JPS6199935A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6199935A JPS6199935A JP59219522A JP21952284A JPS6199935A JP S6199935 A JPS6199935 A JP S6199935A JP 59219522 A JP59219522 A JP 59219522A JP 21952284 A JP21952284 A JP 21952284A JP S6199935 A JPS6199935 A JP S6199935A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic recording
- polymer substrate
- electron beam
- recording media
- manufacturing
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高分子基板上に斜方蒸着により強磁性層を形成
して磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体の製造方法に
関するものである。
して磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体の製造方法に
関するものである。
従来例とその問題点
従来、高分子基板上に斜方蒸着によシ強磁性層を形成し
て磁気記録媒体を製造する方法としては第1図に概要構
成を示したような蒸着装置を用いる製造方法が提案され
ている。
て磁気記録媒体を製造する方法としては第1図に概要構
成を示したような蒸着装置を用いる製造方法が提案され
ている。
第1図で1は高分子基板、2は円筒状キャン、3は送り
出し軸、4は巻暇シ軸、6は蒸発源容器、6は磁性材料
、7は電子ビーム、8は最小入射角限定のマスクである
。9は磁性材料蒸気のうち強磁性層形成に寄与する成分
を模式的に表わしたものである。
出し軸、4は巻暇シ軸、6は蒸発源容器、6は磁性材料
、7は電子ビーム、8は最小入射角限定のマスクである
。9は磁性材料蒸気のうち強磁性層形成に寄与する成分
を模式的に表わしたものである。
尚図中点Cは、キャンの同上でキャンの回転中心0から
電子、ビームの光軸にたてた垂線OEとの交点で、距離
CEを電子ビームの光軸と高分子基板の至近距離とし以
下とれを単に至近距離CEと呼ぶ。
電子、ビームの光軸にたてた垂線OEとの交点で、距離
CEを電子ビームの光軸と高分子基板の至近距離とし以
下とれを単に至近距離CEと呼ぶ。
第1図の装置で高分子基板を巻取りながら、多くの場合
酸素雰囲気中で強磁性金属を電子ビーム蒸着し、磁気性
特性の制御は酸素の量と最小入射角で行うことで精度良
く行うことができるが、磁気テープ又はディスクに後加
工した時、実用上必要な媒体の平坦性が保持されないこ
とが多い。
酸素雰囲気中で強磁性金属を電子ビーム蒸着し、磁気性
特性の制御は酸素の量と最小入射角で行うことで精度良
く行うことができるが、磁気テープ又はディスクに後加
工した時、実用上必要な媒体の平坦性が保持されないこ
とが多い。
これは、主として強磁性層のもつ内部応力によるもので
、基板の条件の最適化を行っても内部応力の管理は容易
ではなく、現実に平坦かそれに近い実用性のある磁気記
録媒体を製造するのは困難が伴なっている。
、基板の条件の最適化を行っても内部応力の管理は容易
ではなく、現実に平坦かそれに近い実用性のある磁気記
録媒体を製造するのは困難が伴なっている。
この点に鑑み、実験と考察を重ねたところ、従来高分子
基板が耐熱性が低いので、蒸着甲部分的に溶けたりひど
い時には溶断してしまう、いわゆる熱的ダメージをさけ
るため、円筒キャンの表面温度を一20℃から一40℃
という低温にすることと、電子ビームの光軸を基板よシ
出来る限り遠ざけて、イオン焼けと称する現象の影響を
小さくすることなどが有効と考えられ実施されていたこ
とに、磁気記録媒体のカール状態(断面がわん曲した状
態)がむしろ管理し難くなっていたことを尽きとめた。
基板が耐熱性が低いので、蒸着甲部分的に溶けたりひど
い時には溶断してしまう、いわゆる熱的ダメージをさけ
るため、円筒キャンの表面温度を一20℃から一40℃
という低温にすることと、電子ビームの光軸を基板よシ
出来る限り遠ざけて、イオン焼けと称する現象の影響を
小さくすることなどが有効と考えられ実施されていたこ
とに、磁気記録媒体のカール状態(断面がわん曲した状
態)がむしろ管理し難くなっていたことを尽きとめた。
発明の目的
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、平坦性の良好
な磁気記録媒体を製造できる、磁気記録媒体の製造方法
を提供するものである。
な磁気記録媒体を製造できる、磁気記録媒体の製造方法
を提供するものである。
発明の構成
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、基板と蒸発のため
に用いる電子ビームの光軸との至近距離を6ctn以下
にすることを特徴とし、平坦性の良好な磁気記録媒体が
得、られるものである。
に用いる電子ビームの光軸との至近距離を6ctn以下
にすることを特徴とし、平坦性の良好な磁気記録媒体が
得、られるものである。
実施例の説明
第1図に概要を示した装置を用いて実施した例について
説明する。
説明する。
巻取り糸は、円筒状キャンに沿って定速で高分子基板が
移動するよう構成され、張力制御方式は電流制御、ダン
サ一方式9等自由である。
移動するよう構成され、張力制御方式は電流制御、ダン
サ一方式9等自由である。
電子ビーム蒸発源に用いられる容器は、セラミック製、
水冷銅製、セラミックの内張シをした水冷銅製容器等の
中から選択されるものとする。
水冷銅製、セラミックの内張シをした水冷銅製容器等の
中から選択されるものとする。
電子ビームの加速電圧は1 sxvから100Kvの範
囲が好ましいが、エネルギーそのものには、CEの条件
は殆んど依存せず、独立に選択すれば良い。
囲が好ましいが、エネルギーそのものには、CEの条件
は殆んど依存せず、独立に選択すれば良い。
至近距離CEとカールの状態の関係は第2図に示されて
いる。
いる。
平坦な状態から弱いカール状態を実用域とした時、多く
の実験範囲で、至近距離CEが6cm以下であれば実用
域にカール状態を管理できることが理解される。
の実験範囲で、至近距離CEが6cm以下であれば実用
域にカール状態を管理できることが理解される。
本発明の製法を用いて得られる磁気記録媒体の主要構成
材料は、高分子基板として厚み5μmから26μmのポ
リエステル類、ポリオレフィン類。
材料は、高分子基板として厚み5μmから26μmのポ
リエステル類、ポリオレフィン類。
セルロース誘導体、ポリアミド、ポリイミド等で、磁気
記録層はCo 、Go−N i 、Co−Cr 、Go
−Cu 、Co−Gd 。
記録層はCo 、Go−N i 、Co−Cr 、Go
−Cu 、Co−Gd 。
Co −Mn 、Co−Mg 、Co−Mo 、Go−
W 、 Go−Ru 、Co−V 。
W 、 Go−Ru 、Co−V 。
Co−8n、Go−Ti 、Co−am 、 Go −
0、Co−Zn−P、Co−Ni −P。
0、Co−Zn−P、Co−Ni −P。
Co−Ni −Cr 、Co−Ni−0等で、下地層を
必要に応じて設けてもよいのは勿論である。
必要に応じて設けてもよいのは勿論である。
通常の蒸着では薄膜は引張シ応力か圧縮応力をもち、し
かもその応力の大きさが大きいため、薄膜といえども高
分子基板を変形させる力を有することになりカール状態
が著しくなるが、本発明では電子ビームが蒸着される基
板の近くを通過し、恐らく電子ビームの近傍に弱電離状
態ができ、その影響を受けて内部応力が小さくなり、カ
ール状態が実用域に入るもので、いわゆるイオンブレー
ティング膜では、本発明の製法で得られる効果が安定に
は得られないこととのメカニズムの差違は明らかではな
いが、膜そのものの応力が小さいため、材質、膜厚に影
響されないのである。
かもその応力の大きさが大きいため、薄膜といえども高
分子基板を変形させる力を有することになりカール状態
が著しくなるが、本発明では電子ビームが蒸着される基
板の近くを通過し、恐らく電子ビームの近傍に弱電離状
態ができ、その影響を受けて内部応力が小さくなり、カ
ール状態が実用域に入るもので、いわゆるイオンブレー
ティング膜では、本発明の製法で得られる効果が安定に
は得られないこととのメカニズムの差違は明らかではな
いが、膜そのものの応力が小さいため、材質、膜厚に影
響されないのである。
以下、更に具体的に一実施例を説明する。
直径60crnの円筒状キャンに沿わせて高分子基板を
巻取るようにして、最小入射角30度となるようマスク
を設け、電子ビーム蒸発源の蒸発面中心と円筒状キャン
の周側面で最小入射角30度となる位置との距離を33
tMとし、電子ビームをCEを変えて照射した。
巻取るようにして、最小入射角30度となるようマスク
を設け、電子ビーム蒸発源の蒸発面中心と円筒状キャン
の周側面で最小入射角30度となる位置との距離を33
tMとし、電子ビームをCEを変えて照射した。
カール状態は8賜幅のテープにして、テープテンシゴン
j5fでエンベロープが完全にでる状態から3dB以内
までに入るものをAとし、sdBから5dBf、Bとし
、edB以下をCとしてランク表示した。
j5fでエンベロープが完全にでる状態から3dB以内
までに入るものをAとし、sdBから5dBf、Bとし
、edB以下をCとしてランク表示した。
以下余白
以上のように本発明によれば、得られる媒体のカール状
態は実用域にあることがよくわかる。
態は実用域にあることがよくわかる。
尚本発明は前述の他の材料の組み合わせで実施してもほ
ぼ同様の効果を発揮できるものであることを確かめであ
る。
ぼ同様の効果を発揮できるものであることを確かめであ
る。
発明の効果
以上のように本発明の磁気記録媒体の製造方法は、回転
支持体に沿って移動する高分子基板に斜方蒸着する際、
蒸着材料を加熱する電子ビームの光軸と高分子基板の至
近距離が6cm以下であることを特徴とするもので、得
られる磁気記録層の内部応力が小さく、媒体の平坦性を
良好なものとすることのできるものでその実用性は大き
い。
支持体に沿って移動する高分子基板に斜方蒸着する際、
蒸着材料を加熱する電子ビームの光軸と高分子基板の至
近距離が6cm以下であることを特徴とするもので、得
られる磁気記録層の内部応力が小さく、媒体の平坦性を
良好なものとすることのできるものでその実用性は大き
い。
第1図は本発明の製造方法を実施するのに用いる蒸着装
置の内部構成図、第2図は本発明を説明する特性図であ
る。 1・・・・・・高分子基板、7・・・・・・加熱電子ビ
ーム、CE・・・・・・至近距離。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 CE間つ距J湧 〔C惧)
置の内部構成図、第2図は本発明を説明する特性図であ
る。 1・・・・・・高分子基板、7・・・・・・加熱電子ビ
ーム、CE・・・・・・至近距離。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 CE間つ距J湧 〔C惧)
Claims (1)
- 回転支持体に沿って移動する高分子基板に斜方蒸着する
際、蒸着材料を加熱する電子ビームの光軸と高分子基板
の至近距離が6cm以下であることを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59219522A JPS6199935A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59219522A JPS6199935A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6199935A true JPS6199935A (ja) | 1986-05-19 |
Family
ID=16736791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59219522A Pending JPS6199935A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6199935A (ja) |
-
1984
- 1984-10-19 JP JP59219522A patent/JPS6199935A/ja active Pending
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