JPS6212913B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6212913B2 JPS6212913B2 JP19828081A JP19828081A JPS6212913B2 JP S6212913 B2 JPS6212913 B2 JP S6212913B2 JP 19828081 A JP19828081 A JP 19828081A JP 19828081 A JP19828081 A JP 19828081A JP S6212913 B2 JPS6212913 B2 JP S6212913B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive resin
- photomask
- thin film
- film pattern
- glass substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造に用いられるフオ
トマスクに関するものである。
トマスクに関するものである。
従来、この種のフオトマスクとしては、第１図
に示すものがあつた。第１図の断面図において、
１はガラス基板、２はクロム、各種酸化金属薄膜
等で形成される薄膜パターンで、金属の一層また
は２層構造によつて構成されている。
に示すものがあつた。第１図の断面図において、
１はガラス基板、２はクロム、各種酸化金属薄膜
等で形成される薄膜パターンで、金属の一層また
は２層構造によつて構成されている。
このようなフオトマスクは半導体装置の製造に
おいて、第２図に示すように、半導体基板３の上
に１μｍ程度の厚さに塗布されたネガ型感光樹脂
４に薄膜パターン２の側を加圧密着させ、この
後、ガラス基板１の後方から光を照射することに
よつて所定の薄膜パターンを半導体基板３上に塗
布したネガ型感光樹脂４上に転写するものであ
り、しかるのち、この感光樹脂４をマスク材とし
て種々の化学処理によつて所定のパターンを半導
体基板３上に形成する。
おいて、第２図に示すように、半導体基板３の上
に１μｍ程度の厚さに塗布されたネガ型感光樹脂
４に薄膜パターン２の側を加圧密着させ、この
後、ガラス基板１の後方から光を照射することに
よつて所定の薄膜パターンを半導体基板３上に塗
布したネガ型感光樹脂４上に転写するものであ
り、しかるのち、この感光樹脂４をマスク材とし
て種々の化学処理によつて所定のパターンを半導
体基板３上に形成する。
従来のフオトマスクは以上のように構成されて
いるために、第２図に示すように半導体基板３に
密着させて使用するので、半導体基板から離すと
き容易に離れない。加圧密着させるために異物、
ゴミ等がフオトマスクを損傷したり、半導体基板
３上に塗布したネガ型感光樹脂４を損傷して、半
導体装置の歩留りを下げる。第２図５に示す空気
層に内在する酸素の影響により、感光性樹脂４の
膜厚が減少する酸素効果が生じ、感光性樹脂４の
耐酸性が下がり半導体装置の製造に支障をきたす
等の欠点があつた。また、酸素効果を防止するた
めに第３図に示すように薄膜パターン２の形成さ
れない部分にネガ型感光性樹脂４を選択的に形成
させた構造においても第４図に示すように薄膜パ
ターン２が直接半導体基板３側に形成されたネガ
型感光性樹脂４に接触するため、半導体基板３か
ら容易に離れない等の第１図に示すフオトマスク
と同じ欠点があつた。
いるために、第２図に示すように半導体基板３に
密着させて使用するので、半導体基板から離すと
き容易に離れない。加圧密着させるために異物、
ゴミ等がフオトマスクを損傷したり、半導体基板
３上に塗布したネガ型感光樹脂４を損傷して、半
導体装置の歩留りを下げる。第２図５に示す空気
層に内在する酸素の影響により、感光性樹脂４の
膜厚が減少する酸素効果が生じ、感光性樹脂４の
耐酸性が下がり半導体装置の製造に支障をきたす
等の欠点があつた。また、酸素効果を防止するた
めに第３図に示すように薄膜パターン２の形成さ
れない部分にネガ型感光性樹脂４を選択的に形成
させた構造においても第４図に示すように薄膜パ
ターン２が直接半導体基板３側に形成されたネガ
型感光性樹脂４に接触するため、半導体基板３か
ら容易に離れない等の第１図に示すフオトマスク
と同じ欠点があつた。
この発明は上記のような点に鑑み、ガラス基板
１上に選択的に形成された薄膜パターン２と薄膜
パターン２の形成されていないガラス基板１上に
二種類の性質の異なる感光性樹脂を選択的に形成
させることによつて、上記の欠点を除去できるフ
オトマスクを提供することを目的としている。
１上に選択的に形成された薄膜パターン２と薄膜
パターン２の形成されていないガラス基板１上に
二種類の性質の異なる感光性樹脂を選択的に形成
させることによつて、上記の欠点を除去できるフ
オトマスクを提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。第５図において、６はガラス基板１上に選択
的に形成された薄膜パターン２の上にのみ、厚さ
0.1μｍ程度で形成したポジ型感光性樹脂であ
る。
る。第５図において、６はガラス基板１上に選択
的に形成された薄膜パターン２の上にのみ、厚さ
0.1μｍ程度で形成したポジ型感光性樹脂であ
る。
このポジ型感光性樹脂６は、第３図に示すよう
に薄膜パターン２の形成されていないガラス基板
１上にネガ型感光性樹脂４を形成させた後、スピ
ン塗布法等を使用して、0.1μｍ程度の厚さに全
面に塗布する。この後、ベーキングを80℃で30分
程度行い、次に薄膜パターン２の形成されていな
いガラス基板１側から全面を露光し、現像処理を
施すと露光されない薄膜パターン２の上にのみ選
択的にポジ型感光性樹脂６が形成される。ポジ型
感光性樹脂の現像は水溶性であるため、先に形成
させたネガ型感光性樹脂４に対して支障なく作業
を行なうことができ、第５図に示す構造のフオト
マスクを容易に形成することができる。
に薄膜パターン２の形成されていないガラス基板
１上にネガ型感光性樹脂４を形成させた後、スピ
ン塗布法等を使用して、0.1μｍ程度の厚さに全
面に塗布する。この後、ベーキングを80℃で30分
程度行い、次に薄膜パターン２の形成されていな
いガラス基板１側から全面を露光し、現像処理を
施すと露光されない薄膜パターン２の上にのみ選
択的にポジ型感光性樹脂６が形成される。ポジ型
感光性樹脂の現像は水溶性であるため、先に形成
させたネガ型感光性樹脂４に対して支障なく作業
を行なうことができ、第５図に示す構造のフオト
マスクを容易に形成することができる。
第５図に示す構造を有するフオトマスクを用い
て、半導体ウエハ基板３に密着させて転写作業を
行う場合、第６図に示すように薄膜パターン２の
形成されていない部分はネガ型感光性樹脂によつ
て空間がうめられていること、薄膜パターン２の
上に形成されたポジ型感光性樹脂６の膜厚によつ
て生じる空間層５はポジ型感光性樹脂の現像によ
る膜減り等によつて膜厚が薄くなつているために
ほとんど酸素効果には影響しないこと等から、酸
素効果現象をおさえることができる。一方、薄膜
パターン２の上に形成された感光性樹脂６によつ
て、半導体基板３に形成されたネガ型感光性樹脂
４とガラス基板１に選択的に形成されたネガ型感
光性樹脂４とが密着しなくなり、半導体ウエハ基
板３を容易に離すことができる。また、薄膜パタ
ーン２は金属性なので直接半導体ウエハ基板３側
のネガ型感光性樹脂４に接触するとその表面に損
傷を与えることがあるが、薄膜パターン２の上に
ポジ型感光性樹脂６があるためにこれが緩衝の役
目をもち、半導体ウエハ基板３側の感光性樹脂４
の表面に損傷を与えなくなる。
て、半導体ウエハ基板３に密着させて転写作業を
行う場合、第６図に示すように薄膜パターン２の
形成されていない部分はネガ型感光性樹脂によつ
て空間がうめられていること、薄膜パターン２の
上に形成されたポジ型感光性樹脂６の膜厚によつ
て生じる空間層５はポジ型感光性樹脂の現像によ
る膜減り等によつて膜厚が薄くなつているために
ほとんど酸素効果には影響しないこと等から、酸
素効果現象をおさえることができる。一方、薄膜
パターン２の上に形成された感光性樹脂６によつ
て、半導体基板３に形成されたネガ型感光性樹脂
４とガラス基板１に選択的に形成されたネガ型感
光性樹脂４とが密着しなくなり、半導体ウエハ基
板３を容易に離すことができる。また、薄膜パタ
ーン２は金属性なので直接半導体ウエハ基板３側
のネガ型感光性樹脂４に接触するとその表面に損
傷を与えることがあるが、薄膜パターン２の上に
ポジ型感光性樹脂６があるためにこれが緩衝の役
目をもち、半導体ウエハ基板３側の感光性樹脂４
の表面に損傷を与えなくなる。
上記実施例では半導体ウエハ基板３上に形成さ
せたネガ型感光性樹脂４の表面保護、フオトマス
クの損傷を防ぐこと、さらに、半導体基板３とフ
オトマスクとが容易に離れることを目的としたも
のであるが、ネガ型感光性樹脂４の厚さを少なく
とも、薄膜パターンとその上に形成したポジ型感
光性樹脂６の厚さよりも厚く形成させることによ
つて、フオトマスクの密着コピーを行なう場合に
も、上記実施例と同様の効果を奏する。
せたネガ型感光性樹脂４の表面保護、フオトマス
クの損傷を防ぐこと、さらに、半導体基板３とフ
オトマスクとが容易に離れることを目的としたも
のであるが、ネガ型感光性樹脂４の厚さを少なく
とも、薄膜パターンとその上に形成したポジ型感
光性樹脂６の厚さよりも厚く形成させることによ
つて、フオトマスクの密着コピーを行なう場合に
も、上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、異質の感光
性樹脂を選択的に形成させた構成であるために、
半導体ウエハ基板３とフオトマスクの密着露光に
おいても、半導体ウエハ基板３が所定の作業終了
後容易に離れ、また、半導体ウエハ基板３上に形
成させた感光性樹脂４を損傷しない、さらに酸素
効果を防ぐ等の効果により、半導体装置の歩留り
の低下を防ぐことができる。
性樹脂を選択的に形成させた構成であるために、
半導体ウエハ基板３とフオトマスクの密着露光に
おいても、半導体ウエハ基板３が所定の作業終了
後容易に離れ、また、半導体ウエハ基板３上に形
成させた感光性樹脂４を損傷しない、さらに酸素
効果を防ぐ等の効果により、半導体装置の歩留り
の低下を防ぐことができる。
第１図、第３図は従来のフオトマスクを示す断
面図、第２図、第４図は従来のフオトマスクの使
用状態を示す断面図である。第５図はこの発明に
よる一実施例を示す断面図であり、第６図はこの
発明によるフオトマスクの使用状態を示す断面図
である。 １……ガラス基板、２……薄膜パターン、３…
…半導体ウエハ基板、４……ネガ型感光性樹脂、
５……空気層、６……ポジ型感光性樹脂。なお図
中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
面図、第２図、第４図は従来のフオトマスクの使
用状態を示す断面図である。第５図はこの発明に
よる一実施例を示す断面図であり、第６図はこの
発明によるフオトマスクの使用状態を示す断面図
である。 １……ガラス基板、２……薄膜パターン、３…
…半導体ウエハ基板、４……ネガ型感光性樹脂、
５……空気層、６……ポジ型感光性樹脂。なお図
中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- １ ガラス基板上に選択的にパターンを形成させ
たフオトマスクにおいて、パターンの形成されて
いないガラス基板上と、パターン形成されている
ガラス基板上とにそれぞれ性質の異つた感光性樹
脂を選択的に形成させたことを特徴とするフオト
マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198280A JPS5897048A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198280A JPS5897048A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | フオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5897048A JPS5897048A (ja) | 1983-06-09 |
| JPS6212913B2 true JPS6212913B2 (ja) | 1987-03-23 |
Family
ID=16388493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56198280A Granted JPS5897048A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5897048A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0547548A (ja) * | 1991-08-08 | 1993-02-26 | Tokyo Electric Co Ltd | 電磁石保護回路 |
-
1981
- 1981-12-04 JP JP56198280A patent/JPS5897048A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0547548A (ja) * | 1991-08-08 | 1993-02-26 | Tokyo Electric Co Ltd | 電磁石保護回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5897048A (ja) | 1983-06-09 |
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