JPS6254933A - 半導体ウエハの保持機構 - Google Patents
半導体ウエハの保持機構Info
- Publication number
- JPS6254933A JPS6254933A JP60193755A JP19375585A JPS6254933A JP S6254933 A JPS6254933 A JP S6254933A JP 60193755 A JP60193755 A JP 60193755A JP 19375585 A JP19375585 A JP 19375585A JP S6254933 A JPS6254933 A JP S6254933A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- contact
- thermal resistance
- wafer holding
- heat transfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体製造プロセスの中で、加工中のウェハ
温度を低くおさえる必要のある装置、特に、イオン打込
装置、エツチング装置に好適な、半導体ウェハ保持機構
である。
温度を低くおさえる必要のある装置、特に、イオン打込
装置、エツチング装置に好適な、半導体ウェハ保持機構
である。
従来イオン打込装置のウェハ冷却方法としては、第４図
のごとき方式が知られている。すなわち、特定の曲率半
径Ｒを有するウェハ受け２の上にクッション３を介して
ウェハ１を載置し、均一な荷重でウェハ１を密着させウ
ェハ受け２の方からウェハ１の放熱を行うものである。
のごとき方式が知られている。すなわち、特定の曲率半
径Ｒを有するウェハ受け２の上にクッション３を介して
ウェハ１を載置し、均一な荷重でウェハ１を密着させウ
ェハ受け２の方からウェハ１の放熱を行うものである。
このような方式は例えば特開昭５８−２１３４４０号の
公報で知られている。
公報で知られている。
しかしながら、この様な方式は特定の形状Ｒを加工する
のが困難であり、均一な荷重をかけて良好な放熱を行え
ないという欠点があった。
のが困難であり、均一な荷重をかけて良好な放熱を行え
ないという欠点があった。
本発明の目的は、ウェハの熱を効率良く放熱させるため
に、ウェハに密着させる面圧を高くし、接触熱抵抗を小
さくするため、ウェハ保持面を。
に、ウェハに密着させる面圧を高くし、接触熱抵抗を小
さくするため、ウェハ保持面を。
例えばレコード盤のように微少の凹凸を有する面とし、
凸面とウェハとの接触面圧が高くなる現象を利用しかつ
凹面も接触しやすい構造を採用し、接触熱抵抗を最少に
することにある。
凸面とウェハとの接触面圧が高くなる現象を利用しかつ
凹面も接触しやすい構造を採用し、接触熱抵抗を最少に
することにある。
真空中での熱伝達は、温度が２００℃以下の場合、接触
熱抵抗が中心で、対流・輻射の効果は期待できない、真
空中における接触熱抵抗は、たとえ１μｍといえども離
れると大きくなるため、ウェハ全面にいかに効率良く接
触させるかにより放熱に大きな差が発生する。そこで、
本発明は全面が均一な面圧にはならなくとも、はぼ全面
にわたり接触させるために、ウェハ保持面の凸部の弾力
を利用して、はぼ均一な接触面圧を得るように構成した
。
熱抵抗が中心で、対流・輻射の効果は期待できない、真
空中における接触熱抵抗は、たとえ１μｍといえども離
れると大きくなるため、ウェハ全面にいかに効率良く接
触させるかにより放熱に大きな差が発生する。そこで、
本発明は全面が均一な面圧にはならなくとも、はぼ全面
にわたり接触させるために、ウェハ保持面の凸部の弾力
を利用して、はぼ均一な接触面圧を得るように構成した
。
以下、本発明の一実施例を第１図、第２図、第３図およ
び第５図により説明する。
び第５図により説明する。
第１図に示す実施例は、平面状のウェハ受け２に、凹凸
状のウェハ保持面を有するクッション５が貼付けられ、
クッションの凹凸面側にウェハ１が置かれ、ウェハ１の
外周をウェハ押え４により押えられ、ウェハ１は、凹凸
状のウェハ保持面を有するクッション５に押しつけられ
る構造となっている。
状のウェハ保持面を有するクッション５が貼付けられ、
クッションの凹凸面側にウェハ１が置かれ、ウェハ１の
外周をウェハ押え４により押えられ、ウェハ１は、凹凸
状のウェハ保持面を有するクッション５に押しつけられ
る構造となっている。
１は保持されるウェハである。２はウェハ受けである。
５は、凹凸状のウェハ保持面を有するクッションである
。
。
第２図の場合は凸面状のウェハ受け２に、凹凸状のウェ
ハ保持面を有するクッション５が貼付けられ、クッショ
ンの凹凸面側にウェハ１が置かれ、ウェハ１の外周を４
ウエハ押えにより押えられ、ウェハ１は、凹凸状のウェ
ハ保持面を有するクッション５に押しつけられる構造と
なっている。第３図および第５図に第１〜図の凹凸面の
部分断面図を示す。第３図Ａは、ウェハが押しつけられ
ていない時の断面図である。凹凸の寸法り、Ｈは。
ハ保持面を有するクッション５が貼付けられ、クッショ
ンの凹凸面側にウェハ１が置かれ、ウェハ１の外周を４
ウエハ押えにより押えられ、ウェハ１は、凹凸状のウェ
ハ保持面を有するクッション５に押しつけられる構造と
なっている。第３図および第５図に第１〜図の凹凸面の
部分断面図を示す。第３図Ａは、ウェハが押しつけられ
ていない時の断面図である。凹凸の寸法り、Ｈは。
５クツシヨンの弾力性およびウェハの押しつけカー？−
により変るが、Ｌ＝０．１〜５ ｎｎ、Ｈ＝Ｏ，０ＯＯ
１〜０．１ｎｎの間で選択すれば、第５図に示すように
、はぼウェハ全面にクッションが変形し接触すると共に
、接触面圧も一様な面に接する場合と比較して高くなる
。さらにウェハの微小の浮き上りに対して、クッション
の変形が元に戻ることにより追従し、接触を保つことが
可能となる。
により変るが、Ｌ＝０．１〜５ ｎｎ、Ｈ＝Ｏ，０ＯＯ
１〜０．１ｎｎの間で選択すれば、第５図に示すように
、はぼウェハ全面にクッションが変形し接触すると共に
、接触面圧も一様な面に接する場合と比較して高くなる
。さらにウェハの微小の浮き上りに対して、クッション
の変形が元に戻ることにより追従し、接触を保つことが
可能となる。
イオン打込装置のように真空中のウェハの熱を有効に放
熱するためには、ウェハとクッションの間の１μオーダ
のスキ間も生じないようにする必要がある。またウェハ
外周を押えた場合、ウェハを受けるクッションの形状を
うまく選択すれば、ウェハの浮き上りはμオーダである
ため、クッションに付ける凹凸の高さ工（は、実験的に
確認したところ０．１Ｈ＋以下の値にとれば十分である
。凹凸ピッチＬはウェハ厚さ方向の熱伝達抵抗を考える
と、Ｌの値を大きくとると、熱伝達経路が長くなり、熱
抵抗が大きくなるため、ウェハ厚さに近い値とすると良
い。
熱するためには、ウェハとクッションの間の１μオーダ
のスキ間も生じないようにする必要がある。またウェハ
外周を押えた場合、ウェハを受けるクッションの形状を
うまく選択すれば、ウェハの浮き上りはμオーダである
ため、クッションに付ける凹凸の高さ工（は、実験的に
確認したところ０．１Ｈ＋以下の値にとれば十分である
。凹凸ピッチＬはウェハ厚さ方向の熱伝達抵抗を考える
と、Ｌの値を大きくとると、熱伝達経路が長くなり、熱
抵抗が大きくなるため、ウェハ厚さに近い値とすると良
い。
本発明によれば、ウェハとウェハ保持面の接触面圧が高
くなり、ウェハからウェハ受けへの熱伝達が増大し、ウ
ェハ冷却効果を高めることができる。また、ウェハの微
少な浮き上りに対し、ウェハ保持面の凸部変形が元に戻
るまでウェハの変形に追従し、接触を保つことができ、
局部的な浮き上りによる非接触部を小さくすることがで
き、ウェハからウェハ受けへの熱伝達に対し効果がある
。
くなり、ウェハからウェハ受けへの熱伝達が増大し、ウ
ェハ冷却効果を高めることができる。また、ウェハの微
少な浮き上りに対し、ウェハ保持面の凸部変形が元に戻
るまでウェハの変形に追従し、接触を保つことができ、
局部的な浮き上りによる非接触部を小さくすることがで
き、ウェハからウェハ受けへの熱伝達に対し効果がある
。
第１図は１本発明の凹凸状ウェハ保持面を有するウェハ
保持機構の概棟を示す断面図、第２図は。 本発明の保持面が凸状であるウェハ保持機構の断面図、
第３図および第５図は、凹凸状のウェハ保持面の機構を
部分拡大した部分断面図、第４図は、従来から用いられ
ているウェハ保持面が凸状であるウェハ保持機構の断面
図である。 １・・・ウェハ、２・・・ウェハ受け、３・・・クッシ
ョン、４・・・ウェハ押え、５・・・凹凸状のウェハ保
持面を有するクッション。
保持機構の概棟を示す断面図、第２図は。 本発明の保持面が凸状であるウェハ保持機構の断面図、
第３図および第５図は、凹凸状のウェハ保持面の機構を
部分拡大した部分断面図、第４図は、従来から用いられ
ているウェハ保持面が凸状であるウェハ保持機構の断面
図である。 １・・・ウェハ、２・・・ウェハ受け、３・・・クッシ
ョン、４・・・ウェハ押え、５・・・凹凸状のウェハ保
持面を有するクッション。
Claims (1)
- １、熱伝導シート付きウェハ受けとウェハ周縁を締付け
る装置より成るウェハ保持装置において、熱伝導シート
のウェハ保持面上に、ピッチ０．１〜５ｍｍ、高低差０
．１ｍｍ以下の微小凸面を設けたことを特徴とする半導
体ウェハの保持機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60193755A JPS6254933A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 半導体ウエハの保持機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60193755A JPS6254933A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 半導体ウエハの保持機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6254933A true JPS6254933A (ja) | 1987-03-10 |
Family
ID=16313269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60193755A Pending JPS6254933A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 半導体ウエハの保持機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6254933A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6199623B1 (en) * | 1997-06-30 | 2001-03-13 | James W. Franks | Tissue chuck |
| US6250374B1 (en) * | 1998-01-12 | 2001-06-26 | Anelva Corporation | Apparatus and method for treating substrates |
-
1985
- 1985-09-04 JP JP60193755A patent/JPS6254933A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6199623B1 (en) * | 1997-06-30 | 2001-03-13 | James W. Franks | Tissue chuck |
| US6250374B1 (en) * | 1998-01-12 | 2001-06-26 | Anelva Corporation | Apparatus and method for treating substrates |
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