JPS62110A - 容量結合回路 - Google Patents

容量結合回路

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JPS62110A
JPS62110A JP13936785A JP13936785A JPS62110A JP S62110 A JPS62110 A JP S62110A JP 13936785 A JP13936785 A JP 13936785A JP 13936785 A JP13936785 A JP 13936785A JP S62110 A JPS62110 A JP S62110A
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JP
Japan
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emitter
resistor
capacitor
circuit
transistor
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JP13936785A
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Takahiro Kusano
草野 孝博
Takashi Koga
古賀 隆史
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は半導体集積回路(以下、ICと称する)にお
ける容量結合回路に関する。
〔発明の技術的背景〕
IC内において、エミッタホロワトランジスタのエミッ
タを他の回路に容量結合する容量結合回路としては、従
来、実公昭47−20460号公報に示されるような回
路が知られている。
この公報に記載されている容量結合回路を第2図及び第
3図を用いて説明する。
第2図に示す回路は、エミッタホロワトランジスタQt
の出力をトランジスタQ−−Qmによって構成される差
動増幅回路DEで増幅するものである。ここで、上記公
報に記載される容量結合回路は、トランジスタQ1のエ
ミッタを容量CMを介して差動増幅回路DEの入力端子
に与えるように構成される。
第3図は容量CMのIC構造を示すものである。IC内
では、容量CMはアルミニクム、絶縁層、半導体の組み
合せとして形成される。
IC内の容量は上mlのような構造をしているため、I
C内では、本来の容量CM (Me t a 1 )の
他に、容量CMのSi領域(Nepi)  とICのア
イソレーション領域P+との間に、寄生容量CJ (J
unc目on  )  が形成される。ICのアインレ
ーション領域P1は、ICの接合分離のため1通常、ア
ース電位に設定される。このため、上記寄生容量CJは
、容量CMのSl領域(Nepl)とアースGNDとの
間に形成される0 第2図においては、容量CMの端子のうち。
寄生容量CJが形成される半導体側の端子T。
がトランジスタQ、のエミッタに接続され、金属側の端
子T、が差動増幅回路の入力端子に接続される。
上述した容量結合回路の特徴は、容量CMの接続構成が
上記の如く設定されているため、トランジスタQ、のエ
ミッタから差動増幅回路四の入力端子までの信号減衰が
ないことである。これに対し、容量CMの接続構成を上
記構成とは逆にすると、すなわち、半導体側の端子T、
差動増幅回路DEの入力端子に接続するようにすると、
次式<1)で示される減衰量Aに従って信号減衰が生ず
る。
〔背景技術の問題点〕
しかしながら、上述した従来の容量結合回路の場合、寄
生容量CJがトランジスタQ、のエミッタに直接接続さ
れるため、トランジスタQ、が容量負荷となる。その結
果、トランジスタQ1の動作が不安定となったり1発振
が生じたりする。
〔発明の目的〕
この発明は上記の事情に対処すべくなされたもので、I
C内でエミッタホロワトランジスタのエミッタを次段の
回路に容量結合するに際し、上記トランジスタの動作の
安定化、発振防止を図ることができる容量結合回路を提
供することを目的とする。
〔発明の概要〕
この発明は、エミッタホロワトランジスタのエミッタと
容量の半導体側端子との間に抵抗を挿入することにより
、上記の目的を達成するものである。
〔発明の実施例〕
以下、図面を参照してこの発明の実施例を詳細に説明す
る。
第1図は、この発明の一実施例の構成を示す回路図であ
る。なお、第1図において、先の第2図と同一部には同
一符号を付す。
第1図において、R1は抵抗で、一端はトランジスタQ
、のエミッタに接続され、他端は容° 量CMの半導体
側端子T、に接続されている。
これにより、信号源S1からトランジスタQ。
のペースに入力された信号は、トランジスタQ1のエミ
ッタから抵抗R,に容tCMの直列接続回路を介して差
動増幅回路DBの入力端子に与えられる。
このように、第1図に示す容量結合回路は。
トランジスタQ1のエミッタと容量CMの半導体側端子
T、  との間に%抵抗R,yt挿入し、トランジスタ
Q、の負荷が容量負荷とならないようにすることKより
、エミッタホロワトランジスタQ、の発振及び不安定動
作を防ぐものでおる。
なお、抵抗R,の値は、抵抗R8と寄生容量CJとで構
成されるロワノやスフィルタのカットオフ周波数fC(
次式シ)参照)が、伝送する信号帯域の上限Cfm、、
 )  より充分大きくなるように設定される。
ところで、トランジスタQ、のエミッタと差動増幅回路
DEの入力端子間での信号減衰を防ぐには、次式(3)
で示すように、抵抗R1の値を抵抗Rtの値より充分小
さくすればよい。これKより、抵抗R1と受は側口路イ
ンピーダンス(差動増幅回路DEの入力インピーダンス
)である抵抗R2との抵抗分割による信号減衰が小さく
なり、従来回路と同じような減衰特性を確保することが
できる。
〔発明の効果〕
このようにこの発明によれば、エミッタホロワトランジ
スタの発振、不安定動作を防止することができる容量結
合回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例の構成を説明するための回
路図、第2図は従来の容量結合回路の構成を説明するた
めの回路図、第3図は容量のIC構造の一例を示す図で
おる。 Ql・・・エミッタホロワトランジスタ、CM・・・容
量、R1・・・抵抗、DE・・・差動増幅回路。 出願人代理人弁理士 鈴 江 武 彦 第1図 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ベースに入力信号が印加されるエミッタホロワトランジ
    スタと、 このエミッタホロワトランジスタのエミッタに一端が接
    続される抵抗と、 金属、絶縁層、半導体の順で組み合わされ、上記半導体
    側の端子が上記抵抗の他端に接続され、上記金属側の端
    子が次段回路の入力端子に接続される容量とを具備し、
    これらが半導体集積回路として構成されていることを特
    徴とする容量結合回路。
JP13936785A 1985-06-26 1985-06-26 容量結合回路 Granted JPS62110A (ja)

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JP13936785A JPS62110A (ja) 1985-06-26 1985-06-26 容量結合回路

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JP13936785A JPS62110A (ja) 1985-06-26 1985-06-26 容量結合回路

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JPS62110A true JPS62110A (ja) 1987-01-06
JPH0584964B2 JPH0584964B2 (ja) 1993-12-03

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ID=15243675

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JP13936785A Granted JPS62110A (ja) 1985-06-26 1985-06-26 容量結合回路

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JP (1) JPS62110A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4840149A (en) * 1987-07-07 1989-06-20 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Camshaft apparatus for an internal combustion engine

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52149056A (en) * 1976-06-07 1977-12-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Stability compensation method for emitter follower circuit

Patent Citations (1)

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JPS52149056A (en) * 1976-06-07 1977-12-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Stability compensation method for emitter follower circuit

Cited By (1)

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US4840149A (en) * 1987-07-07 1989-06-20 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Camshaft apparatus for an internal combustion engine

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Publication number Publication date
JPH0584964B2 (ja) 1993-12-03

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