JPS62126362A - ダブルヒ−トシンクダイオ−ドの試験方法 - Google Patents
ダブルヒ−トシンクダイオ−ドの試験方法Info
- Publication number
- JPS62126362A JPS62126362A JP26764385A JP26764385A JPS62126362A JP S62126362 A JPS62126362 A JP S62126362A JP 26764385 A JP26764385 A JP 26764385A JP 26764385 A JP26764385 A JP 26764385A JP S62126362 A JPS62126362 A JP S62126362A
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- JP
- Japan
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- diode
- heat sink
- double heat
- bump electrode
- current
- Prior art date
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- Pending
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野Ｊ
この発明ハ、ダブルヒート・シンクダイオードＣ以下Ｄ
ＨＤと略するＪの試験方法に係り、特に大電流印加試験
する場合の′ｄＬ流印加力法に関するものである。
ＨＤと略するＪの試験方法に係り、特に大電流印加試験
する場合の′ｄＬ流印加力法に関するものである。
〔従来の技？＃Ｊ
この櫨ＤＨＤＩ７）構造は第３図に不す様に銀からなる
バンプ電極（３）とシリコンペレット（４）に構成され
たダイオードペレット（５）とをヒートシンク電極（Ｉ
ａ） （ｌｂ）Ｋて挟持し８囲をカラススリーブ（２）
で包囲、封着したものである。又、ダイオードベレット
（５）とヒートシンク電極（ｌａ）、（ｌｂ）の接合部
には、はんだ等の余端は使用せず単なる接触のみか、熱
出庸によるわずかな合金層を介Ｃた接合の状態となって
いる。
バンプ電極（３）とシリコンペレット（４）に構成され
たダイオードペレット（５）とをヒートシンク電極（Ｉ
ａ） （ｌｂ）Ｋて挟持し８囲をカラススリーブ（２）
で包囲、封着したものである。又、ダイオードベレット
（５）とヒートシンク電極（ｌａ）、（ｌｂ）の接合部
には、はんだ等の余端は使用せず単なる接触のみか、熱
出庸によるわずかな合金層を介Ｃた接合の状態となって
いる。
このような構造のＤＩ（Ｄに於て特に、製造されたダイ
オードペレット（５）が定格電流印加状態で長時間の使
用に耐え正常な動作を維持するか否かを短時間で一’ｌ
’ｌＪ断し、欠陥品を除去する手段として定格許容損失
を越える大電流を短時間、印加して上記ＤＨＤを試験す
る方法が一般的に知られている。
オードペレット（５）が定格電流印加状態で長時間の使
用に耐え正常な動作を維持するか否かを短時間で一’ｌ
’ｌＪ断し、欠陥品を除去する手段として定格許容損失
を越える大電流を短時間、印加して上記ＤＨＤを試験す
る方法が一般的に知られている。
このような大電流印加試験の方法としては従来第４図に
示す様にｌｌｌＩＤを試験装置ＶＣ投入した後、すぐに
印加する電流を目的を達するための電流値（工ｐ）まで
−気に立ち上がらせて印加する方法が用いられていた。
示す様にｌｌｌＩＤを試験装置ＶＣ投入した後、すぐに
印加する電流を目的を達するための電流値（工ｐ）まで
−気に立ち上がらせて印加する方法が用いられていた。
〔発明が解決しようとする間誼点」
従来のＤＩＪＤの試験方法は以上の様であるので大電流
印加試験の際シリコンペレット（４ンの接合部で急激に
熱が発生するため、バンブ電極（３）及びシリコンペレ
ット（４）とそれらの周囲に位置するガラススリーブ（
２）との温度差が極めて大きくなり更には銀からなるバ
ンブ電極（３）は表ＩＫ示す辿りガラスに比べ熱膨張係
数が約２倍大きいからバンブ電極（３）に使用している
銀が熱膨張によりガラススリーブ（３）とシリコンペレ
ット（４）との間で圧１ＩＣｆ３され塑性域に達し、電
流印加試験時において収縮し接触不良が発生するなどの
間鴇点があった。
印加試験の際シリコンペレット（４ンの接合部で急激に
熱が発生するため、バンブ電極（３）及びシリコンペレ
ット（４）とそれらの周囲に位置するガラススリーブ（
２）との温度差が極めて大きくなり更には銀からなるバ
ンブ電極（３）は表ＩＫ示す辿りガラスに比べ熱膨張係
数が約２倍大きいからバンブ電極（３）に使用している
銀が熱膨張によりガラススリーブ（３）とシリコンペレ
ット（４）との間で圧１ＩＣｆ３され塑性域に達し、電
流印加試験時において収縮し接触不良が発生するなどの
間鴇点があった。
この発明は上記のような間誼点を解消するためになされ
たもので接触不良を発生せず、しかも大電流印加の効果
が従来通り俊られるＤＨＤの試験方法を得ることを囲路
Ｊとする。
たもので接触不良を発生せず、しかも大電流印加の効果
が従来通り俊られるＤＨＤの試験方法を得ることを囲路
Ｊとする。
〔間誼点を解決するための手段Ｊ
この発明に係るＤ）（Ｄの試験方法はダブルヒートシン
クダイオードを予め高温状急にしておき、この状態でダ
イオードペレットに定格以上の所定電流値の電流を流し
て上記定格電流値の耐久試験を行うよう圧したものであ
る。
クダイオードを予め高温状急にしておき、この状態でダ
イオードペレットに定格以上の所定電流値の電流を流し
て上記定格電流値の耐久試験を行うよう圧したものであ
る。
［作用」
この発明に３ける試験方法によればＤＩ（Ｄの温度を高
めた状態で電流を印加するようにしているのでガラスが
予め、加熱されているため、電流印加時におけるバンブ
電極及びシリコンペレットトの温度差を小さくできるた
め、バンブ電極の変形量か弾性域内で収まり接触不良を
無くすことができる。
めた状態で電流を印加するようにしているのでガラスが
予め、加熱されているため、電流印加時におけるバンブ
電極及びシリコンペレットトの温度差を小さくできるた
め、バンブ電極の変形量か弾性域内で収まり接触不良を
無くすことができる。
〔発明の実施例］
以上、この発明の一実施例を第１図に基づいて説明する
。まず、この発明に放ては第３図に示す様なりＨＤを試
験装置に投入する。次にこのＤＨＤがｌ ＯＵ ［”Ｃ
Ｊ程度の温度になるようヒーター等により外部からの加
熱分行う。そしてこの椋にＤＨＤの温度を高め次状態で
定格を越える所定値の電流を印加して試験する。
。まず、この発明に放ては第３図に示す様なりＨＤを試
験装置に投入する。次にこのＤＨＤがｌ ＯＵ ［”Ｃ
Ｊ程度の温度になるようヒーター等により外部からの加
熱分行う。そしてこの椋にＤＨＤの温度を高め次状態で
定格を越える所定値の電流を印加して試験する。
この様なりｉ（Ｄの試験方法に於ては、第２図に示す様
にバンプｌｌＫ ｍ （３）及びシリコンペレット（４
）からなるダイオードペレット（５〕と、このダイオー
ドペレット（５）の周囲に位置するガラススリーブ（２
）との電流を印加した直後に生じる最大温度差（Ｔ２ｍ
ａｘ）が、従来の試験方法によって生じる最大温度差（
Ｔｌｍａｘ ）に比べ非常に小さくなるから、これによ
り、バンブ電極（３）の変形量が小さくなり、本発明の
目的を達成することができる。
にバンプｌｌＫ ｍ （３）及びシリコンペレット（４
）からなるダイオードペレット（５〕と、このダイオー
ドペレット（５）の周囲に位置するガラススリーブ（２
）との電流を印加した直後に生じる最大温度差（Ｔ２ｍ
ａｘ）が、従来の試験方法によって生じる最大温度差（
Ｔｌｍａｘ ）に比べ非常に小さくなるから、これによ
り、バンブ電極（３）の変形量が小さくなり、本発明の
目的を達成することができる。
なお、上記実施例に放ては、Ｉ）［Ｄの温度を高めた状
態は、試験装置に備えられたヒーターによりＤＨＤ１に
外部から加熱するようにして得たか、これに限られるも
のではなく、ＤＨＤを内部から加熱する様にしても良い
。
態は、試験装置に備えられたヒーターによりＤＨＤ１に
外部から加熱するようにして得たか、これに限られるも
のではなく、ＤＨＤを内部から加熱する様にしても良い
。
し発明の効果Ｊ
以上のようにこの発明によればＤＩＤを予め高温状急に
しておき、この状態でダイオードペレットに定格以上の
所定奄流直の電流を流して上記定格電流値の耐久試験を
行うようにしたので、パンダ電極の変形が弾性域内に収
まり接触不良の発生を防止できまた本来の試験目的も達
成できるという効果がある。
しておき、この状態でダイオードペレットに定格以上の
所定奄流直の電流を流して上記定格電流値の耐久試験を
行うようにしたので、パンダ電極の変形が弾性域内に収
まり接触不良の発生を防止できまた本来の試験目的も達
成できるという効果がある。
第１図は本発明におけるこの発明の一実施例によるＤＩ
Ｄの試験方法を示す流れ図、第２図は、Ｄ）［Ｄの電流
印加試験時の各材料の温度と時間の囲体を示す図、第３
図はＤＨＤの断面側面図、第４図は従来のＤＨＤ試験方
法を示す流れ図である。 図に汝で（ｌａ）、（ｌ ｂ）はヒートシンタ電極、（
２）はガラススリーブ、（３）はバンプ電極、（５）は
ダイオードベレントである。
Ｄの試験方法を示す流れ図、第２図は、Ｄ）［Ｄの電流
印加試験時の各材料の温度と時間の囲体を示す図、第３
図はＤＨＤの断面側面図、第４図は従来のＤＨＤ試験方
法を示す流れ図である。 図に汝で（ｌａ）、（ｌ ｂ）はヒートシンタ電極、（
２）はガラススリーブ、（３）はバンプ電極、（５）は
ダイオードベレントである。
Claims (4)
- （１）バンプ電極を主表面に有したダイオードペレット
をバンプ電極側とこれの反対側より対向したヒートシン
ク電極によつて挾持し、ガラススリーブで包囲してなる
ダブルヒートシンクダイオードを予め高温状態にしてお
き、上記ダイオードペレットに定格以上の所定電流値の
電流を流して上記定格電流値の耐久試験を行うことを特
徴とするダブルヒートシンクダイオードの試験方法。 - （２）ダブルヒートシンクダイオードを予め高温状態に
しておく方法は、試験装置に備えられたヒーターにより
上記ダブルヒートシンクダイオードを外部から加熱する
方法であることを特徴とす特許請求の範囲第１項記載の
ダブルヒートシンクダイオードの試験方法。 - （３）ヒーターにより高められる温度は１００℃程度で
あることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のダブ
ルヒートシンクダイオードの試験方法。 - （４）バンプ電極は銀よりなることを特徴とする特許請
求の範囲第１項ないし第３項の何れかに記載のダブルヒ
ートシンクダイオードの試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26764385A JPS62126362A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | ダブルヒ−トシンクダイオ−ドの試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26764385A JPS62126362A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | ダブルヒ−トシンクダイオ−ドの試験方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62126362A true JPS62126362A (ja) | 1987-06-08 |
Family
ID=17447522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26764385A Pending JPS62126362A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | ダブルヒ−トシンクダイオ−ドの試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62126362A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104820178A (zh) * | 2015-04-09 | 2015-08-05 | 深圳深爱半导体股份有限公司 | 筛选转移特性曲线具有双线缺陷的场效应管的方法 |
-
1985
- 1985-11-26 JP JP26764385A patent/JPS62126362A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104820178A (zh) * | 2015-04-09 | 2015-08-05 | 深圳深爱半导体股份有限公司 | 筛选转移特性曲线具有双线缺陷的场效应管的方法 |
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