JPS6189629A - 走査型ビ−ム描画方法および描画装置 - Google Patents
走査型ビ−ム描画方法および描画装置Info
- Publication number
- JPS6189629A JPS6189629A JP59211099A JP21109984A JPS6189629A JP S6189629 A JPS6189629 A JP S6189629A JP 59211099 A JP59211099 A JP 59211099A JP 21109984 A JP21109984 A JP 21109984A JP S6189629 A JPS6189629 A JP S6189629A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
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- amount
- pattern
- diameter
- conducted
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技キ＋ｉ分野〕
本発明は走査ハ゛１ビー１＼描両方法および描画装置、
持に集積回路用のマスク形成あるいはウェハのパターン
形成に用いられる電子ビーム等ビームを使った走査型ビ
ーム描画方法および描画装置に関する。
持に集積回路用のマスク形成あるいはウェハのパターン
形成に用いられる電子ビーム等ビームを使った走査型ビ
ーム描画方法および描画装置に関する。
〔発明の技３（，１的背狽〕
一般に電子ビームによるパターン形成を行なう１“４合
、近接’Ａ＋宋に対する補正が行なわれている。
、近接’Ａ＋宋に対する補正が行なわれている。
まずこの近１＆効果について簡１１１に説明づることに
づる。いよ第２図（ａ ）に承りようにパターン形成面
１（例えば崖）９１木早板）［−に描画部２′ と非描
画部２″とから（１４成される描画パターン２を形成さ
ぜる場合を乙λる１、このようなラインアンドスペース
パターンを形成させるためには第２図（ｂ）に示１Ｊ、
うに１メ両Ａ ”□ ＧにＡ３いてのみビームをパター
ン形成面に照Ｃ）Ｉ ｔＪればよい。実際には１木のビ
ームをパターン形成面上で走査ηるノこめ、描画部２′
を走査中（まビームを照ｑ・１シ、非１ｉ６画部２″を
走査中はビームを黒用しないことになる。
づる。いよ第２図（ａ ）に承りようにパターン形成面
１（例えば崖）９１木早板）［−に描画部２′ と非描
画部２″とから（１４成される描画パターン２を形成さ
ぜる場合を乙λる１、このようなラインアンドスペース
パターンを形成させるためには第２図（ｂ）に示１Ｊ、
うに１メ両Ａ ”□ ＧにＡ３いてのみビームをパター
ン形成面に照Ｃ）Ｉ ｔＪればよい。実際には１木のビ
ームをパターン形成面上で走査ηるノこめ、描画部２′
を走査中（まビームを照ｑ・１シ、非１ｉ６画部２″を
走査中はビームを黒用しないことになる。
しかしながらこのような走査を行なった場合、パターン
形成面上のドーズ量は第２図（Ｃ）のようになる。ドー
ズ量がこのような分布になるのは、ビームの前方散乱に
起因づ−るドーズ成分の他に、後方散乱に起因り−るド
ーズ成分が存在するからである。例えば電子ビームの場
合、第２図（ｂ＞に示すビームＡに起因Ｊるドーズ成分
は、電子の前方散乱に起因Ｍ−るドーズ成分Ａ′と、ｌ
）０方散乱後の反ｅ４電子による１り方散乱に起因Ｍ−
るドーズ成分Ａ″ （背景ドーズ）との和になる。従っ
てビーｌ＼Ａ〜Ｇを黒用したといの１ヘ一ズ分布は各背
８１ドース成分の和１−１に各ビームの前方散乱による
ピークＡ：合成したものとなる。このようなドーズ介在
にＪづいて、例え（まドーズ量が第２図（Ｃ）の破線よ
りｉＱい場合にのみパターンが形成されるとりると、パ
ターン△おにびＧ（よ形成されず、また形成されたパタ
ーン１３〜Ｆもその幅が不均一となる。この７」；う＜
乍現象か一般に近接効果と叶ばれている。
形成面上のドーズ量は第２図（Ｃ）のようになる。ドー
ズ量がこのような分布になるのは、ビームの前方散乱に
起因づ−るドーズ成分の他に、後方散乱に起因り−るド
ーズ成分が存在するからである。例えば電子ビームの場
合、第２図（ｂ＞に示すビームＡに起因Ｊるドーズ成分
は、電子の前方散乱に起因Ｍ−るドーズ成分Ａ′と、ｌ
）０方散乱後の反ｅ４電子による１り方散乱に起因Ｍ−
るドーズ成分Ａ″ （背景ドーズ）との和になる。従っ
てビーｌ＼Ａ〜Ｇを黒用したといの１ヘ一ズ分布は各背
８１ドース成分の和１−１に各ビームの前方散乱による
ピークＡ：合成したものとなる。このようなドーズ介在
にＪづいて、例え（まドーズ量が第２図（Ｃ）の破線よ
りｉＱい場合にのみパターンが形成されるとりると、パ
ターン△おにびＧ（よ形成されず、また形成されたパタ
ーン１３〜Ｆもその幅が不均一となる。この７」；う＜
乍現象か一般に近接効果と叶ばれている。
−ト述のような近接効果に対゛げる補ｉＥ手段として従
来からヴエクク型１１１１画装置を用いｔこドーズ補正
、形状補正等が知られているが、走査型（ラスク型）１
１成両装置では同手法の適用が技術的（こ非常に困り・
；１で実１；仝にはほとんど行なわれてい４ｒい。
来からヴエクク型１１１１画装置を用いｔこドーズ補正
、形状補正等が知られているが、走査型（ラスク型）１
１成両装置では同手法の適用が技術的（こ非常に困り・
；１で実１；仝にはほとんど行なわれてい４ｒい。
Ｒ］近、上述の近接効果を効果的（ご補ＩＥ ’Ｊる方
法かＧｃｒａｉｎｔ ＯｗｃｎとＰａｕｌ旧ｓｓｍａｎ
によって発表された。以下この方法について簡（１１（
こ説明することにリーる。な（１３論’： ｔｍ ｔこ
ついて（ま、ｊ 八ρｐ１． Ｐｈｙｓ、 ｖｏｌ。
法かＧｃｒａｉｎｔ ＯｗｃｎとＰａｕｌ旧ｓｓｍａｎ
によって発表された。以下この方法について簡（１１（
こ説明することにリーる。な（１３論’： ｔｍ ｔこ
ついて（ま、ｊ 八ρｐ１． Ｐｈｙｓ、 ｖｏｌ。
５４、（Ｇ）１’１８３ρ３５７３を参照されたい。
いよ第２１２１ （ａ ）に示ツＪ：うなラインアンド
スペースパターンを形成りる場合を考える。、１：ザ、
前述のように通常の走査を（テない第２図（Ｃ）に示す
ようなドーズ分４ｉを１フる。次に全背明ドーズＨを相
殺づるような補正走査を以下のようにしで行なう。即ら
、第３図（ａ）に示づ描画パターンのうち、描画部２′
を走査中はビームを非照〔）・ｊとし、非描画部２″を
走査中はビームを照射する。
スペースパターンを形成りる場合を考える。、１：ザ、
前述のように通常の走査を（テない第２図（Ｃ）に示す
ようなドーズ分４ｉを１フる。次に全背明ドーズＨを相
殺づるような補正走査を以下のようにしで行なう。即ら
、第３図（ａ）に示づ描画パターンのうち、描画部２′
を走査中はビームを非照〔）・ｊとし、非描画部２″を
走査中はビームを照射する。
これは前述の通常の走査とは黒用・非照射の関係が全く
逆に４【っている８、シかしビーｌＸ串およびビーム径
を前回の走査条件とは′σえ、前方散乱と後方散乱との
和が１１４回の走査に［１３ける後方散乱（背明ドーズ
）に等しくなるような走査条件にＪる。
逆に４【っている８、シかしビーｌＸ串およびビーム径
を前回の走査条件とは′σえ、前方散乱と後方散乱との
和が１１４回の走査に［１３ける後方散乱（背明ドーズ
）に等しくなるような走査条件にＪる。
第３図（ｂ）はこの補正走査にお（づるビーム照Ｑ’１
区間を示し、第３図（Ｃ）はこの？＋ｆｉ ＩＴ定走査
にるドーズ量分布Ｑ（破線）を示＞Ｊ−ｏ例えばビーム
Ｊに起因するドーズ成分はＪ′のようにムる。結局ビー
ム■〜Ｐを照（Ｊ−１シたどぎのドーズ分イ１ｊは８ド
一ズ成分のｆｌ］Ｑとなる。
区間を示し、第３図（Ｃ）はこの？＋ｆｉ ＩＴ定走査
にるドーズ量分布Ｑ（破線）を示＞Ｊ−ｏ例えばビーム
Ｊに起因するドーズ成分はＪ′のようにムる。結局ビー
ム■〜Ｐを照（Ｊ−１シたどぎのドーズ分イ１ｊは８ド
一ズ成分のｆｌ］Ｑとなる。
このように１つの描画パターンを描画するのに、通常の
走査と、補ｉＩ走合との２回の走査を行なうことにより
、最終的なドーズ分イＩｉは第４図に承りように第２図
（Ｃ）に示寸分（１’＋と第３図（Ｃ）に示す分布との
和となり、全背類ドーズＨは補正ドーズＱによって相殺
され、近接効果に対づ−る補正がなされることになる。
走査と、補ｉＩ走合との２回の走査を行なうことにより
、最終的なドーズ分イＩｉは第４図に承りように第２図
（Ｃ）に示寸分（１’＋と第３図（Ｃ）に示す分布との
和となり、全背類ドーズＨは補正ドーズＱによって相殺
され、近接効果に対づ−る補正がなされることになる。
前述のＧｅｒａｉｎｔ ＯｗｃｎとＰａｕｌ Ｒｉｓｓ
ｍａｎによって発表された方法は、走査型ビーム描画装
置に比較的容易に適用できる利点があるが、スループッ
ト（単位時間あたりの生産量）が低下りるという欠点が
ある。即ち、１つの描画パターンを描画するのに同じパ
ターンを２度走査するため、走査時間は１度の走査に比
べて２倍必要となる。通常の走査と補正走査との間に行
なわれるビーム間およびビーム径の調整時間を考虞する
とスループットは１度の走査による方法に比べて□以下
となつてしまう。このようなスルーブツトの低下は高生
産効率、早産性を要求される集積回路の製造には大きな
弊害となる。
ｍａｎによって発表された方法は、走査型ビーム描画装
置に比較的容易に適用できる利点があるが、スループッ
ト（単位時間あたりの生産量）が低下りるという欠点が
ある。即ち、１つの描画パターンを描画するのに同じパ
ターンを２度走査するため、走査時間は１度の走査に比
べて２倍必要となる。通常の走査と補正走査との間に行
なわれるビーム間およびビーム径の調整時間を考虞する
とスループットは１度の走査による方法に比べて□以下
となつてしまう。このようなスルーブツトの低下は高生
産効率、早産性を要求される集積回路の製造には大きな
弊害となる。
そこで本発明はスルーブツトの低下を招くことシロしに
近接効果の補正を行ないうる走査型ビーム描画方法およ
び描画装置を提供することを目的とする。
近接効果の補正を行ないうる走査型ビーム描画方法およ
び描画装置を提供することを目的とする。
（発明の概要〕
本発明の特徴は、通゛畠の走査によって生じる近接効果
を、補正走査によって相殺する走査型ビーム描画方法お
よび描画装置において、描画パターンの描画部を走査し
ているときは通常の走査としてのビーム照射を行ない、
非描画部を走査しているときは補正走査とし゛（のビー
ム照印１を行ない、１度の走査で通常の走査と補正走査
とを同曲に行なうようにし、”スルーブツトの低下を回
避した点にある。
を、補正走査によって相殺する走査型ビーム描画方法お
よび描画装置において、描画パターンの描画部を走査し
ているときは通常の走査としてのビーム照射を行ない、
非描画部を走査しているときは補正走査とし゛（のビー
ム照印１を行ない、１度の走査で通常の走査と補正走査
とを同曲に行なうようにし、”スルーブツトの低下を回
避した点にある。
〔発明の実施例〕 ゛
以下本発明を図示する実施例に阜づいて説明するいよ第
５図（ａ）に示すようなラインアンドスペースパターン
を形成１」る場合を考える。ここで走査を図示するパタ
ーンの左から右へ行なうちのとする。まず走査は非（１
１“１両部から行なわれるため、補正走査どしてのビー
ムＩが照射される（第５図（ｂ））。続いて描画部２′
の走査では、通常走査としてのビームＡが照射される。
５図（ａ）に示すようなラインアンドスペースパターン
を形成１」る場合を考える。ここで走査を図示するパタ
ーンの左から右へ行なうちのとする。まず走査は非（１
１“１両部から行なわれるため、補正走査どしてのビー
ムＩが照射される（第５図（ｂ））。続いて描画部２′
の走査では、通常走査としてのビームＡが照射される。
従ってこの時点でビーム量およびビーム径の切換えがな
される。
される。
次に非描画部２″の走査では、再び補正走査とし゛
てビーム量およびビーム径の切換えがなされ、ビームＪ
が照射される。以下同様に描画部か非描画部かによって
ご−ムけおよびビーム径を切換えながら走査を続けてゆ
く。この走査条件は前述したＪ：うに補正走査にお４（
る前方散乱と後方散乱との和が通常走査における後方散
乱（背県ドーズ）に雪しくなるにうむ条件とする。この
条件は例えば補正走査では通常走査に比べてビーム間を
少なくし、ビーム径を広げることによって達成しうる。
てビーム量およびビーム径の切換えがなされ、ビームＪ
が照射される。以下同様に描画部か非描画部かによって
ご−ムけおよびビーム径を切換えながら走査を続けてゆ
く。この走査条件は前述したＪ：うに補正走査にお４（
る前方散乱と後方散乱との和が通常走査における後方散
乱（背県ドーズ）に雪しくなるにうむ条件とする。この
条件は例えば補正走査では通常走査に比べてビーム間を
少なくし、ビーム径を広げることによって達成しうる。
このＪ：うにして走査が終了すると、最終的ドーズ分布
は第５）図（Ｃ）のようになる。これは第４図に示した
分イｌｉど同様に近接効果の補正がなされた分布となっ
ている。
は第５）図（Ｃ）のようになる。これは第４図に示した
分イｌｉど同様に近接効果の補正がなされた分布となっ
ている。
以上のような走査を行ないつる走査へ“！ビーム描画装
置の一例を第１図に示す。ビーム発１′菰置１０は電子
銃１１ど電子光学系１２とから構成され、描画に必要な
電子ビームを発生させる。パターン形成面支持駆動装置
２０は、半導体つＩハ等を載せるＸ−Ｙステージ２１と
、これを駆動づるＸ−Ｙ駆動モータ２２と、これを制ｗ
ＪづるＸ−Ｙ位置制御回路２３と、Ｘ−Ｙステージ２１
の位置を測定するレーザ干ル田２４および位胃測定回路
２５と、から構成される。ビーム発生装置１０′ｃ発生
した電子ビームをパターン形成面上で走査するビーム走
査制御装置３０は、偏向電極３１と、ラスタ漏向回路３
２ど、から構成されろ。ラスク偏向回路３２によって偏
向電極３１に電圧が印１ｊｌｌされ、ここを通過する電
子ビームはパターン形成面上で走査される。ビームｆｒ
！ｉｌｌ ｆｉｌ装置４０は、ブランキング電極４１ど
、ビームｉ；ｊ １．Ｉ］換囲路４２と、ブランキング
制御回路４３ど、から構成される。
置の一例を第１図に示す。ビーム発１′菰置１０は電子
銃１１ど電子光学系１２とから構成され、描画に必要な
電子ビームを発生させる。パターン形成面支持駆動装置
２０は、半導体つＩハ等を載せるＸ−Ｙステージ２１と
、これを駆動づるＸ−Ｙ駆動モータ２２と、これを制ｗ
ＪづるＸ−Ｙ位置制御回路２３と、Ｘ−Ｙステージ２１
の位置を測定するレーザ干ル田２４および位胃測定回路
２５と、から構成される。ビーム発生装置１０′ｃ発生
した電子ビームをパターン形成面上で走査するビーム走
査制御装置３０は、偏向電極３１と、ラスタ漏向回路３
２ど、から構成されろ。ラスク偏向回路３２によって偏
向電極３１に電圧が印１ｊｌｌされ、ここを通過する電
子ビームはパターン形成面上で走査される。ビームｆｒ
！ｉｌｌ ｆｉｌ装置４０は、ブランキング電極４１ど
、ビームｉ；ｊ １．Ｉ］換囲路４２と、ブランキング
制御回路４３ど、から構成される。
ブランキング電極４１は電子ど一ムのクロスオーバ部分
に位置し、ビーム吊切模回路４２またはブランキング制
御回路４３の指示に従い電子ビームの・′ｊ）を調節・
ｊる。即ら、ヒ゛−ムｊｄ切換回路４２は、描画部上を
走査りるとさは第１のし−１＼早どなり、非１１“１°
１両６１ｔ上を走青りるどさ゛は第２のヒ゛−ム吊とな
るようにジノンキング゛電（々４１（ご電Ｌｌを印＋１
１１りるＣ！４ ｉｉ旨を宋し、Ｉ ラン＊ ン’／
ａ＋’ｌ ’０１１１”ｌ 贅洛４３１Ｊ：、走ｒｔ線
のしどりｌＲｒ ’：’ｉ 〕〕ｅ’−ム照ｒ、Ｍ（７
） ｌ’Ｆ止／” 必要’ｊ と、３に、ビーム吊をマ
ミどするようにブランキング電怖４１に′１ｂ圧を印加
りる機能を宋Ｊ−０−・ｙノ、ビーム（了、Ｉｉ制御装
置５０は、ビーム径調節電１〜５１と、ビームイーそ切
換回路５２とから１１４成される。ビーム径切換回路５
２は、描画部上を走査するとさくよ第１のビーム径どし
、非描画部−トを走査刀るときは第２のビーム径どづる
ように、ビーム径調節電極５１に印加する電圧を切換え
る。擢Ｉ画制御′装置６０ Ｌま、雷神（式６１と、パ
ターンデータ記憶装置（う２ど、描画用ドラ１〜パター
ンメ−Ｅす６３ど、描画制ヤλ１１回路６４ど、同期回
路６ｂと、ｈ〜ら１吊成さ（する。パターンデータ記憶
装置６２に記憶された１１１′１両パターンのうち、走
査を行なう一単（０分のパターンデータは、“１°’
Ｊ＞よびＯ″の用台ぜから成る１〜ツ１−パターンどし
て描画用ドラＩ・ハ゛ターンメｔ ’） ６３ ｉ、：
ｌｆｌ Ｕさｈ ル、、Ｉｌｌ’１ 画制御２ＩＩ
回２Ｒ（、Ｌ、このドラミーパターンを８照しながら、
ビーム＾′・切換回路４２、ブラン１ング制御回路７１
３、（１′３Ｊ、ひビーム径切換回路５２（ご必要な指
示４′）える。パ′ターン形成面支持駆動シ５置２０ｆ
よ電’５ ｊＸ１３６１の制ｆｉｆｆによりＸ−Ｙスア
ーシ２１を駆動し、同！ｌ／］回路６５は、このＸ−Ｙ
スＪ−シ２１の位置（１、シシをＩＭ ｊ’、’１゜測
定回路２５から受（〕、ラスク幅向回路３２および描画
制御回路６４に同期信号をうえる。
に位置し、ビーム吊切模回路４２またはブランキング制
御回路４３の指示に従い電子ビームの・′ｊ）を調節・
ｊる。即ら、ヒ゛−ムｊｄ切換回路４２は、描画部上を
走査りるとさは第１のし−１＼早どなり、非１１“１°
１両６１ｔ上を走青りるどさ゛は第２のヒ゛−ム吊とな
るようにジノンキング゛電（々４１（ご電Ｌｌを印＋１
１１りるＣ！４ ｉｉ旨を宋し、Ｉ ラン＊ ン’／
ａ＋’ｌ ’０１１１”ｌ 贅洛４３１Ｊ：、走ｒｔ線
のしどりｌＲｒ ’：’ｉ 〕〕ｅ’−ム照ｒ、Ｍ（７
） ｌ’Ｆ止／” 必要’ｊ と、３に、ビーム吊をマ
ミどするようにブランキング電怖４１に′１ｂ圧を印加
りる機能を宋Ｊ−０−・ｙノ、ビーム（了、Ｉｉ制御装
置５０は、ビーム径調節電１〜５１と、ビームイーそ切
換回路５２とから１１４成される。ビーム径切換回路５
２は、描画部上を走査するとさくよ第１のビーム径どし
、非描画部−トを走査刀るときは第２のビーム径どづる
ように、ビーム径調節電極５１に印加する電圧を切換え
る。擢Ｉ画制御′装置６０ Ｌま、雷神（式６１と、パ
ターンデータ記憶装置（う２ど、描画用ドラ１〜パター
ンメ−Ｅす６３ど、描画制ヤλ１１回路６４ど、同期回
路６ｂと、ｈ〜ら１吊成さ（する。パターンデータ記憶
装置６２に記憶された１１１′１両パターンのうち、走
査を行なう一単（０分のパターンデータは、“１°’
Ｊ＞よびＯ″の用台ぜから成る１〜ツ１−パターンどし
て描画用ドラＩ・ハ゛ターンメｔ ’） ６３ ｉ、：
ｌｆｌ Ｕさｈ ル、、Ｉｌｌ’１ 画制御２ＩＩ
回２Ｒ（、Ｌ、このドラミーパターンを８照しながら、
ビーム＾′・切換回路４２、ブラン１ング制御回路７１
３、（１′３Ｊ、ひビーム径切換回路５２（ご必要な指
示４′）える。パ′ターン形成面支持駆動シ５置２０ｆ
よ電’５ ｊＸ１３６１の制ｆｉｆｆによりＸ−Ｙスア
ーシ２１を駆動し、同！ｌ／］回路６５は、このＸ−Ｙ
スＪ−シ２１の位置（１、シシをＩＭ ｊ’、’１゜測
定回路２５から受（〕、ラスク幅向回路３２および描画
制御回路６４に同期信号をうえる。
なお、上述の実施例ではビーム吊の調節縁１′１と、ブ
ランキング操作とをともに同一のブランキング電極４１
を用いて行なっているが、ビーム（通の調節操作を別な
調面用′１七汚を設けで行なうように（ノーＣしよい。
ランキング操作とをともに同一のブランキング電極４１
を用いて行なっているが、ビーム（通の調節操作を別な
調面用′１七汚を設けで行なうように（ノーＣしよい。
（発明の効果〕
以上のとおり本発明によれば、］度の走査ひ通常の走査
と補正走査とを同時に行イイうようにしたため、スルー
ブツトの低下を１０りことなしに近１名効果に対する補
正を施しｌζ走査型ビーム描画を行な）ことかできる。
と補正走査とを同時に行イイうようにしたため、スルー
ブツトの低下を１０りことなしに近１名効果に対する補
正を施しｌζ走査型ビーム描画を行な）ことかできる。
第′１図（よ本発明に係る走査型ビーム描画装置の一実
施例の、Ｊ［明図、第２図は通常の走査にＪ、るビーム
照（）・１どその結果のドース量分イｒｊを示り説明図
、第３図ｔｉｔ ？＋Ｉｉ ｉ「走査ににるビーム照甲
とそのれ１□宋のドース吊分布を示？ｌ説明図、第４図
は通常の走査と補！［走１Ｙｉどの両方を行なったどさ
のドーズ量分で口、ｌ、、 ；ｊｌ：、、す１）１明図
、第５図は本発明に係る走台型ビーム描１ｌＩｉｊ方法
によるビーム照ｑ・１どその結末のドース１゛１１分イ
Ｉｉを示づ説明［図−Ｃある。 ］・・・パターン形成面、２・・・１ｖ゛１両パターン
、１０・・・ビーム光生装置、１１・・・電子Ｕい１２
・・・電子光−；ツ糸、２０・・・バクーン形成面支１
、′Ｉ駆動装；Ｉ”・′１．２１・・・Ｘ−Ｙスブ−−
シ、２２・・・Ｘ −、Ｙ駆動上−り、？３・・・Ｘ−
Ｙ位置制り１回路、２．４・・・レーリー゛■四計、２
！□５・・（、装置測定回路、３０・・・ビーｌＸ走合
制引１賃１１ゞ１、：３１・・（９，向’＋”ｑ ｔｉ
ｊ、３２・・・ラスタ偏向回路、４０・・・ヒ’−ムｉ
ｉｉ ｄｊｌ ？）ＩＩ Ｓ４＜ ：ｉ’ｉ、４１−−
１ ラン−ＣＩ／’ り’ｉ”ｆｉ ＋’ＩＩ、４２・
・・ビーム／ｌ切操回路、４３・・・プランキングコ１
（制御回路、５０・・・ビーム径制御装置ｔ、５〕１・
・・ビーム径調節電極、５２・・・ビーム径切換回路、
６０・・・ｌｉ＋’ｉ画制御装置、６１・・・電ｐ１幾
、６２・・・パターンデータ記憶装置、６３・・・描画
用ドットパターンヌしり、６４・・・描画制御回路、６
５・・・同期回路。 出願人代理人 猪 ＩＩ９ 清第３図 パターン位雪 第４図 ＡＢＣＤＥＦＧ 第５図
施例の、Ｊ［明図、第２図は通常の走査にＪ、るビーム
照（）・１どその結果のドース量分イｒｊを示り説明図
、第３図ｔｉｔ ？＋Ｉｉ ｉ「走査ににるビーム照甲
とそのれ１□宋のドース吊分布を示？ｌ説明図、第４図
は通常の走査と補！［走１Ｙｉどの両方を行なったどさ
のドーズ量分で口、ｌ、、 ；ｊｌ：、、す１）１明図
、第５図は本発明に係る走台型ビーム描１ｌＩｉｊ方法
によるビーム照ｑ・１どその結末のドース１゛１１分イ
Ｉｉを示づ説明［図−Ｃある。 ］・・・パターン形成面、２・・・１ｖ゛１両パターン
、１０・・・ビーム光生装置、１１・・・電子Ｕい１２
・・・電子光−；ツ糸、２０・・・バクーン形成面支１
、′Ｉ駆動装；Ｉ”・′１．２１・・・Ｘ−Ｙスブ−−
シ、２２・・・Ｘ −、Ｙ駆動上−り、？３・・・Ｘ−
Ｙ位置制り１回路、２．４・・・レーリー゛■四計、２
！□５・・（、装置測定回路、３０・・・ビーｌＸ走合
制引１賃１１ゞ１、：３１・・（９，向’＋”ｑ ｔｉ
ｊ、３２・・・ラスタ偏向回路、４０・・・ヒ’−ムｉ
ｉｉ ｄｊｌ ？）ＩＩ Ｓ４＜ ：ｉ’ｉ、４１−−
１ ラン−ＣＩ／’ り’ｉ”ｆｉ ＋’ＩＩ、４２・
・・ビーム／ｌ切操回路、４３・・・プランキングコ１
（制御回路、５０・・・ビーム径制御装置ｔ、５〕１・
・・ビーム径調節電極、５２・・・ビーム径切換回路、
６０・・・ｌｉ＋’ｉ画制御装置、６１・・・電ｐ１幾
、６２・・・パターンデータ記憶装置、６３・・・描画
用ドットパターンヌしり、６４・・・描画制御回路、６
５・・・同期回路。 出願人代理人 猪 ＩＩ９ 清第３図 パターン位雪 第４図 ＡＢＣＤＥＦＧ 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、描画部と非描画部とから構成される描画パターンを
パターン形成面に形成させる走査型ビーム描画方法であ
つて、 前記描画部上を走査するときは、第１のビーム量および
第１のビーム径で第１のビーム照射を行ない、 前記非描画部上を走査するときは、第２のビーム量およ
び第２のビーム径で第２のビーム照射を行ない、 前記第１のビーム照射と前記第２のビーム照射とを交互
に切換えながら走査を行なうことを特徴とする走査型ビ
ーム描画方法。 ２、第１のビーム照射と第２のビーム照射の総和作用に
より近接効果に対する補正を行なうことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の走査型ビーム描画方法。 ３、第１のビーム量が第２のビーム量より大きく、第１
のビーム径が第２のビーム径より小さいことを特徴とす
る特許請求の範囲第２項記載の走査型ビーム描画方法。 ４、描画部と非描画部とから構成される描画パターンを
パターン形成面に形成させる走査型ビーム描画装置であ
って、 描画用ビームを発生させるビーム発生装置と、前記パタ
ーン形成面を支持するパターン形成面支持装置と、 前記ビーム発生装置で発生したビームを、前記描画パタ
ーン形成面上で走査するビーム走査制御装置と、 前記ビーム発生装置で発生したビームの量を、前記描画
部上を走査するときは第１のビーム量とし、前記非描画
部上を走査するときは第２のビーム量とするビーム量制
御装置と、 前記ビーム発生装置で発生したビームの径を、前記描画
部上を走査するときは第１のビーム径とし、前記非描画
部上を走査するときは第２のビーム径とするビーム径制
御装置と、 をそなえることを特徴とする走査型ビーム描画装置。 ５、描画用ビームが電子ビームであることを特徴とする
特許請求の範囲第４項記載の走査型ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59211099A JPS6189629A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 走査型ビ−ム描画方法および描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59211099A JPS6189629A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 走査型ビ−ム描画方法および描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6189629A true JPS6189629A (ja) | 1986-05-07 |
Family
ID=16600390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59211099A Pending JPS6189629A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 走査型ビ−ム描画方法および描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6189629A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0226015A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-29 | Toshiba Mach Co Ltd | 電子ビーム描画方法及び描画装置 |
-
1984
- 1984-10-08 JP JP59211099A patent/JPS6189629A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0226015A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-29 | Toshiba Mach Co Ltd | 電子ビーム描画方法及び描画装置 |
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