JPS6187325A - 電子線描画装置 - Google Patents
電子線描画装置Info
- Publication number
- JPS6187325A JPS6187325A JP59208211A JP20821184A JPS6187325A JP S6187325 A JPS6187325 A JP S6187325A JP 59208211 A JP59208211 A JP 59208211A JP 20821184 A JP20821184 A JP 20821184A JP S6187325 A JPS6187325 A JP S6187325A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- electron beams
- electron
- alignment
- rectangular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ｔ＋森描画装置に係シ、特に近接効果補正に
好適な１ａ子線アライメントを行う装置に関する。
好適な１ａ子線アライメントを行う装置に関する。
本発明に関する従来技術を第１〜３図を用いて説明する
。第１図において一子銃１から放射された電子線２は、
アライナ−３により、矩形絞り４の絞り孔を均一に照射
する。矩形絞り４およびＶンズ５を通過した電子線は縮
小レンズ８により、所望の大きさに縮小され試料１０に
照射される。
。第１図において一子銃１から放射された電子線２は、
アライナ−３により、矩形絞り４の絞り孔を均一に照射
する。矩形絞り４およびＶンズ５を通過した電子線は縮
小レンズ８により、所望の大きさに縮小され試料１０に
照射される。
一方、描画データは計算機（以後ＣＰＵと云う）１１よ
り偏向信号発生器１２に送られ、回向信号となり偏向器
９、及び、ブランカ６により電子線を刊御し試料１０上
に描ｕ！ｊを行う。第２図の（ａ）は矩形絞り４上の電
子線密度１３の分布を示す。第２図の（ｂ）は矩形絞り
４を通過した電子線の断面Ａ−Ａ’における電子線密度
は（Ｃ）のようになる。
り偏向信号発生器１２に送られ、回向信号となり偏向器
９、及び、ブランカ６により電子線を刊御し試料１０上
に描ｕ！ｊを行う。第２図の（ａ）は矩形絞り４上の電
子線密度１３の分布を示す。第２図の（ｂ）は矩形絞り
４を通過した電子線の断面Ａ−Ａ’における電子線密度
は（Ｃ）のようになる。
前記電子線で第３図のパターン１４，１５゜１６を描画
する場合、■、■・・・・・・Ｏの順でスタンプを押す
ように描画さ几る。この時、断面Ｂｎ／において電子線
がレジストと反応した部分１７を示す。接近したパター
ン１４と１５の間は、近接効果により図示のごとくパタ
ーンがつながってしまう。近接効果は、−次五子による
基板１８からの散乱成子によりレジストが反応するため
に生じる。このために、パターン間隔を縮められず、パ
ターンの集積度を上げにぐい、欠点がある。
する場合、■、■・・・・・・Ｏの順でスタンプを押す
ように描画さ几る。この時、断面Ｂｎ／において電子線
がレジストと反応した部分１７を示す。接近したパター
ン１４と１５の間は、近接効果により図示のごとくパタ
ーンがつながってしまう。近接効果は、−次五子による
基板１８からの散乱成子によりレジストが反応するため
に生じる。このために、パターン間隔を縮められず、パ
ターンの集積度を上げにぐい、欠点がある。
本発明の目的は、レジストの近接したノくターン間の部
分に電子線が上述のごとき悪影響を及ぼさない電子線描
画装置を提供することにある。
分に電子線が上述のごとき悪影響を及ぼさない電子線描
画装置を提供することにある。
本発明は、電子銃と矩形絞り間に、アライメント用の二
組みの静電偏向板を設け、近接したパターンを描画する
時には、前記静電偏向板に電圧を印加し、近接したパタ
ーン側の１に子密度が反対側の電子密度より小さい矩形
ビームを作り、前記矩形ビームで描画することにより、
近接したパターン間のレジストへの電子線の影響を小さ
くしたものである。
組みの静電偏向板を設け、近接したパターンを描画する
時には、前記静電偏向板に電圧を印加し、近接したパタ
ーン側の１に子密度が反対側の電子密度より小さい矩形
ビームを作り、前記矩形ビームで描画することにより、
近接したパターン間のレジストへの電子線の影響を小さ
くしたものである。
本発明の一実、雉例を第４．第５図によシ説明する。第
４図に示すごとく本発明は従来技術に高速アライメント
用静電偏向板２３を追加して構成したものである。
４図に示すごとく本発明は従来技術に高速アライメント
用静電偏向板２３を追加して構成したものである。
１子銃２０から放射された電子線２１はアライナ−２２
及びアライメント用静電偏向板２３によシ矩形絞シ２４
上の任意の位置に照射される。
及びアライメント用静電偏向板２３によシ矩形絞シ２４
上の任意の位置に照射される。
矩形絞り２４を通過した電子線２１は縮小レンズ２５に
より任意に縮小され投影Ｖンズ２６を経て、試料上に照
射される。ＣＰＵ２７からの描画データがｔｉ向倍信号
発生器２８送られ、方向信号となり、ブランカ２９、偏
向器３０に与えられ電子線を制御して、試料は描画され
る。第６図のパターン３２．３３のように近接して・ハ
ないパターンを描画する時は、従来通り電子銃２０から
放射された電子線を矩形絞りに均一に照射するようにア
ラ・イメント用静電偏向板を制御し、第６図の［相］か
ら［有］ を描画する。
より任意に縮小され投影Ｖンズ２６を経て、試料上に照
射される。ＣＰＵ２７からの描画データがｔｉ向倍信号
発生器２８送られ、方向信号となり、ブランカ２９、偏
向器３０に与えられ電子線を制御して、試料は描画され
る。第６図のパターン３２．３３のように近接して・ハ
ないパターンを描画する時は、従来通り電子銃２０から
放射された電子線を矩形絞りに均一に照射するようにア
ラ・イメント用静電偏向板を制御し、第６図の［相］か
ら［有］ を描画する。
ところで、アライメント用静電偏向板２３に電圧を印加
し、矩形絞り２４を第５図（ａ）のごとく照射するよう
に′Ｆ住子線をアライメントすると１に子密度が断面ｃ
−ｃ’で表される矩形ビームが得られる。一方アライメ
ント用静成偏向板に前記と逆心圧を印加すると第５図（
ｂ）で示す矩形ビームが得られる。
し、矩形絞り２４を第５図（ａ）のごとく照射するよう
に′Ｆ住子線をアライメントすると１に子密度が断面ｃ
−ｃ’で表される矩形ビームが得られる。一方アライメ
ント用静成偏向板に前記と逆心圧を印加すると第５図（
ｂ）で示す矩形ビームが得られる。
そこで、第６図に示す近接したパターン３１゜３２を描
画する場む、まずパターン３１の■■■を描画する時は
、偏向信号発生器２８よりアライメント用静電偏向板２
３にα圧（Ｖ）を与え、第５図（ａ）のごとく、得られ
た矩形ビームで描画する。
画する場む、まずパターン３１の■■■を描画する時は
、偏向信号発生器２８よりアライメント用静電偏向板２
３にα圧（Ｖ）を与え、第５図（ａ）のごとく、得られ
た矩形ビームで描画する。
■■■に照射された矩形ビームのパターン３３側は成子
密度が小さいために、−次冠子による基板１８からの散
乱電子が少なく、パターン３２と３３間のレジストに影
響をおよぼさない。次に、パターン３３の■■■を描画
する時は、−向信号発生器２８よりアライメント用静電
偏向板２３に電圧（−Ｖ）を与え、第５図（ｂ）のごと
く得らｎた矩形ビームで描画する。■■■のうち、パタ
ーン３２側は電子密度が小さいので、基板からの散乱電
子は少なく、パターン３２と３３間のレジストは散乱４
子の影響を受けない。かくして、描画されたパターンの
断面を第６図に示す。斜線部が電子線に反応したレジス
ト部分であり、近接効果によるパターンつながシを防ぐ
ことができる。
密度が小さいために、−次冠子による基板１８からの散
乱電子が少なく、パターン３２と３３間のレジストに影
響をおよぼさない。次に、パターン３３の■■■を描画
する時は、−向信号発生器２８よりアライメント用静電
偏向板２３に電圧（−Ｖ）を与え、第５図（ｂ）のごと
く得らｎた矩形ビームで描画する。■■■のうち、パタ
ーン３２側は電子密度が小さいので、基板からの散乱電
子は少なく、パターン３２と３３間のレジストは散乱４
子の影響を受けない。かくして、描画されたパターンの
断面を第６図に示す。斜線部が電子線に反応したレジス
ト部分であり、近接効果によるパターンつながシを防ぐ
ことができる。
また、もう一対のアライメント用静電偏向板３０を２３
と直角方向に設け、縦方向に近接したパターンを描画す
る場合、同様の制御を行うことにより、近接効果を少な
くしたパターンの描画が可能である。
と直角方向に設け、縦方向に近接したパターンを描画す
る場合、同様の制御を行うことにより、近接効果を少な
くしたパターンの描画が可能である。
アライメント用静電偏向板の取付は位置は１．ｉ子銃と
矩形絞り間であればどこでも良い。また、矩形に整形さ
れたビームばかりでなく、任意の形状のビームでも同等
の効果金得ることができることは云うまでもない。
矩形絞り間であればどこでも良い。また、矩形に整形さ
れたビームばかりでなく、任意の形状のビームでも同等
の効果金得ることができることは云うまでもない。
以上のごとく、本発明は電子線の密度を近接パターンに
応じて変化させるごとく構成したので近接したパターン
のイ苗画が可能となり、パターンの集積度が上がり、ひ
いては高集積度のＬＳＩの製造が可能となる。
応じて変化させるごとく構成したので近接したパターン
のイ苗画が可能となり、パターンの集積度が上がり、ひ
いては高集積度のＬＳＩの製造が可能となる。
第１図、第２図および第３図に従来技術に関する説明図
を示し、第４図、第５図および第６図に本発明の一実施
例に関する説明図を示す。 １・・・電子銃、２・・・電子線、３・・・アライナ−
１４・・・矩形絞シ、１２・・・偏向１ｇ号発生器、１
７・・・電子線に反応したンジスト、１８・・・基板、
２３．３０・・・アライメント用静電偏向板。 第２図 第３図
を示し、第４図、第５図および第６図に本発明の一実施
例に関する説明図を示す。 １・・・電子銃、２・・・電子線、３・・・アライナ−
１４・・・矩形絞シ、１２・・・偏向１ｇ号発生器、１
７・・・電子線に反応したンジスト、１８・・・基板、
２３．３０・・・アライメント用静電偏向板。 第２図 第３図
Claims (1)
- １、電子線を発生する手段、電子線通路に設けられた絞
り上を照射するように前記電子線をアライメントする手
段、前記絞りを通過した電子線を収束する手段、収束さ
れた電子線を試料上で走査する手段を備えた電子線描画
装置において、描画する近接したパターンに応じて、任
意に電子線の密度を変化させて走査することを特徴とし
た電子線描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59208211A JPS6187325A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 電子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59208211A JPS6187325A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 電子線描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187325A true JPS6187325A (ja) | 1986-05-02 |
Family
ID=16552509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59208211A Pending JPS6187325A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 電子線描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6187325A (ja) |
-
1984
- 1984-10-05 JP JP59208211A patent/JPS6187325A/ja active Pending
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