JPS62119966A

JPS62119966A - 配線パタ−ンの形成方法

Info

Publication number: JPS62119966A
Application number: JP60259579A
Authority: JP
Inventors: Teikou Tei; 鄭　貞浩
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1985-11-19
Filing date: 1985-11-19
Publication date: 1987-06-01

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野〕本発明は配線パターンの形成方法に係り、特に、異種金
属の積層体として形成される配線パターンの形成方法に
関する。

〔従来技術およびその問題点〕

原稿と同一幅のセンサ部を有する長尺読み取り素子を用
いた密着型イメージセンサは、アモルファスシリコン＜
ａ−８ｉ　）等のアモルファス半導体あるいは硫化カド
ミウム（ＣｄＳ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）等
の多結晶薄膜等を光導電体層として用いることにより、
縮小光学系を必要としない大面積デバイスとしての使用
が可能となり、小型の読み取り装置等への幅広い利用が
注目されている。

このイメージセンサのセンサ部の基本構造の１つとして
サンドイッチ型センサがあげられる。このサンドイッチ
型センサは第２図に示す如く、基板１上に形成された下
部電極２と、透光性の上部電極４を挾んだもので、密着
型イメージセンサにおいては、長尺基板上にこのサンド
イッチ型センサが複数個（例えば８ドツト／履の場合日
本工業規格Ａ列４番用としては１７２８個、同規格Ｂ列
４番用としては２０４８個）並設されている。

通常、下部電極は夫々駆動回路に接続されるが、この接
続のための配線パターンは、配線抵抗を小さくするため
、および基板との密着性を高めるために、クロム（Ｃｒ
）と金（Ａｕ　）との２１１構造をとることが多い。

このようなイメージセンサの配線パターンの形成に際し
ては、例えば、第３図（ａ）に示す如くまず基板１とし
てのガラス基板上に順次、クロムｍ２ａと金層５ａとを
着膜した優、レジストパターンＲを介してヨウ化カリウ
ム（Ｋｌ）＋ヨウ素（Ｉ２）からなるエツチング液で金
１１５ａを、続いて硫酸セリウム（Ｃｅ２　（Ｓ０４）
３）からなるエツチング液でクロ、ム層２ａを順次エツ
チングし、第３図（ｂ）に示す如く、（下部）電極部２
および配線部５のパターニングを行なう。

続いて、電極部に相当する部分の金層をエツチング除去
し、クロム層２ａのみからなるｆｆｌｉ部２とクロム層
２ａと金層５ａとの２１１膜からなる配線部５を形成す
るようにしている。（第３図（Ｃ））この場合、上層に位置する金１ｉ５ａが下層のクロム１
２ａに対して電気化学的に員であるためクロムＶ！Ａ２
ａが過浸食を起すことになり、特にセンサ面積を規定す
る電極部２の面積が設計値に対してばらつきを生じてし
まいセンサ特性に悪影響を与えるという問題があった。

この問題は、特に微細加工を必要とする部分で重大視さ
れており、イメージセンサのみならずサーマルヘッド等
においても、高解像化が進むにつれて、パターンの微細
化は進む一方であり、パターンの高精度化が強く望まれ
ている。

また、更に電極部２上には、光導電体層としての水素化
アモルファスシリコン層が成長せしめられるが、金層を
エツチング除去した後のクロム層表面に残留する不純物
等の影響で異常成長が発生するという不都合があった。

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、異種金属
が互いに接する積層部分を有するような電極配線パター
ンを形成するに際し、上層金属と下層金属との電気化学
的なポテンシャルの差により溶解反応が進行するのを抑
制し、高精度の微細パターンを形成し、更に電極部表面
に残留する不純物等の影響で光導電体層が異常成長する
のを防止することを目的とする。　　゛（問題点を解決するための手段）そこで本発明では、第１および第２の金属層を順次積層
し、所望の形状にパターニングした後、該第２の金属層
を部分的に除去し、更に新たに該第２の金属層とは異な
る第３の金属層を部分的に着膜し、最後に前記第１およ
び第２の金属層のパターンが露呈しないように被覆しつ
つこの第３の金属層をパターニングするようにしている
。

（作用）例えば、まず第１の金属層としてのクロム層および第２
の金属層としての金層を、基板表面全体に蒸着した後、
第１のレジストパターンを形成しこれをマスクとしてこ
れらを所望の形状にパターニングする。

この後、第１のレジストパターンを剥離して、第２のレ
ジストパターンを形成し、これをマスクとして上層の第
２の金属層のみを部分的に除去する。

そして、該第２のレジストパターンの上から第３の金属
層としてのクロム層を部分蒸着する。

続いて、該第２のレジストパターンを除去した後、更に
前記第１のレジストパターンと同じパターン形状の第３
のレジストパターンを形成し、この第３のレジストパタ
ーンをマスクとして第３の金属層のパターニングを行な
う。

この第１および第２の金ｉ層のパターニング工程では、
サイドエッチのためにわずかに、第１のレジストパター
ンよりも小さなパターンが形成される。

従って、第３のレジストパターンとして第１のレジスト
パターンと同一パターン形状のものを使用しても、第１
の金属層および第２の金１ｉ［のパターンは第３のレジ
ストパターンから露呈することなく完全に被覆された状
態で、第３の金属層のパターニングが行なわれることに
なり、電気化学的ポテンシャルの差による溶解反応によ
って下層に異常エツチングが生じたりすることなく、第
３の金属層のパターンは極めて寸法精度の良いものとな
る。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。

第１図（ａ）〜（ｈ）は、イメージセンサの製造工程に
おける下部電極の形成工程を示す図である。

まず、第１図（ａ）に示す如く、コーニング７０５つと
相称されているガラス基板１１上に基板温度１５０〜３
００℃で膜厚的６００〜１０００Ａのクロム（Ｃｒ）層
１２ａを蒸着した模、続いて膜厚１５００Ａの金層１５
ａを蒸着する。

次いで、第１のレジストパターンＲ１を形成し、これを
マスクとして、ヨウ化カリウム＋ヨウ素からなるエツチ
ング液に浸漬し、上層の金層を選択的に除去した後、硝
酸セリウムからなるエツチング液に浸漬し、下層のクロ
ム層を選択的に除去し第１図（ｂ）に示す如く、電極部
となる部分と配線部とをパターニングする。

そして、第１図（Ｃ）（平面図）に示す如く該第１のレ
ジストパターンＲ１を除去した後、電極部どなる部分領
”域を除く配線部を第２のレジスＩ・パターンＲ２で被
覆し、これをマスクとして第１図（ｄ）および第１図（
ｅ）　（第１図（ｄ＞は第１図（ｅ）のＡ−Ａ’断面図
）に示す如く、電極部となる部分の金層を除去する。

この後、該第２のレジストパターンＲ２をそのままにし
た状態で再びクロム層１２ｂを露呈部に選択的に蒸着す
る。（第１図（ｆ））そして、第２のレジストパターンＲ２を除去し、再び第
１のレジストパターンＲ１形成時と同一のフォトマスク
を用いて、該第１のレジストパターンＲ１と同一のパタ
ーン形状を有する第３のレジストパターンＲ３を形成し
、これをマスクとしてクロム層２ｂのパターニングを行
ないクロム層１２ａおよびクロム１１１２ｂからなる電
極部１２を形成する。（第１図（ｑ））この後、該第３のレジストパターンを除去し、クロム層
１２ａおよびクロム層１２ｂからなる電極部１２とクロ
ム層１２ａＪ３よび金層１５ａからなる配線部１５とか
らなる下部電極のパターンが形成される。

更に、通常の如く、光導電体層１３としての水素化アモ
ルファスシリコン層、透光性電極１４としての酸化イン
ジウム錫層を形成し、第１図（ｈ）に示す如く、イメー
ジセンサが完成する。

このようにして形成されたイメージセンサは、下部電極
の寸法精度が極めて良好であり、更に、下部電極の電極
部の表面状態も良好であるため上一層の水素化アモルフ
ァスシリコン層に異常成長が発生したりすることもなく
、極めて良好な特性を有している。

このように、本発明によれば下部電極の寸法粘度が向上
するため、更に微細化が可能となり、高解像度のイメー
ジセンサの形成が可能となる。

なお、実施例においてはイメージセンサについて説明し
たが、サーマルヘッド等、配線部を異種金属の積層構造
とする必要がある場合の電極配線パターンの形成をはじ
め、他のデバイスの形成にも有効であることはいうまで
もない。

また、実施例では、第３のレジストパターンとして第１
のレジストパターンと同一形状のものを用いたが、最初
のエツチング工程では、サイドエッチのために第１のレ
ジストパターンよりも小さいパターンが形成されるため
、第３のレジストパターンはこのパターンを充分に被覆
保護することになり、電極反応すなわち電気化学的ポテ
ンシャルの差による異常エツチングを防止するが、必ず
しも第３のレジストパターンは第１のレジストパターン
と同一パターンとする必要はなく、第１のレジストパタ
ーンよりも大きいパターンであればよい。

更に、第１の金属層としてはクロムの他、アルミニウム
（ＡΩ）、ニクロム（ＮｉＣｒ）、銅（Ｃｕ）等でもよ
く、第２の金属層としては金の他、銀（ＡＯ）、銅（Ｃ
ｕ）等でもよく、また第３の金属層としてはクロムの他
、アルミニウム（ＡΩ）、ニクロム（ＮｉＣｒ）、銅（
Ｃｕ）等でもよい。更に、着膜法についても蒸着法の他
、スパッタ法、ＣＶＯ法、スクリーン印刷法等いずれの
方法による場合にも有効である。

（効果）　　　゛以上説明してきたように、本発明によれば、第１および
第２の金属層からなる２層構造のパターンを形成した後
、第２の金属層を部分的に除去し、更にこの部分に第２
の金属層とは異なる金属からなる第３の金属層を部分着
膜した後、前記第１の金属層のパターンを完全に被覆す
るようなパターン形状となるように第３の金属層をパタ
ーニングするようにしているため、第３の金属層のパタ
ーニング工程では電極反応が生じたりすることなく、高
精度のパターン形成が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｈ）は、本発明実施例のイメージセン
サの製造工程を示す図、第２図は、一般的なイメージセ
ンサの構造を示す図、第３図（ａ）乃至（Ｃ）は、従来
例の配線パターンの形成工程の一部を示す図である。１．１１・・・基板、２．１２・・・下部電極（電極部）、３．１３・・・光導電体層、４．１４・・・透光性電極
、５．１５・・・配線部、２ａ・・・クロム層、５ａ・
・・金層、２ｂ・・・クロム層、Ｒ１・・・第１のレジ
ストパターン、Ｒ２・・・第２のレジストパターン、Ｒ
３・・・第３のレジストパターン。第１図（９）第２図第３図（Ｑ）第３図（ｂ）第３図（Ｃ）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）異種金属の積層体からなるパターンを含む配線パ
ターンを形成するに際し、第１および第２の金属層を順次着膜する第１の着膜工程
と、該第１および第２の金属層を選択的に除去し、配線パタ
ーンを形成する第１のパターニング工程と、該配線パターンのうち一部領域において第２の金属層の
みを除去する除去工程と、該一部領域およびその近傍に第３の金属層を部分的に着
膜する第２の着膜工程と、前記第３の金属層を選択的に除去する第２のパターニン
グ工程とを含み、前記第２のパターニング工程では、電極反応を防止すべ
く第１および第２の金属層のパターンが露呈することの
ないように被覆したことを特徴とする配線パターンの形
成方法。
（２）前記第１および第２のパターニング工程で用いる
レジストパターンは、同一形状のパターンであることを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の配線パター
ンの形成方法。
（３）前記第２のパターニング工程で用いるレジストパ
ターンは、前記第１のパターニング工程で用いるレジス
トパターンよりも大きいことを特徴とする特許請求の範
囲第（１）項記載の配線パターンの形成方法。
（４）前記第３の金属層は前記第１の金属層と同一材料
から構成されるようにしたことを特徴とする特許請求の
範囲第（１）項乃至第（３）項のいずれかに記載の配線
パターンの形成方法。
（５）前記第１の金属層はクロム層からなり、前記第２
の金属層は金層からなることを特徴とする特許請求の範
囲第（１）項記載の配線パターンの形成方法。
（６）前記第３の金属層はクロム層、アルミニウム層、
ニクロム層、銅層のいずれかから構成されていることを
特徴とする特許請求の範囲第（５）項記載の配線パター
ンの形成方法。