JPS62101032A - 半導体ウエハ−ス加工治具 - Google Patents
半導体ウエハ−ス加工治具Info
- Publication number
- JPS62101032A JPS62101032A JP60242033A JP24203385A JPS62101032A JP S62101032 A JPS62101032 A JP S62101032A JP 60242033 A JP60242033 A JP 60242033A JP 24203385 A JP24203385 A JP 24203385A JP S62101032 A JPS62101032 A JP S62101032A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafers
- semiconductor wafer
- working jig
- processing jig
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title abstract description 32
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Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は研磨作業を含む半導体ウェハースの加工時にお
いて半導体ウェハースを貼付ける研磨治具の構造に関す
る。
いて半導体ウェハースを貼付ける研磨治具の構造に関す
る。
第２図は従来から用いられている加工治具の貼付は面の
平面図の一例を示すものであシ、貼付は面は全面にわた
って平担である。
平面図の一例を示すものであシ、貼付は面は全面にわた
って平担である。
第２図に示す加工治具を用いて半導体ウエノ・−スを所
望の厚みに研磨した後、加工治具をホットプレート等で
加熱して貼付は剤を溶融し半導体ウェハースを剥がす作
業において、充分に貼付は剤が溶融した状態又溶剤等で
貼付は剤を除去した状態であっても貼付は剤や溶剤等の
表面張力の作用で半導体ウェノ・−スが加工治具に密着
し動かなくなる場合が多い。かかる密着状態においては
半導体ウェハースに損傷を与えることなく加工治具上で
移動又は加工治具から離脱せしめることは非常に困難で
ある。
望の厚みに研磨した後、加工治具をホットプレート等で
加熱して貼付は剤を溶融し半導体ウェハースを剥がす作
業において、充分に貼付は剤が溶融した状態又溶剤等で
貼付は剤を除去した状態であっても貼付は剤や溶剤等の
表面張力の作用で半導体ウェノ・−スが加工治具に密着
し動かなくなる場合が多い。かかる密着状態においては
半導体ウェハースに損傷を与えることなく加工治具上で
移動又は加工治具から離脱せしめることは非常に困難で
ある。
Ｃ問題点を解決するための手段］
本発明の１的は前記問題点を解決するため、加工治具の
貼付は面側に多数の連続又は不連続の溝を形成し、溶剤
で密着状態になっている加工治具と半導体ウェハースの
隙間に空気を取り込み易くし、表面張力の作用を早期に
緩和させ併わせて溝を利用して半導体ウエノ・−スをピ
ンセット等で把み易くして加工治具上で半導体ウエノ・
−スを移動して傷を発生させる不都合を解消させること
Ｋある。
貼付は面側に多数の連続又は不連続の溝を形成し、溶剤
で密着状態になっている加工治具と半導体ウェハースの
隙間に空気を取り込み易くし、表面張力の作用を早期に
緩和させ併わせて溝を利用して半導体ウエノ・−スをピ
ンセット等で把み易くして加工治具上で半導体ウエノ・
−スを移動して傷を発生させる不都合を解消させること
Ｋある。
以下実施例に基づき図面を参照して本発明を更に詳細に
説明する。本実施例は従来方式と同様、加工治具への半
導体ウヱノ・−スの着脱を所望の厚みに仕上げる研磨作
業に関して行なう。
説明する。本実施例は従来方式と同様、加工治具への半
導体ウヱノ・−スの着脱を所望の厚みに仕上げる研磨作
業に関して行なう。
第１図が本発明による加工治具であり、（ａ）及び中）
は本発明の二つの実施例で、ウェハース貼付は面に溝を
形成した加工治具の平面図、（Ｃ）は（ａ）、Φ）共通
の側面図、（ｄ）は溝の断面図である。
は本発明の二つの実施例で、ウェハース貼付は面に溝を
形成した加工治具の平面図、（Ｃ）は（ａ）、Φ）共通
の側面図、（ｄ）は溝の断面図である。
先ずホットプレート又はトリクロールエチレン（以下ト
リクレンと称する）溶剤の蒸気熱によシ加工治具１を８
０℃以上に力ｑ熱し、上部幅１ ｍｍ１低部幅Ｑ、 ５
ｍｍのテーパー状断面の溝３が形成された貼付は面２
へ溶融させた貼付は剤５を介して半導体ウェハース６を
貼付ける。続いて半導体ウェハース６に加重をかけ、貼
付は面２に強制密着させた状態のまま加工治具１を水等
で冷却する。
リクレンと称する）溶剤の蒸気熱によシ加工治具１を８
０℃以上に力ｑ熱し、上部幅１ ｍｍ１低部幅Ｑ、 ５
ｍｍのテーパー状断面の溝３が形成された貼付は面２
へ溶融させた貼付は剤５を介して半導体ウェハース６を
貼付ける。続いて半導体ウェハース６に加重をかけ、貼
付は面２に強制密着させた状態のまま加工治具１を水等
で冷却する。
加工治具１の温度が２０〜３０℃程度に下がった後、半
導体ウェハース６の周辺にはみ出た貼付は剤５をトリク
レンで除去する。更に続いて所望の厚みが得られるよう
ダイヤモンドによる研磨ストッパー４を加工治具１の周
囲４ケ所にセットする。
導体ウェハース６の周辺にはみ出た貼付は剤５をトリク
レンで除去する。更に続いて所望の厚みが得られるよう
ダイヤモンドによる研磨ストッパー４を加工治具１の周
囲４ケ所にセットする。
以上の工程を経た加工治具１を研磨機にかけ、半導体ウ
ェハース６の所望厚み以外の部分を研磨する。研磨の終
了した加工治具１をホットプレート又はトリクレン蒸気
熱にて加熱し貼付は剤５を溶融させる。続いて加熱され
たトリクレン液を貼付は面２へ流し、半導体ウエノ・−
ス６が移動しない様にしながら溶融した貼付は剤５を全
て除去する。かかる加工治具１をホットプレートに載せ
約８０℃で数分放置する。貼付は面２及び＠３内のトリ
クレンは次第に蒸発して表面張力の影響が無くなり、半
導体ウェノ・−ス６は単に貼付は面２に載っているだけ
となる。
ェハース６の所望厚み以外の部分を研磨する。研磨の終
了した加工治具１をホットプレート又はトリクレン蒸気
熱にて加熱し貼付は剤５を溶融させる。続いて加熱され
たトリクレン液を貼付は面２へ流し、半導体ウエノ・−
ス６が移動しない様にしながら溶融した貼付は剤５を全
て除去する。かかる加工治具１をホットプレートに載せ
約８０℃で数分放置する。貼付は面２及び＠３内のトリ
クレンは次第に蒸発して表面張力の影響が無くなり、半
導体ウェノ・−ス６は単に貼付は面２に載っているだけ
となる。
即ち貼付は面２に溝があることにより半導体ウェハース
６の下部のトリクレンの蒸発が急速に進むためである。
６の下部のトリクレンの蒸発が急速に進むためである。
従って引き続きビンセット等で溝の凹みを利用して半導
体ウェハース６を把み、貼付は面を無理に移動すること
なく離脱せしむることか出来る。
体ウェハース６を把み、貼付は面を無理に移動すること
なく離脱せしむることか出来る。
以上の加工治具１を用いて研磨した半導体ウェハース６
は貼付は面２との表面張力が無い状態で離脱させるため
、貼付は面２とのこすれによる傷が無く、又無理に剥が
して割る事故も無くなる。
は貼付は面２との表面張力が無い状態で離脱させるため
、貼付は面２とのこすれによる傷が無く、又無理に剥が
して割る事故も無くなる。
ちなみに半導体ウェハース特に化合物半導体ウェハース
は割れ易く、傷がつき易い材料であり、本発明による加
工治具を用いた研磨作業は非常に有効である。
は割れ易く、傷がつき易い材料であり、本発明による加
工治具を用いた研磨作業は非常に有効である。
尚第１図（ａ） Ｋ示すスパイラル状の溝を有した加工
治具は、貼付は剤をホットプレート等で加熱溶解する方
式を採用する場合には溝内の洗浄を加工治具の回転によ
シ容易に連続的に行なえるため有用である。
治具は、貼付は剤をホットプレート等で加熱溶解する方
式を採用する場合には溝内の洗浄を加工治具の回転によ
シ容易に連続的に行なえるため有用である。
第１図は本発明による加工治具の平面図及び側面図であ
り、（ａ）（ｂ）はその−例の平面図、（Ｃ）は共通の
側面図、（ｄ）は溝の断面図である。第２図は従来例に
よる平面図である。 １・・・・・・加工治具、２・・・・・・貼付は面、３
・・・・・・溝、４・・・・・・研磨ストッパー、５・
・・・・・貼付は剤、６・・・・・・半導体ウェハース
。
り、（ａ）（ｂ）はその−例の平面図、（Ｃ）は共通の
側面図、（ｄ）は溝の断面図である。第２図は従来例に
よる平面図である。 １・・・・・・加工治具、２・・・・・・貼付は面、３
・・・・・・溝、４・・・・・・研磨ストッパー、５・
・・・・・貼付は剤、６・・・・・・半導体ウェハース
。
Claims (1)
- 半導体ウェハースを貼付け剤で加工治具に貼付け、前記
半導体ウェハースの貼付け面と反対側の面を研磨し、所
望の厚みに仕上げる研磨作業において、前記加工治具の
貼付け面の少なくとも前記半導体ウェハース貼付け領域
に溝を形成したことを特徴とする半導体ウェハース加工
治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60242033A JPS62101032A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 半導体ウエハ−ス加工治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60242033A JPS62101032A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 半導体ウエハ−ス加工治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62101032A true JPS62101032A (ja) | 1987-05-11 |
Family
ID=17083270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60242033A Pending JPS62101032A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 半導体ウエハ−ス加工治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62101032A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6394657U (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-18 | ||
| JPH06132397A (ja) * | 1992-10-19 | 1994-05-13 | Rohm Co Ltd | ダイシング方法 |
-
1985
- 1985-10-28 JP JP60242033A patent/JPS62101032A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6394657U (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-18 | ||
| JPH06132397A (ja) * | 1992-10-19 | 1994-05-13 | Rohm Co Ltd | ダイシング方法 |
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