JPS6193542A - 真空装置 - Google Patents
真空装置Info
- Publication number
- JPS6193542A JPS6193542A JP21336284A JP21336284A JPS6193542A JP S6193542 A JPS6193542 A JP S6193542A JP 21336284 A JP21336284 A JP 21336284A JP 21336284 A JP21336284 A JP 21336284A JP S6193542 A JPS6193542 A JP S6193542A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- container
- processed
- dust
- dustproof
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
- Filtering Of Dispersed Particles In Gases (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は真空装置に関し、特に被処理体に粉塵が付着
しては困る場合に適用して効果が著るしい。
しては困る場合に適用して効果が著るしい。
（従来技術とその問題点）
近年、被処理体に微粉塵が付着しないよ５ＫＸ空装置の
周囲を無塵にすることが行われ、大きな成果を上げてい
る。しかしそれでも問題の多〜・場合が多い。例えば真
空装置の内部は一般に清浄であると考えられているが、
排気の初期に煮上る微粉塵が被処理体に付着して生ずる
害は古くから指摘されていながら解決されていない。ま
た真空装置から他の真空装置へと被処理体を運搬する間
に粉塵が付着することも多いがこれも解決されていない
。これらの粉塵は、例えば薄膜を作成する装置において
はピンホールの原因となり、今日のマイクロエレクトロ
ニクスにおいては致命的な欠陥を生ずる、また真空中で
純度の高い材料を作ろうとする場合にはその純度を低下
しこれも多くの場合致命的である。さらに真空中で分析
を行う場合には、本来付着していな（・ものが付着して
いたかのように誤認される原因となる。この細微粉塵の
害は言い尽すことが出来ない程大である。
周囲を無塵にすることが行われ、大きな成果を上げてい
る。しかしそれでも問題の多〜・場合が多い。例えば真
空装置の内部は一般に清浄であると考えられているが、
排気の初期に煮上る微粉塵が被処理体に付着して生ずる
害は古くから指摘されていながら解決されていない。ま
た真空装置から他の真空装置へと被処理体を運搬する間
に粉塵が付着することも多いがこれも解決されていない
。これらの粉塵は、例えば薄膜を作成する装置において
はピンホールの原因となり、今日のマイクロエレクトロ
ニクスにおいては致命的な欠陥を生ずる、また真空中で
純度の高い材料を作ろうとする場合にはその純度を低下
しこれも多くの場合致命的である。さらに真空中で分析
を行う場合には、本来付着していな（・ものが付着して
いたかのように誤認される原因となる。この細微粉塵の
害は言い尽すことが出来ない程大である。
（発明の目的）
この発明の目的は、これらの欠点を解決し粉塵が被処理
体に付着しない新規な真空装置の提供とある。
体に付着しない新規な真空装置の提供とある。
この発明の他の目的は、被処理体を真空装置から次の真
空装置に運搬する時でも粉塵が付着しない真空装置の提
供にある。
空装置に運搬する時でも粉塵が付着しない真空装置の提
供にある。
この発明の別の目的は、真空排気の初期において真空装
置の内部にたまっていた粉塵が舞い上っても、被処理体
にこれが付着することのない真空装置の提供にある。
置の内部にたまっていた粉塵が舞い上っても、被処理体
にこれが付着することのない真空装置の提供にある。
（発明の構成）
この発明は、真空容器の内部に防塵容器を設備し、更に
この防塵容器の内部に、被処理体及びこの被処理体に真
空処理を施すための手段を設備する真空装置によって上
記目的を達成したものである。
この防塵容器の内部に、被処理体及びこの被処理体に真
空処理を施すための手段を設備する真空装置によって上
記目的を達成したものである。
（実施例）
つぎに、この発明を図面を用いて実施例により詳しく説
明する。真空処理は今日その使用が非常に多岐にわたり
定義はかなり困難であるが、こ〜では真空中で行う全て
の処理を言う。そのいくつかの例１は、例えば発明者著
“薄膜作成の基礎”（日刊工業新聞社刊）や浅尾荘一部
編集“真空技術講座″（日刊ｌ工業新聞社刊）などに示
されて〜・る。こＮではその代表的な例と言える連続ス
パッタ族［Ｋこの発明を実施した場合の一例について説
明する。勿論、この発明は連続装置のみならずバッチ装
置などにも適用できるものである。
明する。真空処理は今日その使用が非常に多岐にわたり
定義はかなり困難であるが、こ〜では真空中で行う全て
の処理を言う。そのいくつかの例１は、例えば発明者著
“薄膜作成の基礎”（日刊工業新聞社刊）や浅尾荘一部
編集“真空技術講座″（日刊ｌ工業新聞社刊）などに示
されて〜・る。こＮではその代表的な例と言える連続ス
パッタ族［Ｋこの発明を実施した場合の一例について説
明する。勿論、この発明は連続装置のみならずバッチ装
置などにも適用できるものである。
第１図および第２図の実施例において、１００は連続ス
パッタ装置で、１ｏｔ、ｒｏ４．ｉｏ６゜１１１．１１
４，１１６は扉構造のバルブも含めて多くの部屋を分割
又は連結構成させるためのバルブである。１０２，１０
７，１０８，１１２，１１７は真空室である。１０３，
１１）５，１０８，１１３゜１１５はそれぞれこれらの
真空室を排気するだめの排気系で、あらびき系１本引系
、パルプ類、圧力調整のためのガス導入系や圧力調整弁
などの全てを一括して示しである。
パッタ装置で、１ｏｔ、ｒｏ４．ｉｏ６゜１１１．１１
４，１１６は扉構造のバルブも含めて多くの部屋を分割
又は連結構成させるためのバルブである。１０２，１０
７，１０８，１１２，１１７は真空室である。１０３，
１１）５，１０８，１１３゜１１５はそれぞれこれらの
真空室を排気するだめの排気系で、あらびき系１本引系
、パルプ類、圧力調整のためのガス導入系や圧力調整弁
などの全てを一括して示しである。
４０は真空処理を行うための代表的手段であるスパッタ
系で、４１がスバ、り電源、４２がターゲット、４３が
被処理体１３０代表例としての基板であって、第２図に
示すカセット１２から基板搬送機構１２１（１本の矢線
で略示）により取り出されターゲット４２の前面に持っ
て来られ基板搬送機構１２２（１本の矢線で略示）Ｋよ
って取り出し用のカセットに搬送される。１２４はバリ
アプルリークバルブで、ポンベ１２３より必要なガスが
必要な量だけ導入される。
系で、４１がスバ、り電源、４２がターゲット、４３が
被処理体１３０代表例としての基板であって、第２図に
示すカセット１２から基板搬送機構１２１（１本の矢線
で略示）により取り出されターゲット４２の前面に持っ
て来られ基板搬送機構１２２（１本の矢線で略示）Ｋよ
って取り出し用のカセットに搬送される。１２４はバリ
アプルリークバルブで、ポンベ１２３より必要なガスが
必要な量だけ導入される。
１０はこの発明の特徴とする防塵容器で、１１が容器本
体、１２が被処理体１３を多数収容するためのカセット
、１４と１５は扉１６を開閉するための蝶番、１７はオ
ーリング、１８は気体の流通を許して、塵の通過を許さ
ないフィルターである。１９は扉１６を開けるための開
閉金具である。
体、１２が被処理体１３を多数収容するためのカセット
、１４と１５は扉１６を開閉するための蝶番、１７はオ
ーリング、１８は気体の流通を許して、塵の通過を許さ
ないフィルターである。１９は扉１６を開けるための開
閉金具である。
扉１６は磁気チャック（図示してない）Ｋより容器本体
１１の壁の端部に軽く吸引されていて粉塵の侵入を防〜
・でいる。
１１の壁の端部に軽く吸引されていて粉塵の侵入を防〜
・でいる。
この装置は次のように運転する。この装置で行なう処理
のための前処理が終った被処理体を防塵容器１０の中に
収め工運搬し、装置１００の入口に持って来る。バルブ
１０１−を開け、防塵容器１０を真空室１０２内に設置
する。その際、必要ならば扉１６を開けるための開閉装
置（図に示してない）に開閉金具１９を接続する 扉１
０１を閉じ、真空室１０２の内部を排気系１０３で排気
する。排気後室内に併い上った粉塵が圧力の低下と共に
真空容器１０２の下部に落下してしまった頃、防塵容器
１０の扉１６を開はカセット１２の全体、または被処理
体１３の必要な数量だけを取り出し、バルブ１θ４を開
けて真空室１０７に搬入する。こ〜で予備処理を行った
後、バルブ１０６を開けてスパッタ室１０８に搬入し薄
膜を付着する。これらは基板の搬送機構１２１によって
行われる。処理の終りた基板は前述の各バルブの開閉、
各真空室への搬入とほぼ逆の順序で開閉・搬入され、基
板搬送機構１２２よって別の防塵容器１０°に収容され
て大気側に取り出される。これらの搬送機構は、実際は
極めて複雑な動きをするが、これらは前述の文献や、そ
の引用文献等にも述べられているので説明を省略する。
のための前処理が終った被処理体を防塵容器１０の中に
収め工運搬し、装置１００の入口に持って来る。バルブ
１０１−を開け、防塵容器１０を真空室１０２内に設置
する。その際、必要ならば扉１６を開けるための開閉装
置（図に示してない）に開閉金具１９を接続する 扉１
０１を閉じ、真空室１０２の内部を排気系１０３で排気
する。排気後室内に併い上った粉塵が圧力の低下と共に
真空容器１０２の下部に落下してしまった頃、防塵容器
１０の扉１６を開はカセット１２の全体、または被処理
体１３の必要な数量だけを取り出し、バルブ１θ４を開
けて真空室１０７に搬入する。こ〜で予備処理を行った
後、バルブ１０６を開けてスパッタ室１０８に搬入し薄
膜を付着する。これらは基板の搬送機構１２１によって
行われる。処理の終りた基板は前述の各バルブの開閉、
各真空室への搬入とほぼ逆の順序で開閉・搬入され、基
板搬送機構１２２よって別の防塵容器１０°に収容され
て大気側に取り出される。これらの搬送機構は、実際は
極めて複雑な動きをするが、これらは前述の文献や、そ
の引用文献等にも述べられているので説明を省略する。
この実施例の装置にお（・ては、防塵容器１０が粉塵の
侵入を許さないため、真空装置１００の外においても、
また真空装置１００内の真空排気の初期においても、粉
塵が被処理体１３に付着すると言うことは全くなくなり
、例えば薄膜の作成時のピンホールの発生、真空冶金な
どのときの純度の低下、分析のときなどの分析対象物の
誤認などなどの欠点は全く認められなくなる。
侵入を許さないため、真空装置１００の外においても、
また真空装置１００内の真空排気の初期においても、粉
塵が被処理体１３に付着すると言うことは全くなくなり
、例えば薄膜の作成時のピンホールの発生、真空冶金な
どのときの純度の低下、分析のときなどの分析対象物の
誤認などなどの欠点は全く認められなくなる。
この発明を効果的に実用するに当っては、防塵容器１０
の構造が極めて重要である。防塵容器１０ｚはなるべく
ハンディ−で軽量であることが望ましい。且つ扉１６が
ピッタリと閉じていてしかも開けるときＫは簡単に開け
られることが望まし℃・。さらに内部に収容する被処理
体１３（多数のときも単数のときもある）に適合した形
状をして阜 いることが必嵜である。材料も軽量で且つ塵の発生が無
視出来る材質のものが望ましい。実際においては、これ
らの条件は、実際に行なわれる真空処理に整合するよう
設計時に考慮される。したがってその形状は千差万別で
極めて多くの実施態様をもつ。
の構造が極めて重要である。防塵容器１０ｚはなるべく
ハンディ−で軽量であることが望ましい。且つ扉１６が
ピッタリと閉じていてしかも開けるときＫは簡単に開け
られることが望まし℃・。さらに内部に収容する被処理
体１３（多数のときも単数のときもある）に適合した形
状をして阜 いることが必嵜である。材料も軽量で且つ塵の発生が無
視出来る材質のものが望ましい。実際においては、これ
らの条件は、実際に行なわれる真空処理に整合するよう
設計時に考慮される。したがってその形状は千差万別で
極めて多くの実施態様をもつ。
それを説明するために、再びスパッタ装置に戻って防塵
容器の他の実施例について状べる。第３図の実施例にお
いて、２３は運搬のための取手、２４は軽いバネによる
扉の抑えで、金ｊＬ１９を軽く引張るだけでｎ１６を開
けることが出来る。２０は圧力弁で、防塵容器１０の外
部の圧力が下ったとき（ＩｌｉＦ＜２２の方向Ｋ、図示
しないバネで抑えられているので）自然と開き内部の圧
力を下げる働きをする。２１は蝶番、２５はオーリング
である。この防塵容器１０の場合は内部が常に陽圧にな
っているので、微粉塵が入る余地がない。また処理が終
って真空室１１２かもこの防塵容器１０を取り出した後
も、容器内部が真空に保たれているので、酸化などＫよ
る処理膜等の変質の心配もなくなる。
容器の他の実施例について状べる。第３図の実施例にお
いて、２３は運搬のための取手、２４は軽いバネによる
扉の抑えで、金ｊＬ１９を軽く引張るだけでｎ１６を開
けることが出来る。２０は圧力弁で、防塵容器１０の外
部の圧力が下ったとき（ＩｌｉＦ＜２２の方向Ｋ、図示
しないバネで抑えられているので）自然と開き内部の圧
力を下げる働きをする。２１は蝶番、２５はオーリング
である。この防塵容器１０の場合は内部が常に陽圧にな
っているので、微粉塵が入る余地がない。また処理が終
って真空室１１２かもこの防塵容器１０を取り出した後
も、容器内部が真空に保たれているので、酸化などＫよ
る処理膜等の変質の心配もなくなる。
第４図には、更に別の実施例を示しである。この実施例
においては、扉１６がプラスチックなどの弾性体で作っ
である。扉は、くさび状の食い付き金具２５により簡単
に脱着が出来るようになっている。防塵容器１０が安価
になる効果がある。
においては、扉１６がプラスチックなどの弾性体で作っ
である。扉は、くさび状の食い付き金具２５により簡単
に脱着が出来るようになっている。防塵容器１０が安価
になる効果がある。
第５図（側断面図）と第６図（平面断面図）には更に別
の実施例を示しである。この実施例においては、防塵容
器３０が真空室１０２の内部につくりつけになっている
。３１は防塵容器の扉、３２は容器本体、３３は裏層、
３４と３５は蝶番である。被処理体（あるいは、前述の
被処理体用カセット１２でもよい）１３を容器３２の中
に入れｎ３１と１０１をそれぞれ矢印３６と３７の方向
に閉じ、真空室１０２の内部をフランジ１０３２にとり
つけたポンプ１０３で矢印１０３１の方向に排気する。
の実施例を示しである。この実施例においては、防塵容
器３０が真空室１０２の内部につくりつけになっている
。３１は防塵容器の扉、３２は容器本体、３３は裏層、
３４と３５は蝶番である。被処理体（あるいは、前述の
被処理体用カセット１２でもよい）１３を容器３２の中
に入れｎ３１と１０１をそれぞれ矢印３６と３７の方向
に閉じ、真空室１０２の内部をフランジ１０３２にとり
つけたポンプ１０３で矢印１０３１の方向に排気する。
排気が終ると・扉３３を開け（第５図は開けた状態を示
しである）内部の被処理体を取り出す。
しである）内部の被処理体を取り出す。
この実施例の装置は、真空室外が清浄でそこの粉塵が心
配なく、真空室内の粉塵のみに対策を要する場合などに
便利である。
配なく、真空室内の粉塵のみに対策を要する場合などに
便利である。
このほか、防塵容器１０内に清浄な気体を強制的に送り
込み、容器内に溜った粉塵を吹きとばして清浄に保つよ
うにすると一層効果がある。さらに、第１図に示すよう
に多数の真空室を設けた連続装置で七の内の一室がこの
実施例のように排気だけをその役割として用いられる場
合には、その真空室と防塵室を兼用して宮を１室にして
その内部に清浄な気体を強制的に送り込み、清浄化を行
うことができる。
込み、容器内に溜った粉塵を吹きとばして清浄に保つよ
うにすると一層効果がある。さらに、第１図に示すよう
に多数の真空室を設けた連続装置で七の内の一室がこの
実施例のように排気だけをその役割として用いられる場
合には、その真空室と防塵室を兼用して宮を１室にして
その内部に清浄な気体を強制的に送り込み、清浄化を行
うことができる。
以上着千の実施例を述べたが、これらは何ら限定的な意
味を持つものではなく多数の変形が可箭。
味を持つものではなく多数の変形が可箭。
であることは言うまでもない。
第１図及び第２図はこの発明の実施例の連続スバ、り装
置の略図（平面図）及び防塵容器の断面を示す図。第３
図、第４図はこの発明の別の実施例の防塵容器の断面を
示す図。第５図及び第６図はこの発明の別の実施例の真
空装置の側断面図及び平面断面図である。 図中、１０１，１０７，１０８，１１２及び１１７は真
空容器。１０または３０は防塵容器。１３が被処理体。 ４０が真空処理を行うための手段である。
置の略図（平面図）及び防塵容器の断面を示す図。第３
図、第４図はこの発明の別の実施例の防塵容器の断面を
示す図。第５図及び第６図はこの発明の別の実施例の真
空装置の側断面図及び平面断面図である。 図中、１０１，１０７，１０８，１１２及び１１７は真
空容器。１０または３０は防塵容器。１３が被処理体。 ４０が真空処理を行うための手段である。
Claims (2)
- （１）内部を真空にし各種の真空処理を行う真空容器、
前記真空容器の内部に設置された防塵容器、前記妨塵容
器内部に設置された被処理体及び被処理体に真空処理を
行うための手段よりなることを特徴とする真空装置。 - （２）前記防塵容器の内部に清浄な気体を流入すること
による清浄化手段を設えたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の真空装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21336284A JPS6193542A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 真空装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21336284A JPS6193542A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 真空装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6193542A true JPS6193542A (ja) | 1986-05-12 |
Family
ID=16637919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21336284A Pending JPS6193542A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 真空装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6193542A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2588940A (en) * | 2019-11-15 | 2021-05-19 | Dyson Technology Ltd | Sputter deposition |
| US12312673B2 (en) | 2019-11-15 | 2025-05-27 | Dyson Technology Limited | Method of manufacturing solid state battery cathodes for use in batteries |
| US12385123B2 (en) | 2019-11-15 | 2025-08-12 | Dyson Technology Limited | Sputter deposition apparatus and method |
| US12385141B2 (en) | 2019-11-15 | 2025-08-12 | Dyson Technology Limited | Method and apparatus for sputter deposition of target material to a substrate |
| US12460300B2 (en) | 2019-11-15 | 2025-11-04 | Dyson Technology Limited | Method and apparatus for sputter deposition of target material to a substrate |
| US12548756B2 (en) | 2019-11-15 | 2026-02-10 | Dyson Technology Limited | Method of manufacturing crystalline material from different materials |
| US12548755B2 (en) | 2019-11-15 | 2026-02-10 | Dyson Technology Limited | Method of forming crystalline layer, method of forming a battery half cell |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53104580A (en) * | 1977-02-25 | 1978-09-11 | Ulvac Corp | Vacuum continuous treatment apparatus |
| JPS5917893U (ja) * | 1983-06-03 | 1984-02-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子腕時計 |
-
1984
- 1984-10-12 JP JP21336284A patent/JPS6193542A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53104580A (en) * | 1977-02-25 | 1978-09-11 | Ulvac Corp | Vacuum continuous treatment apparatus |
| JPS5917893U (ja) * | 1983-06-03 | 1984-02-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子腕時計 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2588940A (en) * | 2019-11-15 | 2021-05-19 | Dyson Technology Ltd | Sputter deposition |
| GB2588940B (en) * | 2019-11-15 | 2022-06-22 | Dyson Technology Ltd | Sputter deposition |
| US12249498B2 (en) | 2019-11-15 | 2025-03-11 | Dyson Technology Limited | Sputter deposition |
| US12312673B2 (en) | 2019-11-15 | 2025-05-27 | Dyson Technology Limited | Method of manufacturing solid state battery cathodes for use in batteries |
| US12385123B2 (en) | 2019-11-15 | 2025-08-12 | Dyson Technology Limited | Sputter deposition apparatus and method |
| US12385141B2 (en) | 2019-11-15 | 2025-08-12 | Dyson Technology Limited | Method and apparatus for sputter deposition of target material to a substrate |
| US12460300B2 (en) | 2019-11-15 | 2025-11-04 | Dyson Technology Limited | Method and apparatus for sputter deposition of target material to a substrate |
| US12548756B2 (en) | 2019-11-15 | 2026-02-10 | Dyson Technology Limited | Method of manufacturing crystalline material from different materials |
| US12548755B2 (en) | 2019-11-15 | 2026-02-10 | Dyson Technology Limited | Method of forming crystalline layer, method of forming a battery half cell |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5421889A (en) | Method and apparatus for inverting samples in a process | |
| JPH0159007B2 (ja) | ||
| JPS6193542A (ja) | 真空装置 | |
| JPH06502687A (ja) | 圧力密閉室内の基板をガス中の汚染物質から保護する方法および装置 | |
| US5237756A (en) | Method and apparatus for reducing particulate contamination | |
| JPS61170568A (ja) | 連続真空処理装置 | |
| JPS6353943A (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR20020019580A (ko) | 반도체 수납 용기 개폐 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP2003115519A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置、ロードロック室、基板収納ケース、ストッカ | |
| JPS58202535A (ja) | 被膜形成装置 | |
| JP2000164688A5 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5994435A (ja) | 真空処理装置 | |
| JP2985463B2 (ja) | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPS62252128A (ja) | 半導体製造装置の基板導入装置 | |
| TWI682117B (zh) | 閘閥控制方法 | |
| JPS6328046A (ja) | カセツト搬送ボツクス | |
| JPS59208067A (ja) | 連続スパッタ装置 | |
| JP3216181B2 (ja) | 光ｃｖｄ装置 | |
| JPS60160139A (ja) | 移送方法 | |
| JPS60200520A (ja) | 反応処理装置 | |
| JPH02172222A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH10125760A (ja) | 基板自動供給回収装置及び半導体製造装置 | |
| JPS62204518A (ja) | 光学窓汚れ防止法 | |
| JP2978896B1 (ja) | 半導体製造用真空装置とそのパーティクルの低減方法 | |
| JPS6086819A (ja) | 分子線エピタキシ装置 |