・内装用箱体:ポリフェニレンサルファイド・外装樹脂
:エポキシ ・外装成形 ニドランスファー成形 従来例2 ・内装用箱体:ポリブチレンテレフタレート・外装樹脂
:フェノール ・外装成形 ニドランスファー成形 実施例1 ・第1外装樹脂:ポリプロピレン ・第2外装樹脂:ポリエーテルエーテルケトン・成 形
:射出成形 実施例2 ・第1外装樹脂:ポリエチレン ・第2外装樹脂:ポリフェニレンサルファイド・成 形
:射出成形 上記の各試料を、85°Cの温度下で電圧無負荷状態お
よび定格電圧16Vを印加した状態で放置して、各々寿
命試験を行い、その容量変化率の平均値を測定した。そ
の結果を以下に示す。
:エポキシ ・外装成形 ニドランスファー成形 従来例2 ・内装用箱体:ポリブチレンテレフタレート・外装樹脂
:フェノール ・外装成形 ニドランスファー成形 実施例1 ・第1外装樹脂:ポリプロピレン ・第2外装樹脂:ポリエーテルエーテルケトン・成 形
:射出成形 実施例2 ・第1外装樹脂:ポリエチレン ・第2外装樹脂:ポリフェニレンサルファイド・成 形
:射出成形 上記の各試料を、85°Cの温度下で電圧無負荷状態お
よび定格電圧16Vを印加した状態で放置して、各々寿
命試験を行い、その容量変化率の平均値を測定した。そ
の結果を以下に示す。
表2〔電圧16V印加状態〕
上記の表からも明らかなように、実施例1および実施例
2は、電圧負荷、無負荷いずれの場合も安定しまた1、
“j性を示し、寿命特性にtfflれていることが理解
される。
2は、電圧負荷、無負荷いずれの場合も安定しまた1、
“j性を示し、寿命特性にtfflれていることが理解
される。
なお、前記実施例および比較試験においては、電解質と
して、テトラシアノキノジメタンを主成分としたゲル状
の電解質を用いたが、エチレングリコールを主成分とす
る液状の電解質を含浸したコンデンサ素子にも応用する
ことができる。
して、テトラシアノキノジメタンを主成分としたゲル状
の電解質を用いたが、エチレングリコールを主成分とす
る液状の電解質を含浸したコンデンサ素子にも応用する
ことができる。
以上のように、この発明は、電極箔を巻回もしくは積層
して形成したコンデンサ素子と、このコンデンサ素子に
含浸された電解質と、前記電極箔に電気的に接続されて
いるとともに、コンデンサ素子端面から導出されたリー
ドと、前記コンデンサ素子およびリードの一部の表面に
射出成形により形成された第1の外装樹脂層と、第1の
外装樹脂層の外表面に射出成形により形成された第2の
外装樹脂層とからなることを特徴としているので、外装
樹脂層は、成形時に、短時間で固化する。したがって、
この外装樹脂層の成形熱によって電解質が変性すること
が少なく、またコンデンサ素子が熱劣化することが少な
く、安定した電気的特性を有する電解コンデンサを実現
することができる。
して形成したコンデンサ素子と、このコンデンサ素子に
含浸された電解質と、前記電極箔に電気的に接続されて
いるとともに、コンデンサ素子端面から導出されたリー
ドと、前記コンデンサ素子およびリードの一部の表面に
射出成形により形成された第1の外装樹脂層と、第1の
外装樹脂層の外表面に射出成形により形成された第2の
外装樹脂層とからなることを特徴としているので、外装
樹脂層は、成形時に、短時間で固化する。したがって、
この外装樹脂層の成形熱によって電解質が変性すること
が少なく、またコンデンサ素子が熱劣化することが少な
く、安定した電気的特性を有する電解コンデンサを実現
することができる。
また、従来のように、電解質を含浸するための透孔を設
ける必要がなく、ゲル状の電解質を用いることが可能と
なるほか、透孔から電解質が漏洩し、あるいは外気の水
分が電解コンデンサ内部に浸透することが無くなり、寿
命特性の向上を図ることができる。
ける必要がなく、ゲル状の電解質を用いることが可能と
なるほか、透孔から電解質が漏洩し、あるいは外気の水
分が電解コンデンサ内部に浸透することが無くなり、寿
命特性の向上を図ることができる。
また、前記第1の外装樹脂は、ポリブロビレンもしくは
ポリエチレン等の低融点の熱可塑性合成樹脂からなる。
ポリエチレン等の低融点の熱可塑性合成樹脂からなる。
したがって、低温域における成形が可能でなり、射出成
形法による成形と相俟って、コンデンサ素子および電解
質に対する熱的ストレスが少なく、安定した電気的特性
を維持することができる。
形法による成形と相俟って、コンデンサ素子および電解
質に対する熱的ストレスが少なく、安定した電気的特性
を維持することができる。
更に、第2の外装樹脂は、ポリエチレンテレフタレート
、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン
、ポリオキシヘンゾエート、ポリスルホン、ポリアリレ
ート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリフ
ェニレンサルファイドから選択された高融点の熱可塑性
合成樹脂であることを特徴としているので、半田リフロ
ー等の半田付は温度に耐えることができる。また、前記
第1の外装樹脂層とともに、半田付は熱がコンデンサ素
子に伝達されることを抑制し、信頼性の高いN/Wコン
デンサを実現するとこができる。
、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン
、ポリオキシヘンゾエート、ポリスルホン、ポリアリレ
ート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリフ
ェニレンサルファイドから選択された高融点の熱可塑性
合成樹脂であることを特徴としているので、半田リフロ
ー等の半田付は温度に耐えることができる。また、前記
第1の外装樹脂層とともに、半田付は熱がコンデンサ素
子に伝達されることを抑制し、信頼性の高いN/Wコン
デンサを実現するとこができる。
以上説明したように、この発明による電解コンデンサは
、射出成形による二層構造の外装樹脂層を具備すること
により、優れた寿命時性を示す有益な発明である。
、射出成形による二層構造の外装樹脂層を具備すること
により、優れた寿命時性を示す有益な発明である。
第1図はこの発明の実施例を示した断面図、第2図は従
来のチップ型電解コンデンサの構造を示した断面図、第
3図はこの発明の実施例の製造過程を示す説明図である
。 なお、共通する部分、部品については共通の符合を附し
ている。 1・・コンデンサ素子、2・・第1の外装樹脂層、3・
・第2の外装樹脂層、4・・リード、5・・接続端子、
6・・箱体、7・・外装樹脂層、8・・閉塞栓、9・・
透孔、10・・突起部、11・・金型、12・・注入孔
、13・・溝部。 特 許 出 願 人 日本ケミコン株式会社 第1図 第2図 第3図
来のチップ型電解コンデンサの構造を示した断面図、第
3図はこの発明の実施例の製造過程を示す説明図である
。 なお、共通する部分、部品については共通の符合を附し
ている。 1・・コンデンサ素子、2・・第1の外装樹脂層、3・
・第2の外装樹脂層、4・・リード、5・・接続端子、
6・・箱体、7・・外装樹脂層、8・・閉塞栓、9・・
透孔、10・・突起部、11・・金型、12・・注入孔
、13・・溝部。 特 許 出 願 人 日本ケミコン株式会社 第1図 第2図 第3図
Claims (3)
- (1)電極箔を巻回もしくは積層して形成したコンデン
サ素子と、このコンデンサ素子に含浸された電解質と、
前記電極箔に電気的に接続されているとともに、コンデ
ンサ素子端面から導出されたリードと、前記コンデンサ
素子の外表面およびリードの一部の表面に射出成形によ
り形成された第1の外装樹脂層と、第1の外装樹脂層の
外表面に射出成形により形成された第2の外装樹脂層と
からなることを特徴とする電解コンデンサ。 - (2)前記第1の外装樹脂は、ポリプロピレンもしくは
ポリエチレンであることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の電解コンデンサ。 - (3)前記第2の外装樹脂は、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケ
トン、ポリオキシベンゾエート、ポリスルホン、ポリア
リレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポ
リフェニレンサルファイドから選択された熱可塑性合成
樹脂であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20672284A JPS6184822A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20672284A JPS6184822A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184822A true JPS6184822A (ja) | 1986-04-30 |
Family
ID=16528020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20672284A Pending JPS6184822A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184822A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59206723A (ja) * | 1983-05-11 | 1984-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 中心窩順応輝度計測装置 |
-
1984
- 1984-10-02 JP JP20672284A patent/JPS6184822A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59206723A (ja) * | 1983-05-11 | 1984-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 中心窩順応輝度計測装置 |
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