JPS6190129A - マルチプレツクス表示形液晶セル - Google Patents

マルチプレツクス表示形液晶セル

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JPS6190129A
JPS6190129A JP60220498A JP22049885A JPS6190129A JP S6190129 A JPS6190129 A JP S6190129A JP 60220498 A JP60220498 A JP 60220498A JP 22049885 A JP22049885 A JP 22049885A JP S6190129 A JPS6190129 A JP S6190129A
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JP
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electrode
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liquid crystal
substrate
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Pending
Application number
JP60220498A
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English (en)
Inventor
ヴエルナー・フエルテイヒ
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Mannesmann VDO AG
Original Assignee
Mannesmann VDO AG
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1365Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、相互に距離をおいて配置され、それらの間に
液晶物質の充填キれるセルチャンバが形成された2つの
基板、1方の基板のセルチャンバ側に配置された帯状電
極、および他方の基板のセルチャンバ側に配置され、こ
れら帯状電極に対向する映像電極を有し、これら映像電
極が金属−絶縁体−金属素子を経て、同じく基板に配置
された信号導線に接続され、その場合この絶縁体が映像
電極ないしは接点の側面に配置され、かつ接点が絶縁体
の、映画成極と反対の側面から信号導線に至るマルチプ
レックス表示形の液晶セルに関する。
従来の技術 このような液晶セルにおいて、映像電極の側面のほかそ
の基板と反対側の面にも絶縁体を配置し、これら2つの
絶縁体が少くとも部分的に被覆する接点が、映像電極と
導電接続するに至ることを阻止することは公知である。
このような液晶セルは、金属−絶縁体−金属素子の製造
が多数の製造工程を必要とするので極めて費用がかかる
。映像電極および信号導線が施こされた後、接点が製造
されうる前に、差尚り絶縁体が、映像電極ないしは帯状
電極の側面に、およびその後に表面に施こされる必要が
ある。
従って、本発明の線題は、前記液晶セルにおいて、藺草
な構造を有しかつわずかな費用で製造可能であるマルチ
プレックス表示形の液晶セルをつくり出すことである。
問題点を解決するための手段 本発明によればこの課題は、映像電極ないしは接点縁範
囲およびこれに隣接する、基板の範囲を被覆して、その
露出面が酸化層を生じるように酸化された導電材料よシ
成る導電層が配置され、その場合導電層が、映像電極な
いしは接点および基板に導電材料の1部分が映像電極な
いしは接点の縁範囲から映像電極ないしは接点の面一対
し傾斜せる鋭角下に接触することにより形成されている
ことにより解決される。
この構造によシ、第2の絶縁体だけでなく、映像電極な
いしは接点の側面に配置される第1の絶縁体を施こすた
めの別個の工程をも省かれることができる。
映像電極ないしは接点および基板に導電材料を鋭角下に
接触させた場合、映像電極ないしは接点に直接する範囲
内にシャドー範囲が生じ、それによりこの範囲内で導電
層の厚さが、映像電極ないしは接点上よりも、およびシ
ャドー範囲以外の範囲におけるよりも小である。シャド
ー範囲の大きさは、映像電極ないしは接点の厚さ、映像
電極ないしは接点の側面の基板に対する傾度、並びに、
導電材料素子が映像電極ないしは接点および基板に接触
する角度により特定される。この角度が小であればある
程、シャドー゛範囲が大である。
シャドー範囲内で導電層の厚さが小でめるので、酸化工
程においてこの範囲の導電層が十分に酸化され、かつこ
れによシ映像電極ないしは接点の側面に接触する絶縁体
を形成する。酸化の加工時間によシ、簡単な方法で絶縁
体の大きさが特定されることができる。
映像電極、絶縁体および、接点を生じる導電層が1つの
平面中で、従ってこれら層がそれらの側面で隣接する配
列は、これにより形成された金属−絶縁体−金属素子が
小さい寸法でわずかな許容差で製造可能であり、それに
より映像電極も小さい寸法で形成することが可能である
という利点を有する。さらにこのことは、単位面積当り
相対的に多数の映像電極、およびそれによりこれら映像
電極により表示すべき図形の大きい解像度を可能にする
本発明の有利な実施例において、映像電極ないしは接点
に直接に隣接する範囲内の酸化層の厚さが、施こされた
導電材料の厚さに相応する。
導電材料素子は、スパッタリングによるかまたは蒸着に
よっても映1電極ないしは接点および基板に施こされる
ことができる。
4区性接続を簡単に製造するため、基板に栴こされる導
X層が、接点ないしは映像電極を少くとも部分的に被覆
し施こされてもよい。
映像電極に隣接する金属−絶縁体−金属素子において、
基板に施こされた導電層が、接点を形成し、信号導線を
少くとも部分的に被覆して施こされている場合、特別な
接続端子が省かれることができる。
実施例 以下に、本発明を図面実施例につき詳説する。
図面に示した液晶セルは、駆動可能な帯状゛磁極2を有
するガラス製の上部基板1より成る。
同じくガラスより成る下部基板3が、映像電極4を有す
る。さらに、基板3に信号導線5が配置されている。基
板1および3間に、図示せざる液晶物質が配置され、こ
れが螺旋8によシ象徴されている。
映像電極4並びに信号導線5が透明な酸化インジウム錫
より成る。
映像電1fA4および信号導線5間にこれらに重複して
配置された導電層6がタンタルより成り、その場合導電
層6の露出面が五酸化タンクルより成る絶縁層9に酸化
されている。
第3図に示すように、導電層6は、導電材料を例えば蒸
着によ多角度10下に映像電極4の縁範囲およびそれに
隣接する基板3の範囲へ施こすことにより製造される。
角度10下に施こすことにより、映像電極4に直接に隣
接する範囲内に、映像電極4の周縁により、導電層6が
他の範囲内よりも著るしく小さい厚さを有するシャドー
範囲11が生じる。導電材料を施こした後、4電層6の
露出面が、酸化工程で、この場合生じる絶縁層9の厚さ
がシャドー範囲11に施こされた導電材料の厚さに相応
するように酸化される。このシャドー範囲11中で、絶
縁層9により金属−絶縁体−金属素子の絶縁体7が形成
される。
第2図において明白なように、導′屯層6の巾が、映像
電極4の巾よシも著るしく小である。
従って、4電層6の小さい断面が映像電極4の側面12
に完全に対向するKすぎない場合、導を層6が、導電線
5および映1#!電極4間のどの位置に配置されても同
じである。
さらに第2図からは、金属−絶盪体一金属素子が、1方
の導電層で直接に相応する映像電極に、かつ他方の導電
層で1頁接に信号導線に隣接配置されていることが明白
モある。このことは、導電材料を同時に施こした場合、
1方で映像電極の縁範囲内に、および他方で信号導線の
縁範囲内にシャドー範囲が存在することから明白である
前記実施例において、導′屯材料が蒸着により。
施こされる。4&材料を施こすため、特定の方向を有す
る全てのメッキ法が有利に使用可能であることは明白で
ある。
【図面の簡単な説明】
設けられた基板の構造を部分的に示す平面図、および第
3図および第4図は金属−絶襟体一金fig部材が設け
られたノン板のそれぞれ酸化工程前および酸化工程後の
構造を示す縦断面図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、相互に距離をおいて配置され、それらの間に液晶物
    質の充填されるセルチャンバが形成された2つの基板(
    1、3)、1方の基板 (1)のセルチャンバ側に配置された帯状電極(2)、
    および他方の基板(3)のセルチャンバ側に配置され、
    これら帯状電極(2)に対向する映像電極(4)を有し
    、これら映像電極(4)が金属−絶縁体−金属素子(6
    、7)を経て、同じく基板(3)に配置された信号導線
    (5)に接続され、その場合この絶縁体(7)が映像電
    極(4)ないしは接点の側面(12)に配置され、かつ
    接点が絶縁体の、映像電極(4)と反対の側面から信号
    導線(5)に達する液晶セルにおいて、映像電極(4)
    ないしは接点の縁範囲およびこれに隣接する、基板(3
    )の範囲を被覆して、その露出面が酸化層(9)を生じ
    るように酸化された導電材料より成る導電層(6)が配
    置され、その場合導電層(6)が、映像電極 (4)ないしは接点および基板(3)に導電材料の1部
    分が映像電極(4)ないしは接点の縁範囲から映像電極
    (4)ないしは接点の面に対し傾斜せる鋭角(10)下
    に接触することにより形成されていることを特徴とする
    マルチプレックス表示形液晶セル。 2、映像電極(4)ないしは接点に直接に隣接する範囲
    内の酸化層(7)の厚さが、施こされた導電材料(6)
    の厚さに相応することを特徴とする、特許請求の範囲第
    1項記載のマルチプレックス表示形液晶セル。 3、導電材料素子が、映像電極(4)ないしは接点およ
    び基板(3)へ向けスパッタリングすることにより施こ
    されていることを特徴とする、特許請求の範囲第1項ま
    たは第2項のいずれかに記載のマルチプレックス表示形
    液晶セル。 4、導電材料素子が、映像電極(4)ないしは接点およ
    び基板(3)へ向け蒸着するこ とによりより施こされていることを特徴とする、特許請
    求の範囲第1項または第2項のいずれかに記載のマルチ
    プレックス表示形液晶セル。 5、基板(3)に施こされた導電層(6)が接点ないし
    は映像電極を少くとも部分的に被覆し施こされているこ
    とを特徴とする、特許請求の範囲第1項から第4項まで
    のいずれか1項に記載のマルチプレックス表示形液晶セ
    ル。 6、映像電極(4)に隣接する金属−絶縁体−金属素子
    (6、7)において、基板(3)に施こされた導電層(
    6)が接点を形成し、信号導線(5)を少くとも部分的
    に被覆して施こされていることを特徴とする、特許請求
    の範囲第1項から第4項までのいずれか1項に記載のマ
    ルチプレックス表示形液晶セル。
JP60220498A 1984-10-05 1985-10-04 マルチプレツクス表示形液晶セル Pending JPS6190129A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19843436527 DE3436527A1 (de) 1984-10-05 1984-10-05 Multiplexbare fluessigkristallzelle
DE3436527.3 1984-10-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6190129A true JPS6190129A (ja) 1986-05-08

Family

ID=6247159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60220498A Pending JPS6190129A (ja) 1984-10-05 1985-10-04 マルチプレツクス表示形液晶セル

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4676603A (ja)
EP (1) EP0176734B1 (ja)
JP (1) JPS6190129A (ja)
DE (2) DE3436527A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4728175A (en) * 1986-10-09 1988-03-01 Ovonic Imaging Systems, Inc. Liquid crystal display having pixels with auxiliary capacitance
US4778258A (en) * 1987-10-05 1988-10-18 General Electric Company Protective tab structure for use in the fabrication of matrix addressed thin film transistor liquid crystal displays
JP2757207B2 (ja) * 1989-05-24 1998-05-25 株式会社リコー 液晶表示装置
GB9110737D0 (en) * 1991-05-17 1991-07-10 Philips Electronic Associated Method of fabricating mim type device arrays and display devices incorporating such arrays
EP0577429B1 (en) * 1992-07-03 1999-09-01 Citizen Watch Co. Ltd. Liquid crystal display having non linear resistance elements

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4413883A (en) * 1979-05-31 1983-11-08 Northern Telecom Limited Displays controlled by MIM switches of small capacitance
FR2505070B1 (fr) * 1981-01-16 1986-04-04 Suwa Seikosha Kk Dispositif non lineaire pour un panneau d'affichage a cristaux liquides et procede de fabrication d'un tel panneau d'affichage
DE3229584A1 (de) * 1982-08-07 1984-02-09 Vdo Adolf Schindling Ag, 6000 Frankfurt Multiplexbare fluessigkristallzelle
JPS59105615A (ja) * 1982-12-09 1984-06-19 Seiko Epson Corp 液晶表示装置
JPS59105616A (ja) * 1982-12-09 1984-06-19 Seiko Epson Corp 液晶表示装置
JPS59131974A (ja) * 1983-01-18 1984-07-28 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置

Also Published As

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EP0176734A1 (de) 1986-04-09
EP0176734B1 (de) 1991-12-04
DE3584811D1 (de) 1992-01-16
DE3436527A1 (de) 1986-04-10
US4676603A (en) 1987-06-30

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