JPS62117236A - 集積回路構造のための改良された金属ケイ化物ヒューズの形成方法 - Google Patents
集積回路構造のための改良された金属ケイ化物ヒューズの形成方法Info
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- JPS62117236A JPS62117236A JP61259561A JP25956186A JPS62117236A JP S62117236 A JPS62117236 A JP S62117236A JP 61259561 A JP61259561 A JP 61259561A JP 25956186 A JP25956186 A JP 25956186A JP S62117236 A JPS62117236 A JP S62117236A
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- Semiconductor Memories (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Fuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
発明の分野
この発明は、集積回路構造に関する。より特定的には、
この発明は集積回路構造において用いられ得るヒユーズ
に関する。
この発明は集積回路構造において用いられ得るヒユーズ
に関する。
先行技術の説明
集積回路構造、たとえばプログラム可能リードオンリメ
モリ装置（ＦＲＯＭ）の構成において、可溶性のリンク
が、各メモリセル内に設けられる。
モリ装置（ＦＲＯＭ）の構成において、可溶性のリンク
が、各メモリセル内に設けられる。
ヒユーズを飛ばすように、特定のセルに充分な電流を流
すことにより、そのとき書込シーケンス間で、選択され
たヒユーズが飛ばされる。
すことにより、そのとき書込シーケンス間で、選択され
たヒユーズが飛ばされる。
このような目的のためのヒユーズの利用は、しかしなが
ら、問題がないわけではない。もしニクロムのような合
金が、ヒユーズ材料として用いられるなら、ηモばされ
たヒユーズからの間隙に隣接したままである、導電性の
残留物は、後にこのような残留物の拡散により、再度、
間隙を閉鎖することがあり得る。さらに、もしヒユーズ
の寸法が、厚さも含めて維持されないならば、ヒユーズ
を介して流された電流の量はヒユーズを飛ばすのにも充
分でなく、または、もし電流が充分に高いならば、ヒユ
ーズが飛ぶ間に発生される余分の熱が、不所望の熱量を
発生する可能性がある。これらの問題は、先行技術にお
いて或る程度まで処理されている。
ら、問題がないわけではない。もしニクロムのような合
金が、ヒユーズ材料として用いられるなら、ηモばされ
たヒユーズからの間隙に隣接したままである、導電性の
残留物は、後にこのような残留物の拡散により、再度、
間隙を閉鎖することがあり得る。さらに、もしヒユーズ
の寸法が、厚さも含めて維持されないならば、ヒユーズ
を介して流された電流の量はヒユーズを飛ばすのにも充
分でなく、または、もし電流が充分に高いならば、ヒユ
ーズが飛ぶ間に発生される余分の熱が、不所望の熱量を
発生する可能性がある。これらの問題は、先行技術にお
いて或る程度まで処理されている。
ビーリックに与えられた米国特許第４，０３２゜９４９
号および第４．０８９，７３４号は、多層構造を用いる
集積回路構造のためのプラチナヒユーズの構造を述べて
いて、そこではプラチナヒユーズ層の上および下の層が
除去され、そのためヒユーズが飛ばされるとき、発生さ
れる熱がサブストレート内に直接に通過するのを妨げる
ように、ヒユーズはサブストレートと直接に接触しない
。
号および第４．０８９，７３４号は、多層構造を用いる
集積回路構造のためのプラチナヒユーズの構造を述べて
いて、そこではプラチナヒユーズ層の上および下の層が
除去され、そのためヒユーズが飛ばされるとき、発生さ
れる熱がサブストレート内に直接に通過するのを妨げる
ように、ヒユーズはサブストレートと直接に接触しない
。
モシヅキ他に与えられた米国特許第４，４１３゜２７２
号は、ヒユーズ構造に開口窓を設け、それによって飛ば
されたヒユーズの分離した部分の間に、ヒユーズか保護
被覆で覆われるときよりも広い間隙を与える。
号は、ヒユーズ構造に開口窓を設け、それによって飛ば
されたヒユーズの分離した部分の間に、ヒユーズか保護
被覆で覆われるときよりも広い間隙を与える。
ホルムバーブ他に与えられた米国特許第４，４９９．５
５７号は、可溶性のリンクに遭遇され得るいくつかの難
点を述べている。飛ばされたヒユーズにおける小さな間
隙が、間隙に隣接したままである導電性材料の累積によ
り、再度、密閉され得ることを特許権者は認めている。
５７号は、可溶性のリンクに遭遇され得るいくつかの難
点を述べている。飛ばされたヒユーズにおける小さな間
隙が、間隙に隣接したままである導電性材料の累積によ
り、再度、密閉され得ることを特許権者は認めている。
完全でかつプログラム可能な、ヒユーズの飛びを保証す
るように、ヒユーズは厚さを含む正確な寸法で（を成さ
れなければならないこともまた、指摘されている。
るように、ヒユーズは厚さを含む正確な寸法で（を成さ
れなければならないこともまた、指摘されている。
この場合、特３′［権者はこのような問題を解決するよ
うに試みるよりもむしろ、このようなヒユーズの代用と
なる代わりの装置を提供する。
うに試みるよりもむしろ、このようなヒユーズの代用と
なる代わりの装置を提供する。
プライスに与えられた米国特許第４，０４２゜９５０号
および第４．１３５，２９５号は、ともにこの出願の譲
受人に譲渡されているが、金属ケイ化物ヒユーズを開示
しかつその権利を請求し、そこではポリシリコン層がま
ず装置に位置され、かつヒユーズを規定するようにパタ
ーン化され、その後金属ケイ化物を形成するようにポリ
シリコンと反応することが可能なプラチナのような金属
層の生成が続く。その構造物はそれから、金属ナイ化物
を形成するように焼結され、その後残余の金属たとえば
プラチナが除去される。
および第４．１３５，２９５号は、ともにこの出願の譲
受人に譲渡されているが、金属ケイ化物ヒユーズを開示
しかつその権利を請求し、そこではポリシリコン層がま
ず装置に位置され、かつヒユーズを規定するようにパタ
ーン化され、その後金属ケイ化物を形成するようにポリ
シリコンと反応することが可能なプラチナのような金属
層の生成が続く。その構造物はそれから、金属ナイ化物
を形成するように焼結され、その後残余の金属たとえば
プラチナが除去される。
このような金属ケイ化物ヒユーズは、ケイ化物材料が他
の金属または合金のようにともに逆流したりしないため
、先行技術の金属または合金のヒユーズ、たとえばニク
ロムまたはプラチナよりも高い信頼性を提供する。さら
に、金属ケイ化物ヒユーズを飛ばすためには、先行技術
の、等しい寸法のポリシリコンヒユーズはど電流が必要
ではない。
の金属または合金のようにともに逆流したりしないため
、先行技術の金属または合金のヒユーズ、たとえばニク
ロムまたはプラチナよりも高い信頼性を提供する。さら
に、金属ケイ化物ヒユーズを飛ばすためには、先行技術
の、等しい寸法のポリシリコンヒユーズはど電流が必要
ではない。
このような金属ケイ化物ヒユーズ構造の利用はさらに、
サブストレートコンタクト区域上のポリシリコンおよび
金属ケイ化物層の領域内にショットキーダイオード構造
の同時形成を可能にし、またサブストレートの絶縁部分
上にケイ化物ヒユーズを形成する。このような構造は、
この発明の譲受人に譲渡されてもいる、シュラツブに与
えられた米国特許第４．５１８，９８１号に述べられ、
かつ権利を請求されている。
サブストレートコンタクト区域上のポリシリコンおよび
金属ケイ化物層の領域内にショットキーダイオード構造
の同時形成を可能にし、またサブストレートの絶縁部分
上にケイ化物ヒユーズを形成する。このような構造は、
この発明の譲受人に譲渡されてもいる、シュラツブに与
えられた米国特許第４．５１８，９８１号に述べられ、
かつ権利を請求されている。
集積回路構造における金属ケイ化物材料の利用は当然、
一般的には新しくない。たとえば、国際電子装置大会（
ＩＥＤＭ）で１９８４年に刊行された「１ミクロンより
小さなＶＬＳＩのための新しい装置相互接続機構Ｊ
（Ａ Ｎｅｗ ＤｅｖｌｃａＩｎｔｅｒｃｏｎｎｅ
ｃｔ Ｓｃｈｅｇｌｅ Ｆｏｒ Ｓｕｂ−Ｍｉｃ
ｒｏｎ ＶＬＳＩ ）と題される論文の１１８頁から
１２１頁において、チェン他は、まず耐火性の金属層を
生成し、かつそれから金属ケイ化物相互接続の形成より
先にシリコン層を生成し、かつパターン化することで耐
火性の金属ケイ化物相互接続の形成を述べている。
一般的には新しくない。たとえば、国際電子装置大会（
ＩＥＤＭ）で１９８４年に刊行された「１ミクロンより
小さなＶＬＳＩのための新しい装置相互接続機構Ｊ
（Ａ Ｎｅｗ ＤｅｖｌｃａＩｎｔｅｒｃｏｎｎｅ
ｃｔ Ｓｃｈｅｇｌｅ Ｆｏｒ Ｓｕｂ−Ｍｉｃ
ｒｏｎ ＶＬＳＩ ）と題される論文の１１８頁から
１２１頁において、チェン他は、まず耐火性の金属層を
生成し、かつそれから金属ケイ化物相互接続の形成より
先にシリコン層を生成し、かつパターン化することで耐
火性の金属ケイ化物相互接続の形成を述べている。
しかしながら、金属ケイ化物ヒユーズを利用しても、特
にヒユーズの厚さに関してヒユーズを飛ばすのに必要と
される電流の変化を減じるのと同様に、ヒユーズを介し
て流れる電流の総量も減じるようにζゴー法の安定性を
提供する必要性が残る。
にヒユーズの厚さに関してヒユーズを飛ばすのに必要と
される電流の変化を減じるのと同様に、ヒユーズを介し
て流れる電流の総量も減じるようにζゴー法の安定性を
提供する必要性が残る。
さらに、まずポリシリコン層を設け、それから金属層を
設け、最後に金属ケイ化物を形成するように祠料を焼結
することによりヒユーズが形成されるとき、ヒユーズの
抵抗を正確に制御することは困難である。その理由は、
ポリシリコンの生成を正確に制御することが困難なので
、余分のものが通常、用いられるからである。この余分
ｍのポリシリコンは、金属ケイ化物層の下に残り、かつ
ケイ化物層に損傷を与えることなしには除去され得ない
。ポリシリコンは導体であるため、ヒユーズ区域におけ
る金属ケイ化物の下のこの余分量のポリシリコンは、ヒ
ユーズの抵抗を変化させ、かつこうしてヒユーズを飛ば
すのに必要な電流の二を変化させる。さらに、ポリシリ
コンの抵抗率が温度とともに変化するので、ヒユーズを
飛ばずのに必要な電流の量は温度に依存する。
設け、最後に金属ケイ化物を形成するように祠料を焼結
することによりヒユーズが形成されるとき、ヒユーズの
抵抗を正確に制御することは困難である。その理由は、
ポリシリコンの生成を正確に制御することが困難なので
、余分のものが通常、用いられるからである。この余分
ｍのポリシリコンは、金属ケイ化物層の下に残り、かつ
ケイ化物層に損傷を与えることなしには除去され得ない
。ポリシリコンは導体であるため、ヒユーズ区域におけ
る金属ケイ化物の下のこの余分量のポリシリコンは、ヒ
ユーズの抵抗を変化させ、かつこうしてヒユーズを飛ば
すのに必要な電流の二を変化させる。さらに、ポリシリ
コンの抵抗率が温度とともに変化するので、ヒユーズを
飛ばずのに必要な電流の量は温度に依存する。
発明の要約
この発明の目的は、それゆえ、集積回路構造のための改
良された金属ケイ化物ヒユーズを提供することである。
良された金属ケイ化物ヒユーズを提供することである。
この発明の他の目的は、ヒユーズ層の厚さおよび抵抗率
が制御される、集積回路構造のための改良された金属ケ
イ化物ヒユーズを提供することである。
が制御される、集積回路構造のための改良された金属ケ
イ化物ヒユーズを提供することである。
この発明のさらに他の目的は、金属ケイ化物ヒユーズ層
を形成するのに用いられる金属の量により、ヒユーズ層
の厚さが制御される、集積回路構造のための改良された
金属ケイ化物ヒユーズを提供することである。
を形成するのに用いられる金属の量により、ヒユーズ層
の厚さが制御される、集積回路構造のための改良された
金属ケイ化物ヒユーズを提供することである。
この発明のさらに他の目的は、ケイ化物を形成するよう
にシリコンと反応できる特定された金属層を、まずサブ
ストレート上に生成し、それから金属層上にアモルファ
スシリコン層を配置さけ、かつケイ化物を形成するよう
に、その構造を焼結することにより金属ケイ化物ヒユー
ズ層の厚さか制御される、集積回路構造のための改良さ
れた金属ケイ化物ヒユーズを提供することである。
にシリコンと反応できる特定された金属層を、まずサブ
ストレート上に生成し、それから金属層上にアモルファ
スシリコン層を配置さけ、かつケイ化物を形成するよう
に、その構造を焼結することにより金属ケイ化物ヒユー
ズ層の厚さか制御される、集積回路構造のための改良さ
れた金属ケイ化物ヒユーズを提供することである。
この発明のさらに他の目的は、ケイ化物の形成の後、金
属ケイ化物ヒユーズ層」二に残る余分のアモルファスシ
リコンを除去することによりヒユーズ層の厚さが制御さ
れる、集積回路構造のための改良された金属ケイ化物ヒ
ユーズを提供することである。
属ケイ化物ヒユーズ層」二に残る余分のアモルファスシ
リコンを除去することによりヒユーズ層の厚さが制御さ
れる、集積回路構造のための改良された金属ケイ化物ヒ
ユーズを提供することである。
この発明のこれらおよび他の目的は、以下の説明および
添付の図面から明らかとなるであろう。
添付の図面から明らかとなるであろう。
この発明に従って、集積回路構造のための改良された金
属ケイ化物ヒユーズは、ケ・イ化物を形成するようにシ
リコンと反応できる周η］の厚さの金属層をまず生成し
、それから金属上に余分量のアモルファスシリコンを生
成し、かつケイ化物の形成より先に所望のヒユーズ寸法
を形成するようにそれをパターン化することにより形成
される、金属ケイ化物層を含む。金属ケイ化物ヒユーズ
上の余分のシリコンはそれから、ケイ化物の形成の後、
除去される。ゲイ化物を形成する金属の厚さの制御は、
再生可能な厚さのヒユーズをそれによって形成するよう
に形成された、ケイ化物の厚さを）ｉ制御する。
属ケイ化物ヒユーズは、ケ・イ化物を形成するようにシ
リコンと反応できる周η］の厚さの金属層をまず生成し
、それから金属上に余分量のアモルファスシリコンを生
成し、かつケイ化物の形成より先に所望のヒユーズ寸法
を形成するようにそれをパターン化することにより形成
される、金属ケイ化物層を含む。金属ケイ化物ヒユーズ
上の余分のシリコンはそれから、ケイ化物の形成の後、
除去される。ゲイ化物を形成する金属の厚さの制御は、
再生可能な厚さのヒユーズをそれによって形成するよう
に形成された、ケイ化物の厚さを）ｉ制御する。
好ましい実施例の説明
この発明の金属ケイ化物ヒユーズは、制御された厚さを
特徴とし、それは金属ケイ化物を形成するように、後に
設けられてシリコンと反応できる制御された量の金属の
最初の生成物により再生可能である。この金属の厚さを
制御し、かつそれからその金属上に余分葺のシリコンを
設けることにより金属ケイ化物の再生可能な厚さが形成
され、かつ金属ケイ化物上の反応されない余分のシリコ
ンか除去され得る。このような厚さの制御を、シリコン
層の正確なパターン化と結び付けると、一定断面の正確
でかつ再生可能なヒユーズが提供され、それは順にヒユ
ーズを飛ばすために、電流を周知の量たけ必要とする。
特徴とし、それは金属ケイ化物を形成するように、後に
設けられてシリコンと反応できる制御された量の金属の
最初の生成物により再生可能である。この金属の厚さを
制御し、かつそれからその金属上に余分葺のシリコンを
設けることにより金属ケイ化物の再生可能な厚さが形成
され、かつ金属ケイ化物上の反応されない余分のシリコ
ンか除去され得る。このような厚さの制御を、シリコン
層の正確なパターン化と結び付けると、一定断面の正確
でかつ再生可能なヒユーズが提供され、それは順にヒユ
ーズを飛ばすために、電流を周知の量たけ必要とする。
第２図ないし第１１図は、この発明の改良された金属ケ
イ化物ヒユーズ構造の構成を、段階ごとのシーケンスで
例示する。さて、第２図に注目すると、シリコンサブス
トレート２は、シリコン二酸化物の層１０かそこに形成
され、それは生成された層、たとえばＣＶＤまたは熱成
長された層であってもよい。
イ化物ヒユーズ構造の構成を、段階ごとのシーケンスで
例示する。さて、第２図に注目すると、シリコンサブス
トレート２は、シリコン二酸化物の層１０かそこに形成
され、それは生成された層、たとえばＣＶＤまたは熱成
長された層であってもよい。
第３図に示されるように、層１０に開口１６がパターン
化され、ここに相互参照かなされた前記シュラツブの特
許で述べられるように、たとえばショットキーダイオー
ドのようなサブストレート上の装置に形成されるヒユー
ズからの第１のコンタクトを形成する。代わりに、開口
１６はそこに酸化物層１０を形成する前にサブストレー
ト２をマスキングすることにより形成されてもよい。
化され、ここに相互参照かなされた前記シュラツブの特
許で述べられるように、たとえばショットキーダイオー
ドのようなサブストレート上の装置に形成されるヒユー
ズからの第１のコンタクトを形成する。代わりに、開口
１６はそこに酸化物層１０を形成する前にサブストレー
ト２をマスキングすることにより形成されてもよい。
第４図に示されるように、ケイ化物を形成するように反
応できる金属層２０が、それから層１６」二に設けられ
る。このような金属はここでは、この発明の目的のため
に規定されている「ケイ化物金属」と時に呼ばれ、導電
性金属ケイ化物を形成するようにシリコンと反応できる
いかなる金属も同様である。このような金属は、たとえ
ばチタンまたはジルコニウム、ニッケル、コバルトまた
はプラチナ金属の１つのような、耐火性の金属を含む。
応できる金属層２０が、それから層１６」二に設けられ
る。このような金属はここでは、この発明の目的のため
に規定されている「ケイ化物金属」と時に呼ばれ、導電
性金属ケイ化物を形成するようにシリコンと反応できる
いかなる金属も同様である。このような金属は、たとえ
ばチタンまたはジルコニウム、ニッケル、コバルトまた
はプラチナ金属の１つのような、耐火性の金属を含む。
金属は約２５ないし１０００オングストローム、好まし
くは約１００ないし５００オングストローム、また最も
好ましくは、約１５０ないし２５０オングストロームの
深さまでスパッタすることにより設けられてもよい。金
属ケイ化物の形成に用いるための好ましい金属は、好ま
しくは約１５０ないし２５０オングストローム、かつ最
も好ましくは約２００オングストロームの厚さまで設け
られるプラチナである。厚さは、たとえば周知の４点プ
ローブ測定技術を用いてモニタされてもよい。
くは約１００ないし５００オングストローム、また最も
好ましくは、約１５０ないし２５０オングストロームの
深さまでスパッタすることにより設けられてもよい。金
属ケイ化物の形成に用いるための好ましい金属は、好ま
しくは約１５０ないし２５０オングストローム、かつ最
も好ましくは約２００オングストロームの厚さまで設け
られるプラチナである。厚さは、たとえば周知の４点プ
ローブ測定技術を用いてモニタされてもよい。
設けられた金属の厚さの制御はこの発明の非常に重要な
部分であり、なぜならこの厚さが、生じた金属ケイ化物
の州を究極的に制御し、それは順にヒユーズの厚さを制
御する、なぜなら反応しない余分のシリコンかすべて除
去されるからであるということに注目されるべきである
。
部分であり、なぜならこの厚さが、生じた金属ケイ化物
の州を究極的に制御し、それは順にヒユーズの厚さを制
御する、なぜなら反応しない余分のシリコンかすべて除
去されるからであるということに注目されるべきである
。
第５図では、その構造は金属層２０上にシリコン層３０
を設けられて例示される。好ましくは、シリコン層３０
は以下でアモルファスシリコンと呼ばれる、非−結晶シ
リコン材料を含む。ポリシリコン層を形成するのに通常
、用いられる温度はケ・イ化温度（５６ｏ℃）よりも高
いので、アモルファスシリコンの（り用はポリシリコン
上が望ましく、かつ形成段階の後、しかし金属ケイ化物
鳴の形成には望ましくない区域から、シリコンを除去す
るためのケイ化段階より先にシリコンをマスキングし、
かつエツチングすることが望ましい。もしポリシリコン
がケイ化段階より先にシリコンのパターン化を可能にす
る態様で設けられ得るなら、そのときそれはアモルファ
スシリコンの代わりに用いられてもよい。
を設けられて例示される。好ましくは、シリコン層３０
は以下でアモルファスシリコンと呼ばれる、非−結晶シ
リコン材料を含む。ポリシリコン層を形成するのに通常
、用いられる温度はケ・イ化温度（５６ｏ℃）よりも高
いので、アモルファスシリコンの（り用はポリシリコン
上が望ましく、かつ形成段階の後、しかし金属ケイ化物
鳴の形成には望ましくない区域から、シリコンを除去す
るためのケイ化段階より先にシリコンをマスキングし、
かつエツチングすることが望ましい。もしポリシリコン
がケイ化段階より先にシリコンのパターン化を可能にす
る態様で設けられ得るなら、そのときそれはアモルファ
スシリコンの代わりに用いられてもよい。
シリコン層が生成によって形成されるとき、金属ケイ化
物を形成した後、余分のシリコンの存在を保証するため
に約４００オングストロームまたはそれ以上のアモルフ
ァスシリコンか設けられる。
物を形成した後、余分のシリコンの存在を保証するため
に約４００オングストロームまたはそれ以上のアモルフ
ァスシリコンか設けられる。
アモルファスシリコン層３０を設けた後、シリコンはマ
スキングされ、かつそれからプラズマエツチングされ、
蚊ネクタイパターンを規定する、下に横たわる金属層２
０の部分２２および２４を露呈し、ヒユーズが第６図の
３６で示される狭い可溶性部分で形成される。
スキングされ、かつそれからプラズマエツチングされ、
蚊ネクタイパターンを規定する、下に横たわる金属層２
０の部分２２および２４を露呈し、ヒユーズが第６図の
３６で示される狭い可溶性部分で形成される。
代わりに、下に横たわる層１６」−に金１（層２０をス
パッタした後、金属層２０上にシリコンをスパッタする
ことにより、アモルファスシリコン層３０か形成されて
もよい。しかしながら、金属ケイ化物の形成が望ましく
ない区域からシリコンを除去するために、ケイ化段階よ
り先にシリコン層３０を依然マスキングし、かつエツチ
ングしなければならない。スパッタすることによりシリ
コン層３０を設ける利点は、ケイ化物金属層２０を設け
るのに用いられる同一の装置の利用が可能なことと、シ
リコン層３０の厚さを、より正確に制御することができ
ることである。
パッタした後、金属層２０上にシリコンをスパッタする
ことにより、アモルファスシリコン層３０か形成されて
もよい。しかしながら、金属ケイ化物の形成が望ましく
ない区域からシリコンを除去するために、ケイ化段階よ
り先にシリコン層３０を依然マスキングし、かつエツチ
ングしなければならない。スパッタすることによりシリ
コン層３０を設ける利点は、ケイ化物金属層２０を設け
るのに用いられる同一の装置の利用が可能なことと、シ
リコン層３０の厚さを、より正確に制御することができ
ることである。
さて、約１０分ないし４０分間、好ましくは約１５分な
いし３０分間、特定のケイ化物金属に依存して約２００
℃から１０００℃までの焼結温度まで、たとえばプラチ
ナに対しては約２０分間、約５６０℃の温度まで、その
構造を加熱することにより金属ケイ化物が形成される。
いし３０分間、特定のケイ化物金属に依存して約２００
℃から１０００℃までの焼結温度まで、たとえばプラチ
ナに対しては約２０分間、約５６０℃の温度まで、その
構造を加熱することにより金属ケイ化物が形成される。
アモルファスシリコン層３０下の金属層２０全体は、第
７図で示されるように層４０上に余分量のアモルファス
シリコン３０′を残す金属ケイ化物層４０を形成するよ
うに、シリコンと反応する。
７図で示されるように層４０上に余分量のアモルファス
シリコン３０′を残す金属ケイ化物層４０を形成するよ
うに、シリコンと反応する。
第８図および第９図の両方で例示されるように、下に横
たわるシリコンザブストレート で接触させる金属層２０は、金属層２ ０ １＝−のア
モルファスシリコン層３０およびシリコンサブストレー
ト１０の両方と反応し、開口１６内に金属ケイ化物部分
４２を形成し、それによって残余のシリコンサブストレ
ート１０を用いて、ショットキーダイオードを形成する
。
たわるシリコンザブストレート で接触させる金属層２０は、金属層２ ０ １＝−のア
モルファスシリコン層３０およびシリコンサブストレー
ト１０の両方と反応し、開口１６内に金属ケイ化物部分
４２を形成し、それによって残余のシリコンサブストレ
ート１０を用いて、ショットキーダイオードを形成する
。
金属ケイ化物層４０の形成に続いて、余分のアモルファ
スシリコン材料３０”がプラズマエツチングにより除去
され、狭いヒユーズ区域４６ならびに第８図に見られる
ように、ケイ化物を形成するように金属層２０と反応す
るアモルファスシリコンが存在しなかった残余の金属部
り〕２２および２４を含むパターン化された金属ケイ化
物層４０を露呈する。
スシリコン材料３０”がプラズマエツチングにより除去
され、狭いヒユーズ区域４６ならびに第８図に見られる
ように、ケイ化物を形成するように金属層２０と反応す
るアモルファスシリコンが存在しなかった残余の金属部
り〕２２および２４を含むパターン化された金属ケイ化
物層４０を露呈する。
前記のように、代わりの実施例ではシリコン層３０もま
た、スパッタすることにより設けられてもよく、その場
合、金属層２０における前に生成された金属全体と反応
するのに必要な二を与えるように、充分に生成されたア
モルファスシリコンの二を制御することか可能となるか
もしれない。
た、スパッタすることにより設けられてもよく、その場
合、金属層２０における前に生成された金属全体と反応
するのに必要な二を与えるように、充分に生成されたア
モルファスシリコンの二を制御することか可能となるか
もしれない。
これは、余分のアモルファスシリコンがないために、金
属ケイ化物層４０上の反応しない余分のシリコン３（Ｉ
を除去する必要性を効果的になくする。
属ケイ化物層４０上の反応しない余分のシリコン３（Ｉ
を除去する必要性を効果的になくする。
金属部分２２および２４はそれから、金属ケイ化物と反
応しない王水のような選択的エツチング剤を用いて除去
される。アルミニウム層のような金属層はそれから、第
１０図および第１１図で例示されるように、ヒユーズの
ための他方のコンタクト６０を形成するように、たとえ
ばＴｉＷマスクを用いて設けられ、かつパターン化され
る。金属コンタクトを形成した後、保護ガラス層（図示
せず）が、そのときヒユーズに設けられてもよい。
応しない王水のような選択的エツチング剤を用いて除去
される。アルミニウム層のような金属層はそれから、第
１０図および第１１図で例示されるように、ヒユーズの
ための他方のコンタクト６０を形成するように、たとえ
ばＴｉＷマスクを用いて設けられ、かつパターン化され
る。金属コンタクトを形成した後、保護ガラス層（図示
せず）が、そのときヒユーズに設けられてもよい。
この発明の新たなヒユーズ４６は、こうしてアモルファ
スシリコンをパターン化し、かつ下に横たわる金属区域
に厚さを正確に制御することによって、正確でかつ再生
可能な長さおよび断面区域を与えられ、それは結果的に
、周知の厚さ、長さおよび幅の金属ゲイ化物を形成する
ことになる。
スシリコンをパターン化し、かつ下に横たわる金属区域
に厚さを正確に制御することによって、正確でかつ再生
可能な長さおよび断面区域を与えられ、それは結果的に
、周知の厚さ、長さおよび幅の金属ゲイ化物を形成する
ことになる。
さらに、ケイ化物反応の後に残る、反応しないいかなる
余分のアモルファスシリコンも除去されるので、金属ケ
イ化物ヒユーズ４６の深さまたは厚さは、金属層２０の
厚さを限定することにより所望の薄さにされ得る。こう
して、順により少ない熱を発生するヒユーズを飛ばすよ
うに、より低い電流が用いられてもよい。
余分のアモルファスシリコンも除去されるので、金属ケ
イ化物ヒユーズ４６の深さまたは厚さは、金属層２０の
厚さを限定することにより所望の薄さにされ得る。こう
して、順により少ない熱を発生するヒユーズを飛ばすよ
うに、より低い電流が用いられてもよい。
第１図は、この発明の新しいヒユーズの形成方法を例示
するフローシートである。 第２図ないし第５図は、この発明のヒユーズ形成のシー
ケンシャルな段階を例示する、集積回路構造の側断面図
である。 第６図は、この発明のヒユーズ形成における先の段階を
例示する上面図である。 第７図は、この発明のヒユーズ形成における他の段階の
側断面図である。 第８図は、この発明のヒユーズ形成における次の段階を
示す上面図である。 第９図は、ライン１−Ｉに沿って破断された第８図の側
断面図である。 第１０図は、この発明の完成後のヒユーズ構造の上面図
である。 第１１図は、ライン■−■に沿って破断された、第１０
図に示された完成したヒユーズ構造の側面図である。 図において、２．１０はシリコンサブストレート、１６
は開口、２０は金属層、３０はシリコン層、３０′はア
モルファスシリコン材料、４０は金属ケイ化物層、４６
はヒユーズ、６０はコンタクトである。 特許出願人 アドバンスト・マイクロ・ディバＮ
ＣＯ づ つ・ ＋ （イ）す
するフローシートである。 第２図ないし第５図は、この発明のヒユーズ形成のシー
ケンシャルな段階を例示する、集積回路構造の側断面図
である。 第６図は、この発明のヒユーズ形成における先の段階を
例示する上面図である。 第７図は、この発明のヒユーズ形成における他の段階の
側断面図である。 第８図は、この発明のヒユーズ形成における次の段階を
示す上面図である。 第９図は、ライン１−Ｉに沿って破断された第８図の側
断面図である。 第１０図は、この発明の完成後のヒユーズ構造の上面図
である。 第１１図は、ライン■−■に沿って破断された、第１０
図に示された完成したヒユーズ構造の側面図である。 図において、２．１０はシリコンサブストレート、１６
は開口、２０は金属層、３０はシリコン層、３０′はア
モルファスシリコン材料、４０は金属ケイ化物層、４６
はヒユーズ、６０はコンタクトである。 特許出願人 アドバンスト・マイクロ・ディバＮ
ＣＯ づ つ・ ＋ （イ）す
Claims (27)
- （１）集積回路構造のための改良された金属ケイ化物ヒ
ューズであって、制御された厚さを特徴とし、かつケイ
化物を形成するように、シリコンと反応できる予め定め
られた量の金属および或る量のシリコンから形成され、
それは前記下に横たわる金属全体と反応するのに必要な
量を超えて、その上に生成され、かつケイ化物の形成よ
り先に、所望のヒューズの幅および長さを形成するよう
にパターン化され、そのため、前記反応ならびに余分の
シリコンおよび金属のその後の除去により、制御された
厚さを有する金属ケイ化物ヒューズ層が残る、集積回路
構造のための改良された金属ケイ化物ヒューズ。 - （２）金属ケイ化物を形成するように、シリコンと反応
できる前記金属がニッケル、コバルト、耐火性の金属お
よびプラチナ金属からなる組から選ばれる、特許請求の
範囲第１項に記載の金属ケイ化物ヒューズ構造。 - （３）前記金属がプラチナを含む、特許請求の範囲第２
項に記載の金属ケイ化物ヒューズ構造。 - （４）前記金属がチタンを含む、特許請求の範囲第２項
に記載の金属ケイ化物ヒューズ構造。 - （５）前記シリコンがアモルファスシリコンを含む、特
許請求の範囲第２項に記載の金属ケイ化物ヒューズ構造
。 - （６）ケイ化物を形成するように、シリコンと反応でき
る前記予め定められた量の前記金属層が、２５オングス
トロームから１０００オングストロームまでの厚さの層
を含み、それによって前記金属ケイ化物層の厚さが、前
記ケイ化物を形成するようにそこに与えられた、前記シ
リコン層と反応するために利用可能な金属の量によって
制御される、特許請求の範囲第２項に記載の金属ケイ化
物ヒューズ構造。 - （７）前記金属ケイ化物層のヒューズ部分が、前記集積
回路構造に前に設けられた絶縁体層上に形成される、特
許請求の範囲第６項に記載の構造。 - （８）前記絶縁体層がシリコン酸化物層を含む、特許請
求の範囲第６項に記載の構造。 - （９）前記金属ケイ化物層の一部分が前記集積回路構造
上に、下に横たわるシリコン層を用いてショットキーダ
イオードを形成する、特許請求の範囲第２項に記載の構
造。 - （１０）集積回路構造のための改良されたプラチナケイ
化物ヒューズであって、予め定められた量のプラチナお
よび前記プラチナ上の或る量のシリコンを特徴とし、そ
れは前記下に横たわるプラチナ全体と反応するのに必要
な量を超えていて、ケイ化物の形成より先に、所望のヒ
ューズの幅および長さを形成するのにパターン化され、
そのため前記反応ならびに余分のシリコンおよびプラチ
ナのその後の除去により、制御された厚さを有するプラ
チナケイ化物ヒューズ層が残る、集積回路構造のための
改良されたプラチナケイ化物ヒューズ。 - （１１）制御された厚さを有する、集積回路構造のため
の改良された金属ケイ化物ヒューズを形成する方法であ
って、それは、 ａ）ケイ化物を形成するように、シリコンと反応できる
予め定められた量の金属層を、前記下層構造に形成する
段階と、 ｂ）前記下に横たわる金属全体と反応するのに必要な量
を超えたシリコン層を、前記金属上に形成する段階と、 ｃ）ケイ化物の形成より先に、所望のヒューズの幅およ
び長さを形成するように前記シリコンをパターン化する
段階と、 ｄ）所望の金属ケイ化物を形成するように、前記金属お
よび前記シリコンを反応させるのに充分な温度まで、前
記構造を加熱する段階とを含む、改良された金属ケイ化
物ヒューズを形成する方法。 - （１２）前記構造から、前記シリコンおよび前記金属の
反応しない部分を除去する、さらに他の段階を含む、特
許請求の範囲第１１項に記載の方法。 - （１３）前記金属層の形成より先に、前記下層構造上に
絶縁体材料の層を形成する、さらに他の段階を含む、特
許請求の範囲第１２項に記載の方法。 - （１４）前記絶縁体層の下の前記構造の導電部分に通じ
る、少なくとも１個の開口を設けるために、前記絶縁体
層をパターン化する、さらに他の段階を含む、特許請求
の範囲第１３項に記載の方法。 - （１５）前記絶縁体層をパターン化する前記段階は、前
記下に横たわるシリコンサブストレートに、少なくとも
１個の開口を設ける段階を含み、それによって前記金属
層および前記アモルファスシリコン層から前記金属ケイ
化物を形成するように、前記構造を加熱する前記後続の
段階が、前記開口で前記金属ケイ化物と前記シリコンサ
ブストレートの間にショットキーダイオードを形成する
、特許請求の範囲第１４項に記載の方法。 - （１６）前記予め定められた量の前記金属を、前記構造
上に形成する前記段階が、約２５オングストロームから
１０００オングストロームまでの厚さを有する前記金属
層を、前記絶縁体層上に形成することを含む、特許請求
の範囲第１２項に記載の方法。 - （１７）金属ケイ化物を形成するように、シリコンと反
応できる前記金属層を形成する前記段階が、ニッケル、
コバルト、耐火性金属およびプラチナ金属からなる組か
ら選択された金属層を形成することを含む、特許請求の
範囲第１６項に記載の方法。 - （１８）金属ケイ化物を形成するように、シリコンと反
応できる前記金属層を形成する前記段階がプラチナ層の
形成を含む、特許請求の範囲第１７項に記載の方法。 - （１９）金属ケイ化物を形成するように、シリコンと反
応できる前記金属層を形成する前記段階がチタン層の形
成を含む、特許請求の範囲第１７項に記載の方法。 - （２０）前記金属層上に前記シリコンを形成する段階が
、前記金属層上にアモルファスシリコン層を形成するこ
とを含む、特許請求の範囲第１２項に記載の方法。 - （２１）前記金属層上に形成されたアモルファスシリコ
ンの量が、前記金属ケイ化物を形成するように、下に横
たわる金属層全体と反応するのに必要な量を超えた量で
ある、特許請求の範囲第２０項に記載の方法。 - （２２）前記金属および前記アモルファスシリコンを、
前記ケイ化物を形成するのに充分な温度まで加熱する前
記段階が、１０分ないし４０分間、２００℃から１００
０℃の温度まで、前記構造を加熱することを含む、特許
請求の範囲第２１項に記載の方法。 - （２３）前記金属がプラチナを含み、かつ前記加熱段階
がプラチナケイ化物を形成するように、少なくとも２０
分間、少なくとも５６０℃の温度まで、プラチナおよび
アモルファスシリコンを加熱することを含む、特許請求
の範囲第２２項に記載の方法。 - （２４）前記構造から、反応しない金属およびシリコン
を除去する前記段階が、前記形成された金属ケイ化物層
の上部の反応しないアモルファスシリコンを初めに除去
し、かつそれから前記アモルファスシリコンが前記金属
ケイ化物層の形成より先に除去された区域から、反応し
ない金属を除去する段階を含む、特許請求の範囲第１２
項に記載の方法。 - （２５）特許請求の範囲第１２項に記載の方法に従って
作られた、集積回路構造のための金属ケイ化物ヒューズ
。 - （２６）制御された厚さを有する、集積回路構造のため
の改良されたプラチナケイ化物ヒューズを形成する方法
であって、それは、 ａ）シリコン二酸化物のパターン化された層を、前記構
造上に形成する段階と、 ｂ）１５０オングストロームから２５０オングストロー
ムまでのプラチナ金属を、前記シリコン二酸化物層上に
形成する段階と、 ｃ）プラチナケイ化物層を形成するように、前記下に横
たわるプラチナ全体と反応するのに必要な量を超えた量
のアモルファスシリコンを、前記プラチナ上に形成する
段階と、 ｄ）前記ケイ化物の形成より先に所望のヒューズの幅お
よび長さを形成するように、前記アモルファスシリコン
をパターン化する段階と、 ｅ）所望のプラチナケイ化物を形成するように、前記ア
モルファスシリコン下に横たわる前記プラチナ全体と前
記アモルファスシリコンが反応するように、少なくとも
２０分間、少なくとも５６０℃の温度まで、前記構造を
加熱する段階と、ｆ）前記新たに形成されたプラチナケ
イ化物層上に残る、前記アモルファスシリコンの反応し
ない部分を除去する段階と、 ｇ）それから前記プラチナケイ化物層の形成より先に前
記アモルファスシリコンが除去される前記構造上の区域
から、反応しない残余のプラチナの少なくとも一部分を
除去する段階とを含む、集積回路構造のための改良され
たプラチナケイ化物ヒューズを形成する方法。 - （２７）制御された厚さを有する、集積回路構造のため
の改良されたプラチナケイ化物ヒューズを形成する方法
であって、それは、 ａ）シリコン二酸化物のパターン化された層を、前記構
造上に形成する段階と、 ｂ）１５０オングストロームから２５０オングストロー
ムのプラチナ金属を、前記シリコン二酸化物層上にスパ
ッタする段階と、 ｃ）プラチナケイ化物層を形成するように、前記下に横
たわるプラチナ全体と反応するのに必要な量と実質的に
等しい量のアモルファスシリコンを、前記プラチナ上に
スパッタする段階と、ｄ）前記ケイ化物の形成より先に
所望のヒューズの幅および長さを形成するように、前記
アモルファスシリコンをパターン化する段階と、 ｅ）所望のプラチナケイ化物を形成するように、前記ア
モルファスシリコン下に横たわる前記プラチナ全体と前
記アモルファスシリコンが反応するように、少なくとも
２０分間、少なくとも５６０℃の温度まで、前記構造を
加熱する段階と、ｆ）前記プラチナケイ化物層の形成よ
り先に前記アモルファスシリコンが除去される前記構造
上の区域から、反応しない残余のプラチナの少なくとも
一部分を除去する段階とを含む、集積回路構造のための
改良されたプラチナケイ化物ヒューズを形成する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US794216 | 1985-10-31 | ||
| US06/794,216 US4679310A (en) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | Method of making improved metal silicide fuse for integrated circuit structure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62117236A true JPS62117236A (ja) | 1987-05-28 |
| JPH0563891B2 JPH0563891B2 (ja) | 1993-09-13 |
Family
ID=25162043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61259561A Granted JPS62117236A (ja) | 1985-10-31 | 1986-10-30 | 集積回路構造のための改良された金属ケイ化物ヒューズの形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4679310A (ja) |
| EP (1) | EP0228161A3 (ja) |
| JP (1) | JPS62117236A (ja) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4920071A (en) * | 1985-03-15 | 1990-04-24 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | High temperature interconnect system for an integrated circuit |
| JPH06105764B2 (ja) * | 1986-06-20 | 1994-12-21 | 株式会社東芝 | ヒユ−ズ内蔵型半導体装置 |
| US4879587A (en) * | 1986-11-13 | 1989-11-07 | Transensory Devices, Inc. | Apparatus and method for forming fusible links |
| US4926543A (en) * | 1987-01-22 | 1990-05-22 | Morrill Glasstek, Inc. | Method of making a sub-miniature fuse |
| US4783379A (en) * | 1987-04-17 | 1988-11-08 | Tosoh Smd, Inc. | Explosive crystallization in metal/silicon multilayer film |
| US4862243A (en) * | 1987-06-01 | 1989-08-29 | Texas Instruments Incorporated | Scalable fuse link element |
| DE3731621A1 (de) * | 1987-09-19 | 1989-03-30 | Texas Instruments Deutschland | Verfahren zum herstellen einer elektrisch programmierbaren integrierten schaltung |
| KR910005401B1 (ko) * | 1988-09-07 | 1991-07-29 | 경상현 | 비결정 실리콘을 이용한 자기정렬 트랜지스터 제조방법 |
| US5254874A (en) * | 1990-05-02 | 1993-10-19 | Quality Semiconductor Inc. | High density local interconnect in a semiconductor circuit using metal silicide |
| EP0527194A4 (en) * | 1990-05-02 | 1993-04-14 | Quality Semiconductor, Inc. | High density local interconnect in a semiconductor circuit using metal silicide |
| US5223456A (en) * | 1990-05-02 | 1993-06-29 | Quality Semiconductor Inc. | High density local interconnect in an integrated circit using metal silicide |
| US5472901A (en) * | 1994-12-02 | 1995-12-05 | Lsi Logic Corporation | Process for formation of vias (or contact openings) and fuses in the same insulation layer with minimal additional steps |
| US6190986B1 (en) | 1999-01-04 | 2001-02-20 | International Business Machines Corporation | Method of producing sulithographic fuses using a phase shift mask |
| US20070190751A1 (en) * | 1999-03-29 | 2007-08-16 | Marr Kenneth W | Semiconductor fuses and methods for fabricating and programming the same |
| US6323534B1 (en) * | 1999-04-16 | 2001-11-27 | Micron Technology, Inc. | Fuse for use in a semiconductor device |
| GB0001573D0 (en) | 2000-01-24 | 2000-03-15 | Welwyn Components Ltd | Printed circuit board with fuse |
| US6927472B2 (en) | 2001-11-14 | 2005-08-09 | International Business Machines Corporation | Fuse structure and method to form the same |
| US20040038458A1 (en) * | 2002-08-23 | 2004-02-26 | Marr Kenneth W. | Semiconductor fuses, semiconductor devices containing the same, and methods of making and using the same |
| US20050127475A1 (en) * | 2003-12-03 | 2005-06-16 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for electronic fuse with improved esd tolerance |
| US7550323B2 (en) * | 2007-08-08 | 2009-06-23 | International Business Machines Corporation | Electrical fuse with a thinned fuselink middle portion |
| US20090040006A1 (en) * | 2007-08-08 | 2009-02-12 | International Business Machines Corporation | Electrical fuse with enhanced programming current divergence |
| JP5149576B2 (ja) * | 2007-09-21 | 2013-02-20 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
| US7838963B2 (en) * | 2007-10-26 | 2010-11-23 | International Business Machines Corporation | Electrical fuse having a fully silicided fuselink and enhanced flux divergence |
| KR20090102555A (ko) * | 2008-03-26 | 2009-09-30 | 삼성전자주식회사 | 전기적 퓨즈 소자 및 그 동작방법 |
| US7960809B2 (en) * | 2009-01-16 | 2011-06-14 | International Business Machines Corporation | eFuse with partial SiGe layer and design structure therefor |
| US8907718B2 (en) | 2009-03-04 | 2014-12-09 | Sensortechnics GmbH | Passive resistive-heater addressing network |
| US20200373109A1 (en) * | 2019-05-21 | 2020-11-26 | Rosemount Aerospace, Inc. | Fuse assembly and method of making |
| US12317518B2 (en) * | 2021-10-27 | 2025-05-27 | Texas Instruments Incorporated | Isolation device with safety fuse |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3619725A (en) * | 1970-04-08 | 1971-11-09 | Rca Corp | Electrical fuse link |
| US4089734A (en) * | 1974-09-16 | 1978-05-16 | Raytheon Company | Integrated circuit fusing technique |
| US4032949A (en) * | 1975-05-15 | 1977-06-28 | Raytheon Company | Integrated circuit fusing technique |
| US4042950A (en) * | 1976-03-01 | 1977-08-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Platinum silicide fuse links for integrated circuit devices |
| JPS5847596Y2 (ja) * | 1979-09-05 | 1983-10-29 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
| NL8002634A (nl) * | 1980-05-08 | 1981-12-01 | Philips Nv | Programmeerbare halfgeleiderinrichting en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
| US4499557A (en) * | 1980-10-28 | 1985-02-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Programmable cell for use in programmable electronic arrays |
| US4518981A (en) * | 1981-11-12 | 1985-05-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Merged platinum silicide fuse and Schottky diode and method of manufacture thereof |
| US4569121A (en) * | 1983-03-07 | 1986-02-11 | Signetics Corporation | Method of fabricating a programmable read-only memory cell incorporating an antifuse utilizing deposition of amorphous semiconductor layer |
-
1985
- 1985-10-31 US US06/794,216 patent/US4679310A/en not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-10-23 EP EP86308245A patent/EP0228161A3/en not_active Ceased
- 1986-10-30 JP JP61259561A patent/JPS62117236A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4679310A (en) | 1987-07-14 |
| EP0228161A3 (en) | 1990-01-03 |
| JPH0563891B2 (ja) | 1993-09-13 |
| EP0228161A2 (en) | 1987-07-08 |
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