JPS62127974A - 画像メモリ制御装置 - Google Patents

画像メモリ制御装置

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JPS62127974A
JPS62127974A JP60268582A JP26858285A JPS62127974A JP S62127974 A JPS62127974 A JP S62127974A JP 60268582 A JP60268582 A JP 60268582A JP 26858285 A JP26858285 A JP 26858285A JP S62127974 A JPS62127974 A JP S62127974A
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JP
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Application number
JP60268582A
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Inventor
Noriya Sakamoto
典哉 坂本
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] この発明は、ダイナミックRAMを使った画像メモリを
リフレッシュするための画像メモリ制8装置に関する。
[発明の技術的前1N] 近年、画像表示装置のデジタル化が進み、フレームメモ
リやラインメモリといった画像メモリをもつ表示装置が
出現するようになってきた。この場合、画像メモリとし
ては、容lや価格の面からダイナミックRA〜1が使わ
れることが多い。
ダイナミックRAMはスタティックRAMと違い、メモ
リリフレッシュが必要である。
通常1画像メモリでは、1フレ一ム期間に表示に有効な
描画データが全て読み出されるから、1フレ一ム周期を
1./30秒とすると、全ての描画データが1/30秒
周期でリフレッシュされる。
しかし、ダイナミックRAMにおけるリフレッシュ周期
は、通常数ミリ秒である。したがって、上述したような
データ読出し、さらには、データ書込みのタイミングで
リフレッシュを行ういわゆるリード/ライトリフレッシ
ュでは、完全なリフレッシュを行うことができない。
そこで、画像メモリにおいては、一般に、データ読出し
やデータ書込みに関係しない期間に、行アドレスを適宜
指示し、リフレッシュを行ういわゆるRASオンリリフ
レッシュを採用している。
このRASオンリリフレッシュは、リフレッシュ用の行
アドレスデータを発生する行アドレス発生回路の出力を
用いて行われる。
[背景技術の問題点コ しかし、RASオンリリフレッシュ専用の行アドレス発
生回路を用いる構成では、この回路の他に、データ読出
しやデータ書込みのためのアドレスデータとリフレッシ
ュ用のアドレスデータとを択一的に画像メモリに供給す
るセレクタが必要で、回路規模が大きくなるという問題
があった。
[発明の目的コ この発明は上記の事情に対処すべくなされたもので、回
路規模を大きくすることなくRASオンリリフレッシュ
を行うことができる画像メモリ制御装置を提供すること
を目的とする。
[発明の概要1 上記目的を達成するためにこの発明は、各水平走査期間
において、画像表示のために画像メモリから描画データ
を読み出す期間は、表示用行アドレスデータを画像メモ
リに与え、上記データ読出し期間以外の所定の期間は、
上記表示用行アドレスデータの上位nビット(nは正の
整数)を順次変更した行アドレスデータを上記画像メモ
リに与え、RASオンリリフレッシュを行うようにした
ものである。
[発明の実施例] 以下、図面を参照してこの発明の一実施例を詳細に説明
する。
第1図はこの発明の一実施例の構成を示す回路図である
。
この第1図において、11はダイナミックRAMを使っ
た画像メモリである。そして、第1図では、この画像メ
モリ11をリフレッシュする構成の他に、画像表示のた
めに画像メモリ11から描画データを読み出すための構
成や画像メモリ11に描画データを書き込むための構成
を示す。
ここで、この発明の特徴を成すリフレッシュ構成を説明
する前に、データ読出し構成やデータ這き込み構成を説
明する。
第1図では、描画データの読出し・書込みはサイクルス
チル方式によって行われ、画像表示期間にもデータ書込
みが行えるようになっている。このサイクルスチル方式
を第2図を用いて説明する。
同図は画像メモリ11の表示構成を画面の画像表示領域
に関して示すものである。この第2図によれば、画像メ
モリ11の表示構成は、列方向(水平方向X)256ド
ツト、行方向(垂直方向Y)200ドツトとなっている
。そして、描画データDの読出しは、ブロック81〜B
54として示すように4ドツト分一括して行われる。し
たがって、第2図の構成では、表示用の列アドレスは、
各行当り64となる。
上記の如く、4ドツト単位で読み出された描画データは
、タイミング発生回路12からのロードパルスLDに従
ってパラレル/シリアル変換回路13に転送され、表示
クロックCKに従って1ドツトずつシリアルに出力され
る。そして、このシリアルデータはデジタル/アナログ
変換回路14でアナログ信号とされ、図示しない画像表
示回路に与えられる。
上記データ読出しRは、第3図に示すように、4ドツト
分の画像表示期間下の後半T2に、次に表示すべき4ド
ツト分の描画データDを読み出すという形で行われ、前
半T1ではデータ書込み〜Vが行われる。但し、このデ
ータ書込みWはデータ読出しと違って1ドツト単位で行
われる。
なお、第1図において、15.16はそれぞれ表示用の
列アドレスデータ、行アドレスデータを出力する表示用
列アドレス発生回路、表示用行アドレス発生回路である
。列アドレスデータは8ビツトのデータであるが、デー
タ読出しが4ドツト単位で行われるため、実際には、上
位6ビツトだけが画像メモリ11に与えられる。
17、18はそれぞれ図示しないマイクロプロセッサか
ら与えられるデータ書込み用の行アドレスデータ、列ア
ドレスデータをラッチするラッチ回路である。また、1
9はマイクロプロセッサから与えられる占込みようの描
画データをラッチするラッチ回路である。
20はタイミング発生回路12から与えられる4つのゲ
ート信号01〜G4  (第3図参照)に従って、表示
用2つ、書込み用2つの計4つのアドレスデータを画像
メモリ11に与えるアドレスセレクタである。画像メモ
リ11に行アドレスデータや列アドレスデータを取り込
むための行アドレスストローブ信号RASや列アドレス
ストローブ信号CASは、クロックCPに従って表示用
列アドレス発生回路15のアドレス更新動作に同期して
タイミング発生回路12から与えられる。また、画像メ
モリ11の書込みパルスWPは、例えば、ラッチ回路1
7のラッチパルスL2に従ってデータ書込み用期間T1
に、タイミング発生回路12から出力される。
Ll、L3は、それぞれラッチ回路19.17のラッチ
パルスである。
以上この発明のデータ読出し・データ書込みの概略を説
明したが、次にこの発明の特徴とするリフレッシュ構成
を説明する。
この実施例は、データ読出し期間T2であっても、これ
が水平ブランキング期間内のものであれば、画像表示に
影響を与えないことに看目し、水平ブランキング期間で
あってかつデータ読出し期間T2に、表示用行アドレス
データを使ってRASオンリリフレッシュを行うもので
ある。
すなわち、表示用の8ビツトの行アドレスデータのうち
、上位2ビツトA7 、Aaはそれぞれエクスクル−シ
ブオア回路21.22に与えられる。そして、各エクス
クル−シブオア回路21.22にはさらにそれぞれ、列
アドレス発生回路15よりパルスP1 、R2が与えら
れる。これらのパルスP1゜R2はアドレス発生回路1
5のアドレス更新動作に同期したものである。そして、
各パルスPi。
R2のレベルは、第4図に示すように、水平表示期間T
Aが終了した後の最初のデータ読出し用期間T21では
、それぞれ0,11次のデータ読出し期間T22では、
0,11次のデータ読出し期nJT2sでは1,7とな
り、それ以外の期間ではいずれもOとなる。
このようなパルスPr 、R2をそれぞれエクスクール
シブオア回路21.22に与えることにより、このオア
回路21.22の出力を上位ビットA7゜Aaとする8
ビツトの行アドレスデータの値は第5図に示すようなも
のとなる。すなわち、今、画像非表示領域まで含めた画
像メモリ11の行方向のアドレス空間をO〜255とし
、これを4つに分割した各領域をそれぞれ[R1]、[
R4]とする。すると、パルスPr 、R2のレベル応
じて、エクスクル−シブオア回路21.22の出力を上
位ビットとする8ビツトの行アドレスデータは各水平走
査期間に4つの分割i域[Rt ]〜[R2]を1行ず
つ指定する。例えば、行アドレス発生回路16によって
指定される表示行アドレスが分割領域[R1コの255
番地とすると、P+−0,R2=0の場合は、分割領域
[R1]の行アドレス255番地が指定され、Pr =
1.R2−0の場合は、分割領域[R2]の行アドレス
191番地が指定され、Pt−0,R2−1の場合は、
分割領域[R3]の行アドレス127番地が指定され、
PI−1,R2−1の場合は、分割領域[R4コの行ア
ドレス63番地が指定される。したがって、水平表示期
間TAには行アドレス255番地が指定され、データ読
出し期間T21.T22.下23にはそれぞれ行アドレ
ス191番地、127番地、63番地が指定される。
その他の表示行アドレスの場合であっても同様に、下位
6ビツトが同じで上2ビットが異なる4つの行アドレス
が各水平走査期間ごとに指定される。
なお、表示用行アドレスデータは水平ブランキング期間
であっても、水平表示期間TAと同じ値に保たれるから
、上述したような処理を行うことに問題はない。
またタイミング発生回路12は、データ読出し期間T2
1 、T22 、T23であっても、アドレス発生回路
(15)から出力されるパルスP3  (第4図参照)
に従って、行アドレスストローブ信号RASを出力する
ようになっている。
このようにこの実施例は、水平表示期間TAは、表示用
行アドレスデータを画像メモリ11に与え、データ読出
しRに伴うリードライトリフレッシュを行い、水平ブラ
ンキング期間の所定のデータ読出し期間T21.T22
 、T23では、表示用行アドレスデータの上位2ビツ
トを変更してRASオンリリフレッシュを行うようにし
たものである。
したがって、この実施例では、1フレ一ム周期の4分の
1の周期で全行アドレスをリフレッシュすることができ
る。
ここで、第1図の具体的構成を第6図を参照しながら説
明する。
第6図に示すように、画像メモリ11は4つのダイナミ
ックRAM 111〜114から成る。各RAM111
〜114には、第2図に示す各ブロックBl〜B64の
4ドツト分の描画データが1ドツトずつ格納されている
。例えば、ブロックBlであれば、各描画データD工〜
D4はそれぞれRA!v1111〜114に格納されて
いる。
パラレル/シリアル変換回路13は4つのシフトレジス
タ 131〜134から成る。描画データは1ドツト当
り4ビツト構成である。そして、各ブロックB1〜86
4の4ドツト分のデータは最上位ビットMSBから順に
シフトレジスタ 131〜134に転送される。そして
、この転送データが表示クロックGKに従って1ドツト
分ずつ第1図のデジタル/アナログ変換回路14に与え
られる。
表示用列アドレス発生回路15は、水晶発振器151、
カウンタ 152、タイミング発生ROM153、表示
用列カウンタ 154から成る。カウンタ 152は水
晶発振によって得られるクロックに従ってカウントアツ
プする。ROM153はカウンタ 152のカウント出
力に従って、先の第4図に示すようなタイミングで各種
パルスを発生する。表示用列カウンタ 154は、RO
M153からの水平表示開始タイミングパルスXRES
によってリセットされた後、ROM153からのクロッ
クCPをカウントし、表示用列アドレスデータを出力す
る。パルスXRES、水平表示期間TAを規定する水平
ゲートパルスHDSEに先立って出力されるもので、そ
のタイミングは先の第2図にも示す。
表示用行アドレス発生回路16はカウンタ 161、タ
イミング発生ROM162、表示用プリセッタブル行カ
ウンタ 163から成る。カウンタ 161は、列側の
ROM153から第4図に示すように、各水平走査期間
に1回出力されるパルスYCPをカウントする。行側の
ROMはこのカウンタ 161の出力に従って、第7図
に示すように、垂直方向の各種タイミングパルスを出力
する。カウンタ 163は、ROM162からの垂直表
示開始タイミングパルスYPREによって199をプリ
セットされ、以後、パルスYCPに従ってカウントダウ
ンすることにより、表示用行アドレスデータを発生する
。
なお、第7図において、YDSEは垂直表示期間T8を
規定する垂直ゲートパルスである。パルスYDSE、Y
PREのタイミングは、先の第2図にも示す。
アドレスセレクタ20は4つのスリーステートバッファ
201〜204から成る。このうち、スリーステートバ
ッファ204は、表示用行アドレスデータとRASオン
リリフレッシュ用の行アドレスデータのゲートに兼用さ
れる。
タイミング発生回路12は、第1〜第3のパルス発生回
路121〜123から成る。第1のパルス発生回路12
1は、上記パルスP3.CPに従って、アドレストロー
ブ信号CAS、RASやロードパルスLD、表示用クロ
ックGKを発生する。
第2のパルス発生回路122は、パルスCPに従ってバ
ッファ20〜204のゲートパルスG1〜G4(第3図
参照)を発生し、画像メモリ11に対するアドレス供給
を切り換える。第3のパルス発生回路123は、書込み
用列アドレスデータの下位2ビツトに従ってRAM 1
11〜114に対して書込みパルスWPを撮り分ける。
つまり、第6図では、画像メモリ11を4つのRAM 
111〜114で構成しているため、書込み用列アドレ
スデータの上位6ビツトだけをRAM 111〜114
に与え、どのRAMにデータを書込むかは、書込みパル
スWPの据分けによって行っている、 なお、第6図において、23はデータセレクタである。
このデータセレクタ23はラッチ回路19にラッチされ
ている書込み用の描画データを、第3のパルス発生回路
123からの書込みパルスWPに従って、4つのRAM
 111〜114のいずれか1つに振り分ける。
以上詳述したようにこの実施例は、表示行アドレスデー
タを利用してRASオンリリフレッシュ用の行アドレス
データを作るものである。
したがって、この実施例によれば、従来に比べ、小さな
回路規模でRASオンリリフレッシュを行うことができ
る。これを第8図に示す従来のリフレッシュ構成と比較
して説明する。第8図は、第6図の回路を使って従来の
RASオンリリフレッシュ用回路を構成したものである
。第8図に示す如く、従来のRASオンリリフレッシュ
用回路では、RASオンリリフレッシュ専用の行アドレ
スカウンタ31とスリーステートバッファ32が必要で
ある。これに対し、この実施例では、第6図からも明ら
かな如く、2つのエフシフルーシブオア回路21.22
を付加するだけでよく、従来に比べ大幅に回路規模を縮
小することができる。
また、この実施例では、表示用行アドレスデータとRA
Sオンリリフレッシュ用行アドレスデータを同じカウン
タ 161(第6図参照)から得ているので、1フレ一
ム周期の4分の1の周期で確実にすべての行アドレスを
リフレッシュすることができる。これに対し、従来は、
両性アドレスデータを別々のカウンタ 163.31か
ら得ているので、両者の相互関係は一定ではない。した
がって、従来は、リフレッシュの信頼性を高めるために
、安全性の意味で、各水平走査期間にRASオンリリフ
レッシュを第9図に示すように、4回行われなければな
らなかった。別言すれば、この実流例では、従来に比べ
、各水平走査期間当りのRASオンリリフレッシュの回
数を1回減らすことができる。なお、第9図において、
RCPは従来のリフレッシュタイミングを規定するタイ
ミングパルスである。
第10図はこの発明の他の実施例の構成を示す回路図で
ある。なお、第10図において、先の第6図と同一部に
は同一符号を付する。
この実施例は、画像メモリ41がデュアルポートメモリ
である場合のリフレッシュ構成を提示するものである。
つまり、画像メモリ41がデータ書込み用I10ポート
とデータ読出し用のシリアルボートをもつ場合のリフレ
ッシュ構成を提示するものである。
デュアルポートメモリと従来のメモリとの大きな違いは
、前者が1行分のデータレジスタを有するシリアルボー
トをもち、これに表示クロックをCKを与えることによ
り、1行分の描画−データを1ドツト単位でシリアルに
出力できる機能をもっている点である。
この機能を使うと、水平ブランキング期間の所定の期間
に、メモリ41のメモリセルアレイから1行分の描画デ
ータをデータレジスタに転送し、これを水平表示期間に
1ドツトずつ読み出せばよいことになるから、上述した
サイクルスチル方式に比べ、データー込み期間を1フレ
ーム期間当り2倍にすることができる。
上記データ伝送タイミングの一例を第11図に示す。こ
の第11図は、水平表示期間TAに先立って、ROM1
53からパルスREADを発生する。
そして、パルスREADの期間、第2のパルス発生回路
122によってスリーステートバッフ?204を開成し
、表示用行アドレスデータを画像メモリ41に与え、表
示行アドレスをアクセスする。これと同時に、第1のパ
ルス発生回路121からデータ転送信号DT10Eを画
像メモリ41に与え、表示行アドレスの描画データをデ
ータレジスタに転送するようにしたものである。
このような構成によれば、画像表示のデータ読出しのた
めに、メモリセルアレイをアクセスする期間は、図の例
では実質的にはクロックCPの4個分の期間で済み、そ
れ以外の期間はデータ書込みやRASオンリリフレッシ
ュに使うことができる。
以上の点を考慮して第10図の装置では、第12図に示
すように、RASオンリリフレッシュのタイミングを水
平表示期間TAにも一部設定するようにしている。ここ
で、RASオンリリフレッシュのタイミングを分散させ
たのは、これを集中させることによる弊害を取り除くた
めである。すなわち、リフレッシュタイミングを集中さ
せると、この時期、マイクロプロセッサは長い間データ
書込みを中断しなければならない。しかし、このように
、仮に部分的であっても長い間データ書込みを中断する
ことは、例えば、画像表示との関係で決まる描画データ
の書込みタイミングに大きな制約を与えることになり、
データ書込みタイミングの設定を非常に難しいものにし
てしまう。そこで、この実施例では、各リフレッシュタ
イミングを分散させ、データ書込みが連続的に中断され
る期間をできるだけ短くし、データ書込みタイミングを
容易に設定できるようにしたものである。
なお、この発明のように、RASオンリリフレッシュ用
の行アドレスデータを表示行アドレスデータを使って作
る構成では、リフレッシュタイミングの分散は容易に設
定することができる。しかし、従来のように、RASオ
ンリリフレッシュ専用のカウンタやスリーステートバッ
ファを用いる構成では、分散のための制御がかなり難し
くなるという問題を有する。
このようにこの実施例は、デュアルポートメモリを使っ
た画像メモリ41のリフレッシュにおいて、RASオン
リリフレッシュのタイミングを分散させることにより、
マイクロプロセッサによるデータ書込みタイミングの設
定の容易化を図ったところに特徴を有するが、回路規模
の点に関しては、先の実施例と同様の効果を得ることが
できることは勿論である。
以上の説明では、表示用行アドレスデータの上位2ビツ
トの値を変更してRASオンリリフレッシュ用の行アド
レスデータを得る場合を説明したが、一般には、上位n
ビット(nは正の整数)の値を変換してRASオンリリ
フレッシュ用のデータを作ることができる。この場合、
n=1であれば、1フレ一ム周期の2 (=21 )分
の1の周期で、n−3であれば、1フレ一ム周期の8 
(−23>分の1の周期で、全ての行アドレスをリフレ
ッシュすることができる。したがって、使用するダイナ
ミックRAMがリフレッシュ周期の短いものであっても
、変更ビット数を増やすことにより、容易に対処するこ
とができる。
また、以上説明した例以外にも、この発明は、種々様々
変形実施可能なことは勿論である。
[発明の効果] この発明によれば小さな回路規模でRASオンリリフレ
ッシュを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の〜実施例の構成を示す回路図、第2
図は第1図の画像メモリの表示構成を示す図、第3図、
第4図は第1図の動作を説明するためのタイミングチャ
ート、第5図は第1図の動作を説明するための図、第6
図は第1図の具体的構成の一例を示す回路図、第7図は
第6図の動作を説明するためのタイミングチャート、第
8図は従来のリフレッシュ構成を示す回路図、第9図は
第8図の動作を説明するためのタイミングチャート、第
10図はこの発明の他の実施例の構成を示す回路図、第
11図、第12図は第10図の動作を説明するためのタ
イミングチャートである。 11・・・画像メモリ、12・・・タイミング発生回路
、16・・・表示用行アドレス発生回路、2o・・・ア
ドレスセレクタ、21.22・・・エクスクル−シブオ
フ回路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ダイナミックRAMによって構成され、少なくとも行ア
    ドレスのアクセスによつて画像表示のため描画データの
    読出しがなされる画像メモリと、上記画像表示用の行ア
    ドレスを指定するアドレスデータを発生する表示用行ア
    ドレス発生手段と、各水平走査期間において、画像表示
    のために上記画像メモリから描画データを読み出す期間
    は、上記表示用行アドレス発生手段から出力される表示
    用行アドレスデータを上記画像メモリに与え、上記デー
    タ読出し期間以外の所定期間は、上記表示用行アドレス
    データの上位にnビット(nは正の整数)を順次変更し
    た行アドレスデータをリフレッシュ用アドレスデータと
    して上記画像メモリに与えるアドレス供給手段とを具備
    した画像メモリ制御装置。
JP60268582A 1985-11-29 1985-11-29 画像メモリ制御装置 Pending JPS62127974A (ja)

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