JPS62109358A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPS62109358A JPS62109358A JP60249297A JP24929785A JPS62109358A JP S62109358 A JPS62109358 A JP S62109358A JP 60249297 A JP60249297 A JP 60249297A JP 24929785 A JP24929785 A JP 24929785A JP S62109358 A JPS62109358 A JP S62109358A
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Landscapes
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固体撮像装置の製造方法に関ヅるものである。
従来の技術
従来の固体撮像装置の製造方法について図面を参照しな
がら説明する。第２図は従来の製３告方法によって作ら
れたカラー固体Ｒｔ’ｌｒ装置の断面を示づものである
。Ｐ型シリコン基板１にＮ型領域を設Ｃノ、ＰＮ接合フ
４トダイＡ−ド２ａ、２ｂを形成づ−る。次に絶縁膜と
してシリコン酸化ｊ１ぐ３を・形成し、その上にアルミ
配線４と同Ｉ、１にｊ′ルミ鋭（光シールドのための金
属ｉｌｌ ＩＮ ５を形成する。ここで２８が黒レベル
画素となり、２ｂが受光画素となる。さらに、アルミ配
、？、；ｌ ／ｌと金属、神躾５を透光性有機被膜であ
るパッシベーション１模６ ｒ−保護η−る。その上に
ｉｉＪ視九透過性をもつアクリル系樹脂７を塗布し、所
定の分光特性を右づる染料でしって染色された染色ｖ８
ａ、可視光透過性でかつ非染色性を有するアクリル系樹
脂９、Ｊｊよひ染色膜８を順次形成し、最後に、保護膜
としてアクリル系樹脂１０でもって覆う。
がら説明する。第２図は従来の製３告方法によって作ら
れたカラー固体Ｒｔ’ｌｒ装置の断面を示づものである
。Ｐ型シリコン基板１にＮ型領域を設Ｃノ、ＰＮ接合フ
４トダイＡ−ド２ａ、２ｂを形成づ−る。次に絶縁膜と
してシリコン酸化ｊ１ぐ３を・形成し、その上にアルミ
配線４と同Ｉ、１にｊ′ルミ鋭（光シールドのための金
属ｉｌｌ ＩＮ ５を形成する。ここで２８が黒レベル
画素となり、２ｂが受光画素となる。さらに、アルミ配
、？、；ｌ ／ｌと金属、神躾５を透光性有機被膜であ
るパッシベーション１模６ ｒ−保護η−る。その上に
ｉｉＪ視九透過性をもつアクリル系樹脂７を塗布し、所
定の分光特性を右づる染料でしって染色された染色ｖ８
ａ、可視光透過性でかつ非染色性を有するアクリル系樹
脂９、Ｊｊよひ染色膜８を順次形成し、最後に、保護膜
としてアクリル系樹脂１０でもって覆う。
北門が解決しようとする問題貞
しかしながら、上記のような構成では、アルミ配ＦＡ４
の形成と同時に、アルミ膜によ・〕て尤シールドのため
金属薄膜５を形成し、ぞの１−にパッシベーション膜６
を形成するため、パッジベージ゛Ｊン映６の形成■稈で
、フォトダイオード２ｂのにには、アルミ膜がなく、フ
オトダイオード２ａの上にはアルミ１ユ５があるという
差にＪ、す、結果的に、１１８状Ｅ＆での黒レベル画ｈ
２ ａと受光部Ａ２ｂの出力電流が冑＜ｒつて来る。
の形成と同時に、アルミ膜によ・〕て尤シールドのため
金属薄膜５を形成し、ぞの１−にパッシベーション膜６
を形成するため、パッジベージ゛Ｊン映６の形成■稈で
、フォトダイオード２ｂのにには、アルミ膜がなく、フ
オトダイオード２ａの上にはアルミ１ユ５があるという
差にＪ、す、結果的に、１１８状Ｅ＆での黒レベル画ｈ
２ ａと受光部Ａ２ｂの出力電流が冑＜ｒつて来る。
したがって、基準となるべさ黒レベル画素の出力′、ｆ
ｉ流を真の値とじて使用てきないという本質的イ１欠点
を有していた。
ｉ流を真の値とじて使用てきないという本質的イ１欠点
を有していた。
本発明は、これらの欠点を解決覆るもので、パッシベー
ション膜の形成による影響を全くなくし、基準となるべ
さ黒レベルが真の値を示づ固体Ｉｎ装置の製造方法を提
供づるものである。
ション膜の形成による影響を全くなくし、基準となるべ
さ黒レベルが真の値を示づ固体Ｉｎ装置の製造方法を提
供づるものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明の固体Ｉｎ装置の
￥ＪＲ方法は、受光部とその周辺回路の作り込みのなさ
れた半導体基板表面を透光性行□被摸て被膜したのらに
、１１う記受光部の一部に対応でる前記透光４イＴ ＆
’Ｉ被膜に光シールドのための金属薄膜を被着して黒レ
ベル画素を形成りるしのである。
￥ＪＲ方法は、受光部とその周辺回路の作り込みのなさ
れた半導体基板表面を透光性行□被摸て被膜したのらに
、１１う記受光部の一部に対応でる前記透光４イＴ ＆
’Ｉ被膜に光シールドのための金属薄膜を被着して黒レ
ベル画素を形成りるしのである。
作用
この構成により光シールドのための金属薄膜により黒レ
ベル画素を形成したのちのカラーフィルタの形成は、従
来のパッジベージコン険の形成工程の時と比べ、半導体
製造プロビスでのフィトリックラフ法によって形成され
るため、受光部にあたえる影響は非常に軽＠なものとな
り、暗状態での黒レベル画素と受光画素の出力電流の差
はまったくなくなる。
ベル画素を形成したのちのカラーフィルタの形成は、従
来のパッジベージコン険の形成工程の時と比べ、半導体
製造プロビスでのフィトリックラフ法によって形成され
るため、受光部にあたえる影響は非常に軽＠なものとな
り、暗状態での黒レベル画素と受光画素の出力電流の差
はまったくなくなる。
実施例
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。第１図（ａ）〜（ｄ）は、本Ｊｕ明の−・実施例
の固体Ｉｎ装置の製造方法を工程順に断面図によって示
すものである。まず、固体Ｉｎ装置を形成するＰ型シリ
コン基板１１にＮ型領域を設け、ＰＮ接合フォトダイオ
ード１２を形成し、その上に、絶縁膜としてシリコン酸
化膜１３を形成づる（第１図（ａ））。
する。第１図（ａ）〜（ｄ）は、本Ｊｕ明の−・実施例
の固体Ｉｎ装置の製造方法を工程順に断面図によって示
すものである。まず、固体Ｉｎ装置を形成するＰ型シリ
コン基板１１にＮ型領域を設け、ＰＮ接合フォトダイオ
ード１２を形成し、その上に、絶縁膜としてシリコン酸
化膜１３を形成づる（第１図（ａ））。
次に、シリコン酸化膜１３を介してアルミ配線１４を施
し、パッシベーション膜１５でもって保護する（第１図
（ｂ））。
し、パッシベーション膜１５でもって保護する（第１図
（ｂ））。
次に、可視光透過性をもつアクリル系樹脂１６を塗布し
、ついで、アルミ膜を蒸着し、黒レベル画素を必要とし
ない箇所をフｙｔ ｌ−リソ工程およびエラチンクー１
１程で取り除さ、尤シールドのための金属ｒｔｌ ｌｌ
’ｊ １７を形成−する。これにより、ＰＮ接合フ４１
ヘグイΔ−ドのうら全屈λ９膜１７Ｆのフ４（〜ダイオ
ード１２ａが黒レベル画素となり、それ以外の７４１−
グイＡ−ド１２ｂが受光部ふとなる（第１図（Ｃ））。
、ついで、アルミ膜を蒸着し、黒レベル画素を必要とし
ない箇所をフｙｔ ｌ−リソ工程およびエラチンクー１
１程で取り除さ、尤シールドのための金属ｒｔｌ ｌｌ
’ｊ １７を形成−する。これにより、ＰＮ接合フ４１
ヘグイΔ−ドのうら全屈λ９膜１７Ｆのフ４（〜ダイオ
ード１２ａが黒レベル画素となり、それ以外の７４１−
グイＡ−ド１２ｂが受光部ふとなる（第１図（Ｃ））。
次に、光シールドのための金属薄膜１７を可視光）シ過
卜をｂつアクリル系樹脂１ ａｔ？保護した上、所定の
分光特性を右する染料でもって染色された染ｃｌ！躾１
９ａ、可視光透ハビ１でかつ非染色性を右Ｊるアクリル
系樹脂２０および染色膜１９ｂを順次形成し、最後に、
保護膜としてアクリル系樹脂２１で゛もって覆う（第１
図ｆｄ））ａ ブを明のクツ果 以上のように本発明にＪ：れは゛、従来の欠点であった
暗状態での黒レベル画素と受光部んとの出力電流のｔを
完全に抑えることがでさるため、黒レベル画素を真の１
：４準として用いることかで゛さ′るもの−であり、固
（Ａ ｔｌｉＨ像木了に４５える効果は人イにるものが
ある。
卜をｂつアクリル系樹脂１ ａｔ？保護した上、所定の
分光特性を右する染料でもって染色された染ｃｌ！躾１
９ａ、可視光透ハビ１でかつ非染色性を右Ｊるアクリル
系樹脂２０および染色膜１９ｂを順次形成し、最後に、
保護膜としてアクリル系樹脂２１で゛もって覆う（第１
図ｆｄ））ａ ブを明のクツ果 以上のように本発明にＪ：れは゛、従来の欠点であった
暗状態での黒レベル画素と受光部んとの出力電流のｔを
完全に抑えることがでさるため、黒レベル画素を真の１
：４準として用いることかで゛さ′るもの−であり、固
（Ａ ｔｌｉＨ像木了に４５える効果は人イにるものが
ある。
第１図（ａ）〜（（ｊ）は本発明の一実施例の固体撮像
装置の製造方法を工程順に断面図によって示した図、第
２図は従来の固体上像装置の断面図を示した図である。 １１・・・Ｐ型シリコン基板、１２・・・ＰＮ接合フォ
トダイオード、１２ａ・・・黒レベル画素、１２ｂ・・
・受光画素、１４・・・アルミ配線、１５・・・パッシ
ベーション鏝、１６・・・アクリル系樹脂、１７・・・
光シールドのための金属訣膜、１８，２０．２１・・・
−アクリル系樹脂、１９ａ、１９ｂ −・・染色膜
装置の製造方法を工程順に断面図によって示した図、第
２図は従来の固体上像装置の断面図を示した図である。 １１・・・Ｐ型シリコン基板、１２・・・ＰＮ接合フォ
トダイオード、１２ａ・・・黒レベル画素、１２ｂ・・
・受光画素、１４・・・アルミ配線、１５・・・パッシ
ベーション鏝、１６・・・アクリル系樹脂、１７・・・
光シールドのための金属訣膜、１８，２０．２１・・・
−アクリル系樹脂、１９ａ、１９ｂ −・・染色膜
Claims (1)
- １、半導体基板上に受光部とその周辺回路とを形成した
のち、前記半導体基板表面を透光性有機被膜で被覆する
工程と、その後に前記受光部の一部に対応する前記透光
性有機被膜に光シールドのための金属膜を被着して黒レ
ベル画素を形成する工程とを備えた固体撮像装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249297A JPS62109358A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249297A JPS62109358A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62109358A true JPS62109358A (ja) | 1987-05-20 |
Family
ID=17190878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60249297A Pending JPS62109358A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62109358A (ja) |
-
1985
- 1985-11-07 JP JP60249297A patent/JPS62109358A/ja active Pending
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