JPS6193675A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JPS6193675A JPS6193675A JP59214956A JP21495684A JPS6193675A JP S6193675 A JPS6193675 A JP S6193675A JP 59214956 A JP59214956 A JP 59214956A JP 21495684 A JP21495684 A JP 21495684A JP S6193675 A JPS6193675 A JP S6193675A
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- JP
- Japan
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- layer
- intrinsic
- monosilane
- photovoltaic device
- substrate
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F71/10—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は太陽光発電等に利用される光起電力装置の製造
方法に関する。
方法に関する。
（ロ） 従来の技術
シリコン化合物ガスをプラズマ分解することによって得
られる非晶質シリコン系半導体（微結晶との混相も含む
）が新素材として研究され実用域に達している。従来実
用に供せられる上記シリコン化合物ガスとしてはモノシ
ラン（ＳｉＨＪガスが一般的であるが、上記ＳｉＢ＊ガ
スに代って高次シランを使用する例がＢ、 Ａ、 ５ｃ
ｏｔｔ他、’Ｇｌｏｗ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ ｐｒｅｐ
ａｒａｔｉｏｎ ｏｆ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｈｙｄｒ
ｏｇｅｎａ、ｔｅｄ ５ｉｔｉｃｏｎ ｆｒｏｍ ｈｉ
ｇｈｅｒ ５ｉｌａｎｅｓ」、Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、
Ｌｅｔｔ。
られる非晶質シリコン系半導体（微結晶との混相も含む
）が新素材として研究され実用域に達している。従来実
用に供せられる上記シリコン化合物ガスとしてはモノシ
ラン（ＳｉＨＪガスが一般的であるが、上記ＳｉＢ＊ガ
スに代って高次シランを使用する例がＢ、 Ａ、 ５ｃ
ｏｔｔ他、’Ｇｌｏｗ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ ｐｒｅｐ
ａｒａｔｉｏｎ ｏｆ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｈｙｄｒ
ｏｇｅｎａ、ｔｅｄ ５ｉｔｉｃｏｎ ｆｒｏｍ ｈｉ
ｇｈｅｒ ５ｉｌａｎｅｓ」、Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、
Ｌｅｔｔ。
３７（８）、第７２５頁〜第７２７頁、１９８０年１０
月１５日発行に報告されている。ここに高次シランとは
、５ｉｎＨａｎ＋ｎ（ｎ≧２）のことであり、ジシラン
（Ｓｉｘ Ｈａ）、トリシラン（Ｓｉ３Ｈｅ）、テトラ
シラン（Ｓｉ＊ Ｈｌｌ））、等が一般的である。
月１５日発行に報告されている。ここに高次シランとは
、５ｉｎＨａｎ＋ｎ（ｎ≧２）のことであり、ジシラン
（Ｓｉｘ Ｈａ）、トリシラン（Ｓｉ３Ｈｅ）、テトラ
シラン（Ｓｉ＊ Ｈｌｌ））、等が一般的である。
斯る高次シランはモノシランに比較して材料コストが高
くつく反面、反応条件を工夫することにより膜の成長速
度が数°倍量上速くなり量産性の向上が図れる、と云う
特徴を有している。
くつく反面、反応条件を工夫することにより膜の成長速
度が数°倍量上速くなり量産性の向上が図れる、と云う
特徴を有している。
（ハ） 発明が解決しようとする問題点本発明は実質的
に一つのｐｉｎ接合を備えた非晶質シリコン系の半導体
光活性層を形成するに際し、各層毎にどのシリコン化合
物ガスを選択すれば良いか未だ明確でない点を解決しよ
うとするものである。
に一つのｐｉｎ接合を備えた非晶質シリコン系の半導体
光活性層を形成するに際し、各層毎にどのシリコン化合
物ガスを選択すれば良いか未だ明確でない点を解決しよ
うとするものである。
（ニ）問題点を解決するための手段
本発明光起電力装置の製造方法は、半導体光活性１の基
板側不純物層と実質的な真性層の主原料ガスとして高次
シランを用いると共に、上記真性層形成時に形成される
不純物層の主原料ガスとしてモノシランを用いる構成に
ある。
板側不純物層と実質的な真性層の主原料ガスとして高次
シランを用いると共に、上記真性層形成時に形成される
不純物層の主原料ガスとしてモノシランを用いる構成に
ある。
（ホ） 作用
上述の如く基板側不純物層及び実質的な真性層を高次シ
ランにより形成することによって、真性層形成時に既に
形成済みの基板側不純物層に高パワー印加によるダメー
ジを低減すべく作用すると共に、最終に形成される不純
物層についてはモノシランを使用することによってより
ダメージを低減すべく作用する。
ランにより形成することによって、真性層形成時に既に
形成済みの基板側不純物層に高パワー印加によるダメー
ジを低減すべく作用すると共に、最終に形成される不純
物層についてはモノシランを使用することによってより
ダメージを低減すべく作用する。
（へ）実施例
第１図は本発明製造方法により製造される光起電力装置
の基本構造を示し、（１）は透光性且つ絶縁性の基板、
（２）は酸化スズ、酸化インジウムスズ等の透光性導電
酸化物からなる透明電極層、（３）はシリコン化合物雰
囲気中でのプラズマ分解により形成されるｐｉｎ接合を
有する半導体光活性層、（４）は該光活性層（３）とそ
の背面に於いてオーミンク接触する背面電極層で、上記
透明電極層（２）、半導体光活性Ｍ（３）及び背面を極
層（４）はこの順序で基板（１）の一方の主面に積層被
着されている。上記半導体光活性層（３）は光入射面を
司どる基板（１）側から見て、非晶質シリコンカーバイ
ドのｐ型層（３ｐ）と、ｐ塑成いはｎ型決定不純物を全
く含まないか若しくは僅かにそれを含む非晶質シリコン
の実質的な真性層（３励と、非晶質シリコン或いは微結
晶シリコンとの混相を含むｎ型層（３ｎ）と、を備え、
従って先ずｐ型層（３ｐ）が形成された後、真性ｆ＠（
３巧、ｎ型層（３ｎ）の順序で形成される。
の基本構造を示し、（１）は透光性且つ絶縁性の基板、
（２）は酸化スズ、酸化インジウムスズ等の透光性導電
酸化物からなる透明電極層、（３）はシリコン化合物雰
囲気中でのプラズマ分解により形成されるｐｉｎ接合を
有する半導体光活性層、（４）は該光活性層（３）とそ
の背面に於いてオーミンク接触する背面電極層で、上記
透明電極層（２）、半導体光活性Ｍ（３）及び背面を極
層（４）はこの順序で基板（１）の一方の主面に積層被
着されている。上記半導体光活性層（３）は光入射面を
司どる基板（１）側から見て、非晶質シリコンカーバイ
ドのｐ型層（３ｐ）と、ｐ塑成いはｎ型決定不純物を全
く含まないか若しくは僅かにそれを含む非晶質シリコン
の実質的な真性層（３励と、非晶質シリコン或いは微結
晶シリコンとの混相を含むｎ型層（３ｎ）と、を備え、
従って先ずｐ型層（３ｐ）が形成された後、真性ｆ＠（
３巧、ｎ型層（３ｎ）の順序で形成される。
斯る基板（１）上にｐ型層（３ｐ）、真性層（３人）、
ｎ型ｆｆｌ＜３ｎ）の順序で形成された光活性層（３）
は膜面に平行な一つのｐｉｎ接合を備えるが故に、基板
（１）及び透明電極ＮＩ（２）を介して光照射を受ける
と主に肉厚な真性層（３巧に於いて自由状態の電子及び
正孔が発生し、それ等はｐｉｎ接合電界に引かれて電子
は背面電、極層（４）側に移動すると共に、正孔は透明
電極層（２）側に移動し、最終的にその移動過程に於い
て再結合することなく両電極層（４）（２）に到達した
電子及び正孔が光電流として外部に取り出される。
ｎ型ｆｆｌ＜３ｎ）の順序で形成された光活性層（３）
は膜面に平行な一つのｐｉｎ接合を備えるが故に、基板
（１）及び透明電極ＮＩ（２）を介して光照射を受ける
と主に肉厚な真性層（３巧に於いて自由状態の電子及び
正孔が発生し、それ等はｐｉｎ接合電界に引かれて電子
は背面電、極層（４）側に移動すると共に、正孔は透明
電極層（２）側に移動し、最終的にその移動過程に於い
て再結合することなく両電極層（４）（２）に到達した
電子及び正孔が光電流として外部に取り出される。
而して、本発明者らは上述の如き構成にある光活性層（
３）をシリコン化合物雰囲気のプラズマ分解により形成
する際の具体的原料ガスとして、従来の技術の項で述べ
た如く高次シランがモノシランに比して成長速度が速い
ことに着目し、最も肉厚な真性Ｎ！！（３ん）のみに高
次シランを使用し、肉薄なｐ型層（３ｐ）及びｎ型層（
３ｎ）についてはモノシランを使用して光起電力装置を
製造した。ところが真性層（３人）のみを高次シランで
形成した光起電力装置と全てモノシランで形成した光起
電力装置とを光電変換効率について比較したところ、全
てモノシランで形成した光起電力装置の方が高効率であ
ることが確認された。この現象は高次シランをプラズマ
分解するに要する高周波（ＲＦ）パワーはモノシランの
それに比して大きく、従って真性層（３乃を高次シラン
により形成すると、モノシランによって既に形成済みの
ｐ型層１（３ｐ＞の界面に高ＲＦパワーのプラズマ価電
粒子が衝突し、真性層（３乃との結合界面（ｐ／ん）に
ダメージを与える結果、膜質を劣化せしめたために発生
していたのである。即ち、肉厚な真性層〈３ん）のみの
成長速度の高速化を目的として高次シランを使用すると
光電変換効率の低下の原因となる膜質の劣化は免れない
。
３）をシリコン化合物雰囲気のプラズマ分解により形成
する際の具体的原料ガスとして、従来の技術の項で述べ
た如く高次シランがモノシランに比して成長速度が速い
ことに着目し、最も肉厚な真性Ｎ！！（３ん）のみに高
次シランを使用し、肉薄なｐ型層（３ｐ）及びｎ型層（
３ｎ）についてはモノシランを使用して光起電力装置を
製造した。ところが真性層（３人）のみを高次シランで
形成した光起電力装置と全てモノシランで形成した光起
電力装置とを光電変換効率について比較したところ、全
てモノシランで形成した光起電力装置の方が高効率であ
ることが確認された。この現象は高次シランをプラズマ
分解するに要する高周波（ＲＦ）パワーはモノシランの
それに比して大きく、従って真性層（３乃を高次シラン
により形成すると、モノシランによって既に形成済みの
ｐ型層１（３ｐ＞の界面に高ＲＦパワーのプラズマ価電
粒子が衝突し、真性層（３乃との結合界面（ｐ／ん）に
ダメージを与える結果、膜質を劣化せしめたために発生
していたのである。即ち、肉厚な真性層〈３ん）のみの
成長速度の高速化を目的として高次シランを使用すると
光電変換効率の低下の原因となる膜質の劣化は免れない
。
第２図実線Ａは上記ｐ型層（３ｐ）と高次シランととし
てジシランを使用した真性層（３ん）との界面（ｐ／入
）に於けるダメージを等価再結合速度のＲＦパワー依存
性として表−わしたものであり、ＲＦパワーが大きくな
ると等価再結合速度も上昇する。
てジシランを使用した真性層（３ん）との界面（ｐ／入
）に於けるダメージを等価再結合速度のＲＦパワー依存
性として表−わしたものであり、ＲＦパワーが大きくな
ると等価再結合速度も上昇する。
この等価再結合速度の上昇は真性層（３ン）に於いて発
生した光キャリア、特に正孔が透明電極層（２）に移動
する過程に於いて再結合する度合が高くなったことを意
味し、光電変換効率の低下の原因となる。
生した光キャリア、特に正孔が透明電極層（２）に移動
する過程に於いて再結合する度合が高くなったことを意
味し、光電変換効率の低下の原因となる。
一方、第２図実線Ｂは肉厚な真性ｍ＜ｓ人）のみならず
肉薄なｐ型層（３ｐ）についても原料ガスとじてジシラ
ンを使用した場合の等価再轄合速度のＲＦパワー依存性
を示している。この実線Ｂ、！：実線Ａとを比較すると
、同一のＲＦパワーに於いてｐ型層（３ｐ）をもジシラ
ンで形成した方が再結合速度が低下することが判る。こ
れは真性層（３人）を形成するに先立つｐ型Ｎｊ（３ｐ
）も真性層（転）を形成するジシランを使用したために
、モノシランの反応条件に比して高ＲＦパワーで成長せ
しめられたためであると考えられる。
肉薄なｐ型層（３ｐ）についても原料ガスとじてジシラ
ンを使用した場合の等価再轄合速度のＲＦパワー依存性
を示している。この実線Ｂ、！：実線Ａとを比較すると
、同一のＲＦパワーに於いてｐ型層（３ｐ）をもジシラ
ンで形成した方が再結合速度が低下することが判る。こ
れは真性層（３人）を形成するに先立つｐ型Ｎｊ（３ｐ
）も真性層（転）を形成するジシランを使用したために
、モノシランの反応条件に比して高ＲＦパワーで成長せ
しめられたためであると考えられる。
この様にｐ型層（３ｐ）及び真性ＷＪ（転）の主原料ガ
スとして高次シランを使用すれば、モノシランのみ或い
はモノシランと高次シランを組合せた製造方法に比して
互いに相反する要求であった膜の成長速度の高速化と、
光電変換効率の上昇を同時に満足せしめることが可能と
なる。
スとして高次シランを使用すれば、モノシランのみ或い
はモノシランと高次シランを組合せた製造方法に比して
互いに相反する要求であった膜の成長速度の高速化と、
光電変換効率の上昇を同時に満足せしめることが可能と
なる。
次にｎ型層（３ｎ）の主原料ガスについて考えると、斯
るｎ型層（３ｎ）は真性層（３巧に比して肉薄であるこ
とからモノシランを使用しても膜の成長速度が高次シラ
ンに比して低下してもほとんど問題なく、高次シラン使
用による真性層（３乃とｎ型層（３ｎ）との界面（入／
ｎ＞に於けるプラズマ価電粒子によるダメージを考慮し
てモノシランが選択される。
るｎ型層（３ｎ）は真性層（３巧に比して肉薄であるこ
とからモノシランを使用しても膜の成長速度が高次シラ
ンに比して低下してもほとんど問題なく、高次シラン使
用による真性層（３乃とｎ型層（３ｎ）との界面（入／
ｎ＞に於けるプラズマ価電粒子によるダメージを考慮し
てモノシランが選択される。
以下本発明製造方法に於ける光活性層（３）の具体的反
応条件を記す。
応条件を記す。
・ｐ型層（３ｐ）・・・非晶質シリコンカーバイド膜厚
：１００〜２００人 ガス組成比： ＣＨ＋ ／（Ｓｒ２Ｈｅ ＋ＣＨＪ＝８
０〜１０％可変 ボロンドープ量：１−０．１％可変 ＲＦパワー＝４０〜１００Ｗ 成長速度＝２０人／ｍｉｎ ・真性層（３１）・・・非晶質シリコン膜厚、 ４００
０〜７０００人 ガス組成比： ５ｉ２Ｈｅ ＝１００％ＲＦパワー：４
０〜１５０Ｗ 成長速度：５〜１（１人／ｓｅｃ ・ｎ型層（３ｎ）・・・非晶質シリコン膜厚：３００〜
５００人 ガス組成比： ＰＨ３／５ｉｎ４” １〜２％（リンド
ープ量） ＲＦパワー：１０〜２０Ｗ 成長速度：１人／ｓｅｃ ・共通反応条件 反応方法；容量結合型プラズマ分解法 ＲＦ周波数： １３．５６ＭＨｚ 基板温度：２００〜３００℃ ガス圧： ０．３ Ｔｏｒｒ ただし、ｐ型層（３ｐ）に於いてはカーボン及びボロン
の含有量を光入射側からｐ／ｉ界面に向って減少すべく
傾斜を持たせた。
：１００〜２００人 ガス組成比： ＣＨ＋ ／（Ｓｒ２Ｈｅ ＋ＣＨＪ＝８
０〜１０％可変 ボロンドープ量：１−０．１％可変 ＲＦパワー＝４０〜１００Ｗ 成長速度＝２０人／ｍｉｎ ・真性層（３１）・・・非晶質シリコン膜厚、 ４００
０〜７０００人 ガス組成比： ５ｉ２Ｈｅ ＝１００％ＲＦパワー：４
０〜１５０Ｗ 成長速度：５〜１（１人／ｓｅｃ ・ｎ型層（３ｎ）・・・非晶質シリコン膜厚：３００〜
５００人 ガス組成比： ＰＨ３／５ｉｎ４” １〜２％（リンド
ープ量） ＲＦパワー：１０〜２０Ｗ 成長速度：１人／ｓｅｃ ・共通反応条件 反応方法；容量結合型プラズマ分解法 ＲＦ周波数： １３．５６ＭＨｚ 基板温度：２００〜３００℃ ガス圧： ０．３ Ｔｏｒｒ ただし、ｐ型層（３ｐ）に於いてはカーボン及びボロン
の含有量を光入射側からｐ／ｉ界面に向って減少すべく
傾斜を持たせた。
斯る製造方法により製造されたｐｉｎ接合型の光起電力
装置に於ける特性は下表の通りであり、また比較例とし
て全て、即ち１１ Ｍ （３ｎ ）もジシランで形成し
たｐｉｎ接合型光起電力装置の特性を併記する。
装置に於ける特性は下表の通りであり、また比較例とし
て全て、即ち１１ Ｍ （３ｎ ）もジシランで形成し
たｐｉｎ接合型光起電力装置の特性を併記する。
上記表に於いて、
ＶＯＣ：開放１１Ｅ圧
ＩＳｃ ：短終電流
ＦＦニブイルファクタ（形状因子）
ｌ：光電変換効率
を示しており、この実施例と比較例との真性層（３人）
とｎ型層（３ｎ）との界面（＾／ｎ）に於ける等価再結
合速度は夫ｈ ４ Ｘ １０”（Ｖ／ｃＩＴＩ ）、２
×１ｏヰ（Ｖ／ｃｍ）であり、この値からも本発明の実
施例の方が光電変換効率が高いことが判る。
とｎ型層（３ｎ）との界面（＾／ｎ）に於ける等価再結
合速度は夫ｈ ４ Ｘ １０”（Ｖ／ｃＩＴＩ ）、２
×１ｏヰ（Ｖ／ｃｍ）であり、この値からも本発明の実
施例の方が光電変換効率が高いことが判る。
尚、以上の説明に於いては基板（１）側の不純物層とし
てｐ型Ｊｉ！（３ｐンを用いたがこのｐ型／ｉ！（３ｐ
）に代ってｎ型層とした場合、このｎ型層が高次シラン
により形成され、真性Ｊｉ（３ｉ）形成後に形成される
ｐ型層の主原料ガスはモノシランが選択される。
てｐ型Ｊｉ！（３ｐンを用いたがこのｐ型／ｉ！（３ｐ
）に代ってｎ型層とした場合、このｎ型層が高次シラン
により形成され、真性Ｊｉ（３ｉ）形成後に形成される
ｐ型層の主原料ガスはモノシランが選択される。
（ト）発明の効果
本発明製造方法は以上の説明から明らかな如く、半導体
光活性層の基板側不純物層と実質的な真性層の主原料ガ
スとして高次シランを用いると共に、上記真性層形成後
に形成される不純物層の主原料ガスとしてモノシランを
用いることによって、真性層形成時に既に形成済みの基
板側不純物層に高パワー印カロによるダメージを低減す
べく作用すると共に、最終に形成される不純物層につい
てもダメージが低減されるので、互いに相反する膜の成
長速度の高速化と先覚変換効率の上昇を同時に満足せし
めることができる。
光活性層の基板側不純物層と実質的な真性層の主原料ガ
スとして高次シランを用いると共に、上記真性層形成後
に形成される不純物層の主原料ガスとしてモノシランを
用いることによって、真性層形成時に既に形成済みの基
板側不純物層に高パワー印カロによるダメージを低減す
べく作用すると共に、最終に形成される不純物層につい
てもダメージが低減されるので、互いに相反する膜の成
長速度の高速化と先覚変換効率の上昇を同時に満足せし
めることができる。
第１図は本発明製造方法により製造される光起電力装置
の基本構造を示す断面図、第２図はｐム界面の等価再結
合速度のＲＦパワー依存性を示す特性図、である。 （１〉・・・基板、（３）・・・半導体光活性層。
の基本構造を示す断面図、第２図はｐム界面の等価再結
合速度のＲＦパワー依存性を示す特性図、である。 （１〉・・・基板、（３）・・・半導体光活性層。
Claims (1)
- （１）基板側から実質的に一つのｐｉｎ接合を備える半
導体光活性層を形成するに際し、この光活性層の基板側
不純物層と実質的な真性層の主原料ガスとして高次シラ
ンを用いると共に、上記真性層形成後に形成される不純
物層の主原料ガスとしてモノシランを用いることを特徴
とした光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59214956A JPS6193675A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59214956A JPS6193675A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6193675A true JPS6193675A (ja) | 1986-05-12 |
Family
ID=16664343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59214956A Pending JPS6193675A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6193675A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63313872A (ja) * | 1987-06-17 | 1988-12-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 非晶質薄膜の形成方法 |
| JPH0250862U (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-10 | ||
| JPH031578A (ja) * | 1988-10-27 | 1991-01-08 | Samuson Electron Device Co Ltd | アモルファスシリコン太陽電池の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58122784A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-21 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 太陽電池 |
| JPS58168281A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-04 | Agency Of Ind Science & Technol | ホウ素を含有したシリコン薄膜 |
| JPS5914680A (ja) * | 1982-07-16 | 1984-01-25 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 非晶質シリコン太陽電池およびその製造方法 |
| JPS59161880A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-12 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 非晶質太陽電池の製法 |
-
1984
- 1984-10-12 JP JP59214956A patent/JPS6193675A/ja active Pending
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