JPS6186423A - ビスマス複酸化物の製造方法 - Google Patents
ビスマス複酸化物の製造方法Info
- Publication number
- JPS6186423A JPS6186423A JP20717184A JP20717184A JPS6186423A JP S6186423 A JPS6186423 A JP S6186423A JP 20717184 A JP20717184 A JP 20717184A JP 20717184 A JP20717184 A JP 20717184A JP S6186423 A JPS6186423 A JP S6186423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alkoxide
- bismuth
- reaction product
- reaction
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- -1 compound bismuth oxide Chemical class 0.000 title claims abstract description 17
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 title abstract 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 25
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 11
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 1
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 9
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 abstract description 9
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 abstract description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 4
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 abstract description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 15
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 9
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- MYXUYXMJVQWRPU-UHFFFAOYSA-N triethoxybismuthane Chemical compound [Bi+3].CC[O-].CC[O-].CC[O-] MYXUYXMJVQWRPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K bismuth chloride Chemical compound Cl[Bi](Cl)Cl JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 1
- 238000007416 differential thermogravimetric analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- QDRKDTQENPPHOJ-UHFFFAOYSA-N sodium ethoxide Chemical compound [Na+].CC[O-] QDRKDTQENPPHOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、アルコキシドの加水分解反応により層状化合
物のビスマス複酸化物の製造方法に関する。更に詳しく
は強誘電材料として電子材料に適するビスマス複酸化物
の製造方法に関するものである。
物のビスマス複酸化物の製造方法に関する。更に詳しく
は強誘電材料として電子材料に適するビスマス複酸化物
の製造方法に関するものである。
[従来の技術]
従来、ビスマス複酸化物は、各々の成分元素の酸化物を
混合し、仮焼−粉砕の工程を繰り返し行うことによって
製造されている。
混合し、仮焼−粉砕の工程を繰り返し行うことによって
製造されている。
[発明が解決しようとする問題点]
近年、電子部品に対し、より小型で高度な特性が要求さ
れるようになり、従ってそれに使用される原料粉体も、
従来に増して組成の均−性及び高純度微粒子であること
が必要になってきている。
れるようになり、従ってそれに使用される原料粉体も、
従来に増して組成の均−性及び高純度微粒子であること
が必要になってきている。
しかし、従来の方法によると、得られたビスマス複酸化
物は、微視的に観察した場合に各成分元素の酸化物が均
一に分布又は反応するとは限らず組成が不均質になり易
く、その特性を安定させることは困難であった。また粉
砕時に粉砕装置から不純物が混入し易く、誘電材料とし
ての特性が低下してしまう問題点があった。
物は、微視的に観察した場合に各成分元素の酸化物が均
一に分布又は反応するとは限らず組成が不均質になり易
く、その特性を安定させることは困難であった。また粉
砕時に粉砕装置から不純物が混入し易く、誘電材料とし
ての特性が低下してしまう問題点があった。
本発明の目的は、ビスマス複酸化物を均一な組成でかつ
高純度で微粒に製造し得る方法を提供することにある。
高純度で微粒に製造し得る方法を提供することにある。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、少なくともビスマスアルコキシドを含む2種
以上のアルコキシドを混合して反応させ、この反応生成
物を加水分解した後、この加水分解生成物を仮焼してビ
スマス複酸化物を得る方法である。
以上のアルコキシドを混合して反応させ、この反応生成
物を加水分解した後、この加水分解生成物を仮焼してビ
スマス複酸化物を得る方法である。
なおビスマス複酸化物は(Bi2(h)”″(A n−
IBn 03 n−+ F(但し、AはBa、Sr、C
a又はPb、 Bはn=1のときMo又はW、n=2の
ときNb又はTa、n=3のときNb又はTi、 n
= 4.5又は8のときTi) c7)構造をとるこ
とができる。
IBn 03 n−+ F(但し、AはBa、Sr、C
a又はPb、 Bはn=1のときMo又はW、n=2の
ときNb又はTa、n=3のときNb又はTi、 n
= 4.5又は8のときTi) c7)構造をとるこ
とができる。
本明細書で「アルコキシド」とはアルコールのOH基の
水素元素を金属元素で置換した化合物をいう。
水素元素を金属元素で置換した化合物をいう。
本発明の出発原料は、ビスマスアルコキシドを含む2種
以上のアルコキシドであってビスマスアルコキシド以外
のアルコキシドとしては、バリウムアルコキシド、スト
ロンチウムアルコキシド、カルシウムアルコキシド、鉛
アルコキシド、モリブデンアルコキシド、タングステン
アルコキシド、ニオブアルコキシド、タンタルアルコキ
シド、チタンアルコキシドがある。本発明はビスマスア
ルコキシドの外に、上記アルコキシドの中から1種又は
2種のアルコキシドを選定して組合せた2種又は3種の
アルコキシドを出発原料とする。
以上のアルコキシドであってビスマスアルコキシド以外
のアルコキシドとしては、バリウムアルコキシド、スト
ロンチウムアルコキシド、カルシウムアルコキシド、鉛
アルコキシド、モリブデンアルコキシド、タングステン
アルコキシド、ニオブアルコキシド、タンタルアルコキ
シド、チタンアルコキシドがある。本発明はビスマスア
ルコキシドの外に、上記アルコキシドの中から1種又は
2種のアルコキシドを選定して組合せた2種又は3種の
アルコキシドを出発原料とする。
上記2種又は3種の組合せの各々の成分アルコキシドを
所望の組成に混合して反応させる。この場合混合及び反
応は有機溶媒中で行うことが好ましい。これは混合の便
宜を図り反応を促進させるとともに後述の加水分解によ
り生じる沈殿物の組成を混合した組成に一致させるため
である。この有機溶媒としては、ベンゼン、アルコール
、トルエン、キシレン等が適当であるが、溶解度が高い
ことからベンゼンが最適である。反応温度が各成分アル
コキシドが分解する温度未満であれば差支えないが、取
扱いの便宜のために0〜100℃、特に望ましい温度は
40〜100℃である。
所望の組成に混合して反応させる。この場合混合及び反
応は有機溶媒中で行うことが好ましい。これは混合の便
宜を図り反応を促進させるとともに後述の加水分解によ
り生じる沈殿物の組成を混合した組成に一致させるため
である。この有機溶媒としては、ベンゼン、アルコール
、トルエン、キシレン等が適当であるが、溶解度が高い
ことからベンゼンが最適である。反応温度が各成分アル
コキシドが分解する温度未満であれば差支えないが、取
扱いの便宜のために0〜100℃、特に望ましい温度は
40〜100℃である。
」二足混合及び反応により生成された反応生成物の加水
分解は、反応溶液中に脱炭酸した蒸留水を直接加えるこ
とにより行うことができる以外に、加圧容器から吹出す
水蒸気に反応生成物を接触させる方法でも行うことがで
きる。この加水分解のための反応温度は、加圧しない状
!Eでは、各成分アルコキシドが分解せずしかも取扱い
の容易な0〜100℃の範囲、特に望ましい温度は25
〜100℃である。加圧して行う場合、或いは水蒸気流
に接触させる方法では100〜200℃が適当である。
分解は、反応溶液中に脱炭酸した蒸留水を直接加えるこ
とにより行うことができる以外に、加圧容器から吹出す
水蒸気に反応生成物を接触させる方法でも行うことがで
きる。この加水分解のための反応温度は、加圧しない状
!Eでは、各成分アルコキシドが分解せずしかも取扱い
の容易な0〜100℃の範囲、特に望ましい温度は25
〜100℃である。加圧して行う場合、或いは水蒸気流
に接触させる方法では100〜200℃が適当である。
この加水分解により粉末状の白色沈殿物が生成する。こ
の沈殿物を遠心分離又は濾過により加水分解液から分離
し、必要により真空乾燥等の乾燥を行えば、粉体が得ら
れる。
の沈殿物を遠心分離又は濾過により加水分解液から分離
し、必要により真空乾燥等の乾燥を行えば、粉体が得ら
れる。
4−2反応により得られた粉体をX線回折、熱分析及び
電子顕微鏡観察により物性及び構造を調べる。加水分解
生成物のままの状態では非晶質のビスマス複酸化物であ
ることが多いが、仮焼により容易に結晶質のビスマス複
酸化物を得ることができる。この仮焼温度は、結晶質へ
の転移効率を向上させるために、 600℃以上であっ
てビスマス複酸化物の分解開始温度未満であることが好
ましいが、更に低い温度でも或いは真空加熱によっても
得ることができる。
電子顕微鏡観察により物性及び構造を調べる。加水分解
生成物のままの状態では非晶質のビスマス複酸化物であ
ることが多いが、仮焼により容易に結晶質のビスマス複
酸化物を得ることができる。この仮焼温度は、結晶質へ
の転移効率を向上させるために、 600℃以上であっ
てビスマス複酸化物の分解開始温度未満であることが好
ましいが、更に低い温度でも或いは真空加熱によっても
得ることができる。
特に出発原料をビスマスアルコキシドと2価金属のBa
、Sr 、Ca 、Pbのアルコキシドとを含む3種
のアルコキシドとした場合には、次の構造式のビスマス
複酸化物が得られる。
、Sr 、Ca 、Pbのアルコキシドとを含む3種
のアルコキシドとした場合には、次の構造式のビスマス
複酸化物が得られる。
(BizOz)” (An+tBnOin++))・−
−−−−−−(1)(但し、AはBa 、Sr、Ca又
はPb、 Bはn=1(7)ときMo又はW、n=2の
ときNb又はTa、n=3のときNb又はTi、 n
= 4.5又は8のときTaテある。)仮焼により得
られたビスマス複酸化物は化学分析の結果、不純物0.
1%以下の高純度の物質であり、また電子顕微鏡観察に
よると、0.01〜 (111Lmの粒径の微粒子であ
る。また金属原子の各成分組成比は極めて化学量論比に
近いものであることが確認できる。
−−−−−−(1)(但し、AはBa 、Sr、Ca又
はPb、 Bはn=1(7)ときMo又はW、n=2の
ときNb又はTa、n=3のときNb又はTi、 n
= 4.5又は8のときTaテある。)仮焼により得
られたビスマス複酸化物は化学分析の結果、不純物0.
1%以下の高純度の物質であり、また電子顕微鏡観察に
よると、0.01〜 (111Lmの粒径の微粒子であ
る。また金属原子の各成分組成比は極めて化学量論比に
近いものであることが確認できる。
[発明の効果]
以上述べたように1本発明のよれば、従来のように粉砕
工程を経ることなく、少ないエネルギー消費で高純度で
微粒のビスマス複酸化物を目標とする原子比に極めて近
く、均一に製造することができる優れた効果がある。
工程を経ることなく、少ないエネルギー消費で高純度で
微粒のビスマス複酸化物を目標とする原子比に極めて近
く、均一に製造することができる優れた効果がある。
[実施例]
次に本発明の具体的態様を示すために、本発明を実施例
により更に詳しく説明するが以下に示す例はあくまでも
一例であって、これにより本発明の技術的範囲を限定す
るものではない。
により更に詳しく説明するが以下に示す例はあくまでも
一例であって、これにより本発明の技術的範囲を限定す
るものではない。
〈実施例1〉
高純度の金属ナトリウム6.8gを採り、これを脱水し
たエタノール 100gに加えて反応させナトリウムエ
トキシドを合成し、それに無水塩化ビスマスBiCIx
31.5gを加え、約80℃で2時間加熱還流するこ
とによりビスマスエトキシドBi(OEthを得た。
たエタノール 100gに加えて反応させナトリウムエ
トキシドを合成し、それに無水塩化ビスマスBiCIx
31.5gを加え、約80℃で2時間加熱還流するこ
とによりビスマスエトキシドBi(OEthを得た。
得られたビスマスエトキシドと市販のチタニウムイソプ
ロポキシドTi(OPr’)4とを原子比がBi/Ti
= 8/1.4/3.1/2となるように混合し、そ
れぞれ約80℃で1時間還流反応させる。次いで還流し
たまま脱炭酸した蒸留水50Il!lを少量ずつ滴下し
てそれぞれ加水分解したところ、いずれの反応系にも白
色の粉末状の沈殿物が生成した。沈殿物を濾過により加
水分解液からそれぞれ分離した後、70℃で20時間乾
燥して3種類の粉体を得た。
ロポキシドTi(OPr’)4とを原子比がBi/Ti
= 8/1.4/3.1/2となるように混合し、そ
れぞれ約80℃で1時間還流反応させる。次いで還流し
たまま脱炭酸した蒸留水50Il!lを少量ずつ滴下し
てそれぞれ加水分解したところ、いずれの反応系にも白
色の粉末状の沈殿物が生成した。沈殿物を濾過により加
水分解液からそれぞれ分離した後、70℃で20時間乾
燥して3種類の粉体を得た。
得られた3種・類の粉体をX線回折、示差熱分析、熱重
量分析により性状を調べた。またこれらの粉体をそれぞ
れ400℃、600℃、 800℃、 1000℃と段
階的に温度を変えて仮焼し、X線回折によりその構造を
調べた。第1表にX線回折の分析結果を示す。
量分析により性状を調べた。またこれらの粉体をそれぞ
れ400℃、600℃、 800℃、 1000℃と段
階的に温度を変えて仮焼し、X線回折によりその構造を
調べた。第1表にX線回折の分析結果を示す。
(以下本頁余白)
第1表
第1表から3種類の粉体は、いずれも加水分解生成物及
び400℃以下の仮焼時には非晶質であり、600℃以
りの仮焼により単−相の結晶質の目標物質が得られるこ
とを確認した。
び400℃以下の仮焼時には非晶質であり、600℃以
りの仮焼により単−相の結晶質の目標物質が得られるこ
とを確認した。
また得られた粉体を分析電子顕微鏡によりその粒径観察
と組成分析を行った。その結果、いずれの粉体も加水分
解生成物の粒径は数10人であり、800℃仮焼後の粒
径は1000人(0,1ル厖)であった。また組成分析
の結果は各粒子の組成がバッチ組成と良く一致した。
と組成分析を行った。その結果、いずれの粉体も加水分
解生成物の粒径は数10人であり、800℃仮焼後の粒
径は1000人(0,1ル厖)であった。また組成分析
の結果は各粒子の組成がバッチ組成と良く一致した。
〈実施例2〉
前述した(1)式の構造式で示されるビスマス複酸化物
の結晶格子中の「A」の位置を占めるBa。
の結晶格子中の「A」の位置を占めるBa。
Sr、 Pbの各元素のアルコキシドと、rBJの位置
を占める Ti、 Nbの各元素のアルコキシドと、実
施例1で得られたビスマスエトキシドの3種のアルコキ
シドとを原子比が ■ Ba/ Bi/ Ti= 1 / 4 / 4■
Sr/旧/Ti=2/415 ■ Bi/ Nb/ Ti= 3 / 1 / 1■
Sr/ Nb/ Bi = 1 / 2 / 2■ P
b/ Nb/ Bi = 1 / 2 / 2となるよ
うに混合して、実施例1と同様に還流反応させ、加水分
解したところ、いずれの反応系にも実施例1と同様の白
色の沈殿物が生成した。この沈殿物を実施例1と同様に
加水分解液から分離、乾燥して5種類の粉体を得た。得
られた5種類の粉体を実施例1と同様に測定した結果を
第2表に示す。
を占める Ti、 Nbの各元素のアルコキシドと、実
施例1で得られたビスマスエトキシドの3種のアルコキ
シドとを原子比が ■ Ba/ Bi/ Ti= 1 / 4 / 4■
Sr/旧/Ti=2/415 ■ Bi/ Nb/ Ti= 3 / 1 / 1■
Sr/ Nb/ Bi = 1 / 2 / 2■ P
b/ Nb/ Bi = 1 / 2 / 2となるよ
うに混合して、実施例1と同様に還流反応させ、加水分
解したところ、いずれの反応系にも実施例1と同様の白
色の沈殿物が生成した。この沈殿物を実施例1と同様に
加水分解液から分離、乾燥して5種類の粉体を得た。得
られた5種類の粉体を実施例1と同様に測定した結果を
第2表に示す。
第2表
この粉体を実施例1と同様に分析電子顕微鏡によって粒
径観察と組成分析を行った結果、いずれも粉体もバッチ
組成によく一致した均一な組成の微粒子であった。
径観察と組成分析を行った結果、いずれも粉体もバッチ
組成によく一致した均一な組成の微粒子であった。
特許出願人 三菱鉱業セメント株式会社代理人弁理
士 須 1)正 義(外2名)方 番 手り夕♀市正書(自発) 昭和59年10月27日 特許庁長官 志 賀 学 殿 ■、2ト件の表示 昭和59年 特 許願 第207171号2、発明の名
称 ビスマス複酸化物の製造方法3、補正をする者 =IN件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内−丁目5番1号名 称
三菱鉱業セメント株式会社 代表者 小 林 久 明 4、代理人 6、補正により増加する発明のa な し8、!I
i止の内容 (1)明細書第7頁第4行目 「本発舅のよれば」を 「、へ発明によれば」と訂正する。
士 須 1)正 義(外2名)方 番 手り夕♀市正書(自発) 昭和59年10月27日 特許庁長官 志 賀 学 殿 ■、2ト件の表示 昭和59年 特 許願 第207171号2、発明の名
称 ビスマス複酸化物の製造方法3、補正をする者 =IN件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内−丁目5番1号名 称
三菱鉱業セメント株式会社 代表者 小 林 久 明 4、代理人 6、補正により増加する発明のa な し8、!I
i止の内容 (1)明細書第7頁第4行目 「本発舅のよれば」を 「、へ発明によれば」と訂正する。
(2)明細ど第11頁第2表
(3)明細書第7頁第4行目〜回頁第3行目「いずれも
粉体も」を 「いずれの粉体も」と訂正する。
粉体も」を 「いずれの粉体も」と訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)少なくともビスマスアルコキシドを含む2種以上の
アルコキシドを混合して反応させる混合反応工程と、 この反応生成物を加水分解する加水分解工程と、 この加水分解生成物を仮焼してビスマス複酸化物を得る
仮焼工程と を含むビスマス複酸化物の製造方法。 2)ビスマス複酸化物は、 (Bi_2O_2)^2^+(A_n_+_1B_nO
_3_n_+_1)^2^−(但し、AはBa、Sr、
Ca又はPb、Bはn=1のときMo又はW、n=2の
ときNb又はTa、n=3のときNb又はTi、n=4
、5又は8のときTi)の構造を有する特許請求の範囲
第1項に記載のビスマス複酸化物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20717184A JPS6186423A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | ビスマス複酸化物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20717184A JPS6186423A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | ビスマス複酸化物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6186423A true JPS6186423A (ja) | 1986-05-01 |
Family
ID=16535406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20717184A Pending JPS6186423A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | ビスマス複酸化物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6186423A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0854504A1 (en) * | 1997-01-18 | 1998-07-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating solutions for use in forming bismuth-based ferro-electric thin films, and ferro-electric thin films, ferro-electric capacitors and ferro-electric memories formed with said coating solutions, as well as processes for production thereof |
| EP0854503A1 (en) * | 1997-01-18 | 1998-07-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating solutions for use in forming bismuth-based ferro-electric thin films, and ferro-electric thin films, ferro-electric capacitors and ferro-electric memories formed with said coating solutions, as well as processes for production thereof |
| US5811153A (en) * | 1996-04-19 | 1998-09-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating solutions for use in forming bismuth-based dielectric thin films, and dielectric thin films and memories formed with said coating solutions, as well as processes for production thereof |
| WO2004083122A1 (ja) * | 2003-03-20 | 2004-09-30 | Asahi Glass Company, Limited | チタン酸ビスマス微粒子の製造方法 |
| CN102212878A (zh) * | 2011-05-27 | 2011-10-12 | 华东师范大学 | 一种针状、蘑菇状Bi2O3纳米材料的制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55140703A (en) * | 1979-04-20 | 1980-11-04 | Seiko Epson Corp | Thin film element |
| JPS55140722A (en) * | 1979-04-18 | 1980-11-04 | Hitachi Metals Ltd | Manufacture of ferrite fine grain powder |
| JPS57196704A (en) * | 1981-05-18 | 1982-12-02 | Westinghouse Electric Corp | Manufacture of metallic hydroxide and oxide powder for forming ceramic |
| JPS5939724A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 厚膜用誘電体粉末の製造法 |
-
1984
- 1984-10-04 JP JP20717184A patent/JPS6186423A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55140722A (en) * | 1979-04-18 | 1980-11-04 | Hitachi Metals Ltd | Manufacture of ferrite fine grain powder |
| JPS55140703A (en) * | 1979-04-20 | 1980-11-04 | Seiko Epson Corp | Thin film element |
| JPS57196704A (en) * | 1981-05-18 | 1982-12-02 | Westinghouse Electric Corp | Manufacture of metallic hydroxide and oxide powder for forming ceramic |
| JPS5939724A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 厚膜用誘電体粉末の製造法 |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5811153A (en) * | 1996-04-19 | 1998-09-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating solutions for use in forming bismuth-based dielectric thin films, and dielectric thin films and memories formed with said coating solutions, as well as processes for production thereof |
| US6303231B1 (en) | 1997-01-18 | 2001-10-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating solutions for use in forming bismuth-based ferroelectric thin films, and ferroelectric memories formed with said coating solutions, as well as processes for production thereof |
| EP0854503A1 (en) * | 1997-01-18 | 1998-07-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating solutions for use in forming bismuth-based ferro-electric thin films, and ferro-electric thin films, ferro-electric capacitors and ferro-electric memories formed with said coating solutions, as well as processes for production thereof |
| US5972096A (en) * | 1997-01-18 | 1999-10-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating solutions for use in forming bismuth-based ferroelectric thin films |
| US6120912A (en) * | 1997-01-18 | 2000-09-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating solutions for use in forming bismuth-based ferroelectric thin films, and ferroelectric thin films, ferroelectric capacitors and ferroelectric memories formed with said coating solutions, as well as processes for production thereof |
| US6197102B1 (en) | 1997-01-18 | 2001-03-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating solutions for use in forming bismuth-based ferroelectric thin films, and ferroelectric thin films, ferroelectric capacitors and ferroelectric memories formed with said coating solutions, as well as processes for production thereof |
| EP0854504A1 (en) * | 1997-01-18 | 1998-07-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating solutions for use in forming bismuth-based ferro-electric thin films, and ferro-electric thin films, ferro-electric capacitors and ferro-electric memories formed with said coating solutions, as well as processes for production thereof |
| US6528172B2 (en) | 1997-01-18 | 2003-03-04 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating solutions for use in forming bismuth-based ferroelectric thin films, and ferroelectric thin films, ferroelectric capacitors and ferroelectric memories formed with said coating solutions, as well as processes for production thereof |
| WO2004083122A1 (ja) * | 2003-03-20 | 2004-09-30 | Asahi Glass Company, Limited | チタン酸ビスマス微粒子の製造方法 |
| JPWO2004083122A1 (ja) * | 2003-03-20 | 2006-06-22 | 旭硝子株式会社 | チタン酸ビスマス微粒子の製造方法 |
| US7300806B2 (en) | 2003-03-20 | 2007-11-27 | Asahi Glass Company, Limited | Process for producing fine particles of bismuth titanate |
| JP4735257B2 (ja) * | 2003-03-20 | 2011-07-27 | 旭硝子株式会社 | チタン酸ビスマス微粒子の製造方法 |
| KR101074311B1 (ko) | 2003-03-20 | 2011-10-17 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 티탄산비스무트 미립자의 제조방법 |
| CN102212878A (zh) * | 2011-05-27 | 2011-10-12 | 华东师范大学 | 一种针状、蘑菇状Bi2O3纳米材料的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4636378A (en) | Method of preparation of perovskite-type compounds | |
| US4636248A (en) | Method for production of dielectric powder | |
| JP2003252623A (ja) | 複合酸化物粉末の製造方法、及び複合酸化物粉末 | |
| JPH0118018B2 (ja) | ||
| CN108640676A (zh) | 固相反应法制备焦绿石结构Bi2Ti2O7陶瓷的方法 | |
| US4918035A (en) | Process for the preparation of complex perovskite type compounds | |
| JPS6086022A (ja) | チタン酸塩の製造方法 | |
| JPS6016372B2 (ja) | チタン酸バリウム(BaTio↓3)の製造方法 | |
| JPS6049137B2 (ja) | 錫酸塩の製造方法 | |
| JPS623768B2 (ja) | ||
| JPS62265119A (ja) | ニオブ複酸化物微粉末の製造方法 | |
| JPS6086026A (ja) | 複合ペロブスカイト化合物の製造方法 | |
| JPH0210763B2 (ja) | ||
| JPH0651572B2 (ja) | 高誘電体粉末の製造方法 | |
| EP0200176B1 (en) | Method for producing fine particles of lead zirconate | |
| US20060275201A1 (en) | Production of perovskite particles | |
| JPS582220A (ja) | 金属酸化物固溶体の製造方法 | |
| JPS61251516A (ja) | ペロブスカイト型酸化物の製造法 | |
| JPS6186422A (ja) | 砒素複酸化物の製造方法 | |
| Bercmans et al. | Synthesis and characterization of calcium titanate and calcium zirconate compound powders by molten salt method | |
| JPS62216915A (ja) | 複合ペロブスカイト型化合物の製造方法 | |
| JPS61261214A (ja) | ニオブ複酸化物微粉末の製造方法 | |
| US6120750A (en) | Method of producing lead-containing complex oxides | |
| JPH01119515A (ja) | 原子価補償型ペロブスカイト化合物の製造方法 | |
| JPS6251207B2 (ja) |