JPS621000B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS621000B2 JPS621000B2 JP53157497A JP15749778A JPS621000B2 JP S621000 B2 JPS621000 B2 JP S621000B2 JP 53157497 A JP53157497 A JP 53157497A JP 15749778 A JP15749778 A JP 15749778A JP S621000 B2 JPS621000 B2 JP S621000B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- wafer
- semiconductor wafer
- plating liquid
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、メツキ方法特に半導体用バンプメツ
キ方法に関するものである。
キ方法に関するものである。
従来、第１図に示すように、シリコンダイオー
ドのAgバンプ１の形成に当つては、第２図の如
く浸漬式電気メツキ法を行なつており、この方法
では、第３図に示すようにバンプ頂部が凹凸形状
となり、この後リード線を圧着する場合に、接触
不良が生じやすいことから、バンプ頂部をへら等
で磨して平坦化する作業を組み込んで接触不良を
減らすようにしていた。しかも、この平坦化作業
は、ウエーハを割つたりバンプ頂部にキズをつけ
てしまうこともある。また、第２図に示すよう
に、ウエーハ２のガラス板３へのワツクス４によ
る接着、ワツクスを溶解してのはがし、後洗浄な
どの付帯作業も多く、また浸漬式電気メツキ法の
原理上大電流を流せず、小電流で時間がかかると
いうような欠点がある。本発明の目的は、上記の
欠点を改善し、第４図に示すようなバンプ頂部が
平坦かつ接触面積の広い台形状を得ること、ウエ
ーハを付帯作業がなく容易に保持することができ
ること、メツキ時間の短縮を図ることにある。
ドのAgバンプ１の形成に当つては、第２図の如
く浸漬式電気メツキ法を行なつており、この方法
では、第３図に示すようにバンプ頂部が凹凸形状
となり、この後リード線を圧着する場合に、接触
不良が生じやすいことから、バンプ頂部をへら等
で磨して平坦化する作業を組み込んで接触不良を
減らすようにしていた。しかも、この平坦化作業
は、ウエーハを割つたりバンプ頂部にキズをつけ
てしまうこともある。また、第２図に示すよう
に、ウエーハ２のガラス板３へのワツクス４によ
る接着、ワツクスを溶解してのはがし、後洗浄な
どの付帯作業も多く、また浸漬式電気メツキ法の
原理上大電流を流せず、小電流で時間がかかると
いうような欠点がある。本発明の目的は、上記の
欠点を改善し、第４図に示すようなバンプ頂部が
平坦かつ接触面積の広い台形状を得ること、ウエ
ーハを付帯作業がなく容易に保持することができ
ること、メツキ時間の短縮を図ることにある。
上記の目的を達成するために、本発明では、第
５図に示すように、メツキ液を含浸できる弾性の
ある多孔質布層１０で覆つた電極板１１と、ウエ
ーハを周辺からエアー等を吹きつけメツキ液の浸
入を遮断しつつ真空吸着保持できる電極１２に保
持して対向させてたがいに、こすりあわせながら
大電流を流しバンプを成長させることに特徴があ
る。
５図に示すように、メツキ液を含浸できる弾性の
ある多孔質布層１０で覆つた電極板１１と、ウエ
ーハを周辺からエアー等を吹きつけメツキ液の浸
入を遮断しつつ真空吸着保持できる電極１２に保
持して対向させてたがいに、こすりあわせながら
大電流を流しバンプを成長させることに特徴があ
る。
以下本発明を第６図に示す実施例によつて詳細
に説明する第６図において、２はウエーハであ
る。まずウエーハを導通がとれる電極１３に、真
空吸着１４させる、このとき周辺からエアー１５
を吹きメツキ液８の侵入を防ぐ、ここで電極のウ
エーハ吸着面とガイド１７のウエーハ接触面は、
ウエーハの変形を防ぐために、同一平面にする必
要がある。また、エアー室にたまつたエアーをリ
ークさせるために、ガイドのウエーハ接触面に、
こまかい溝１８を入れる。１０が多孔質布である
が、弾性をもたせるために、導電性のスポンジ１
９を下に入れる。これを導電性を増すために、カ
ーボンの円盤１１の上にセツトする。ここで、円
盤の周辺には、ふち２０をつけメツキ液を、ため
るようにする。つぎに、上記のウエーハをセツト
した電極とこの円盤を対向接触させ、円盤を回転
１６させながら両電極に電流を流しバンプを成長
させる。このような装置により前述のような非常
に良好なバンプが短時間で形成できる。
に説明する第６図において、２はウエーハであ
る。まずウエーハを導通がとれる電極１３に、真
空吸着１４させる、このとき周辺からエアー１５
を吹きメツキ液８の侵入を防ぐ、ここで電極のウ
エーハ吸着面とガイド１７のウエーハ接触面は、
ウエーハの変形を防ぐために、同一平面にする必
要がある。また、エアー室にたまつたエアーをリ
ークさせるために、ガイドのウエーハ接触面に、
こまかい溝１８を入れる。１０が多孔質布である
が、弾性をもたせるために、導電性のスポンジ１
９を下に入れる。これを導電性を増すために、カ
ーボンの円盤１１の上にセツトする。ここで、円
盤の周辺には、ふち２０をつけメツキ液を、ため
るようにする。つぎに、上記のウエーハをセツト
した電極とこの円盤を対向接触させ、円盤を回転
１６させながら両電極に電流を流しバンプを成長
させる。このような装置により前述のような非常
に良好なバンプが短時間で形成できる。
以上説明した如く、本発明によれば、頂部が平
坦かつ接触面積の広い台形状のバンプが形成でき
ることから従来行なつていた、バンプ頂部の平坦
化作業が不要となり、接触不良を大巾に低減でき
る。また、ウエーハを簡単に保持および着脱でき
るので、従来のウエーハの接着、はがしにともな
う付帯作業が不要となり大巾に工数低減ができ
る、さらにはメツキ液のAgイオン濃度を高める
ことにより大電流を流し高速メツキできることか
らメツキ時間も従来約60分／枚から約15分／枚に
短縮できる。
坦かつ接触面積の広い台形状のバンプが形成でき
ることから従来行なつていた、バンプ頂部の平坦
化作業が不要となり、接触不良を大巾に低減でき
る。また、ウエーハを簡単に保持および着脱でき
るので、従来のウエーハの接着、はがしにともな
う付帯作業が不要となり大巾に工数低減ができ
る、さらにはメツキ液のAgイオン濃度を高める
ことにより大電流を流し高速メツキできることか
らメツキ時間も従来約60分／枚から約15分／枚に
短縮できる。
特に、本発明では、メツキ液器具２０によつて
メツキ液がたまるように構成されるので、多孔質
布１０の全体に常にメツキ液が含浸した状態とな
る。このため、メツキ液の供給が充分に行なわれ
る。また、このとき、エアー１５をウエーハの裏
面周辺部に吹き付けしているので、真空吸引され
た電極１３とウエーハ２の裏面との間にメツキ液
の浸入が防止され、これによつて、メツキ電流は
メツキ液から半導体ウエーハ表面全体を横切つて
電極１３に均等に流れるのでバンプの高さ、大き
さにバラツキが少く、かつ第４図に示すような台
形状のバンプ形状を得ることができる。
メツキ液がたまるように構成されるので、多孔質
布１０の全体に常にメツキ液が含浸した状態とな
る。このため、メツキ液の供給が充分に行なわれ
る。また、このとき、エアー１５をウエーハの裏
面周辺部に吹き付けしているので、真空吸引され
た電極１３とウエーハ２の裏面との間にメツキ液
の浸入が防止され、これによつて、メツキ電流は
メツキ液から半導体ウエーハ表面全体を横切つて
電極１３に均等に流れるのでバンプの高さ、大き
さにバラツキが少く、かつ第４図に示すような台
形状のバンプ形状を得ることができる。
なお、上記実施例では、相対回転運動を行つた
が、運動形式は回転のみに限定されず、直線運動
でも可能である。
が、運動形式は回転のみに限定されず、直線運動
でも可能である。
また、以上の実施例では、シリコンダイオード
のAgバンプの形成について述べたがこのメツキ
装置は、それ以外の例えばIC、LSI用のAuバン
プの形相等にも同じように適用できる。
のAgバンプの形成について述べたがこのメツキ
装置は、それ以外の例えばIC、LSI用のAuバン
プの形相等にも同じように適用できる。
第１図は、バンプが形成された半導体素子の要
部断面図、第２図は浸漬式電気メツキ法を説明す
るための装置の斜視図、第３図は、浸漬式電気メ
ツキ法で得られたバンプを有する半導体素子要部
断面図、第４図は本発明で得られたバンプを有す
る半導体素子要部断面図、第５図は本発明に係る
メツキ方法を説明するためのメツキ装置の要部断
面図、第６図は本発明の一実施例に係るメツキ装
置の要部断面図である。 ２…ウエーハ、５…絶縁テープ、６…アルミ
箔、７…Ag電極、８…メツキ液、９…メツキ
槽、１３…電極、１７…ガイド、１８…エアーリ
ーク溝、１９…導電性スポンジ。
部断面図、第２図は浸漬式電気メツキ法を説明す
るための装置の斜視図、第３図は、浸漬式電気メ
ツキ法で得られたバンプを有する半導体素子要部
断面図、第４図は本発明で得られたバンプを有す
る半導体素子要部断面図、第５図は本発明に係る
メツキ方法を説明するためのメツキ装置の要部断
面図、第６図は本発明の一実施例に係るメツキ装
置の要部断面図である。 ２…ウエーハ、５…絶縁テープ、６…アルミ
箔、７…Ag電極、８…メツキ液、９…メツキ
槽、１３…電極、１７…ガイド、１８…エアーリ
ーク溝、１９…導電性スポンジ。
Claims (1)
- １ メツキ液をためるようにしたメツキ液器具の
中において、前記メツキ液を含浸し、かつ弾性的
性質を有する材料で表面が形成された一方のメツ
キ用電極を配置し、一方、表面にバンプメツキを
すべき半導体ウエーハの裏面を他方のメツキ用電
極面に真空吸引させて固定するとともに、真空吸
引された前記半導体ウエーハの裏面と前記他方の
メツキ用電極面との間にメツキ液が浸入するのを
防止するために前記半導体ウエーハ裏面の真空吸
引部の周辺に気体を吹きつけた状態で、前記半導
体ウエーハの表面と前記一方のメツキ用電極の表
面とを対向接触させ、相対運動を与えながら前記
半導体ウエーハ表面にバンプを形成することを特
徴とするメツキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15749778A JPS5585692A (en) | 1978-12-22 | 1978-12-22 | Plating method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15749778A JPS5585692A (en) | 1978-12-22 | 1978-12-22 | Plating method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5585692A JPS5585692A (en) | 1980-06-27 |
| JPS621000B2 true JPS621000B2 (ja) | 1987-01-10 |
Family
ID=15650968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15749778A Granted JPS5585692A (en) | 1978-12-22 | 1978-12-22 | Plating method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5585692A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3348528B2 (ja) * | 1994-07-20 | 2002-11-20 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法と半導体装置及び電子回路装置の製造方法と電子回路装置 |
| JP2000232078A (ja) | 1999-02-10 | 2000-08-22 | Toshiba Corp | メッキ方法及びメッキ装置 |
| US6632335B2 (en) * | 1999-12-24 | 2003-10-14 | Ebara Corporation | Plating apparatus |
| EP1174912A4 (en) * | 1999-12-24 | 2009-11-25 | Ebara Corp | SEMICONDUCTOR DISC GENERATING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD |
| JP4922275B2 (ja) * | 2008-10-20 | 2012-04-25 | 株式会社東芝 | メッキ方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5265665A (en) * | 1975-11-28 | 1977-05-31 | Hitachi Ltd | Formation of protruding electrode of semiconductor device |
-
1978
- 1978-12-22 JP JP15749778A patent/JPS5585692A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5585692A (en) | 1980-06-27 |
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