JPS62128992A - 電気光学素子用薄膜の製造方法 - Google Patents
電気光学素子用薄膜の製造方法Info
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- JPS62128992A JPS62128992A JP60267423A JP26742385A JPS62128992A JP S62128992 A JPS62128992 A JP S62128992A JP 60267423 A JP60267423 A JP 60267423A JP 26742385 A JP26742385 A JP 26742385A JP S62128992 A JPS62128992 A JP S62128992A
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- Japan
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- thin film
- plzt
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はランタン（Ｌａ）を添加したチタン酸ジルコン
酸鉛（（Ｐ ｂ、Ｌ ａ）（Ｔ ｉ 、Ｚ ｒ）Ｏｓ以
下ＰＬＺＴという。〕の薄膜からなる電気光学素子用薄
膜の製造方法に係り、特に低い基板温度あるいは熱処理
温度で前記ＰＬＺＴの薄膜にペロブスカイト構造を付与
して強誘電特性を得る電気光学素子用薄膜の製造方法に
関する。
酸鉛（（Ｐ ｂ、Ｌ ａ）（Ｔ ｉ 、Ｚ ｒ）Ｏｓ以
下ＰＬＺＴという。〕の薄膜からなる電気光学素子用薄
膜の製造方法に係り、特に低い基板温度あるいは熱処理
温度で前記ＰＬＺＴの薄膜にペロブスカイト構造を付与
して強誘電特性を得る電気光学素子用薄膜の製造方法に
関する。
ＰＬＺＴは透明なセラミックスであり、この製造に際し
て従来、チタン酸ジルコン酸鉛にＬａを添加して結晶の
異方性を無くし、さらにこれをホットプレス法で緻密化
することにより得られた。
て従来、チタン酸ジルコン酸鉛にＬａを添加して結晶の
異方性を無くし、さらにこれをホットプレス法で緻密化
することにより得られた。
このＰＬＺＴセラミックスは強誘電性、圧電性を有し、
また光学的に透明であるため電気光学効果、フォトクロ
ミンク効果等を保有し、さらにセラミックスＭｉ織特存
の電場による散乱効果を有するなど、従来の単結晶電気
光学材料ではみられなかった独特の機能を持っている。
また光学的に透明であるため電気光学効果、フォトクロ
ミンク効果等を保有し、さらにセラミックスＭｉ織特存
の電場による散乱効果を有するなど、従来の単結晶電気
光学材料ではみられなかった独特の機能を持っている。
これらの機能を応用したデバイスとして光表示素子、光
記憶素子、光変調素子、光シャンターなどが提案されて
きた。
記憶素子、光変調素子、光シャンターなどが提案されて
きた。
しかし、このＰＬＺＴセラミックスは前述のとおりホッ
トプレス法によって作られるため、量産性に乏しく高価
格であり、さらには大面積化が難しく、任意の形状をつ
くりにくい等の理由によりご（限られた分野でのみ使用
されているに過ぎない。
トプレス法によって作られるため、量産性に乏しく高価
格であり、さらには大面積化が難しく、任意の形状をつ
くりにくい等の理由によりご（限られた分野でのみ使用
されているに過ぎない。
このような欠点を克服するために近年、ＰＬＺＴの薄膜
化が研究されるようになってきた。薄膜の形成方法はい
くつか提案されているが、ＰＬＺＴのような多成分酸化
物ではスパッタリングによる方法が高品質の膜が得られ
るため最もよく利用されている。
化が研究されるようになってきた。薄膜の形成方法はい
くつか提案されているが、ＰＬＺＴのような多成分酸化
物ではスパッタリングによる方法が高品質の膜が得られ
るため最もよく利用されている。
スパッタリングによる方法では、一般に急冷に近い状態
で基板上に膜が形成されるため、この膜は通常非晶質の
膜である。ところで、ＰＬＺＴでは前述の強誘電性など
の特性が現れるのはペロブスカイト構造の結晶構造にな
ったときであるので、通常、基板温度を高温にして製膜
する方法がとられている。基板温度が３００℃以上では
結晶化した膜が得られるが、強誘電性を示さないパイロ
クロア構造となっているのが普通であり、基板として石
英を用いるときには強誘電性を示すペロブスカイト構造
の膜は基板温度が６００℃以上でなければ得られない。
で基板上に膜が形成されるため、この膜は通常非晶質の
膜である。ところで、ＰＬＺＴでは前述の強誘電性など
の特性が現れるのはペロブスカイト構造の結晶構造にな
ったときであるので、通常、基板温度を高温にして製膜
する方法がとられている。基板温度が３００℃以上では
結晶化した膜が得られるが、強誘電性を示さないパイロ
クロア構造となっているのが普通であり、基板として石
英を用いるときには強誘電性を示すペロブスカイト構造
の膜は基板温度が６００℃以上でなければ得られない。
基板としてＳｒＴｉＯ３単結晶、ｐＬ仮などを使うと基
板温度が５００℃程度でペロブスカイト構造のＰＬＺＴ
膜が得られるという報告もあるが、この場合、基板が高
価となり、あるいは基板が透明でないため導波路型の光
変調素子などへの利用が限られてしまうという欠点が生
じる。
板温度が５００℃程度でペロブスカイト構造のＰＬＺＴ
膜が得られるという報告もあるが、この場合、基板が高
価となり、あるいは基板が透明でないため導波路型の光
変調素子などへの利用が限られてしまうという欠点が生
じる。
また、３００°Ｃ程度の低い基板温度で作られた膜をペ
ロブスカイト構造に変えるため７００℃以上の温度で熱
処理することも試みられている。この方法では満足でき
る結晶構造が得られても、ｐｂがＰＬＺＴ膜から蒸発し
てしまい、このため組成がくずれ、所望の特性が得られ
なくなり、また、熱処理温度が高いためｐｂが石英基板
に拡散し、失透しやすくなり、このため高品質の石英ガ
ラスを使用しなければならない等の欠点がある。
ロブスカイト構造に変えるため７００℃以上の温度で熱
処理することも試みられている。この方法では満足でき
る結晶構造が得られても、ｐｂがＰＬＺＴ膜から蒸発し
てしまい、このため組成がくずれ、所望の特性が得られ
なくなり、また、熱処理温度が高いためｐｂが石英基板
に拡散し、失透しやすくなり、このため高品質の石英ガ
ラスを使用しなければならない等の欠点がある。
本発明の目的はスパッタリング法によりＰＬＺＴ膜を製
造する際に、５ｒＴｉＯｚ単結晶、ｐ【板などの高価な
基板を使用しなくても低い基板温度あるいは熱処理温度
で前記ＰＬＺＴ膜にペロブスカイト構造を付与して強誘
電特性を得る、前述の公知技術に存する欠点を改良した
電気光学素子用７ｉ、膜の製造方法を提供することにあ
る。
造する際に、５ｒＴｉＯｚ単結晶、ｐ【板などの高価な
基板を使用しなくても低い基板温度あるいは熱処理温度
で前記ＰＬＺＴ膜にペロブスカイト構造を付与して強誘
電特性を得る、前述の公知技術に存する欠点を改良した
電気光学素子用７ｉ、膜の製造方法を提供することにあ
る。
（発明の要点）
前述の目的を達成するため、本発明によれば、耐熱性基
板上にスパッタリング法によりランタン（Ｌａ）の添加
されたチタン酸ジルコン酸鉛〔（Ｐｂ、Ｌａ）（Ｔｉ、
Ｚｒ）Ｏ３〕膜（ＰＬＺＴ膜）を形成するとともに前記
基板温度を加熱し、あるいは前記ＰＬＺＴ膜を熱処理し
て前記ＰＬＺＴ膜にペロブスカイト構造を付与する電気
光学素子用薄膜の製造方法において、前記基板上に鉛（
Ｐｂ）を含有しないペロブスカイト構造を有する酸化物
からなる薄膜をあらかじめ形成しておき、この薄膜上に
前記ＰＬＺＴ膜を形成して低い基板温度あるいは熱処理
温度で前記ＰＬＺＴ膜にペロブスカイト構造付与するこ
とを特徴とする。
板上にスパッタリング法によりランタン（Ｌａ）の添加
されたチタン酸ジルコン酸鉛〔（Ｐｂ、Ｌａ）（Ｔｉ、
Ｚｒ）Ｏ３〕膜（ＰＬＺＴ膜）を形成するとともに前記
基板温度を加熱し、あるいは前記ＰＬＺＴ膜を熱処理し
て前記ＰＬＺＴ膜にペロブスカイト構造を付与する電気
光学素子用薄膜の製造方法において、前記基板上に鉛（
Ｐｂ）を含有しないペロブスカイト構造を有する酸化物
からなる薄膜をあらかじめ形成しておき、この薄膜上に
前記ＰＬＺＴ膜を形成して低い基板温度あるいは熱処理
温度で前記ＰＬＺＴ膜にペロブスカイト構造付与するこ
とを特徴とする。
前述のｐｂを含有しないペロブスカイト構造を有する酸
化物は立方晶あるいは正方晶の酸化物であって、具体的
にはチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴ ｉ Ｏ３）、ジ
ルコン酸ストロンチウム（Ｓ ｒ Ｚ ｒＯｌ）、ハフ
ニウム酸ストロンチウム（Ｓ ｒ Ｈｒ ０３）−錫酸
ストロンチウム（ＳｒＳｎＯｔ）、鉄Ｍストロンチウム
（ＳｒＦｅＯ３〕、チタン酸バリウム（ＢａＴｊＣｈ）
、ジルコン酸バリウム（ＢａＺｒＯｌ）、ハフニウム酸
バリウム（Ｂ ａ Ｈｆ Ｏ３〕、ｔ！酸バリウム（Ｂ
ａＳｎＯ３〕、セリウム酸バリウム（ＢａＣｅＯｉ）、
テルル酸バリウム（Ｂ ａ Ｔ ｈ Ｏ３〕、チタン酸
カルシウム（Ｃａ Ｔ ｔ Ｏ３〕等が挙げられる。
化物は立方晶あるいは正方晶の酸化物であって、具体的
にはチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴ ｉ Ｏ３）、ジ
ルコン酸ストロンチウム（Ｓ ｒ Ｚ ｒＯｌ）、ハフ
ニウム酸ストロンチウム（Ｓ ｒ Ｈｒ ０３）−錫酸
ストロンチウム（ＳｒＳｎＯｔ）、鉄Ｍストロンチウム
（ＳｒＦｅＯ３〕、チタン酸バリウム（ＢａＴｊＣｈ）
、ジルコン酸バリウム（ＢａＺｒＯｌ）、ハフニウム酸
バリウム（Ｂ ａ Ｈｆ Ｏ３〕、ｔ！酸バリウム（Ｂ
ａＳｎＯ３〕、セリウム酸バリウム（ＢａＣｅＯｉ）、
テルル酸バリウム（Ｂ ａ Ｔ ｈ Ｏ３〕、チタン酸
カルシウム（Ｃａ Ｔ ｔ Ｏ３〕等が挙げられる。
これら酸化物の薄膜の膜厚は本発明では０．１μｍ以上
である。さらに本発明に用いられる耐熱性基板は透光性
基板であり、例えば鏡面研磨した石英ガラス基板である
。
である。さらに本発明に用いられる耐熱性基板は透光性
基板であり、例えば鏡面研磨した石英ガラス基板である
。
以下、本発明を実施例により具体的に詳述する。
叉崖■上
鏡面研摩した石英ガラス基板上にスパッタリング法によ
り５ｒＴｉＯ，焼結体をターゲットとして５ｒＴｉＯｚ
膜を作製した。実験に用いたスパッタ装置はマグネトロ
ン型の高周波スパッタで製膜条件は電力約４Ｗ／−１使
用ガスＡｒ：Ｏ□−９：１の混合ガス、ガス圧０．０１
Ｔｏｒｒ 、基板温度３００℃である。１時間のスパ
ッタにより膜厚０．５μｍの５ｒＴｉＯｓ膜を作製した
。次いでこの膜を６００乃至８００℃の温度で３時間熱
処理した。Ｘ線回折によりこのＳ ｒ Ｔ Ｉ Ｏｘ膜
はペロブスカイト構造になっていることを確認した。前
記熱処理によって石英ガラス基板が失透することはなか
った。
り５ｒＴｉＯ，焼結体をターゲットとして５ｒＴｉＯｚ
膜を作製した。実験に用いたスパッタ装置はマグネトロ
ン型の高周波スパッタで製膜条件は電力約４Ｗ／−１使
用ガスＡｒ：Ｏ□−９：１の混合ガス、ガス圧０．０１
Ｔｏｒｒ 、基板温度３００℃である。１時間のスパ
ッタにより膜厚０．５μｍの５ｒＴｉＯｓ膜を作製した
。次いでこの膜を６００乃至８００℃の温度で３時間熱
処理した。Ｘ線回折によりこのＳ ｒ Ｔ Ｉ Ｏｘ膜
はペロブスカイト構造になっていることを確認した。前
記熱処理によって石英ガラス基板が失透することはなか
った。
次いで、前述のようにして熱処理を施した５ｒＴｉｅ、
膜上に、ＰＬＺＴ焼結体をターゲットとしてスバフタ膜
を作製した。製膜条件は前記５ｒＴｉ０薄膜の作製条件
と同じである。得られた膜の結晶構造は非晶質であった
。得られた膜の断面図を第１図に示す。第１図において
、１はＰＬＺＴ膜であり、２はＳ ｒ Ｔ ｉ ０薄膜
であり、３は石英ガラス基板である。
膜上に、ＰＬＺＴ焼結体をターゲットとしてスバフタ膜
を作製した。製膜条件は前記５ｒＴｉ０薄膜の作製条件
と同じである。得られた膜の結晶構造は非晶質であった
。得られた膜の断面図を第１図に示す。第１図において
、１はＰＬＺＴ膜であり、２はＳ ｒ Ｔ ｉ ０薄膜
であり、３は石英ガラス基板である。
さらに前述第１図における石英ガラス基板３の温度を変
化させ、この基板３の温度が何度のときにペロブスカイ
ト構造のＰＬＺＴＩＩＱが得られるかについて検討した
。第２図は基板３の温度を３００乃至７００℃の範囲で
５０℃おきに変化させたときに得られたＰＬ、ＺＴ膜１
の結晶構造を示したグラフであり、グラフａは本発明方
法にかかるもの、グラフｂは石英ガラス基板上に直接Ｐ
ＬＺＴ膜を作製した比較のための従来方法にかかるもの
である。
化させ、この基板３の温度が何度のときにペロブスカイ
ト構造のＰＬＺＴＩＩＱが得られるかについて検討した
。第２図は基板３の温度を３００乃至７００℃の範囲で
５０℃おきに変化させたときに得られたＰＬ、ＺＴ膜１
の結晶構造を示したグラフであり、グラフａは本発明方
法にかかるもの、グラフｂは石英ガラス基板上に直接Ｐ
ＬＺＴ膜を作製した比較のための従来方法にかかるもの
である。
第２図から従来方法すでは基板温度が６００℃以上にな
らなければペロブスカイト構造にならないが、本発明方
法では従来方法のものよりも１００℃低い５００’ｃの
温度でもペロブスカイト構造が得られることがわかる。
らなければペロブスカイト構造にならないが、本発明方
法では従来方法のものよりも１００℃低い５００’ｃの
温度でもペロブスカイト構造が得られることがわかる。
スｍ
実施例１と同様にして３ｒＴｉＣｈ膜上にＰ ＬＺＴ膜
を作製した。（第１図）。基板温度は３００℃とした。
を作製した。（第１図）。基板温度は３００℃とした。
この膜を用いて熱処理温度と結晶構造の関係を検討した
。熱処理温度を４００℃乃至８００℃の範囲で５０℃お
きに変化し、各々の条件で得られたＰＬＺＴ膜をＸ線回
折で結晶構造の同定を行った。熱処理時間は３時間であ
る。このとき、いずれの温度でも石英ガラス基板３がｐ
ｂにより失透することはなかった。これは石英ガラス基
板３とＰＬＺＴ膜１の間に熱的に安定な５ｒＴｉＣｈ膜
２が介在するためと推定される。第３図は熱処理温度と
得られた膜の結晶構造の関係を表わしたグラフであって
、ａは本発明方法にかかるもの、ｂは従来方法によるも
の示す。第３図から明らかなように、本発明方法ａでは
従来方法すに比べてペロブスカイト構造になる熱処理温
度が１００℃低い。
。熱処理温度を４００℃乃至８００℃の範囲で５０℃お
きに変化し、各々の条件で得られたＰＬＺＴ膜をＸ線回
折で結晶構造の同定を行った。熱処理時間は３時間であ
る。このとき、いずれの温度でも石英ガラス基板３がｐ
ｂにより失透することはなかった。これは石英ガラス基
板３とＰＬＺＴ膜１の間に熱的に安定な５ｒＴｉＣｈ膜
２が介在するためと推定される。第３図は熱処理温度と
得られた膜の結晶構造の関係を表わしたグラフであって
、ａは本発明方法にかかるもの、ｂは従来方法によるも
の示す。第３図から明らかなように、本発明方法ａでは
従来方法すに比べてペロブスカイト構造になる熱処理温
度が１００℃低い。
なお、前述の実施例１および２において、夕一ゲットと
して焼結体を用いたが、５ｒＴｉＯ，、ＰＬＺＴのいず
れも粉末をターゲットとして用いてもなんら差し支えな
い。
して焼結体を用いたが、５ｒＴｉＯ，、ＰＬＺＴのいず
れも粉末をターゲットとして用いてもなんら差し支えな
い。
また、５ｒＴｉＯ，ターゲットの代わりに、Ｔｉｏｚ、
ｓｒｏを用いた二元スバンタ法により製膜してもよく、
あるいはＴｉ、Ｓｒの金属ターゲットを用いた反応性ス
パツドにより製膜してもかまわない。
ｓｒｏを用いた二元スバンタ法により製膜してもよく、
あるいはＴｉ、Ｓｒの金属ターゲットを用いた反応性ス
パツドにより製膜してもかまわない。
さらに、本発明ではＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏｘ膜はスパッタ
リングによらずに例えばＣＶＤ法などによって作製して
も本発明効果を奏し得ることは容易に推定される。
リングによらずに例えばＣＶＤ法などによって作製して
も本発明効果を奏し得ることは容易に推定される。
ス屓１１１
実施例１および２で用いた３ｒＴｊＯｘの代わりに５ｒ
ＺｒＯｘ 、５ｒＨｆＯ＝ 、５ｒＳｎＯ３ＳｒＦｅＯ
ｚ 、ＢａＴｉＯ３、ＢａＺｒ０１ 、ＢａＨｆ０．
、Ｂａ５ｎＯ，、ＢａＣｅＯ３、ＢａＴｈ０１、および
Ｃａ Ｔ ｉ Ｏ３をそれぞれ用いた。この場合、いず
れもＳｒＴｉ０ｍと同様な効果が認められた。
ＺｒＯｘ 、５ｒＨｆＯ＝ 、５ｒＳｎＯ３ＳｒＦｅＯ
ｚ 、ＢａＴｉＯ３、ＢａＺｒ０１ 、ＢａＨｆ０．
、Ｂａ５ｎＯ，、ＢａＣｅＯ３、ＢａＴｈ０１、および
Ｃａ Ｔ ｉ Ｏ３をそれぞれ用いた。この場合、いず
れもＳｒＴｉ０ｍと同様な効果が認められた。
以上のとおり、本発明によれば、耐熱性基板上にＰｂを
含存しないペロブスカイト型酸化物からなる薄膜をあら
かじめ形成しておき、この膜上にＰＬＺＴ膜をスパッタ
リングにより形成すると、従来方法に比べ低い基板温度
あるいは熱処理温度でペロブスカイト構造の膜が得られ
る。これにより安価な基板を用いても失透が起こらず、
また組成のずれが少ないため所望の特性、すなわち強誘
電特性を有する薄膜を作製することができる。
含存しないペロブスカイト型酸化物からなる薄膜をあら
かじめ形成しておき、この膜上にＰＬＺＴ膜をスパッタ
リングにより形成すると、従来方法に比べ低い基板温度
あるいは熱処理温度でペロブスカイト構造の膜が得られ
る。これにより安価な基板を用いても失透が起こらず、
また組成のずれが少ないため所望の特性、すなわち強誘
電特性を有する薄膜を作製することができる。
第１図は本発明にかかる薄膜の構成を示した断面図であ
り、第２図は基板温度とＰＬＺＴ膜の結晶構造の関係を
示したグラフであり、第３図は熱処理温度とＰＬＺＴ膜
の結晶構造の関係を示したクラブである。 １−−ＰＬＺＴ膜、２＝ＳｒＴｉＯ，膜、３・・石英ガ
ラス基板。 喜１目 箋２９ 暮版差農（ｏＣ） 箋３目 α 熱処理筋力４（’ｃ）
り、第２図は基板温度とＰＬＺＴ膜の結晶構造の関係を
示したグラフであり、第３図は熱処理温度とＰＬＺＴ膜
の結晶構造の関係を示したクラブである。 １−−ＰＬＺＴ膜、２＝ＳｒＴｉＯ，膜、３・・石英ガ
ラス基板。 喜１目 箋２９ 暮版差農（ｏＣ） 箋３目 α 熱処理筋力４（’ｃ）
Claims (5)
- （１）耐熱性基板上に、スパッタリング法によりランタ
ン（Ｌａ）の添加されたチタン酸ジルコン酸鉛〔（Ｐｂ
、Ｌａ）（Ｔｉ、Ｚｒ）Ｏ＿３〕膜（ＰＬＺＴ膜）を形
成するとともに前記基板温度を加熱し、あるいは前記Ｐ
ＬＺＴ膜を熱処理して前記ＰＬＺＴ膜にペロブスカイト
構造を付与する電気光学素子用薄膜の製造方法において
、前記基板上に鉛（Ｐｂ）を含有しないペロブスカイト
構造を有する酸化物からなる薄膜をあらかじめ形成して
おき、この薄膜上に前記ＰＬＺＴ膜を形成して低い基板
温度あるいは熱処理温度で前記ＰＬＺＴ膜にペロブスカ
イト構造を付与することを特徴とする電気光学素子用薄
膜の製造方法。 - （２）特許請求の範囲第１項に記載の方法において、前
記Ｐｂを含有しないペロブスカイト構造を有する酸化物
が立方晶あるいは正方晶のペロブスカイト型酸化物であ
ることを特徴とする電気光学素子用薄膜の製造方法。 - （３）特許請求の範囲第１項または第２項に記載の方法
において、前記Ｐｂを含有しないペロブスカイト構造を
有する酸化物がチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ＿
３）、ジルコン酸ストロンチウム（ＳｒＺｒＯ＿３）、
ハフニウム酸ストロンチウム（ＳｒＨｆＯ＿３）、錫酸
ストロンチウム（ＳｒＳｎＯ＿３）、鉄酸ストロンチウ
ム（ＳｒＦｅＯ＿３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ
＿３）、ジルコン酸バリウム（ＢａＺｒＯ＿３）、ハフ
ニウム酸バリウム（ＢａＨｆＯ＿３）、錫酸バリウム（
ＢａＳｎＯ、）、セリウム酸バリウム（ＢａＣｅＯ＿３
）、テル酸バリウム（ＢａＴｈＯ＿３）、およびチタン
酸カルシウム（ＣａＴｉＯ＿３）の群から選択された酸
化物であることを特徴とする電気光学素子用薄膜の製造
方法。 - （４）特許請求の範囲第１項に記載の方法において、前
記Ｐｂを含有しないペロブスカイト構造を有する酸化物
の薄膜の膜厚が０．１μｍ以上であることを特徴とする
電気光学的素子用薄膜の製造方法。 - （５）特許請求の範囲第１項に記載の方法において、前
記耐熱性基板が透光性基板であることを特徴とする電気
光学素子用薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267423A JPS62128992A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 電気光学素子用薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267423A JPS62128992A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 電気光学素子用薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128992A true JPS62128992A (ja) | 1987-06-11 |
| JPH0472795B2 JPH0472795B2 (ja) | 1992-11-19 |
Family
ID=17444638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60267423A Granted JPS62128992A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 電気光学素子用薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62128992A (ja) |
-
1985
- 1985-11-29 JP JP60267423A patent/JPS62128992A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0472795B2 (ja) | 1992-11-19 |
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