JPS6191933A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPS6191933A JPS6191933A JP59213856A JP21385684A JPS6191933A JP S6191933 A JPS6191933 A JP S6191933A JP 59213856 A JP59213856 A JP 59213856A JP 21385684 A JP21385684 A JP 21385684A JP S6191933 A JPS6191933 A JP S6191933A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- furnace
- gas
- temperature
- heating
- semiconductor devices
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の朗する技術分野〕
本発明は半導体装置の製造装置に関し、特にＨ２と０２
の混合カスを点火反応し、その生成水蒸気で半導体基板
を酸化させるトを化炉に関するものである。
の混合カスを点火反応し、その生成水蒸気で半導体基板
を酸化させるトを化炉に関するものである。
近年、半め体テバイスの、・型造歩留りを向上させる目
的で半導体基板の大口径化が進んでいる。そのため半導
体装置の製造装置も基敬内特性の均一性を保つため枚葉
島理化が行なわれつつある。しかし、炉芯管中に反応カ
スを尋人して処理する敵化拡散鋏直では枚葉化されにく
いた々）装置としては、七〇′まま大波化をとる傾向に
ある。次に大酸化されたθ４化炉における従来技術の欠
点を具体例を用いて説明する。 ′ 第１図（ａ）は従来技術の阪化炉で、石英−芯管ｌ。
的で半導体基板の大口径化が進んでいる。そのため半導
体装置の製造装置も基敬内特性の均一性を保つため枚葉
島理化が行なわれつつある。しかし、炉芯管中に反応カ
スを尋人して処理する敵化拡散鋏直では枚葉化されにく
いた々）装置としては、七〇′まま大波化をとる傾向に
ある。次に大酸化されたθ４化炉における従来技術の欠
点を具体例を用いて説明する。 ′ 第１図（ａ）は従来技術の阪化炉で、石英−芯管ｌ。
主ヒーター２．補助ヒーター：Ｌ４＊）１２ガス導入口
５，０２ｙＪス棉人白６．シリコン基板７１石英ボード
８．の配［Ｍｋ示したものである。
５，０２ｙＪス棉人白６．シリコン基板７１石英ボード
８．の配［Ｍｋ示したものである。
第１図（ｂ）は、内径２００Ｒの石英炉芯管にＨ２ガス
を毎分４ｏｇ、ｏ：カスを毎分２０１４人し９５０℃の
炉内温度で反応させたときの炉内温度分布をｗＪ１図（
ａ）に対応し′Ｃ示したものである。ここで述べたＨ、
および０２カスの流量は内径２００冒の炉芯管内を管口
より大気の流入なしに水蒸気で充満させるに必蟹な流量
である。さて、第１図ｔｂ＞は、大口径炉芯管で必要な
カス流お下での結果であるが、補助ヒーター３を切った
状態でも、Ｈ１カスと０２カスが反応する炉芯管奥側の
領域の炉内温度が上昇していることを示している。第１
図（Ｃ）は、第１図１ｈ）の炉内温度分布の下でシリコ
ン語根を１夕化したときの酸化嗅厚分布を第り図ｆａ）
の位置に対応して示したものである。酪化膜厚は炉内偏
度分イ５ＶＣ対応し炉芯′ρ央佃が厚くなっている。
を毎分４ｏｇ、ｏ：カスを毎分２０１４人し９５０℃の
炉内温度で反応させたときの炉内温度分布をｗＪ１図（
ａ）に対応し′Ｃ示したものである。ここで述べたＨ、
および０２カスの流量は内径２００冒の炉芯管内を管口
より大気の流入なしに水蒸気で充満させるに必蟹な流量
である。さて、第１図ｔｂ＞は、大口径炉芯管で必要な
カス流お下での結果であるが、補助ヒーター３を切った
状態でも、Ｈ１カスと０２カスが反応する炉芯管奥側の
領域の炉内温度が上昇していることを示している。第１
図（Ｃ）は、第１図１ｈ）の炉内温度分布の下でシリコ
ン語根を１夕化したときの酸化嗅厚分布を第り図ｆａ）
の位置に対応して示したものである。酪化膜厚は炉内偏
度分イ５ＶＣ対応し炉芯′ρ央佃が厚くなっている。
このように従来方法の６−化炉では大口径シリコン基板
に？ｉ化嘆厚のバラツキが灸いように酸化するに必喪な
ガス流量ｔを用いる場合、炉芯ｔ″を長側の点火反応ｔ
−ｒｌ城の炉内温度が上昇し、この状態でシリコン基板
を酸化す工１とパッチ内の酸化膜厚が大きぐバラツキ、
この結果として半導体デバイスの歩留を低下させるとい
う欠点があった。
に？ｉ化嘆厚のバラツキが灸いように酸化するに必喪な
ガス流量ｔを用いる場合、炉芯ｔ″を長側の点火反応ｔ
−ｒｌ城の炉内温度が上昇し、この状態でシリコン基板
を酸化す工１とパッチ内の酸化膜厚が大きぐバラツキ、
この結果として半導体デバイスの歩留を低下させるとい
う欠点があった。
本発明の目的は入口径半導体ｂｂ用の酸化炉に於ける上
記欠点を除去し、半導体基板の酸化膜厚を均一にし半導
体デバイスの歩留りを向上させる半導体装釘製造装匝を
提供するものである。
記欠点を除去し、半導体基板の酸化膜厚を均一にし半導
体デバイスの歩留りを向上させる半導体装釘製造装匝を
提供するものである。
〔発明の構５（〕
本発明は、炉芯管中でＨ−カスとＯ！ガスを反応させ水
蒸気を生成する半導体用酸化炉において、該カスが点火
反応する領域に加熱および冷却機能を有する装置を具備
することを特徴とする半導体装置製造装置である。
蒸気を生成する半導体用酸化炉において、該カスが点火
反応する領域に加熱および冷却機能を有する装置を具備
することを特徴とする半導体装置製造装置である。
次に本発明の実施例を図によって説明する。
第２図（ａ）は本発明の一実施例を示すもので炉内温度
をＨ１カスと０２カスの点火反応に必要な温度にする補
助ヒーターと点火後反応熱による炉内温度上昇を防ぐた
めの冷却機能を兼ね備えた装置９を有する酸化炉である
。なお主ヒータ−２および補助ヒーター４は従来方法と
同じ構成である。
をＨ１カスと０２カスの点火反応に必要な温度にする補
助ヒーターと点火後反応熱による炉内温度上昇を防ぐた
めの冷却機能を兼ね備えた装置９を有する酸化炉である
。なお主ヒータ−２および補助ヒーター４は従来方法と
同じ構成である。
第３図は加熱および冷却装置９の詳細であり、ヒーター
１０と水冷用の配管１１を示している。第２図（ｂ）、
（Ｃ）は、本発明の実施に於ける炉内温度分布と同じ
く欧化膜厚分布の結果を第２図（ａ）の位置に対応して
示したものである０これによるとＨ！カスと０２ガスの
点火反応後の発熱を冷却により抑え炉内温度分布を均一
にする事が出来、この結果シリコン基板の酸化膜厚のパ
ッチ内分布も均一にすることが出来るようになった。本
発明の実施例でＦｉ／６却を水冷で行なったが、他に７
７ンによる空冷等冷却機能を、ｂするものであればいず
れの方法でも本発明に適用出来ることは勿論である。
１０と水冷用の配管１１を示している。第２図（ｂ）、
（Ｃ）は、本発明の実施に於ける炉内温度分布と同じ
く欧化膜厚分布の結果を第２図（ａ）の位置に対応して
示したものである０これによるとＨ！カスと０２ガスの
点火反応後の発熱を冷却により抑え炉内温度分布を均一
にする事が出来、この結果シリコン基板の酸化膜厚のパ
ッチ内分布も均一にすることが出来るようになった。本
発明の実施例でＦｉ／６却を水冷で行なったが、他に７
７ンによる空冷等冷却機能を、ｂするものであればいず
れの方法でも本発明に適用出来ることは勿論である。
以上説明した様に本発明は、炉芯管中でＨ２ガスと０２
カスと反応させ水蒸気を生成し、半導体基板を酸化する
酸化炉においてカスが点火反応する領域に点大温度にす
るための加熱ヒーターと点火後発熱による温度上昇を防
ぐだめの冷却機能を合せ持つ装置を備えることにより、
らに化時の炉芯・ｄ同温度を均一にし、半導体基板のパ
ッチ内敵化膜岸のバラツキを抑えることにより半導体デ
バイスの歩留りを向上させるという利点がある。また本
発明は大口径半導体基板を酸化するために、カス流量を
上ける公費がある大口径炉芯管を用いる目表化炉におい
て特に効果がある。
カスと反応させ水蒸気を生成し、半導体基板を酸化する
酸化炉においてカスが点火反応する領域に点大温度にす
るための加熱ヒーターと点火後発熱による温度上昇を防
ぐだめの冷却機能を合せ持つ装置を備えることにより、
らに化時の炉芯・ｄ同温度を均一にし、半導体基板のパ
ッチ内敵化膜岸のバラツキを抑えることにより半導体デ
バイスの歩留りを向上させるという利点がある。また本
発明は大口径半導体基板を酸化するために、カス流量を
上ける公費がある大口径炉芯管を用いる目表化炉におい
て特に効果がある。
第１図（ａ）、 （ｂ） 、 （ｃ）ＩＩｉ、従来技術
ニオける酸化炉の構成とその効果について述べる説明図
、第２図ｆａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）および第３図は本
発明の実施例とその効果を示す構成図である。 １・・・・・・石英炉芯管、２・・・・・主ヒータ−，
３，４・・・・・・補助ヒーター、５・・・・・・Ｈ１
ガス導入口、６・・・・・０．ガス専入口、７・・・・
・シリコン基板、８・・・・石英ボード、９・・：・・
加熱・冷却装置。 ８１囚 （Ｃ） 第 ２区 （ａ）
ニオける酸化炉の構成とその効果について述べる説明図
、第２図ｆａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）および第３図は本
発明の実施例とその効果を示す構成図である。 １・・・・・・石英炉芯管、２・・・・・主ヒータ−，
３，４・・・・・・補助ヒーター、５・・・・・・Ｈ１
ガス導入口、６・・・・・０．ガス専入口、７・・・・
・シリコン基板、８・・・・石英ボード、９・・：・・
加熱・冷却装置。 ８１囚 （Ｃ） 第 ２区 （ａ）
Claims (1)
- 炉芯管中でＨ＿２ガスとＯ＿２ガスを反応させ水蒸気を
生成する半導体用酸化炉において、該ガスが点火反応す
る領域に加熱および冷却機能を有する装置を具備するこ
とを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59213856A JPS6191933A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59213856A JPS6191933A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6191933A true JPS6191933A (ja) | 1986-05-10 |
Family
ID=16646151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59213856A Pending JPS6191933A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6191933A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0330426U (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-26 |
-
1984
- 1984-10-12 JP JP59213856A patent/JPS6191933A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0330426U (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-26 |
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