JPS62115865A - 光電変換装置の駆動方法 - Google Patents
光電変換装置の駆動方法Info
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- JPS62115865A JPS62115865A JP60255027A JP25502785A JPS62115865A JP S62115865 A JPS62115865 A JP S62115865A JP 60255027 A JP60255027 A JP 60255027A JP 25502785 A JP25502785 A JP 25502785A JP S62115865 A JPS62115865 A JP S62115865A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光電変換装置、詳しくは半導体トランジスタの
制御電極領域上にキャバンタ電極を備える光電変換素子
を複数個配置１した光電変換装置に関するものである。
制御電極領域上にキャバンタ電極を備える光電変換素子
を複数個配置１した光電変換装置に関するものである。
［従来技術］
従来、ＣＣＤ、ＭＯＳ等のイメージセンナを用いたＴＶ
カメラ、Ｓｖカメラ等において絞り機能を持ったものが
ある。このようなオート絞り機能のあるＴＶカメラ、Ｓ
ｖカメラ等を備えている光電変換装置としては特開昭６
０−１２７５９号公報〜特開昭８０−１２７８５号公報
に記載されている光電変換装置がある。
カメラ、Ｓｖカメラ等において絞り機能を持ったものが
ある。このようなオート絞り機能のあるＴＶカメラ、Ｓ
ｖカメラ等を備えている光電変換装置としては特開昭６
０−１２７５９号公報〜特開昭８０−１２７８５号公報
に記載されている光電変換装置がある。
この光電変換装置は゛ト導体トランジスタの制御電極り
にキャパシタを４１している光センサセルを複数個配列
した光センサ部から成っている。
にキャパシタを４１している光センサセルを複数個配列
した光センサ部から成っている。
第３図は光゛１［変換装置ｔ１の回路図、第４図はその
タイミング・チャートを示す図である。
タイミング・チャートを示す図である。
これらの図において、光センサセル１００１１・φのキ
ャパシタ電極１０１ −・・は駆動ラインに共通に接続
されていて、コレクタ電極＋０２ ・・φは正′市圧端
子に共通に接続されている。
ャパシタ電極１０１ −・・は駆動ラインに共通に接続
されていて、コレクタ電極＋０２ ・・φは正′市圧端
子に共通に接続されている。
そして駆動端子は駆動ラインと接続されている。
この駆ｅＥｉ７−には、光センサセル１００−−・を駆
動するためのパルス信号が印加されるようになっており
、光センサセル１００ ・・−のエミッタ端子１０３
・・・は垂直信号ラインと接続され、リセット用のＦ
Ｅ Ｔ １０４ ・・愉を介して共通に接続されると共
にアース端子ＧＮＤと接続されている。
動するためのパルス信号が印加されるようになっており
、光センサセル１００ ・・−のエミッタ端子１０３
・・・は垂直信号ラインと接続され、リセット用のＦ
Ｅ Ｔ １０４ ・・愉を介して共通に接続されると共
にアース端子ＧＮＤと接続されている。
またＦ Ｅ Ｔ １０４ ・・−のゲート電極はリセッ
ト端子に共通に接続されている。
ト端子に共通に接続されている。
Ｆ Ｅ Ｔ １０４ ・・・はスイッチング用の電界効
果トランジスタである。
果トランジスタである。
准直信号ラインは、Ｆ Ｅ Ｔ １０５ ・・・を介し
て蓄積キャパシタ＋０６ ・・・と接続されると共に
ＦＥＴｌ０７ ・・・のソース電極とも接続されており
、このＦ Ｅ Ｔ １０７ ・−争のドレイン電極は水
平（５号ラインに共通に接続され、Ｆ Ｅ Ｔ １０５
のゲート電極は制御端子に共通に接続される。
て蓄積キャパシタ＋０６ ・・・と接続されると共に
ＦＥＴｌ０７ ・・・のソース電極とも接続されており
、このＦ Ｅ Ｔ １０７ ・−争のドレイン電極は水
平（５号ラインに共通に接続され、Ｆ Ｅ Ｔ １０５
のゲート電極は制御端子に共通に接続される。
また、Ｆ Ｅ Ｔ １０７のゲート′屯極は走査回路１
０８の出力端子に接続される。
０８の出力端子に接続される。
水乎信すラインは、出力増幅器１０９を介して外部出力
端子と接続されると共にＦＥＴｌｌ０を介してアース端
子ＧＮＤとも接続される。
端子と接続されると共にＦＥＴｌｌ０を介してアース端
子ＧＮＤとも接続される。
またＦ Ｅ Ｔ １０７のグー ト端子はリセット端子
と接続されている。
と接続されている。
ここで用いているＦ Ｅ Ｔ １１０は、水平ラインを
リセットするための電界効果トランジスタである。
リセットするための電界効果トランジスタである。
次に第３図の回路の動作を第４図のタイミングチャート
により説明する。
により説明する。
先ず、制御端子及びリセット端子を共にＨレベルにする
。するとクセ−２ト期間には蓄積キャパシタｌ０ｆｉ−
・−に蓄積された光情報がリセットされる。
。するとクセ−２ト期間には蓄積キャパシタｌ０ｆｉ−
・−に蓄積された光情報がリセットされる。
そして光センサセル１００−−−に蓄積されている光情
報の読出しは、制御端子がＨレベル、リセット期間がＬ
レベルのとき、駆動端子に読出し用のパルス信号を印加
することにより、光情報が東直信号ライン上に読出され
て、蓄積キャパシタ１０６ ・・・に光情報が蓄積され
る。
報の読出しは、制御端子がＨレベル、リセット期間がＬ
レベルのとき、駆動端子に読出し用のパルス信号を印加
することにより、光情報が東直信号ライン上に読出され
て、蓄積キャパシタ１０６ ・・・に光情報が蓄積され
る。
このように読出し用のパルス信号がＨレベルの時に光セ
ンサセルｌＯＯ・・・の読出しが開始し、所定期間経過
後には読出し用のパルス信号がＬレベルになり読出しが
終了する。
ンサセルｌＯＯ・・・の読出しが開始し、所定期間経過
後には読出し用のパルス信号がＬレベルになり読出しが
終了する。
また制御端子がＬレベル、リセット端子がＨレベルの際
には、リフレッシュ動作状態となり、光センサセル１０
０ ・・・に蓄積された光情報が消去される。
には、リフレッシュ動作状態となり、光センサセル１０
０ ・・・に蓄積された光情報が消去される。
そしてリフレッシュ用のパルス信号がＬレベルになりリ
フレッシュ動作を終了する。
フレッシュ動作を終了する。
つまり、次に再び読出し動作状態になるまでの期間が光
センサセル１００にキャリヤを蓄積する蓄Ｊ＋ｌｉ期間
である。
センサセル１００にキャリヤを蓄積する蓄Ｊ＋ｌｉ期間
である。
また、走査回路＋０８の各出力端子からのパルス信呼は
、シフトするタイミングに従ってＦＥＴｌ０７を順番に
オンする。
、シフトするタイミングに従ってＦＥＴｌ０７を順番に
オンする。
この走査回路１０８の水平走査によって蓄積キャパシタ
１０６ ・・拳に蓄えられている光情報がンリアルに木
モライン上に読出され、出力増幅器１０９で増幅された
後に外部出力端子から出力される。
１０６ ・・拳に蓄えられている光情報がンリアルに木
モライン上に読出され、出力増幅器１０９で増幅された
後に外部出力端子から出力される。
このように蓄積キャパシタ１０８ ・φ・に蓄えられた
全ての光情報の読出しが終了すると、再び最初のリセッ
ト期間に戻る。
全ての光情報の読出しが終了すると、再び最初のリセッ
ト期間に戻る。
そして以上の動作が縁返し行なわれる。
［９，明が解決しようとする問題点］
光電変換装置においては、任、ａの蓄積時間に光センサ
セル内で発生する暗電圧のバラツキのために、光センサ
セルから読出された出力信号に雑音が含まれてしまうこ
とがある。
セル内で発生する暗電圧のバラツキのために、光センサ
セルから読出された出力信号に雑音が含まれてしまうこ
とがある。
このため従来から光センサセル内で発生する暗電流分に
相当する出力信号を弱部にレファレンス光情報として外
部記憶装置に記憶し、このレファレンス光情報よりのレ
ファレンス出力信号と光センサセルから、洗出された実
際の光情報の出力信すを比較することによって補正を行
ない、暗電圧に起因する２１ ｉ’ｒ ＩＡ分を除去し
ようとしたものがある。
相当する出力信号を弱部にレファレンス光情報として外
部記憶装置に記憶し、このレファレンス光情報よりのレ
ファレンス出力信号と光センサセルから、洗出された実
際の光情報の出力信すを比較することによって補正を行
ない、暗電圧に起因する２１ ｉ’ｒ ＩＡ分を除去し
ようとしたものがある。
しかし、このような従来の光電変換装置においては、光
電変換装置のシステム化を図ろうとする場合に、別に外
部回路が必要となるためにシステムがより複雑化してし
まうという問題がある。
電変換装置のシステム化を図ろうとする場合に、別に外
部回路が必要となるためにシステムがより複雑化してし
まうという問題がある。
本発明はかかる実状に鑑みなされたもので、光電変換素
子から読出した光情報を蓄積する光情報蓄積手段と共に
光電変換素子から読出した暗電圧分に相当する電圧を蓄
わえる暗電圧蓄積手段を備え、前記光情報蓄積手段に蓄
えられた実際の光情報と、前記暗電圧蓄積手段に蓄えら
れた暗電圧分に相当する情報とを別個の出力ライン上に
同時に読出すことによって、暗電圧分に相当する情報を
光センサセルごとに補正し、その出力信号の中から暗電
圧のバラツキに起因する雑音を除去することを目的とし
ている。
子から読出した光情報を蓄積する光情報蓄積手段と共に
光電変換素子から読出した暗電圧分に相当する電圧を蓄
わえる暗電圧蓄積手段を備え、前記光情報蓄積手段に蓄
えられた実際の光情報と、前記暗電圧蓄積手段に蓄えら
れた暗電圧分に相当する情報とを別個の出力ライン上に
同時に読出すことによって、暗電圧分に相当する情報を
光センサセルごとに補正し、その出力信号の中から暗電
圧のバラツキに起因する雑音を除去することを目的とし
ている。
［問題点を解決するための手段］
本発明は」二足問題点を解決するために、半導体トラン
ジスタの制御電極領域上にキャパシタ電極を備えた光電
変換素子を複数個配置し、前記光電変換素子をライン毎
に１素子づつ順次選択し、選択された光電変換素子の制
御電極の電位を前記キャパシタ電極を介して制御し、前
記制御電極領域にキャリヤを蓄積し、その蓄積；直に応
じた電圧を読出す動作を行なう光電変換装置において、
前記光電変換素子から読出した光情報を蓄積する光情報
蓄積手段と、光電変換素子から読出した暗電圧分に相当
する電圧を蓄わえる暗電圧蓄積手段を備え、前記光情報
蓄積手段に蓄えた実際の光情報と、前記暗電圧蓄積−Ｌ
段に蓄えられた暗電圧分に相当する情報を別個の情報出
力ライン上に同時に読出すようにしたことを特徴とする
光゛市変換装置を提供するものである。
ジスタの制御電極領域上にキャパシタ電極を備えた光電
変換素子を複数個配置し、前記光電変換素子をライン毎
に１素子づつ順次選択し、選択された光電変換素子の制
御電極の電位を前記キャパシタ電極を介して制御し、前
記制御電極領域にキャリヤを蓄積し、その蓄積；直に応
じた電圧を読出す動作を行なう光電変換装置において、
前記光電変換素子から読出した光情報を蓄積する光情報
蓄積手段と、光電変換素子から読出した暗電圧分に相当
する電圧を蓄わえる暗電圧蓄積手段を備え、前記光情報
蓄積手段に蓄えた実際の光情報と、前記暗電圧蓄積−Ｌ
段に蓄えられた暗電圧分に相当する情報を別個の情報出
力ライン上に同時に読出すようにしたことを特徴とする
光゛市変換装置を提供するものである。
［作用］
上記の手段によって、暗電圧蓄積手段に蓄えられた暗電
圧分に相当する情報を別個の情報出力ライン上に同時に
読出すと共に暗電圧に相当する情報を光センサセルごと
に補正し、出力信号の中から暗電圧のバラツキに起因す
る雑音を除去する。
圧分に相当する情報を別個の情報出力ライン上に同時に
読出すと共に暗電圧に相当する情報を光センサセルごと
に補正し、出力信号の中から暗電圧のバラツキに起因す
る雑音を除去する。
従って、暗電圧分に相ちする雑音をセンサ内で、処理す
ることができるため、外部回路等が必安どならず、シス
テム構成が平易にでき、低価格の光電変換装置を提供す
ることができる。
ることができるため、外部回路等が必安どならず、シス
テム構成が平易にでき、低価格の光電変換装置を提供す
ることができる。
［実施例］
以ド１本発明の一実施例を添付図面に基づいて詳細に説
明する。
明する。
第１図は本実施例光電変換装この回路図である。
この図において、符号ｌは光電変換素子である光センサ
セルで、この光センサセル１は一次元的に配列されてい
る。
セルで、この光センサセル１は一次元的に配列されてい
る。
光センサセル１のキャパシタ電極２は駆動ラインに共通
に接続されると共に駆動端子に接続されており、光セン
サセル１のコレクタ電極３は正電圧端子にＪ（通に接続
されている。
に接続されると共に駆動端子に接続されており、光セン
サセル１のコレクタ電極３は正電圧端子にＪ（通に接続
されている。
また光センサセルｌのエミッタ電極４は、垂直ライン５
と接続されており、この前向ライン５はＦＥＴ６を介し
て共通に接続され、ＦＥＴ６はアース端Ｔ７に接続され
る。
と接続されており、この前向ライン５はＦＥＴ６を介し
て共通に接続され、ＦＥＴ６はアース端Ｔ７に接続され
る。
＋１１１ 記Ｆ Ｅ ７６のゲート電極にはリセット端
子が共通に接続されている。
子が共通に接続されている。
また垂直ライン５にはＦＥＴ８を介して、キャパシタ９
とＦＥＴｌ０のソース電極が接続されており、キャパシ
タ９はアースライン１１を介してアース端子１２が接続
されている。
とＦＥＴｌ０のソース電極が接続されており、キャパシ
タ９はアースライン１１を介してアース端子１２が接続
されている。
キャパシタ９は電荷蓄積用のキャパシタである。
ＦＥＴｌ０のゲート電極は走査回路１３の出力端子１４
と接続され、ＦＥＴｌ０のトレイン電極は水平ライン１
５を介して出力増幅器１６と接続されている。この出力
増幅器１６の出力側は外部出力端子１７と接続され、外
部出力端子１７から出力電圧が取出される。
と接続され、ＦＥＴｌ０のトレイン電極は水平ライン１
５を介して出力増幅器１６と接続されている。この出力
増幅器１６の出力側は外部出力端子１７と接続され、外
部出力端子１７から出力電圧が取出される。
またＦＥＴｌ０のゲート電極はＦＥＴ１８のグー 上電
極とも接続されており、ＦＥＴ１８のトレイン電極は出
力ライン１９を介して出力増幅器２０と接続されている
。
極とも接続されており、ＦＥＴ１８のトレイン電極は出
力ライン１９を介して出力増幅器２０と接続されている
。
この出力増幅器２０の出力側は外部出力端子２１と接続
されていて、外部出力端子２１から出力電圧が取出され
る。
されていて、外部出力端子２１から出力電圧が取出され
る。
更にＦＥＴ１８のソース電極はＦＥＴ２２を介して重置
ライン５とも接続されている。
ライン５とも接続されている。
本実施例では以」二の他に、ＦＥＴ１８のソース電極と
ＦＥＴ２２間に垂直ライン２３を介してキャパシタ２４
の一方の電極部が接続され、キャパシタ２４のもう一方
の電極部は前記アースライン１１に接続されている。
ＦＥＴ２２間に垂直ライン２３を介してキャパシタ２４
の一方の電極部が接続され、キャパシタ２４のもう一方
の電極部は前記アースライン１１に接続されている。
このキャパシタ２４が暗電圧蓄積用のキャパシタである
。
。
次に本実施例の動作について説明する。
第２図のタイミング−チャート図に示すように、光セン
サセルト・・には光照射蓄積期間における光蓄ａ動作に
より、光量に応じた光情報を蓄積する。
サセルト・・には光照射蓄積期間における光蓄ａ動作に
より、光量に応じた光情報を蓄積する。
先ず、光情報読出し期間になるまでの一定期間の間に、
光センサセルト・・は光照射によりキャリヤの蓄積動作
をする。そして、リセット期間においては制御端子及び
リセット端子が共にＨレベルとなり、キャパシタ９に蓄
えられた電荷をリセットする。
光センサセルト・・は光照射によりキャリヤの蓄積動作
をする。そして、リセット期間においては制御端子及び
リセット端子が共にＨレベルとなり、キャパシタ９に蓄
えられた電荷をリセットする。
次に、制御端子をＨレベル、リセット端子をＬレベルと
して、駆動端子に読出し川のパルス電圧が印加されると
、光センサセル１・・ｅに蓄積された光情報は、垂直ラ
イン１−に読出される。
して、駆動端子に読出し川のパルス電圧が印加されると
、光センサセル１・・ｅに蓄積された光情報は、垂直ラ
イン１−に読出される。
そしてキャパシタ９に光情報が蓄積される。
光情報読出し期間終了後、リセット端子をＨレベルにし
て駆動端子にリフレッシュ用のパルス電圧を印加すれば
、光センサセルト・争がリフレッシュ状態となり、光セ
ンサセルト・・内に蓄積した光情報が消去する。
て駆動端子にリフレッシュ用のパルス電圧を印加すれば
、光センサセルト・争がリフレッシュ状態となり、光セ
ンサセルト・・内に蓄積した光情報が消去する。
リフレッシュ期間終了後には、光センサセルト・・を−
・時的に遮光し、遮光期間とする。
・時的に遮光し、遮光期間とする。
この際、光センサセルト・・には暗状態において発生す
る暗電圧の蓄積が行なわれる。
る暗電圧の蓄積が行なわれる。
、ここで暗電圧蓄積期間と光照射蓄積期間とが同じ時間
になるように設定する。
になるように設定する。
次に、暗電圧読出し端子とリセット端子を共にＨレベル
にすることによって、リセット期間中にキャパシタ２４
に蓄えられた電荷をリセットする。
にすることによって、リセット期間中にキャパシタ２４
に蓄えられた電荷をリセットする。
光センサセルト・・に蓄積された暗電圧分に相当する光
情報は、暗電圧読出し用端子をＨレベル、リセット端子
−をＬレベルとし、駆動端子に読出し用のパルス電圧Ｅ
ｒを印加し、垂直ライン５」−に読出す。
情報は、暗電圧読出し用端子をＨレベル、リセット端子
−をＬレベルとし、駆動端子に読出し用のパルス電圧Ｅ
ｒを印加し、垂直ライン５」−に読出す。
このようにしてキャパシタ２４に暗電圧が蓄積される。
この暗電圧読出し期間終了後に、暗電圧読出用端ＴをＬ
レベル、リセット端子をＨレベルとして、駆動端子にリ
フレッシュ用のパルス電圧ＥＯを印加して、光センサセ
ルト拳・をリフレッシュ状態にする。
レベル、リセット端子をＨレベルとして、駆動端子にリ
フレッシュ用のパルス電圧ＥＯを印加して、光センサセ
ルト拳・をリフレッシュ状態にする。
そして、ある一定時間経過後にリフレッシュ用のパルス
’ｉ［ＪＥをＬレベルにすると、リフレッシュ期間が終
了すると共に遮光期間が終了し、さらにリセット端子を
Ｌレベルにする。
’ｉ［ＪＥをＬレベルにすると、リフレッシュ期間が終
了すると共に遮光期間が終了し、さらにリセット端子を
Ｌレベルにする。
次に、走査回路１３の出力端子１４からの出力パルスが
シフトするタイミングに従ってＦＥＴ１０、ＦＥＴ１８
を順次オンする。
シフトするタイミングに従ってＦＥＴ１０、ＦＥＴ１８
を順次オンする。
この水モ走査によってキャパシタ９に蓄えられた光情報
が直列に水平ライン１５上に読出される。また、この読
出しに回期して、暗電圧分に相当する情報を出力ライン
１９土に読出す。
が直列に水平ライン１５上に読出される。また、この読
出しに回期して、暗電圧分に相当する情報を出力ライン
１９土に読出す。
このように、水セライン１５上に読出された光情報は、
出力増幅器１６を通して外部出力端子１７に出力され、
−力出力ライン１９上に読出された暗電圧分に相当する
情報は、出力増幅器２０を通して外部出力端子２１に出
力され、この外部出力端ｒ−から出力電圧が取出される
。
出力増幅器１６を通して外部出力端子１７に出力され、
−力出力ライン１９上に読出された暗電圧分に相当する
情報は、出力増幅器２０を通して外部出力端子２１に出
力され、この外部出力端ｒ−から出力電圧が取出される
。
そして一定期間後には水モ走査期間が終了し、再びリセ
ット期間に戻り、それ以降は、以上の動作を繰り返し行
なう。
ット期間に戻り、それ以降は、以上の動作を繰り返し行
なう。
本実施例における光電変換装置は以上のように動作する
ため、暗電圧による３１ 、Ｍを除去するために、従来
の光電変換装置のような付加的な外部回路も必要となら
ず、システム構成が平易にできるから、低価格の光電変
換装置にしたいという要望にも応じることができるよう
になる。
ため、暗電圧による３１ 、Ｍを除去するために、従来
の光電変換装置のような付加的な外部回路も必要となら
ず、システム構成が平易にできるから、低価格の光電変
換装置にしたいという要望にも応じることができるよう
になる。
尚、Ｌ記実施例においては、個別ラインにに同時に読出
された実際の光情報と、暗電圧分に相当する情報を出力
回路部２５において出力増幅器１６，２０を用いて増幅
し、外部に出力するようにしているが、このような構成
に限定されず、出力回路部２５を差動増幅器等に置き喚
え、実際の光情報からその中に含まれる暗電圧外に相当
する情報を差し引いた分の光情報を外部に出力するよう
にしたものであってもよいことは言うまでもない。
された実際の光情報と、暗電圧分に相当する情報を出力
回路部２５において出力増幅器１６，２０を用いて増幅
し、外部に出力するようにしているが、このような構成
に限定されず、出力回路部２５を差動増幅器等に置き喚
え、実際の光情報からその中に含まれる暗電圧外に相当
する情報を差し引いた分の光情報を外部に出力するよう
にしたものであってもよいことは言うまでもない。
また本実施例では、暗電圧蓄積期間と光照射期間とを同
時間に設定したがこれに限定されない。
時間に設定したがこれに限定されない。
例えば光センサセルト・・における暗電圧の発生量と暗
電圧蓄積時間との間の関係を有効に利用することによっ
て、暗電圧蓄積時間を光照射時間より短かくし、出力回
路部２５の出力増幅器１６．２０の利得を個々に調整し
たもの、または蓄積用キャパシタ９・・・、２４・・・
のイ１を調整することにより、上記実施例と同等の結果
が得られるようにしたものであってもよいことは言うま
でもない。
電圧蓄積時間との間の関係を有効に利用することによっ
て、暗電圧蓄積時間を光照射時間より短かくし、出力回
路部２５の出力増幅器１６．２０の利得を個々に調整し
たもの、または蓄積用キャパシタ９・・・、２４・・・
のイ１を調整することにより、上記実施例と同等の結果
が得られるようにしたものであってもよいことは言うま
でもない。
更に本実施例では光センサセルを一次元的に並へたもの
について説明したがこれのみに限定されないことは言う
までもない。
について説明したがこれのみに限定されないことは言う
までもない。
［発明の効果］
−に記のように、光電変換素子から読出した光情報を蓄
積する光情報蓄積手段と、光電変換素子から読出した暗
電圧外に相ちする電圧を蓄わえる暗電圧蓄積手段を備え
、前記光情報蓄積手段に蓄えた実際の光情報と、前記暗
電圧、Ｖ積手段に蓄えられた暗電圧外に相当する情報を
別個の出力ライン上に同時に読出すようにしたため、光
センサセルから読出した実際の光情報を外部に出力する
際に、その中に含む暗電圧に相当する情報を光センサセ
ルごとに補正し、出力信号の中から暗電圧のバラツキに
起因する雑音を除去することができる。 また、従来の
光電変換装置のように付加的な外部回路を必要としない
ために、システム構成を平易にＳでき、経済的な光電変
換装とにしたいという要望にも応じることができる。
積する光情報蓄積手段と、光電変換素子から読出した暗
電圧外に相ちする電圧を蓄わえる暗電圧蓄積手段を備え
、前記光情報蓄積手段に蓄えた実際の光情報と、前記暗
電圧、Ｖ積手段に蓄えられた暗電圧外に相当する情報を
別個の出力ライン上に同時に読出すようにしたため、光
センサセルから読出した実際の光情報を外部に出力する
際に、その中に含む暗電圧に相当する情報を光センサセ
ルごとに補正し、出力信号の中から暗電圧のバラツキに
起因する雑音を除去することができる。 また、従来の
光電変換装置のように付加的な外部回路を必要としない
ために、システム構成を平易にＳでき、経済的な光電変
換装とにしたいという要望にも応じることができる。
第１図は本実施例光電変換装置の回路図、第２図はその
タイミング・チャート図、第３図は光電変換装置の回路
図、第４図はそのタイミング・チャートを示すものであ
る。 符号の説明 ｌは光電変換素子 ２はキャパシタ電極 ９は光情報蓄積手段 １５．１９は情報出力ライン ２４は暗電圧蓄積手段 代理人弁理七 山 下 穣 ｆ −手続７市正書（方式） 昭和６１年２月１２日
タイミング・チャート図、第３図は光電変換装置の回路
図、第４図はそのタイミング・チャートを示すものであ
る。 符号の説明 ｌは光電変換素子 ２はキャパシタ電極 ９は光情報蓄積手段 １５．１９は情報出力ライン ２４は暗電圧蓄積手段 代理人弁理七 山 下 穣 ｆ −手続７市正書（方式） 昭和６１年２月１２日
Claims (1)
- 半導体トランジスタの制御電極領域上にキャパシタ電極
を備えた光電変換素子を複数個配置し、前記光電変換素
子をライン毎に１素子づつ順次選択し、選択された光電
変換素子の制御電極の電位を前記キャパシタ電極を介し
て制御し、前記制御電極領域にキャリヤを蓄積し、その
蓄積量に応じた電圧を読出す動作を行なう光電変換装置
において、前記光電変換素子から読出した光情報を蓄積
する光情報蓄積手段と、光電変換素子から読出した暗電
圧分に相当する電圧を蓄わえる暗電圧蓄積手段とを備え
、前記光情報蓄積手段に蓄えた実際の光情報と、前記暗
電圧蓄積手段に蓄えた暗電圧分に相当する情報を別個の
情報出力ライン上に同時に読出すようにしたことを特徴
とする光電変換装置。
Priority Applications (17)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60255027A JPH0720219B2 (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 光電変換装置の駆動方法 |
| DE3689707T DE3689707T2 (de) | 1985-11-15 | 1986-11-14 | Photoelektrische Wandlervorrichtung. |
| DE3650666T DE3650666T2 (de) | 1985-11-15 | 1986-11-14 | Photoelektrische Wandlervorrichtung |
| AT86308920T ATE102775T1 (de) | 1985-11-15 | 1986-11-14 | Photoelektrische wandlervorrichtung. |
| CA000523041A CA1333091C (en) | 1985-11-15 | 1986-11-14 | Photoelectric transducer apparatus |
| ES93202454T ES2112381T3 (es) | 1985-11-15 | 1986-11-14 | Aparato transductor fotoelectrico. |
| EP93202454A EP0576104B1 (en) | 1985-11-15 | 1986-11-14 | Photoelectric transducer apparatus |
| AT93202454T ATE163498T1 (de) | 1985-11-15 | 1986-11-14 | Photoelektrische wandlervorrichtung |
| EP86308920A EP0232593B1 (en) | 1985-11-15 | 1986-11-14 | Photoelectric transducer apparatus |
| US07/547,996 US5331421A (en) | 1985-11-15 | 1990-06-13 | Solid state image pickup apparatus |
| US07/587,647 US5019702A (en) | 1985-11-15 | 1990-09-25 | Photoelectric transducer apparatus having a plurality of transducer elements and a plurality of capacitor elements |
| CA000616899A CA1338250C (en) | 1985-11-15 | 1994-08-10 | Photoelectric transducer apparatus |
| US08/512,017 US5737016A (en) | 1985-11-15 | 1995-08-07 | Solid state image pickup apparatus for reducing noise |
| US08/705,002 US5771070A (en) | 1985-11-15 | 1996-08-29 | Solid state image pickup apparatus removing noise from the photoelectric converted signal |
| US09/040,275 US6747699B2 (en) | 1985-11-15 | 1998-03-18 | Solid state image pickup apparatus |
| US10/122,722 US20020167601A1 (en) | 1985-11-15 | 2002-04-16 | Solid state image pickup apparatus |
| US10/656,825 US20040046879A1 (en) | 1985-11-15 | 2003-09-08 | Solid state image pickup apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60255027A JPH0720219B2 (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 光電変換装置の駆動方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8099908A Division JP2603459B2 (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62115865A true JPS62115865A (ja) | 1987-05-27 |
| JPH0720219B2 JPH0720219B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=17273164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60255027A Expired - Lifetime JPH0720219B2 (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 光電変換装置の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0720219B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1985
- 1985-11-15 JP JP60255027A patent/JPH0720219B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| EP0909086A3 (en) * | 1997-10-06 | 1999-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of driving image sensor |
| US6950132B1 (en) | 1997-10-06 | 2005-09-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor and method for driving an image sensor for reducing fixed pattern noise |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0720219B2 (ja) | 1995-03-06 |
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