JPS6186942A - 回転磁界を用いた放電反応装置 - Google Patents
回転磁界を用いた放電反応装置Info
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- JPS6186942A JPS6186942A JP59207530A JP20753084A JPS6186942A JP S6186942 A JPS6186942 A JP S6186942A JP 59207530 A JP59207530 A JP 59207530A JP 20753084 A JP20753084 A JP 20753084A JP S6186942 A JPS6186942 A JP S6186942A
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- magnetic field
- vacuum container
- discharge
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/517—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using a combination of discharges covered by two or more of groups C23C16/503 - C23C16/515
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H01J37/3266—Magnetic control means
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（茨業上の利用分野）
本発明は、Ａ’Ｚ中で放電により気体プラズマを発生さ
せ、これを用いて被処理物表面に薄膜堆積。
せ、これを用いて被処理物表面に薄膜堆積。
エツチング、清浄化、硬化９表面変質等の処理を施す放
電反応装置に関する。
電反応装置に関する。
（従来技術とその問題点）
従来これらの装置としては、２電極放電力式のものが代
表的であるが、例えばその非接地１＋ｊ電極上に被処理
物を載置して処理を行なう場会、七の処理速度を尚めん
として電極間に加える電力を垢加させてプラズマの密度
を上昇させると、七〇）非接地０ＩＩｌ電極の負電圧の
絶対値が増加して、その結果処理が低効率化し、イオン
慟撃か強くなって被処理物を大きく損傷する欠点がある
０ この問題を解決「るために、電ｖ！、面に半行に、また
は電極面を憶う形に磁界を作り、この磁界Ｑ）力をかり
て簡密度の放電プラズマを電極の近切ζこ発生させ、こ
のプラズマで被処理物を処理することが行なわれている
。
表的であるが、例えばその非接地１＋ｊ電極上に被処理
物を載置して処理を行なう場会、七の処理速度を尚めん
として電極間に加える電力を垢加させてプラズマの密度
を上昇させると、七〇）非接地０ＩＩｌ電極の負電圧の
絶対値が増加して、その結果処理が低効率化し、イオン
慟撃か強くなって被処理物を大きく損傷する欠点がある
０ この問題を解決「るために、電ｖ！、面に半行に、また
は電極面を憶う形に磁界を作り、この磁界Ｑ）力をかり
て簡密度の放電プラズマを電極の近切ζこ発生させ、こ
のプラズマで被処理物を処理することが行なわれている
。
このときの高密度放電プラズマ発生の理由は、周知のよ
うに、電子の運動が磁界の力で凹げられて軌追が湾曲し
ｔ＠璧寺と憫笑を株返して擬似サイクロイド運動を生ず
る７ζめであり、これを第１」用する従来の装置の代表
的なものとしては第８，９゜１０図の構成の装置をあげ
ることができる。
うに、電子の運動が磁界の力で凹げられて軌追が湾曲し
ｔ＠璧寺と憫笑を株返して擬似サイクロイド運動を生ず
る７ζめであり、これを第１」用する従来の装置の代表
的なものとしては第８，９゜１０図の構成の装置をあげ
ることができる。
これらの図で、１０は電極、１１は電子ｅの擬似サイク
ロイド運動、１２は磁力線、Ｂは磁界の方向を示す。第
１０図の１３は真空容器である。
ロイド運動、１２は磁力線、Ｂは磁界の方向を示す。第
１０図の１３は真空容器である。
第８，９図では真空容器の図示は省略しである。
この擬似サイクロイド運動１１において、電子ｅは’６
ｊｍｌＯの表面又はその回りに沿って一定方向に周回運
動−４−る。この周回運動の方向は、磁界の方向と直泥
１シ界の方向とで自づから決り、第８図では平板状をし
た電極１０の表面のトラックを時計回りにエンドレスに
走り、第９図では柱状をしだ電極１０の１わりを図の如
くエンドレスに周回し、第１０図では、真空容器１３の
内壁を覆って取付けられた多数の電極１０を、次々と伝
って内壁に沿って時計方向にエンドレスに周回運動する
ことになる。
ｊｍｌＯの表面又はその回りに沿って一定方向に周回運
動−４−る。この周回運動の方向は、磁界の方向と直泥
１シ界の方向とで自づから決り、第８図では平板状をし
た電極１０の表面のトラックを時計回りにエンドレスに
走り、第９図では柱状をしだ電極１０の１わりを図の如
くエンドレスに周回し、第１０図では、真空容器１３の
内壁を覆って取付けられた多数の電極１０を、次々と伝
って内壁に沿って時計方向にエンドレスに周回運動する
ことになる。
さて、この擬似サイクロイド運動が電極１０の表面また
はその（ロ）りを周回運動するのを禁止もしくは制限し
て、擬似サイクロイド運動が電極１０の所望の表面での
み行なわれるように装置を構成すれば、少くともその分
だけは昼密度のプラズマ、従って速い処理が実現しそう
であるが、これを行なう第１１．１２図の構成の装置は
未だ実施されていない。ただし、第１１．１２図には前
記と同じ部材には同じ符号を付与しである。１４は絶縁
物、１５は絶縁物で作られた障壁であって、ともに電子
の周回運動を制限又は禁止することを目的として取付け
られたものである。
はその（ロ）りを周回運動するのを禁止もしくは制限し
て、擬似サイクロイド運動が電極１０の所望の表面での
み行なわれるように装置を構成すれば、少くともその分
だけは昼密度のプラズマ、従って速い処理が実現しそう
であるが、これを行なう第１１．１２図の構成の装置は
未だ実施されていない。ただし、第１１．１２図には前
記と同じ部材には同じ符号を付与しである。１４は絶縁
物、１５は絶縁物で作られた障壁であって、ともに電子
の周回運動を制限又は禁止することを目的として取付け
られたものである。
第１１．１２図の装置が実用されない理由は、電子の周
回が前述したように一方向に限られるためであり、周回
を禁止または制限する部材があると、電子はその部材に
衝突して跳躍するが、反対方向には周回し得ず再びもと
の方向に周回せんと結局障害物の近傍に停滞することに
なり、第１３図に多数の点で示したように、プラズマの
＠度分布に大きい勾配即ち不均一を生じてこのプラズマ
に曝される被処理物の処理に甚だしい不均一性を生ずる
ためである。
回が前述したように一方向に限られるためであり、周回
を禁止または制限する部材があると、電子はその部材に
衝突して跳躍するが、反対方向には周回し得ず再びもと
の方向に周回せんと結局障害物の近傍に停滞することに
なり、第１３図に多数の点で示したように、プラズマの
＠度分布に大きい勾配即ち不均一を生じてこのプラズマ
に曝される被処理物の処理に甚だしい不均一性を生ずる
ためである。
（発明の目的）
本発明は、電極の表面に沿ってその近傍に、高密度でし
かも均一性にすぐれたプラズマを実現し高品質かつ高速
の処理を可能にする放電反応装置を提供することを目的
とする。
かも均一性にすぐれたプラズマを実現し高品質かつ高速
の処理を可能にする放電反応装置を提供することを目的
とする。
（発明の構成）
本発明は、電極を内蔵する真空容器と、前記真空容器内
に所定のガスを導入する手段と、前記真空容器内の圧力
を制御する手段と、前記ｔ＆に電力を供給して放電を発
生させる手段とを七し、この真空容器内に行かれた被処
理物を、前記放電によって生じたプラズマで処理する放
電反応装置において、上記構成の上に、前記電極の表面
に沿う回転磁界を発生する手段と、前記電極の１わりに
周回せんとする電子の周回運動を制限または祭する手段
とを加味するａＤＭの装置によって前記目的を達成した
ものである。
に所定のガスを導入する手段と、前記真空容器内の圧力
を制御する手段と、前記ｔ＆に電力を供給して放電を発
生させる手段とを七し、この真空容器内に行かれた被処
理物を、前記放電によって生じたプラズマで処理する放
電反応装置において、上記構成の上に、前記電極の表面
に沿う回転磁界を発生する手段と、前記電極の１わりに
周回せんとする電子の周回運動を制限または祭する手段
とを加味するａＤＭの装置によって前記目的を達成した
ものである。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面に基いて説明する。
第１図の実施例においては、接地された金属製真を容器
１００内には、弗素樹脂製の絶縁体１０３で下部全体を
覆われた非接地電極１０１の上に被処理物１０２が載置
されている。
１００内には、弗素樹脂製の絶縁体１０３で下部全体を
覆われた非接地電極１０１の上に被処理物１０２が載置
されている。
ガス入口１０８からは、複数のガスポンベ１２３より、
バルブ１２２．バリアプルリーク１２１を経由して所定
の成分・混合比の処理ガスがＸ空容器１００内に導入さ
れて前６己電極１０１の表面に流され、排気口１０９か
らは圧力調整パルプ１１０を経由してポンプ１２０によ
って真空容器１００内のガスが外部に排出される。
バルブ１２２．バリアプルリーク１２１を経由して所定
の成分・混合比の処理ガスがＸ空容器１００内に導入さ
れて前６己電極１０１の表面に流され、排気口１０９か
らは圧力調整パルプ１１０を経由してポンプ１２０によ
って真空容器１００内のガスが外部に排出される。
真空容器１００ （！： ＠、％ １０１ ）ｊＨＪｋ
：、ｔ（２源１２５より高周波電力を印加すると同時に
、真空容器１００の外部のコイル１０４，１０５．１０
６に電源１２７から図示しない配線を通して三相交流電
流を流して、電極１０１の平面部（表面）に平行な回転
磁界Ｂを作ると、電子は絶縁体１０３の側面及び真空容
器１００の内壁で、電極１０１をめぐる周回擬似サイク
ロイド運動を阻止されるが、磁界Ｂの方向が回転するた
め、停面をまぬがルで分散し、電極１０１の平面部の近
傍に均一〃＼つ高密度のプラズマを発生する。ただし、
こ＼でｎう均−とは、プラズマの時間的な平均値が、電
極の平面部上面の各場所で均一であることを意味してい
る。この均一かつ高密朋のプラズマによって被処理物１
（）２は高い均一度で高速に処理されることになる。１
′ｉ、極】０２を冷却あるいは温度調節するために流体
の４肯１２９か設備ちれている。第１図（７１円弧状の
矢印１１１は磁界Ｂが回転することをン■テすで）ので
ある。
：、ｔ（２源１２５より高周波電力を印加すると同時に
、真空容器１００の外部のコイル１０４，１０５．１０
６に電源１２７から図示しない配線を通して三相交流電
流を流して、電極１０１の平面部（表面）に平行な回転
磁界Ｂを作ると、電子は絶縁体１０３の側面及び真空容
器１００の内壁で、電極１０１をめぐる周回擬似サイク
ロイド運動を阻止されるが、磁界Ｂの方向が回転するた
め、停面をまぬがルで分散し、電極１０１の平面部の近
傍に均一〃＼つ高密度のプラズマを発生する。ただし、
こ＼でｎう均−とは、プラズマの時間的な平均値が、電
極の平面部上面の各場所で均一であることを意味してい
る。この均一かつ高密朋のプラズマによって被処理物１
（）２は高い均一度で高速に処理されることになる。１
′ｉ、極】０２を冷却あるいは温度調節するために流体
の４肯１２９か設備ちれている。第１図（７１円弧状の
矢印１１１は磁界Ｂが回転することをン■テすで）ので
ある。
１１ｉ米υ）嶽がＢが固定されている場合は、被処理物
１０２の処理速度に速いか、処理速度の均一性は非ｍに
憇い。例えは第１図の装置で、真空容器１００内にｃｔ
ｕｒ”、ガスを導入して、直径５インチのシリコンウェ
ハーを被処理物１０２として、その表面の８１０２膜を
食刻するとき、食刻速度の均一性は±４０係であった。
１０２の処理速度に速いか、処理速度の均一性は非ｍに
憇い。例えは第１図の装置で、真空容器１００内にｃｔ
ｕｒ”、ガスを導入して、直径５インチのシリコンウェ
ハーを被処理物１０２として、その表面の８１０２膜を
食刻するとき、食刻速度の均一性は±４０係であった。
これに対し、同じ装置。
同じ被処理物を使う本実施例においては、コイル］ （
＋ ４ 、１０５ 、１０６に商用三相反流を（電源１
２７）から印加して同様に食刻したところ、食刻の均一
性を±５％以内に向上させることができた。食刻速度は
５０００λ；／ｍ ｌ ｎ以上で従来同様光分に高速で
あった。
＋ ４ 、１０５ 、１０６に商用三相反流を（電源１
２７）から印加して同様に食刻したところ、食刻の均一
性を±５％以内に向上させることができた。食刻速度は
５０００λ；／ｍ ｌ ｎ以上で従来同様光分に高速で
あった。
本願の発明者は、これより先に、第１図の装置の印加磁
界として単純な交番磁界を使用し、同様の高速処理と均
一処理の実現に成功した経験をもつが、本実施例の如く
、回転磁界を印加するときは、プラズマは、単純な交番
磁界のときよりも一層均一に、二次元的に分散場れて好
成績の得られることが判明した。
界として単純な交番磁界を使用し、同様の高速処理と均
一処理の実現に成功した経験をもつが、本実施例の如く
、回転磁界を印加するときは、プラズマは、単純な交番
磁界のときよりも一層均一に、二次元的に分散場れて好
成績の得られることが判明した。
コイル１０４．１０５．１０６に流す三相父流菟流を犬
にするほど、低い圧力領域で食刻がす＼むようになり圧
力数ＩＴＩＴｏ ｒ ｒから数十ｍ’ｉ”ｕｒｒでは食
刻速度７ｏｏｏＡ／叫ｎ以上が得られている。
にするほど、低い圧力領域で食刻がす＼むようになり圧
力数ＩＴＩＴｏ ｒ ｒから数十ｍ’ｉ”ｕｒｒでは食
刻速度７ｏｏｏＡ／叫ｎ以上が得られている。
一般に、低圧領域では、Ｂを犬にすればするほど高密度
のプラズマが電極部に集中し、食刻速度が増加する傾向
が見られるが、これにはさらに、圧力、高周波電力との
相関がある。
のプラズマが電極部に集中し、食刻速度が増加する傾向
が見られるが、これにはさらに、圧力、高周波電力との
相関がある。
上記は食刻の場合を述べたが、この真空容器１００内に
プラズマＣＶＤに用いられる諸ガスを導入して、電極１
０１の近傍に置かれた被処理基板例えは１３０（接地又
は浮遊電位で用いる）上に所望の薄膜を堆積することが
できる。
プラズマＣＶＤに用いられる諸ガスを導入して、電極１
０１の近傍に置かれた被処理基板例えは１３０（接地又
は浮遊電位で用いる）上に所望の薄膜を堆積することが
できる。
導入７「るガスとＪｇ積できる薄膜とを例示すると丁ｄ
己の通りである。
己の通りである。
８＋ Ｉ’１４＋ Ｎ２ ＋ ＮＨＪ −８１ｓ
１４４膜５ｉｌ１４又はＳｉ２Ｈ６等 −ａ−８，：Ｈ
膜Ｓ＋ Ｈａ ＋ Ｎ２０ ＝ ５１０ｚ膜膜
質、膜厚の均一性、膜の堆積速読は、従来の、一方間磁
場を用い電子の周回運動を許容する諸装置と較・＼て同
程度又Ｖまそルを凌ぐものがある。即ち第１図の装置は
プラズマＣＶＤ装置としても側めて有’＋ｊヒである。
１４４膜５ｉｌ１４又はＳｉ２Ｈ６等 −ａ−８，：Ｈ
膜Ｓ＋ Ｈａ ＋ Ｎ２０ ＝ ５１０ｚ膜膜
質、膜厚の均一性、膜の堆積速読は、従来の、一方間磁
場を用い電子の周回運動を許容する諸装置と較・＼て同
程度又Ｖまそルを凌ぐものがある。即ち第１図の装置は
プラズマＣＶＤ装置としても側めて有’＋ｊヒである。
なお、第１図の１３０を電極とし、これを接地ずハとき
は、真空容器１００を弗素樹脂、ガラスなどの絶縁物で
構成Ｃることかできる。
は、真空容器１００を弗素樹脂、ガラスなどの絶縁物で
構成Ｃることかできる。
第２図〜第５図には本発明の他の実施例を示す。
第１凶と同依能の部材には同一の符号を付しである。
第２図は装置の平面図で５りって、真空容器１００を囲
む６個の励磁コイル１０４と１０４１．１０５と１０５
°、１０６と１０６°に圏用三相父流の各相の電流を流
して回転磁界を作るものを示す。これは三相誘導電動機
の励磁で慣用されている典型的な手法である。
む６個の励磁コイル１０４と１０４１．１０５と１０５
°、１０６と１０６°に圏用三相父流の各相の電流を流
して回転磁界を作るものを示す。これは三相誘導電動機
の励磁で慣用されている典型的な手法である。
第３図には励磁コイルを３個（１０４，１０５゜１０６
）たけにして、その各に三相反流の各相の電流を直し回
転磁界を作るも（ｈを示す。
）たけにして、その各に三相反流の各相の電流を直し回
転磁界を作るも（ｈを示す。
第４図の装置では、電極１０１の下方の空間を殆んど完
全に絶線物で埋め、電極１０１を周回ぜんとする電子Ｑ
）運動を禁止している。ルノ蜂コイルは鞍型にして励磁
効率を上け、装置の小型化を達成している。
全に絶線物で埋め、電極１０１を周回ぜんとする電子Ｑ
）運動を禁止している。ルノ蜂コイルは鞍型にして励磁
効率を上け、装置の小型化を達成している。
第５図の装置は、本発明を三電極二重ｖｒ方式を採用す
る真空放電処理袋η′４に虐用したものである。
る真空放電処理袋η′４に虐用したものである。
真空容器１００を接地し、電極１０１．１３０Ｚ）それ
ぞれに別個の電源１２５．１３５から電力が供給されて
いる。これらの電源には、直流、画用交流を高周波の電
力又はでｎもの組合せ、および各電力値の組合せが、処
理の内容に応じて選定され、処理の速波を一層犬さくす
ることかできる。
ぞれに別個の電源１２５．１３５から電力が供給されて
いる。これらの電源には、直流、画用交流を高周波の電
力又はでｎもの組合せ、および各電力値の組合せが、処
理の内容に応じて選定され、処理の速波を一層犬さくす
ることかできる。
第６図は、電子υ〕周回連動を制限乃至禁止するため、
電極１０１の周辺部を立上がらせたものである。電子は
この立上りの壁面に衝突してその周回が阻止される。
電極１０１の周辺部を立上がらせたものである。電子は
この立上りの壁面に衝突してその周回が阻止される。
第７図は、第６図の立上り権を絶縁物で作ったものでぬ
る。
る。
上記力よりに、本発明の電車はこ７’Ｌを並置しでまた
ばこれを従来Ｍ式の電・本と組付せて、侍々のイ１゛４
成で実ｔイ！１′４−ることかできる。
ばこれを従来Ｍ式の電・本と組付せて、侍々のイ１゛４
成で実ｔイ！１′４−ることかできる。
■だ不発１カの前記周回連動を制限又は禁止する部材は
、平面２曲面、側壁、電圧印加電極、接地電池、金１萬
、絶縁物及びそれらの組付せで自由に選定できるもので
ある。
、平面２曲面、側壁、電圧印加電極、接地電池、金１萬
、絶縁物及びそれらの組付せで自由に選定できるもので
ある。
（発明の効果）
本発明の放電反応装置は上記の通りであって、電嘆上に
均一かつ高密度のグラメマを生成し、その近傍にＩｌｉ
かれた被処理物の処理を、高効率かつ小さいイオン倹撃
の下イこ高速〃１つ旨い均一度で行な９効呆がりる。
均一かつ高密度のグラメマを生成し、その近傍にＩｌｉ
かれた被処理物の処理を、高効率かつ小さいイオン倹撃
の下イこ高速〃１つ旨い均一度で行な９効呆がりる。
第１図は本発明の実施例の放電反応装置の構成を示す図
。 第２，３図は回転磁界を作るための電磁コイルの配置図
。 第４，５図は不発明の別の実施ν１」の構成を示す図。 第６，７図は電子の周回連動を基土または池ｊ眠する障
壁を例示する図。 第８ 、９ 、１０１／１１は従来の放電反応装ｂ１シ
の’［ＩＬ子の連動を示す図。 第１１．１２図は、プラスマ市度を増加芒ぞんとして、
−子の周回運動を制限又は禁止したときの電子の運動を
示す図。 第１３図はそのときのプラズマ台度の分布を示す図。 １０．１０１・・・・・・非依地電憔 １０２・・・・・・・・・・・・・・・仮処理物１１・
・・・・・電子の侠似ブイクロイド連動１２・・・・・
・磁力線、１３・・・磁界の方向、ｅ・・電子１３．１
００・・・・・・Ａ空容器 １４．１０３・・・・・・絶縁体、 １３０・・・・・
・電極１０４．１０５，１０６−［ＥＪ転磁界発生用’
ｉｔ磁コイル、 １０８・・・・・・ガス導入口１０９
・・・・ガス併出口
。 第２，３図は回転磁界を作るための電磁コイルの配置図
。 第４，５図は不発明の別の実施ν１」の構成を示す図。 第６，７図は電子の周回連動を基土または池ｊ眠する障
壁を例示する図。 第８ 、９ 、１０１／１１は従来の放電反応装ｂ１シ
の’［ＩＬ子の連動を示す図。 第１１．１２図は、プラスマ市度を増加芒ぞんとして、
−子の周回運動を制限又は禁止したときの電子の運動を
示す図。 第１３図はそのときのプラズマ台度の分布を示す図。 １０．１０１・・・・・・非依地電憔 １０２・・・・・・・・・・・・・・・仮処理物１１・
・・・・・電子の侠似ブイクロイド連動１２・・・・・
・磁力線、１３・・・磁界の方向、ｅ・・電子１３．１
００・・・・・・Ａ空容器 １４．１０３・・・・・・絶縁体、 １３０・・・・・
・電極１０４．１０５，１０６−［ＥＪ転磁界発生用’
ｉｔ磁コイル、 １０８・・・・・・ガス導入口１０９
・・・・ガス併出口
Claims (2)
- （１）電極を内蔵する真空容器と、該真空容器内に所定
のガスを導入する手段と、該真空容器内の圧力を制御す
る手段とをそなえ、該電極に電力を供給して放電を発生
させることにより該真空容器内に置かれた被処理物を処
理する放電反応装置において、該電極の表面に沿う回転
磁界を発生させる手段と、該電極のまわりに周回運動す
る電子の運動を制限または禁止する手段とをそなえたこ
とを特徴とする回転磁界を用いた放電反応装置。 - （２）該電極が平面部をそなえ、該回転磁界が該電極の
該平面部に沿うものである特許請求の範囲第１項記載の
回転磁界を用いた放電反応装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207530A JPS6186942A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 回転磁界を用いた放電反応装置 |
| EP85306186A EP0173583B1 (en) | 1984-08-31 | 1985-08-30 | Discharge apparatus |
| KR1019850006330A KR910000508B1 (ko) | 1984-08-31 | 1985-08-30 | 동적자계를 이용한 방전 반응장치 |
| DE8585306186T DE3580953D1 (de) | 1984-08-31 | 1985-08-30 | Entladungsvorrichtung. |
| US07/110,622 US4829215A (en) | 1984-08-31 | 1987-10-20 | Discharge reaction apparatus utilizing dynamic magnetic field |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207530A JPS6186942A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 回転磁界を用いた放電反応装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6186942A true JPS6186942A (ja) | 1986-05-02 |
| JPH0346172B2 JPH0346172B2 (ja) | 1991-07-15 |
Family
ID=16541244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59207530A Granted JPS6186942A (ja) | 1984-08-31 | 1984-10-03 | 回転磁界を用いた放電反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6186942A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62118429U (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-28 | ||
| JPS63142636A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Anelva Corp | 真空装置 |
| JPS63277778A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Anelva Corp | 放電化学反応装置の回転磁界発生装置 |
| JPH02156089A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Shimadzu Corp | プラズマ付着装置 |
| JPH02237117A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体処理装置 |
| US5695597A (en) * | 1992-11-11 | 1997-12-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma reaction apparatus |
| US5880034A (en) * | 1997-04-29 | 1999-03-09 | Princeton University | Reduction of semiconductor structure damage during reactive ion etching |
| WO2001073159A1 (en) * | 2000-03-27 | 2001-10-04 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Method for forming metallic film and apparatus for forming the same |
| JPWO2014199421A1 (ja) * | 2013-06-14 | 2017-02-23 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ発生装置、プラズマ処理装置、プラズマ発生方法およびプラズマ処理方法 |
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| JPS5143371A (en) * | 1974-10-12 | 1976-04-14 | Daido Steel Co Ltd | Netsushorihohooyobi netsushorisochi |
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-
1984
- 1984-10-03 JP JP59207530A patent/JPS6186942A/ja active Granted
Patent Citations (2)
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| US6656540B2 (en) | 2000-03-27 | 2003-12-02 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Method for forming metallic film and apparatus for forming the same |
| JPWO2014199421A1 (ja) * | 2013-06-14 | 2017-02-23 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ発生装置、プラズマ処理装置、プラズマ発生方法およびプラズマ処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0346172B2 (ja) | 1991-07-15 |
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