JPS62113347A - ウエハ−保持装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明はウェハーにイオンを注入するときのそのウェ
ハーを保持する保持装置に関する。

（従来の技術） ウェハーにイオンを注入する場合、そのウェハーを基盤
に固定して保持することは従来より行われている。第５
図はその従来の構成を示し、１はアルミニュームのよう
な熱伝導の良い材料からなる基盤で、その表面に接着剤
２によってラバー３が固定されである。４はこのラバー
３の表面に保持されるウェハーである。

ウェハー４とラバー３との密着性を良くしてウェハー４
から熱を吸収し易くするために、ウニ／Ｎ−４は押え具
５によってその周縁が押えられるようにして保持される
。この押え具５はバネ６によって下降力が与えられ、こ
の下降力によってウェハー４を保持している。７は基盤
１の内部に設けられである冷媒たとえば水、フレオンな
どが流通する冷媒通路である。ここを流れる冷媒によっ
て基盤１を冷却し、これによってイオン注入時のウェハ
ー４を冷却する。

ラバー３はウェハー４を弾力的に支持するのに使用され
るものであるが、従来では図に示すようにこのラバー３
の裏面全面を、基盤１の表面に接着剤２によって接着す
るようにしていた。しかしこのように全面的に接着した
場合、次のような不都合があった。

すなわち基盤１の表面には加工精度のバラツキなどによ
り微細の凹凸が存在することがあり、あるいはラバー３
の厚さにもバラツキがあり、そのためラバー３の表面に
微細な凹凸が現れる。このような凹凸が存在すると、如
何に押え具５によってウェハー４を押えても、ラバー３
の表面とウェハー４の裏面とが全面的に密着することが
できず。

どうしても局部的に接触する。そのため両者の間には非
接触部分が形成されるから、ウェハー４からの熱伝導が
損われる。したがってこれではウェハー４を充分に冷却
することができない。

これを回避するためにはウェハー４に対する押え具５に
よる押え力を高めて、ラバー３の表面の凹凸をなくする
ようにすればよいが、しかし押え具５による押え力を高
めても、ラバー３はその裏面全面が基盤１に接着剤２に
よって固定されているため、ラバー３はその横方向に向
かって逃げることができない。すなわちラバー３の弾性
の自由度が制限されてしまっているため、前記凹凸をな
くすまでにはつぶれにくい。

更に実際ではラバー３と接着剤２との間および接着剤２
と基盤１との間は、ラバー３の貼付は作業により完全に
接着されずに隙間が形成されることがあり、この隙間が
ウェハー４からの熱の伝達を阻害することがある。また
接着剤２の存在自体も前記したような熱の伝達の阻害原
因となることもある。

（発明が解決しようとする問題点） この発明はラバーの表面にウェハーを支持するにあたり
、ラバー、基盤の接着不良によるウェハーからの熱の伝
導が阻害されないようにすることを目的とする。

（問題点を解決するための手段） この発明はウェハーを支持するラバーをその周縁におい
て局部的に基盤に取り付けるようにし、これによってウ
ェハーを介してラバーに押え具による押え力が作用した
ときでも、基盤上の凹凸になじむように滑ることができ
るようにしたことを特徴とする。

（実施例） この発明の実施例を第１図によって説明する。

なお第５図と同じ符号を附した部分は同一または対応す
る部分を示す。この発明にしたがい、ラバー３をその周
縁において基盤１の表面に固定する。

第１図の例は接着剤２をラバー３の裏面周縁に塗布し、
これによって基盤１に固定するようにしている。

このようにラバー３を基盤１の表面に取り付けると、接
着剤２による接着部分以外の部分では、ラバー３の自由
度は特に制限を受けることはなく。

したがって基盤１に対してラバー３は自由に滑ることが
できるようになる。そのため第４図に示すように基盤１
の表面に凸部８が存在していたとしても、その上にのっ
たラバー３はこれに押え力が働くと、矢印Ａで示すよう
に凸部８を中心に左右に滑るようになる。この滑りによ
って凸部８に向い合うラバー３の表面には、なんら凸部
が生じないようになる。

この場合従来のようにラバー３が全面的に接着されてい
るときは、凸部８を中心とする左右の滑りは起きないの
で、凸部８に向い合うラバー３の表面には凸部８と相似
の凸部が生ずるようになる。

このことは１涌述した通りである。

以上の結果ラバー３とウェハー４とは互いに密に接触し
合い、従来よりもその接触面積が広くなるので、ウェハ
ー４からの熱は速やかにラバー３を介して基盤１に伝導
されてくる。また従来のようにラバー３の裏面全面に、
接着剤は存在しないので、接着剤層での熱抵抗はなくな
り、これによっても前記した熱の伝導は促進される。

本発明者の実験によれば、イオン注入にあたり従来構成
ではウェハーの表面温度が約１６０℃程度であったのが
、同じ注入条件であっても前記した実施例構成では、こ
れが約８０〜１００℃程度に低下したことが確認されて
いる。

第２図に示す実施例は、接着剤２の局部的な存在によっ
てともすれば基盤１とラバー３との間に隙間９が形成さ
れるようなことがあるが、このような隙間９が形成され
るようなことがあれば、この隙間９を冷媒通路として利
用し、ここに液体またはガス状の冷媒を流通するように
してもよい。

この場合はラバー３の裏面の全周縁を接着するようにし
ておけば、冷媒は外部に洩れてしまうようなことはない
。

以上の実施例は接着剤によりラバー３を取り付けるよう
にしているが、これに代えて第３図に示すように、基盤
１の表面のくさび状のくぼみ１０に、ラバー３の裏面の
周縁に設けた突出部１１を填め込むことによって、この
ラバー３を基盤１の表面に取り付けるようにしてもよい
。このようにするとラバー３の交換作業が簡単にできる
ので都合がよい。

（発明の効果） 以上詳述したようにこの発明によれば、ウェハーを保持
するのにラバーを使用する場合、これを支持する基盤１
の表面に凹凸があったとしても。

ラバーとウェハーとは確実に密着するようになり、した
がってウェハーからの熱が基盤に伝導されるのが阻害さ
れるといった不都合は、これをもって確実に回避できる
効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例を示す断面図、第２図はこの
発明の他の実施例を示す部分断面図、第３図はこの発明
の更に他の実施例を示す部分断面図、第４図は動作説明
用の断面図、第５図は従来例の断面図である。 １・・・基盤、２・・・接着剤、３・・・ラバー、４・
・・ウェハー、５・・・押え具、

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基盤の表面にラバーを介してウェハーを支持し、前記ウ
   ェハーの周縁を弾力的に押えて保持してなるウェハー保
   持装置において、前記ラバーをその周縁において局部的
   に前記基盤に取り付けてなるウェハー保持装置