JPH0159007B2 - - Google Patents

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JPH0159007B2
JPH0159007B2 JP60131013A JP13101385A JPH0159007B2 JP H0159007 B2 JPH0159007 B2 JP H0159007B2 JP 60131013 A JP60131013 A JP 60131013A JP 13101385 A JP13101385 A JP 13101385A JP H0159007 B2 JPH0159007 B2 JP H0159007B2
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体装置の製造装置用真空装置に試料をロー
ド・アンロードするために使用される真空装置の
改良である。
ロード用・アンロード用真空装置の中に、給排
気手段を有し、例えば数十トリチエリー程度以上
内圧が高くなるとわづかに漏洩状態となる程度に
気密とされた開閉可能な真空室を設け、さらに、
この真空室内には可動部材は入れないようにし、
半導体装置の製造装置用真空装置との間での試料
のロード・アンロード後の気圧調整期間には、試
料を真空室内に保護して塵埃に接触する機会をな
くし、さらに、試料のロード・アンロード期間に
は極力試料を分子状態におくこととし、真空装置
中に塵Ｇがいくらか存在していても、これが試料
に付着するおそれはないようにしたものである。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造装置用真空装置に
試料をロード・アンロードするために使用される
真空装置に関する。特に、塵埃が試料に付着しな
いようにする改良に関する。
〔従来の技術〕
半導体装置の製造工程は真空中でなされる場合
が多い。しかも、塵埃の付着を防止することは、
半導体装置の製造工程において必須なことである
から、半導体装置の製造装置用真空装置への試料
のロード・アンロードは、第１１図、第１２図に
示すように、ロード用・アンロード用の真空装置
を介してなされることが一般である。図におい
て、１は半導体装置の製造装置用真空装置であ
り、２はロード用真空装置であり、３はアンロー
ド用真空装置であり、４はロード・アンロード用
真空装置であり、１３，２２，３２，４２は清浄
な気体例えば窒素ガスを送入する手段であり、１
４，２３，３３，４３は排気手段である。使用に
あたつては、ロード用真空装置２またはロード・
アンロード用真空装置４の扉２１または４１を開
いて試料をロード用真空装置２またはロード・ア
ンロード用真空装置４に入れ、数分間静置して塵
埃を沈下させてから排気手段を使用して真空状態
にもたらし、その後、半導体装置の製造装置用真
空装置１の扉１１を開いて試料を半導体装置の製
造装置用真空装置１の中に入れる。試料を半導体
装置の製造装置用真空装置１から取り出すとき
は、上記手順の逆を実行する。たゞ、排気手段に
代えて清浄気体送入手段を使用することは言うま
でもない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記せるような従来技術に係る真空装置にあつ
ては、ロード用・アンロード用真空装置中に試料
搬送用可動部が設けられることが一般であり、そ
のため、塵埃がロード用・アンロード用真空装置
の内部で発生する可能性があり、特に、試料をロ
ード用・アンロード用真空装置に装入した後ロー
ド用・アンロード用真空装置の内圧を半導体装置
の製造装置用真空装置の内圧に一致させるために
排気し、または、大気圧まで昇圧するために清浄
気体を送入するときに、ロード用・アンロード用
真空装置の内部に乱流が発生して沈下していた塵
埃が舞い上り飛散して試料に付着するおそれがあ
り、なお、改良の余地を残していた。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあ
り、塵埃が試料に付着しないようにされた半導体
装置の製造装置用真空装置に試料をロード・アン
ロードするために使用される真空装置を提供する
ことにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記の目的を達成するために、本発明が採つた
手段は、第１図に示すように、給気手段２２と排
気手段２３とを有する開閉可能な真空装置２の中
に給気手段５１と排気手段５２とを有し緩く気密
とされて開閉可能な真空室５を装入し、この真空
室５中には試料搬送手段５４等の可動部材は装入
しないことにある。試料６を半導体装置の製造装
置用真空装置１に搬入するにあつたては、試料６
をロード用真空装置２の真空室５中に搬入してか
ら、この真空室５とロード用真空装置２を排気す
る。このとき、ロード用真空装置２内には乱流が
発生して塵埃が舞い上るが、試料６は真空室５に
入れられて保護されているので、塵埃は試料６に
は付着しない。十分排気してロード用真空装置２
の内部が分子流状態になつてから半導体装置の製
造装置用真空装置１との間の扉１１を開いて試料
６を半導体装置の製造装置用真空装置１中に搬入
し、一方、試料６を半導体装置の製造装置用真空
装置１から搬出するにあつたては、アンロード用
真空装置３の内部を分子流状態にしておいて半導
体装置の製造装置用真空装置１との間の扉１２を
開いて試料６をアンロード用真空装置３中に搬出
し、ここで、試料６を真空室５中に装入する。そ
の後、アンロード用真空装置３中に清浄気体を送
入する。このとき、アンロード用真空装置３内に
は乱流が発生して塵埃が舞い上るが、試料６は真
空室５に入れられて保護されているので、塵埃は
試料６には付着しない。アンロード用真空装置３
の内圧が大気圧に上昇した後、しばらく静置して
塵埃を沈下させてからアンロード用真空装置３の
扉３１を開いて試料６を外部に搬出することとし
たものである。
〔作用〕
従来技術においても、ロード用・アンロード用
真空装置すなわち中間で塵埃を除去する手段を用
いていた。この技術は、ロード用真空装置または
アンロード用真空装置中の塵埃量を極力減少し
て、塵埃が試料に接触する機会をなるべく少なく
することとして、試料を清浄に保つようにする技
術思想である。
しかし、現実には、如何に何重の塵埃除去室を
設けても塵埃の侵入を完全に遮断することは不可
能である。そして、この僅かに残つた塵埃がその
後の気圧調節工程において、舞い上つて汚染の原
因となる。
そこで、本発明は、ロード用真空装置またはロ
ード・アンロード用真空装置中にある程度塵埃が
入ることはやむを得ないとして、ロード用真空装
置またはロード・アンロード用真空装置中に不可
避的に存在する塵埃が試料に付着しないように、
気圧調節期間は、試料を真空室中に保護し、同時
に、できるだけ長い期間試料を分子流状態の下に
おくことにより、塵埃が試料に付着することを防
止したものである。
〔実施例〕
以下、図面を参照しつゝ、本発明の一実施例に
係る真空装置についてさらに説明する。
第１図参照 図は、本発明の一実施例に係る真空装置の構成
図である。図において、１は半導体装置の製造装
置用真空装置であり、２はロード用真空装置であ
る。１１は半導体装置の製造装置用真空装置１用
の扉であり、２１はロード用真空装置２の扉であ
る。１３，２２は清浄気体送入手段であり、１
４，２３は排気手段である。５が本発明の要旨に
係る真空室であり、この例にあつては、底面が開
いており、底面縁部にＯリング５５が入れられて
おり、上下に移動可能なベルジヤー型である。５
１は清浄気体送入手段であり、５２は排気手段で
ある。５３は真空室５を上下に移動するとともに
真空室５の内圧がロード用真空装置２の内圧より
ある程度以上大きくなるといくらか漏洩するよう
にされている駆動装置、例えば、スプリング等を
もつて支持された油圧シリンダ等である。５４は
試料搬送装置である。
試料を半導体装置の製造装置用真空装置中に搬
入する場合の工程について述べる。
第２図参照 扉１１，２１を閉じた状態において、真空室５
に付属する清浄気体送入手段５１を動作して真空
室５中に清浄気体を圧入する。真空室５の内圧が
いくらか大きくなると真空室５から気体が漏洩す
る。清浄気体送入手段５１よりわづかに遅れてロ
ード用真空装置２に付属する清浄気体送入手段２
２が動作して、真空室５中とロード用真空装置２
中とをおよそ大気圧まで上昇する。この過程で、
常時、真空室５中の内圧をロード用真空装置２中
の内圧より高く保持し、真空室５中に塵埃が入ら
ないようにする。
この工程において、ロード用真空装置２の底面
に沈下していた塵埃が舞い上るので、数分静置し
て塵埃を沈下する。
第３図参照 ロード用真空装置２の扉２１を開き、僅かにお
くれて駆動装置５３を動作して真空室５を開き、
試料搬送装置５４を動作して試料６を真空室５中
に搬入し、駆動装置５３を動作して真空室５を閉
る。
第４図参照 ロード用真空装置の排気装置２３をまず動作
し、つゞいて真空室５の排気装置５２を動作し、
真空室５中の内圧をロード用真空装置２中の内圧
より高く保持しながら、真空室５中とロード用真
空装置２中を１トリチエリーよりさらに低圧とし
て分子流状態にもたらす。この分子流状態におい
ては、塵埃は気体中に浮遊することができないの
で、試料に付着することはない。従来技術におい
ては、真空室５が不存在であるので、この期間ロ
ード用真空装置を真空にする期間（気圧調節期
間）に塵埃が試料に付着する可能性が極めて高い
が本実施例においては、そのような可能性はな
い。
第５図参照 駆動装置５３を動作して真空室５を開く。この
とき、ロード用真空装置２内は分子流状態である
から、塵埃が試料に付着するおそれはない。
第６図参照 半導体装置の製造装置用真空装置１の扉１１を
開き、試料搬送装置５４を使用して試料を半導体
装置の製造装置用真空装置１中に搬送してから、
半導体装置の製造装置用真空装置１の扉１１を閉
じる。
次に、試料を半導体装置の製造装置用真空装置
から搬出する場合の工程図を第７図〜第１０図に
示す。
第７図の工程においては、真空室５中に乱流を
発生させないようにしてアンロード用真空装置３
の内部を真空にして分子流状態にもたらす。
第８図の工程において半導体装置の製造装置用
真空装置１の扉１２を開き、真空室５を開いて試
料を真空室５中に搬入する。
第９図の工程において、試料を真空室５中に保
護しながらアンロード用真空装置３の内圧を大気
圧にもたらす。このとき、真空室５内では殆ど乱
流が発生しないからアンロード用真空装置３中に
塵埃は存在するが、この塵埃が試料に付着するこ
とはない。
アンロード用真空装置３中の塵埃が沈下するの
を待つて、第１０図の工程において、アンロード
用真空装置３の扉３１を開いて試料を搬出する。
この試料搬出工程においても、乱流の発生が避
け難い気圧調節期間においては、試料は真空室中
に保護され、また、気圧調節期間に塵埃が真空室
に侵入しないように配慮がなされており、しか
も、試料は可能なかぎり分子流状態に保たれてい
るので、アンロード用真空装置中に塵埃が存在し
ていても試料が塵埃によつて汚染されるおそれが
ない。
〔発明の効果〕
以上説明せるとおり、本発明においては、給気
手段と排気手段とを有する開閉可能な真空装置２
の中に給気手段５１と排気手段５２とを有し緩く
気密とされて開閉可能な真空室５を装入し、この
真空室中には試料搬送手段等の可動部材は装入し
ないこととされているので、気圧調節期間には試
料を真空室に保護して塵埃からの汚染を防止し、
しかも、重要な期間は試料を分子流状態におくこ
とができ、塵埃が試料に付着するおそれの少ない
真空装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例に係る真空装置の
構成図である。第２図〜第６図は、本発明の一実
施例に係る真空装置を使用して試料を搬入する工
程を説明する図である。第７図〜第１０図は、本
発明の一実施例に係る真空装置を使用して試料を
搬出する工程を説明する図である。第１１図は、
従来技術に係るロード・アンロード用の真空装置
の構成図である。第１２図は、従来技術に係るロ
ード用・アンロード用の真空装置の構成図であ
る。 １……半導体装置の製造装置用真空装置、２…
…ロード用真空装置、３……アンロード用真空装
置、４……ロード・アンロード用真空装置、１
１，１２，２１，３１，４１……扉、１３，２
２，３２，４２，５１……清浄気体給送手段、１
４，２３，３３，４３，５２……排気手段、５…
…真空室、５３……駆動装置、５４……搬送装
置、５５……Ｏリング。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 給気手段２２と排気手段２３とを有する開閉
    可能な真空装置２において、 該真空装置２内には、給気手段５１と排気手段
    ５２とを有し緩く気密とされて開閉可能な真空室
    ５が具備されてなることを特徴とする真空装置。
JP60131013A 1985-06-17 1985-06-17 真空装置 Granted JPS61291032A (ja)

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