JPS6199392A - Ｍｉｓ型発光ダイオ−ド - Google Patents

Ｍｉｓ型発光ダイオ−ド

Info

Publication number
JPS6199392A
JPS6199392A JP59220806A JP22080684A JPS6199392A JP S6199392 A JPS6199392 A JP S6199392A JP 59220806 A JP59220806 A JP 59220806A JP 22080684 A JP22080684 A JP 22080684A JP S6199392 A JPS6199392 A JP S6199392A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
type light
mis type
semiconductor crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59220806A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Tabuchi
田渕　一夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP59220806A priority Critical patent/JPS6199392A/ja
Publication of JPS6199392A publication Critical patent/JPS6199392A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/823—Materials of the light-emitting regions comprising only Group II-VI materials, e.g. ZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/052—Light-emitting semiconductor devices having Schottky type light-emitting regions; Light emitting semiconductor devices having Metal-Insulator-Semiconductor type light-emitting regions

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 何）　産業上の利用分野 本発明はＭＩＳ型発光発光ダイオードする。
（ロ）従来の技術 半導体結晶の表面層；絶縁膜を介して一方の電極を設け
た。特Ｃ；青色発光を行なうＭＩＳ型発光発光ダイオー
ドに知られている（例えば、研究実用化報告第２７巻第
３号（１９７８）第５３７頁〜第５４８頁）。
第３図は、従来のこの種発光ダイオードを示し、（１）
はＧ＆Ａｌ基板、（２）は該基板上に結晶成長されたｎ
型Ｚｎ５ｅ層、（３）は絶縁１！、／（４）は上部電極
。
（５）はｚｎｓｅ層（２）の側面に設けられたオーミッ
ク性の側部電極である。
斯る従来のＭＩＳ構造：ユおいて、上部電極（４）Ｃ；
対するもう一方の側部を枠（５）は１本来は（）！ＬＡ
ｌｉ対してそれを妨げるとと（、ＧａＡＢ基板（１）と
。
Ｚ　ｎ　８６Ｉｍ（２）との界面に電気的障壁が形成さ
れる。
このため上記電極（５）は、ｚｎｓｅ側面より取出して
いる。このような構造においては、上部電極（４）の周
辺に電界が集中し１発光むらが生じるという欠点があっ
た。
（ハ）発明が解決しようとする問題点 本発明は、上記上部電極周辺での電界集中を緩和させ、
発光状態の改善を図るものである。
に）問題点を解決するだめの手段 本発明は、半導体結晶の表面に絶縁膜を介して上部電極
を設けると共に、上記半導体結晶の側面（＝側部電極を
設けたＭＩＩＥ型発光ダイオードにおいて、上記半導体
結晶表面の外周部分を高抵抗：；なしたことを特徴とす
る。
（ホ）作　用 本発明によれば、半導体結晶の外周部分が高抵抗である
ので、上部電極周辺での電界集中が少なくなる。
（へ）実施例 本発明実施例の発光ダイオードを、説明の都合上、その
製造工程Ｉｌｌ　ｌ二説明する。
第１図Ａに示す第１工程において、ＧＩＬＡＩＩ基板（
１０１上へｚ　ｎ　８　ｅ　＊（１１１上ｍ晶成長ｆ　
ル（：ｌ−［シ、　８２図に示す如く、成長表面（：な
るに従い、キャリア濃度を除々に減少させる。すなわち
ｎ型ドーパント例えばＧａ１ｌｌを除々Ｃ二減少させ本
来の発光領域でのキャリア濃度５Ｘ　１Ｑ　”（ｃｌｍ
”）から表面Ｃ：おいてはｌＸ１Ｑ　　　（ｃｌＬ　）
程度マチ、約２μｍにわたり、除々にキャリア濃度を減
少させ高抵抗領域（ｉｌａ）を得る。
第１図Ｂに示す第２工程において、将来上部電極の直下
（：位置するｚｎＳｅ層（１１１の表面を約２μｍ深さ
までエツチングして、上記の如く、キャリア濃度を変化
させた部分を除去し、凹所σ２を形成する。
＠２図０１−示す最終工程において、ＺｎＳ＠ＩＩａυ
上に絶縁膜ａ３を形成し１次いで、凹所直上（−１部電
極α４を設け、最後にｚｎｓｅ層ａυの側面に側部電極
（Ｉｓを形成してＭＸＢ型発光発光ダイオード成される
。絶縁膜α３としては１例えば７０Ａ厚さの８１０２膜
が、父上部電極■としては例えば１５０大厚さのＡｌｌ
膜が、更（こ側部電極（１５１としては例えばＩｎが夫
々適当である。
上記実施例で１Ｍｌ８構造を構成する半導体結晶層とし
てｚｎ８ｅが用いられたが、他の半導体材料も使用でき
る。
（ト）　　発明の効果 本発明によれば、半導体結晶の外周部分が高抵抗である
ので、上部電極周辺での電界集中が少なくなり、発光分
布がより均一なものとなる。
尚、上記高抵抗領域として、実施例の如く、キャリア濃
度を結晶表面Ｉ：向けて除々に小さくすることにより、
電界集中の緩和をより効果的になすことができる。
【図面の簡単な説明】
＠１重入力至Ｃは本発明を説明するだめの製造工程別［
’ｒ面図、第２図は濃度分布曲線図、＠３図は従来例を
示す断面図である。 （１１）−ｚｎｓｅｌ！ｌＩ、　（１１＆　）・・・高
抵抗領域、　（１３・・・絶縁膜、（１４１・・・上部
電極、（Ｌり・・・側部電極。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体結晶の表面に絶縁膜を介して上部電極を設
    けると共に、上記半導体結晶の側面に側部電極を設けた
    ＭＩＳ型発光ダイオードにおいて、上記半導体結晶表面
    の外周部分を高抵抗になしたことを特徴とするＭＩＳ型
    発光ダイオード。
JP59220806A 1984-10-19 1984-10-19 Ｍｉｓ型発光ダイオ−ド Pending JPS6199392A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59220806A JPS6199392A (ja) 1984-10-19 1984-10-19 Ｍｉｓ型発光ダイオ−ド

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59220806A JPS6199392A (ja) 1984-10-19 1984-10-19 Ｍｉｓ型発光ダイオ−ド

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6199392A true JPS6199392A (ja) 1986-05-17

Family

ID=16756854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59220806A Pending JPS6199392A (ja) 1984-10-19 1984-10-19 Ｍｉｓ型発光ダイオ−ド

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6199392A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0232570A (ja) * 1988-07-21 1990-02-02 Sharp Corp 化合物半導体発光素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0232570A (ja) * 1988-07-21 1990-02-02 Sharp Corp 化合物半導体発光素子

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6846686B2 (en) Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same
JPH10107316A (ja) ３族窒化物半導体発光素子
US3998672A (en) Method of producing infrared luminescent diodes
JPH08306643A (ja) ３−５族化合物半導体用電極および発光素子
JPS6199392A (ja) Ｍｉｓ型発光ダイオ−ド
JPH0363830B2 (ja)
JP3514542B2 (ja) 輝度変調型ダイヤモンド発光素子
JPH0770756B2 (ja) 発光ダイオードアレイの製造方法
JPH0245976A (ja) 炭化ケイ素の電極形成方法
JPH0244313Y2 (ja)
JPS62130572A (ja) 半導体発光装置
JPS62152184A (ja) フオトダイオ−ド
JPS62101091A (ja) 青色発光素子
JPH0550858B2 (ja)
JPS6244440B2 (ja)
JPH0739249Y2 (ja) 白色発光ダイオ−ド
JP2997689B2 (ja) ダブルヘテロ接合型半導体発光素子
JPS62287675A (ja) 発光ダイオ−ド素子およびその製造方法
JPS5856370A (ja) モノリシツク半導体発光素子及びその製造方法
JPH01296687A (ja) 可視発光半導体レーザ装置
JPS58121690A (ja) ＳｉＣ発光ダイオ−ド
JP2555305Y2 (ja) 発光ダイオードアレイ
JPH02181980A (ja) 発光ダイオード
JP2882133B2 (ja) 固体発光素子
JPS6252979A (ja) 光電変換素子