JPH047816B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH047816B2 JPH047816B2 JP21724084A JP21724084A JPH047816B2 JP H047816 B2 JPH047816 B2 JP H047816B2 JP 21724084 A JP21724084 A JP 21724084A JP 21724084 A JP21724084 A JP 21724084A JP H047816 B2 JPH047816 B2 JP H047816B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- thickness
- gap
- thin film
- head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術的範囲〕
この発明は磁気スケールの磁化パターンを検出
して電気信号に変換するための磁束応答型マルチ
ギヤツプヘツドに関する。
して電気信号に変換するための磁束応答型マルチ
ギヤツプヘツドに関する。
磁気スケール上の磁化パターンを検出して長さ
や角度を電気的に読みとるに際し、高精度、高分
解能、安定高出力を得るために開発、実用化され
ている磁束応答型マルチギヤツプヘツドは、ｎ個
のヘツドをλm／２（λmはマルチギヤツプヘツド
の固有波長）の間隙で配置し、隣り合うヘツドを
互いに逆向きで全部を直列に接続している。そし
て各ヘツドの出力はそれぞれ加え合わされるよう
になつており、マルチギヤツプヘツドの固有波長
λmが磁気スケールの波長λと一致したときに出
力が最大となり、１個のヘツドのｎ倍の出力が得
られるようになつている。そして逆に磁気スケー
ルの波長λとマルチギヤツプヘツドの固有波長が
一致しない場合は各ヘツドの出力に位相差を生じ
出力が減衰することになる。
や角度を電気的に読みとるに際し、高精度、高分
解能、安定高出力を得るために開発、実用化され
ている磁束応答型マルチギヤツプヘツドは、ｎ個
のヘツドをλm／２（λmはマルチギヤツプヘツド
の固有波長）の間隙で配置し、隣り合うヘツドを
互いに逆向きで全部を直列に接続している。そし
て各ヘツドの出力はそれぞれ加え合わされるよう
になつており、マルチギヤツプヘツドの固有波長
λmが磁気スケールの波長λと一致したときに出
力が最大となり、１個のヘツドのｎ倍の出力が得
られるようになつている。そして逆に磁気スケー
ルの波長λとマルチギヤツプヘツドの固有波長が
一致しない場合は各ヘツドの出力に位相差を生じ
出力が減衰することになる。
このような、磁束応答型マルチギヤツプヘツド
は、従来高透磁率材（例えばパーマロイ）の薄板
をコアとし、非磁性材（例えばベリリウム銅）の
薄板をセパレータとして交互に積み重ね、各コア
が１つのギヤツプを持つように構成されていた。
そしてギヤツプ間隔は例えば0.1mmと微小であり、
このギヤツプの変動はマルチギヤツプヘツドの固
有波長に大きな影響を及ぼすことになるので、従
来は積層する高透磁率材と非磁性材の金属板の厚
みを一定の範囲内に規定して、ギヤツプ間隔を保
持するようにしている。例えば前述したギヤツプ
間隔を0.1mmにする場合には、高透磁率材（パー
マロイ）の薄板コアおよび非磁性材（ベリリウム
銅）の薄板セパレータの板厚は、0.05mmに正確に
規定しなければ上記のギヤツプが形成されない。
そして、その積層に際しても厚みに注意しながら
行わなければならないので、多くの労力を必要と
し磁束応答型マルチギヤツプヘツド製造を面倒な
ものとしていた。
は、従来高透磁率材（例えばパーマロイ）の薄板
をコアとし、非磁性材（例えばベリリウム銅）の
薄板をセパレータとして交互に積み重ね、各コア
が１つのギヤツプを持つように構成されていた。
そしてギヤツプ間隔は例えば0.1mmと微小であり、
このギヤツプの変動はマルチギヤツプヘツドの固
有波長に大きな影響を及ぼすことになるので、従
来は積層する高透磁率材と非磁性材の金属板の厚
みを一定の範囲内に規定して、ギヤツプ間隔を保
持するようにしている。例えば前述したギヤツプ
間隔を0.1mmにする場合には、高透磁率材（パー
マロイ）の薄板コアおよび非磁性材（ベリリウム
銅）の薄板セパレータの板厚は、0.05mmに正確に
規定しなければ上記のギヤツプが形成されない。
そして、その積層に際しても厚みに注意しながら
行わなければならないので、多くの労力を必要と
し磁束応答型マルチギヤツプヘツド製造を面倒な
ものとしていた。
この発明は、上記の実情にもとづいてなされた
もので、その目的とするところは、厳重な厚さ規
制を要求される高透磁率ならびに非磁性の金属板
を用いない磁束応答型マルチギヤツプヘツドを提
供することを目的とする。
もので、その目的とするところは、厳重な厚さ規
制を要求される高透磁率ならびに非磁性の金属板
を用いない磁束応答型マルチギヤツプヘツドを提
供することを目的とする。
この発明は金属板、またはセラミツクの基板に
磁気スケールの記録波長λの1/4λの厚さを有す
る非磁性体薄膜層と高透磁率磁性体薄膜層を交互
にスパツタリングあるいは蒸着によつて設け、前
記薄膜層をそれぞれ複数層有し正確なギヤツプ間
隙をもつた磁束応答型マルチギヤツプヘツドを構
成するものである。
磁気スケールの記録波長λの1/4λの厚さを有す
る非磁性体薄膜層と高透磁率磁性体薄膜層を交互
にスパツタリングあるいは蒸着によつて設け、前
記薄膜層をそれぞれ複数層有し正確なギヤツプ間
隙をもつた磁束応答型マルチギヤツプヘツドを構
成するものである。
以下この発明を図面に示す実施例にもとづいて
説明する。この発明の磁束応答型マルチギヤツプ
ヘツドは、第１図に示すようにマルチギヤツプヘ
ツドの形状をした金属またはセラミツクなどの基
板１の表面に高透磁率磁性体（パーマロイ）の薄
膜層２を真空蒸着装置によつて、磁気スケールの
記録波長λの1/4λの厚みで蒸着形成させ、次に
非磁性体（ベリリウム銅）の薄膜層３を同じく磁
気スケールの記録波長λの1/4λの厚みで蒸着形
成させ、更に高透磁率磁性体薄膜層２を同じ厚み
に蒸着形成させるという操作を反覆して行い第２
図に示すように高透磁率磁性体薄膜２と非磁性体
薄膜３を交互に蒸着して積層したものである。
説明する。この発明の磁束応答型マルチギヤツプ
ヘツドは、第１図に示すようにマルチギヤツプヘ
ツドの形状をした金属またはセラミツクなどの基
板１の表面に高透磁率磁性体（パーマロイ）の薄
膜層２を真空蒸着装置によつて、磁気スケールの
記録波長λの1/4λの厚みで蒸着形成させ、次に
非磁性体（ベリリウム銅）の薄膜層３を同じく磁
気スケールの記録波長λの1/4λの厚みで蒸着形
成させ、更に高透磁率磁性体薄膜層２を同じ厚み
に蒸着形成させるという操作を反覆して行い第２
図に示すように高透磁率磁性体薄膜２と非磁性体
薄膜３を交互に蒸着して積層したものである。
高透磁率磁性体薄膜２と非磁性体薄膜３は約３
０層重ねられる、そして一般に真空蒸着によつて
１回に蒸着形成される蒸着膜の厚さは数10μmで
あるから、ギヤツプ間隔を0.1mmとする場合には
高透磁率磁性体薄膜２と非磁性体薄膜３のそれぞ
れの厚みは0.05mm必要となるので、１つの層につ
いて数回の蒸着を行つて必要な厚みを有する層に
仕上げる。この場合、蒸着による膜厚は１回の蒸
着の付着に対してあらかじめ測定器により実験的
に求めておけば、蒸着回数によつて膜厚の管理は
正確にしかも容易に行える。
０層重ねられる、そして一般に真空蒸着によつて
１回に蒸着形成される蒸着膜の厚さは数10μmで
あるから、ギヤツプ間隔を0.1mmとする場合には
高透磁率磁性体薄膜２と非磁性体薄膜３のそれぞ
れの厚みは0.05mm必要となるので、１つの層につ
いて数回の蒸着を行つて必要な厚みを有する層に
仕上げる。この場合、蒸着による膜厚は１回の蒸
着の付着に対してあらかじめ測定器により実験的
に求めておけば、蒸着回数によつて膜厚の管理は
正確にしかも容易に行える。
以上説明したようにこの発明は、磁束応答型マ
ルチギヤツプヘツドを構成するのに基材上に高透
磁率磁性体の薄膜と非磁性体の薄膜をスパツタリ
ング又は真空蒸着により交互に形成するものであ
るから、これら各薄膜層の厚みの管理は極めて容
易であり、従来の高透磁率材および非磁性材の金
属板を積層するものに比べて正確な厚みのものが
得られるから、ギヤツプの変動の少ない磁束応答
型マルチギヤツプヘツドを得ることができる。ま
た、積層する各薄膜層は前記のようにスパツタリ
ング装置または真空蒸着装置によつて形成される
ので、最初に条件設定を行えば一定の厚みの薄膜
層を何層でも容易に積層することができ、磁束応
答型マルチギヤツプヘツドの製造が容易になるな
ど優れた効果を奏する。
ルチギヤツプヘツドを構成するのに基材上に高透
磁率磁性体の薄膜と非磁性体の薄膜をスパツタリ
ング又は真空蒸着により交互に形成するものであ
るから、これら各薄膜層の厚みの管理は極めて容
易であり、従来の高透磁率材および非磁性材の金
属板を積層するものに比べて正確な厚みのものが
得られるから、ギヤツプの変動の少ない磁束応答
型マルチギヤツプヘツドを得ることができる。ま
た、積層する各薄膜層は前記のようにスパツタリ
ング装置または真空蒸着装置によつて形成される
ので、最初に条件設定を行えば一定の厚みの薄膜
層を何層でも容易に積層することができ、磁束応
答型マルチギヤツプヘツドの製造が容易になるな
ど優れた効果を奏する。
第１図はこの発明の実施例の概略的斜視図、第
２図は同じく概略的断面図である。 １…基板、２…高透磁率磁性体薄膜層、３…非
磁性体薄膜層。
２図は同じく概略的断面図である。 １…基板、２…高透磁率磁性体薄膜層、３…非
磁性体薄膜層。
Claims (1)
- １ 磁気媒体上に一定の波長の信号を磁気記録し
て成る磁気格子を検出する磁束応答型マルチギヤ
ツプヘツドにおいて、基板にスパツタリングある
いは蒸着によつて磁気スケールの記録波長λの1/
４λの厚さの高透磁率磁性体薄膜層を設け、その
上に磁気スケールの記録波長λの1/4λの厚さの
非磁性体薄膜層をスパツタリングあるいは蒸着に
よつて設け、これらの薄膜層を交互に複数層有す
ることを特徴とする磁束応答型マルチギヤツプヘ
ツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21724084A JPS6196408A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 磁束応答型マルチギヤツプヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21724084A JPS6196408A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 磁束応答型マルチギヤツプヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6196408A JPS6196408A (ja) | 1986-05-15 |
| JPH047816B2 true JPH047816B2 (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=16701045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21724084A Granted JPS6196408A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 磁束応答型マルチギヤツプヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6196408A (ja) |
-
1984
- 1984-10-18 JP JP21724084A patent/JPS6196408A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6196408A (ja) | 1986-05-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |