JPS6196408A - 磁束応答型マルチギヤツプヘツド - Google Patents
磁束応答型マルチギヤツプヘツドInfo
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- JPS6196408A JPS6196408A JP21724084A JP21724084A JPS6196408A JP S6196408 A JPS6196408 A JP S6196408A JP 21724084 A JP21724084 A JP 21724084A JP 21724084 A JP21724084 A JP 21724084A JP S6196408 A JPS6196408 A JP S6196408A
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- magnetic
- thin film
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- Granted
Links
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Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術的範囲〕
この発明は磁気スケールの磁化パターンヲ検出して電気
信号に変換するための磁束応答型マルチギャップヘッド
に関する。
信号に変換するための磁束応答型マルチギャップヘッド
に関する。
磁気スケール上の磁化・等ターンを検出して長さや角度
ｔ−電気的に読みとるに際し、高硝度、高分解能、安定
高出力を得るために開発、実用化されている磁束応答型
マルチギャップヘッドは、ｎ個のヘッドをλｍ／２（λ
ｍはマルチギャップへ、ドの固有波長）の間隙で配置し
、隣シ合うヘッドを互いに逆向きで全部を直列に接続し
ている。そして各ヘッドの出力はそれぞれ加え合わされ
るようになっており、マルチギャップヘッドの固有波長
λｍが磁気スケールの波長λと一致したときに出力が最
大となり、１個のヘッドのｎ倍の出力が得られるように
なっている。
ｔ−電気的に読みとるに際し、高硝度、高分解能、安定
高出力を得るために開発、実用化されている磁束応答型
マルチギャップヘッドは、ｎ個のヘッドをλｍ／２（λ
ｍはマルチギャップへ、ドの固有波長）の間隙で配置し
、隣シ合うヘッドを互いに逆向きで全部を直列に接続し
ている。そして各ヘッドの出力はそれぞれ加え合わされ
るようになっており、マルチギャップヘッドの固有波長
λｍが磁気スケールの波長λと一致したときに出力が最
大となり、１個のヘッドのｎ倍の出力が得られるように
なっている。
そして逆に磁気スケールの波長λとマルチギャップヘッ
ドの固有波長が一致しない場合は各ヘッドの出力に位相
差を生じ出力が減衰することになる。
ドの固有波長が一致しない場合は各ヘッドの出力に位相
差を生じ出力が減衰することになる。
このような、磁束応答型マルチギャップヘッドは、従来
高透磁率材（例えば・や−マロイ）の薄板をコアとし、
非磁性材（例えばべＩＪ ＩＪウム銅）の薄板をセルレ
ータとして交互に積み重ね、各コアが１つのギャップを
持つように構成されていた。そしてギヤ、ゾ間隔は例え
ば０．１ ｍと微小でちゃ、このギャップの変動はマル
チギャップヘッドの固有波長に大きな影響を及ぼすこと
になるので、従来は積層する高透磁率材と非磁性材の金
属板の厚みを一定の範囲内に規定して、ギャップ間隔を
保持するようにしている。
高透磁率材（例えば・や−マロイ）の薄板をコアとし、
非磁性材（例えばべＩＪ ＩＪウム銅）の薄板をセルレ
ータとして交互に積み重ね、各コアが１つのギャップを
持つように構成されていた。そしてギヤ、ゾ間隔は例え
ば０．１ ｍと微小でちゃ、このギャップの変動はマル
チギャップヘッドの固有波長に大きな影響を及ぼすこと
になるので、従来は積層する高透磁率材と非磁性材の金
属板の厚みを一定の範囲内に規定して、ギャップ間隔を
保持するようにしている。
例えば前述したギャップ間隔を０．１ｍにする場合には
、高透磁率材（ノクーマロイ）の薄板コアおよび非磁性
材（ベリリウム鋼）の薄板セパレータの板厚は、０．０
５ｍに正確に規定しなければ上記のギヤ、プが形成され
ない。そして、その積層に際しても厚みに注意しながら
行わなければならないので、多くの労力を必要とし磁束
応答型マルチギャップヘッド調造を面倒なものとしてい
た。
、高透磁率材（ノクーマロイ）の薄板コアおよび非磁性
材（ベリリウム鋼）の薄板セパレータの板厚は、０．０
５ｍに正確に規定しなければ上記のギヤ、プが形成され
ない。そして、その積層に際しても厚みに注意しながら
行わなければならないので、多くの労力を必要とし磁束
応答型マルチギャップヘッド調造を面倒なものとしてい
た。
この発明は、上記の実情にもとづいてなされたもので、
その目的とするところは、厳重な厚さ規制を要求される
高透磁率ならびに非磁性の金属板を用いない磁束応答型
マルチギャップへ、ドを提供することを目的とする。
その目的とするところは、厳重な厚さ規制を要求される
高透磁率ならびに非磁性の金属板を用いない磁束応答型
マルチギャップへ、ドを提供することを目的とする。
この発明は金属板、またはセラミックの基板に磁気スケ
ールの記録波長λの１／４λの厚さを有する非磁性体薄
膜層と高透磁率磁性体薄膜層を交互にス／４’ツタリン
グあるいは蒸着によって設け、前駆薄膜層をそれぞれ複
ａノ優有し正確なギャップ間隙をもった磁束応答型マル
チギャップへ、ドを構成するものである。
ールの記録波長λの１／４λの厚さを有する非磁性体薄
膜層と高透磁率磁性体薄膜層を交互にス／４’ツタリン
グあるいは蒸着によって設け、前駆薄膜層をそれぞれ複
ａノ優有し正確なギャップ間隙をもった磁束応答型マル
チギャップへ、ドを構成するものである。
以下この発明を図面に示す実施例にもとづいて説明する
。この発明の磁束応答型マルチギヤ、デヘ、ドは、第１
図に示すようにマルチギャップヘッドの形状をした金属
またはセラミックなどの基板ｌの表面に高透磁率磁性体
（パーマロイ）の薄膜層２を真空蒸着装置によって、磁
気スケールの記録波長λの１／４λの厚みで蒸着形成さ
せ、次に非磁性体（ぺＩＪ ＩＪウム銅）の薄膜層３を
同じく磁気スケールの記録波長λの１／４λの厚みで蒸
着形成させ、更に高透磁率磁性体薄膜層２を同じ厚みに
蒸着形成させるという操作を反覆して行い第２図に示す
ように高透磁率磁性体薄膜２と非磁性体薄膜３を交互に
蒸着して積層したものである。
。この発明の磁束応答型マルチギヤ、デヘ、ドは、第１
図に示すようにマルチギャップヘッドの形状をした金属
またはセラミックなどの基板ｌの表面に高透磁率磁性体
（パーマロイ）の薄膜層２を真空蒸着装置によって、磁
気スケールの記録波長λの１／４λの厚みで蒸着形成さ
せ、次に非磁性体（ぺＩＪ ＩＪウム銅）の薄膜層３を
同じく磁気スケールの記録波長λの１／４λの厚みで蒸
着形成させ、更に高透磁率磁性体薄膜層２を同じ厚みに
蒸着形成させるという操作を反覆して行い第２図に示す
ように高透磁率磁性体薄膜２と非磁性体薄膜３を交互に
蒸着して積層したものである。
高透磁率磁性体薄膜２と非磁性体薄膜３は約３０層重ね
られる、そして一般に真空蒸着によって１回に蒸着形成
される蒸着膜の厚さは数１０μｍであるから、ギャップ
間隔を０．１ａｍとする場合には高透磁率磁性体薄膜２
と非磁性体薄膜３のそれぞれの厚みは０．０５ｍ必要と
なるので、１つの層について数回の蒸着を行って必要な
厚みを有する層に仕上げる。この場合、蒸着による膜厚
は１回の蒸着の付着に対してあらかじめ測定器によシ実
験的に求めておけば、蒸着回数によって膜厚の管理は正
確にしかも容易に行える。
られる、そして一般に真空蒸着によって１回に蒸着形成
される蒸着膜の厚さは数１０μｍであるから、ギャップ
間隔を０．１ａｍとする場合には高透磁率磁性体薄膜２
と非磁性体薄膜３のそれぞれの厚みは０．０５ｍ必要と
なるので、１つの層について数回の蒸着を行って必要な
厚みを有する層に仕上げる。この場合、蒸着による膜厚
は１回の蒸着の付着に対してあらかじめ測定器によシ実
験的に求めておけば、蒸着回数によって膜厚の管理は正
確にしかも容易に行える。
以上説明したようにこの発明は、磁束応答型マルチギャ
ップヘッドを構成するのに基材上に高透磁率磁性体の薄
膜と非磁性体の薄膜をス・ぐ、タリング又は真空蒸着に
より交互に形成するものであるから、これら各薄膜層の
厚みの管理は極めて容易であり、従来の高透磁率材およ
び非磁性材の金属板を積層するものに比べて正確な厚み
のものが得られるから、ギヤ、プの変動の少ない磁束応
答型マルチギャップヘッドを得ることができる。また、
積層する各薄膜層は前記のようにスノや、タリング装置
または真空蒸着装置によって形成されるので、最初に条
件設定を行えば一定の厚みの薄膜層を何層でも容易に積
層することができ、磁束応答型マルチギャップヘッドの
製造が容易になるなど優れた効果を奏する。
ップヘッドを構成するのに基材上に高透磁率磁性体の薄
膜と非磁性体の薄膜をス・ぐ、タリング又は真空蒸着に
より交互に形成するものであるから、これら各薄膜層の
厚みの管理は極めて容易であり、従来の高透磁率材およ
び非磁性材の金属板を積層するものに比べて正確な厚み
のものが得られるから、ギヤ、プの変動の少ない磁束応
答型マルチギャップヘッドを得ることができる。また、
積層する各薄膜層は前記のようにスノや、タリング装置
または真空蒸着装置によって形成されるので、最初に条
件設定を行えば一定の厚みの薄膜層を何層でも容易に積
層することができ、磁束応答型マルチギャップヘッドの
製造が容易になるなど優れた効果を奏する。
第１図はこの発明の実施例の概略的断面図、第２図は同
じく概略的断面図である。 １・・・基板、２・・・高透磁率磁性体薄膜層、３・・
・非磁性体薄膜層。 第１図 第２図
じく概略的断面図である。 １・・・基板、２・・・高透磁率磁性体薄膜層、３・・
・非磁性体薄膜層。 第１図 第２図
Claims (1)
- 磁気媒体上に一定の波長の信号を磁気記録して成る磁気
格子を検出する磁束応答型マルチギャップヘッドにおい
て、基板にスパッタリングあるいは蒸着によって磁気ス
ケールの記録波長λの１／４λの厚さの高透磁率磁性体
薄膜層を設け、その上に磁気スケールの記録波長λの１
／４λの厚さの非磁性体薄膜層をスパッタリングあるい
は蒸着によって設け、これらの薄膜層を交互に複数層有
することを特徴とする磁束応答型マルチギャップヘッド
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21724084A JPS6196408A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 磁束応答型マルチギヤツプヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21724084A JPS6196408A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 磁束応答型マルチギヤツプヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6196408A true JPS6196408A (ja) | 1986-05-15 |
| JPH047816B2 JPH047816B2 (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=16701045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21724084A Granted JPS6196408A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 磁束応答型マルチギヤツプヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6196408A (ja) |
-
1984
- 1984-10-18 JP JP21724084A patent/JPS6196408A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH047816B2 (ja) | 1992-02-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |