JPS6184828A - 燐化インジユウムイオン注入導電層の形成方法 - Google Patents
燐化インジユウムイオン注入導電層の形成方法Info
- Publication number
- JPS6184828A JPS6184828A JP59206560A JP20656084A JPS6184828A JP S6184828 A JPS6184828 A JP S6184828A JP 59206560 A JP59206560 A JP 59206560A JP 20656084 A JP20656084 A JP 20656084A JP S6184828 A JPS6184828 A JP S6184828A
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- JP
- Japan
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- temperature
- conductive layer
- ion
- mobility
- heat
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P30/00—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices
- H10P30/20—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は燐化インジェーム（ＩｎＰＪイオン注入導電層
の形成方法に関し、特に注入された不純物全電気的に活
性化するための熱処理方法、更に詳しくは熱処理温度に
関するもの′ｒ：るる。
の形成方法に関し、特に注入された不純物全電気的に活
性化するための熱処理方法、更に詳しくは熱処理温度に
関するもの′ｒ：るる。
燐化インジェーム（ＩｎＰ）は砒化ガリウム（ＧａＡｓ
）と並んで超高周波・高出力ｉｐｇＴ及び高速論理素子
間材料として期待されている。砒化ガリウム（ＧａＡり
と同様に燐化インジェーム（ＩｎＰ）Ｉｃおいても導電
層の形成にイオン注入技術が使用され。
）と並んで超高周波・高出力ｉｐｇＴ及び高速論理素子
間材料として期待されている。砒化ガリウム（ＧａＡり
と同様に燐化インジェーム（ＩｎＰ）Ｉｃおいても導電
層の形成にイオン注入技術が使用され。
以下に述べる工うないくつかの報告がみられる０即ち、
ジャーナル・オブ・アゲライド・フィツクス（Ｊ、Ａｐ
ｐｌ、Ｐｈｙｓ、）、 ５１（１９８０）の５７９０頁
においてにアニール温度５００℃から７５０″’Ｃｋ用
いて。
ジャーナル・オブ・アゲライド・フィツクス（Ｊ、Ａｐ
ｐｌ、Ｐｈｙｓ、）、 ５１（１９８０）の５７９０頁
においてにアニール温度５００℃から７５０″’Ｃｋ用
いて。
またアゲライド・フィツクス・レターズ（Ａｐｐｌ。
Ｐｈｙｓ、 Ｌｅ ｔ ｔ、ハ３５（１９７９）の１９
２頁においてり。
２頁においてり。
アニール温度６５０℃から８００’Ｃｋ用いてアニール
し得られ丸溝電層に関する電気的測定結果が報告されて
いる。これ等の報告では、いずれも室温での測定結果に
関する報告のみであり、液体窒素温度（７７Ｋ）に冷却
した場合についての測定結果は何等報告されていない。
し得られ丸溝電層に関する電気的測定結果が報告されて
いる。これ等の報告では、いずれも室温での測定結果に
関する報告のみであり、液体窒素温度（７７Ｋ）に冷却
した場合についての測定結果は何等報告されていない。
ＩｎＰ基板に形成されたイオン注入溝１！層ｒ用いて製
造され之ＦＨＴもしくはＩＣｉ液体窒累温度（７７Ｋ）
以下に冷却して使用する事は、動作層のキャリア移動度
が室温に比べ高い値を示すことからエフ高速動作が可能
となり、素子の性能全高める事が可能となる。
造され之ＦＨＴもしくはＩＣｉ液体窒累温度（７７Ｋ）
以下に冷却して使用する事は、動作層のキャリア移動度
が室温に比べ高い値を示すことからエフ高速動作が可能
となり、素子の性能全高める事が可能となる。
゛・し°かしながら、ＩｎＰ基板に形成され九動作層の
液体窒素温度（７７Ｋ）における電気的測定結果につい
ては前述したＬうに、現状では全く報告されておらず、
従って液体窒素温度（７７Ｋ）で素子を動作させる事全
目的とし友イオン注入導電層形成に関する最適アニール
条件については全く不明である。
液体窒素温度（７７Ｋ）における電気的測定結果につい
ては前述したＬうに、現状では全く報告されておらず、
従って液体窒素温度（７７Ｋ）で素子を動作させる事全
目的とし友イオン注入導電層形成に関する最適アニール
条件については全く不明である。
本発明の目的は、以上の点會考慮し、液体窒素温度（７
７Ｋ）以下に冷却して使用するＩｎＰ紮用い次素子に関
し、その高性能化の達成が可能なイオン注入導電層の新
規な形成方法を提供することにめる０ 〔発明の構成〕 本発明の燐化インジユウムイオン注入４を層の形成方法
は、燐化インジユウム半導体素子のイオン注入＄を層を
形成する方法において、前記熱処理に７２０℃から７８
０℃の範囲内の温度で行うことを特徴として精成される
。
７Ｋ）以下に冷却して使用するＩｎＰ紮用い次素子に関
し、その高性能化の達成が可能なイオン注入導電層の新
規な形成方法を提供することにめる０ 〔発明の構成〕 本発明の燐化インジユウムイオン注入４を層の形成方法
は、燐化インジユウム半導体素子のイオン注入＄を層を
形成する方法において、前記熱処理に７２０℃から７８
０℃の範囲内の温度で行うことを特徴として精成される
。
本発明は、イオン注入及びその後の熱処理にＬり形成さ
れ几導電層の液体窒素温度（７７Ｋ）における移動度が
、イオン注入後の熱処理温度として７２０℃から７８０
℃の範囲にて使用する事にＬ９、著るしく高める事が可
能であるといり新規な実験結果に根ざしている。
れ几導電層の液体窒素温度（７７Ｋ）における移動度が
、イオン注入後の熱処理温度として７２０℃から７８０
℃の範囲にて使用する事にＬ９、著るしく高める事が可
能であるといり新規な実験結果に根ざしている。
以下、本発明の実施例について、図面ｒ参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図及び第２図は本発明の詳細な説明する几めに室温
（ＩＬＴ ）と液体窒素温度（７７Ｋ）で求め次シート
キャリア濃度及びホール移動度の７ニールンエネルギー
１３０ＫｅＶ 、 ドーズｉ４．０Ｘ１０ ａｎの
条件で室温で注入し次試料にＰＥＧ膜を被着し電気炉を
用いて水素雰囲気中で所定温度で１５分間熱処理し九〇
熱処理温度ｆ１６５０℃、７００℃。
（ＩＬＴ ）と液体窒素温度（７７Ｋ）で求め次シート
キャリア濃度及びホール移動度の７ニールンエネルギー
１３０ＫｅＶ 、 ドーズｉ４．０Ｘ１０ ａｎの
条件で室温で注入し次試料にＰＥＧ膜を被着し電気炉を
用いて水素雰囲気中で所定温度で１５分間熱処理し九〇
熱処理温度ｆ１６５０℃、７００℃。
７５０℃、８００℃に変えてそれぞれの試料を作成した
０ 上記試料につき、測定温度として室温（ＢＴ）と液体窒
素温度（７７Ｋ）全選び、イオン注入導電層のシートギ
ヤリア濃度およびホール移動贋金測定し、シートキャリ
ア濃度とホール移動度のアニール温度依存性を求めその
結果全第１図及び第２図に示し友。
０ 上記試料につき、測定温度として室温（ＢＴ）と液体窒
素温度（７７Ｋ）全選び、イオン注入導電層のシートギ
ヤリア濃度およびホール移動贋金測定し、シートキャリ
ア濃度とホール移動度のアニール温度依存性を求めその
結果全第１図及び第２図に示し友。
第２図から明らかなＬうに、液体窒素温度（７７Ｋ）で
迎１定した場合、ホール移＠度はアニール温度６５０℃
で室温（ＲＴ ）での測定結果に比べておよそ２倍近イ
５８００ ｃｍ２Ａ／、Ｓ ｅ ｃ ｋ示している。ア
ニール温度の上昇と共にホール移動度は増大レアニール
温度７５０℃で最大値上水し、さらに高温の８００℃で
は約１．５倍の＝ｌ ２００ ｃｍ２／Ｖ、 Ｓ ｅ
ｃまで低下する。尚、この場合、シートキャリア濃度に
６５０℃から７５０℃のアニール温度の範囲でにほぼ一
定である。
迎１定した場合、ホール移＠度はアニール温度６５０℃
で室温（ＲＴ ）での測定結果に比べておよそ２倍近イ
５８００ ｃｍ２Ａ／、Ｓ ｅ ｃ ｋ示している。ア
ニール温度の上昇と共にホール移動度は増大レアニール
温度７５０℃で最大値上水し、さらに高温の８００℃で
は約１．５倍の＝ｌ ２００ ｃｍ２／Ｖ、 Ｓ ｅ
ｃまで低下する。尚、この場合、シートキャリア濃度に
６５０℃から７５０℃のアニール温度の範囲でにほぼ一
定である。
以上述べｔように１本発明の方法を用いて４電層七形成
し之楊合液体窒素温度（７７Ｋ）における導電層の高移
動化が容易に達成される。７５０℃の熱処理温度で移動
度が極大値上水し友が、熱処理温度として何もこの一点
に限る必要はなく、７２０℃から７８０℃の範囲内の熱
処理温度上用いても４を層の高移動化が達成され、液体
窒素温度（７７Ｋ）での素子性能の向上が達成され得る
。
し之楊合液体窒素温度（７７Ｋ）における導電層の高移
動化が容易に達成される。７５０℃の熱処理温度で移動
度が極大値上水し友が、熱処理温度として何もこの一点
に限る必要はなく、７２０℃から７８０℃の範囲内の熱
処理温度上用いても４を層の高移動化が達成され、液体
窒素温度（７７Ｋ）での素子性能の向上が達成され得る
。
以上から明らかな様に、アニール温度全７２０℃から７
８０℃の範囲に保って、イオン注入層の熱処理を行う事
にエフ、導１！層の液体窒素温度における高移動度化が
容易に達成される。
８０℃の範囲に保って、イオン注入層の熱処理を行う事
にエフ、導１！層の液体窒素温度における高移動度化が
容易に達成される。
【図面の簡単な説明】
第１□□□及び第２−は本発明の詳細な説明する定めの
室温（ＲＴ）と液体窒素温度（７７Ｋ）で求めたシート
キャリア濃度及びホール移動度のアニール温度依存特性
を示す図である。
室温（ＲＴ）と液体窒素温度（７７Ｋ）で求めたシート
キャリア濃度及びホール移動度のアニール温度依存特性
を示す図である。
Claims (1)
- 燐化インジユウム基板にイオン注入後熱処理を施し燐化
インジユウム半導体素子のイオン注入導電層を形成する
方法において、前記熱処理を７２０℃から７８０℃の範
囲内の温度で行うことを特徴とする燐化インジユウムイ
オン注入導電層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59206560A JPS6184828A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 燐化インジユウムイオン注入導電層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59206560A JPS6184828A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 燐化インジユウムイオン注入導電層の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184828A true JPS6184828A (ja) | 1986-04-30 |
Family
ID=16525414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59206560A Pending JPS6184828A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 燐化インジユウムイオン注入導電層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184828A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007090054A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-04-12 | Jms Co Ltd | 口腔関連圧力測定用プローブおよびこれを用いた口腔関連圧力測定装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57113233A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-14 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS582021A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS58102573A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-10-02 JP JP59206560A patent/JPS6184828A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57113233A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-14 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS582021A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS58102573A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007090054A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-04-12 | Jms Co Ltd | 口腔関連圧力測定用プローブおよびこれを用いた口腔関連圧力測定装置 |
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