JPH0584964B2 - - Google Patents

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JPH0584964B2
JPH0584964B2 JP60139367A JP13936785A JPH0584964B2 JP H0584964 B2 JPH0584964 B2 JP H0584964B2 JP 60139367 A JP60139367 A JP 60139367A JP 13936785 A JP13936785 A JP 13936785A JP H0584964 B2 JPH0584964 B2 JP H0584964B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitter
value
transistor
capacitive coupling
capacitance
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP60139367A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62110A (ja
Inventor
Takahiro Kusano
Takashi Koga
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication of JPS62110A publication Critical patent/JPS62110A/ja
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Description

【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕 この発明は半導体集積回路(以下、ICと称す
る)における容量結合回路に関する。 〔発明の技術的背景〕 IC内において、エミツタホロワトランジスタ
のエミツタを他の回路に容量結合する容量結合回
路としては、従来、実公昭47−20460号公報に示
されるような回路が知られている。 この公報に記載されている容量結合回路を第2
図及び第3図を用いて説明する。 第2図に示す回路は、エミツタホロワトランジ
スタQ1の出力をトランジスタQ2,Q3によつて構
成される差動増幅回路DEで増幅するものである。
ここで、上記公報に記載される容量結合回路は、
トランジスタQ1のエミツタを容量CMを介して差
動増幅回路DEの入力端子に与えるように構成さ
れる。 第3図は容量CMのIC構造を示すものである。
IC内では、容量CMはアルミニウム、絶縁層、半
導体の組み合せとして形成される。 IC内の容量は上記のような構造をしているた
め、IC内では、本来の容量CM(Metal)の他に、
容量CMのSi領域(Nepi)とICのアイソレーシヨ
ン領域P+との間に、寄生容量CJ(Junction)が形
成される。ICのアイソレーシヨン領域P+は、IC
の接合分離のため、通常、アース電位に設定され
る。このため、上記寄生容量CJは、容量CMのSi
領域(Nepi)とアースGNDとの間に形成され
る。 第2図においては、容量CMの端子のうち、寄
生容量CJが形成される半導体側の端子T1がトラ
ンジスタQ1のエミツタに接続され、金属側の端
子T2が差動増幅回路の入力端子に接続される。 上述した容量結合回路の特徴は、容量CMの接
続構成が上記の如く設定されているため、トラン
ジスタQ1のエミツタから差動増幅回路DEの入力
端子までの信号減衰がないことである。これに対
し、容量CMの接続構成を上記構成とは逆にする
と、すなわち、半導体側の端子T1差動増幅回路
DEの入力端子に接続するようにすると、次式(1)
で示される減衰量Aに従つて信号減衰が生ずる。 A=CM/CM+CJ ……(1) 〔背景技術の問題点〕 しかしながら、上述した従来の容量結合回路の
場合、寄生容量CJがトランジスタQ1のエミツタ
に直接接続されるため、トランジスタQ1が容量
負荷となる。その結果、トランジスタQ1の動作
が不安定となつたり、発振が生じたりする。 〔発明の目的〕 この発明は上記の事情に対処すべくなされたも
ので、IC内でエミツタホロワトランジスタのエ
ミツタを次段の回路に容量結合するに際し、上記
トランジスタの動作の安定化、発振防止を図るこ
とができる容量結合回路を提供することを目的と
する。 〔発明の概要〕 この発明は、エミツタホロワトランジスタのエ
ミツタと容量の半導体側端子との間に抵抗を挿入
することにより、上記の目的を達成するものであ
る。 〔発明の実施例〕 以下、図面を参照してこの発明の実施例を詳細
に説明する。 第1図は、この発明の一実施例の構成を示す回
路図である。なお、第1図において、先の第2図
と同一部には同一符号を付す。 第1図において、R1は抵抗で、一端はトラン
ジスタQ1のエミツタに接続され、他端は容量CM
の半導体側端子T1に接続されている。これによ
り、信号源SiからトランジスタQ1のベースに入
力された信号は、トランジスタQ1のエミツタか
ら抵抗R1、容量CMの直列接続回路を介して差動
増幅回路DEの入力端子に与えられる。 このように、第1図に示す容量結合回路は、ト
ランジスタQ1のエミツタと容量CMの半導体側端
子T1との間に、抵抗R1を挿入し、トランジスタ
Q1の負荷が容量負荷とならないようにすること
により、エミツタホロワトランジスタQ1の発振
及び不安定動作を防ぐものである。 なお、抵抗1の値は、抵抗R1と寄生容量CJとで
構成されるロウパスフイルタのカツトオフ周波数
c(次式(2)参照)が、伝送する信号帯域の上限
(max)より充分大きくなるように設定される。 c=1/2πCJR1>max ……(2) ところで、トランジスタQ1のエミツタと差動
増幅回路DEの入力端子間でのゲインGは次式(3)
で示す通りなので、信号減衰を防ぐには、抵抗
R1の値を抵抗R2の値より充分小さくすればよい。
〔発明の効果〕
このようにこの発明によれば、エミツタホロワ
トランジスタの発振、不安定動作を防止すること
ができる容量結合回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例の構成を説明する
ための回路図、第2図は従来の容量結合回路の構
成を説明するための回路図、第3図は容量のIC
構造の一例を示す図である。 Q1……エミツタホロワトランジスタ、CM……
容量、R1……抵抗、DE……差動増幅回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ベースに入力信号が印加されるエミツタフオ
    ロアトランジスタと、 このエミツタフオロアトランジスタのエミツタ
    に一端が接続された抵抗と、 金属、絶縁層、半導体の順で組み合わせられ、
    上記半導体側の端子が上記抵抗の他端に接続さ
    れ、上記金属側の端子が次段回路の入力端子に接
    続される容量と、 この容量を形成するために上記半導体に設けら
    れたアイソレーシヨン領域に生じる寄生容量とを
    具備し、 上記抵抗は、 c=1/(2πCJR1)> max 但し maxは伝送信号周波数帯域の上限 CJは上記寄生容量の値 CMは上記容量の値 R1は上記抵抗の値 となるように設定されていることを特徴とする容
    量結合回路。
JP13936785A 1985-06-26 1985-06-26 容量結合回路 Granted JPS62110A (ja)

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JPS62110A JPS62110A (ja) 1987-01-06
JPH0584964B2 true JPH0584964B2 (ja) 1993-12-03

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0455203Y2 (ja) * 1987-07-07 1992-12-25

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52149056A (en) * 1976-06-07 1977-12-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Stability compensation method for emitter follower circuit

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JPS62110A (ja) 1987-01-06

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