JPS62130890A - 光学記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光学記録体に関する。

従来の技術 レーザーを用いた光学記録は、高密度の情報記録保存お
よび再生を可能とするため、近年、特に、開発が望まれ
ている。

光学記録の一例としては、光ディスクをあげる事ができ
る。

一般に光ディスクは、円形の基体に設けられた薄い記録
層に、ｌｐｍ程度に集束したレーザー光を照射し、高密
度の情報記録を行なうものである。

記録は、照射されたレーザーエネルギーの吸収により、
その個所に生じた、記録層の、分解、蒸発、溶解等の熱
的変形により生成し、そして記録された情報の再生は、
レーザー光により。

変形が起きている部分と起きていない部分の反射率の差
を読み取る事により行なわれる。

したがって、記録体としては、レーザー光のエネルギー
を効率良く吸収する必要があるため、記録に使用する特
定波長のレーザー光に対する吸収が大きい事、情報の再
生を正確に行なうため、再生に使用する特定波長のレー
ザー光に対する反射率が高い事が必要である。

この糧の光学的記録媒体としては、穆々の構成のものが
知られている。

例えば、特開昭！！−！７７０３３号公報には、基板上
に７タロシアニン系色素の単層を設けたものが開示され
ている。ブタロシアニン系色素ハ感度が低い、分解点が
高く蒸着しにくい等の問題点を有し、さらに有機溶媒に
対する溶解性が著しく低く、塗布によるコーティングに
使用することができないという問題点も有している。

また、特開昭ｓｒ−ざ３３７９号公報にはフェナレン系
色素を、特開昭ｓｇ−ココククデ３号公報にはナフトキ
ノン系色素を記録層に設けたものが開示されている。し
かし、このような色素は蒸着しやすいという利点の反面
１反射率が低いという問題点を有している。反射率が低
いとレーザー光により記録された部分と未記録部分との
反射率に関係するコントラストは低くなり、記録された
情報の再生が困難となる。

また、特開Ｆ＠ｓｔ−お弓９コ号公報、特開昭５９−６
７０タコ号公報、特開昭５？−７／１９１号公報にはシ
アニン系色素を記録層に設けたものが開示されている。

しかし、このような色素は塗布によるコーティングに使
用できるという利点を有する反面、耐光性および再生光
による劣化という問題点を有している。

発明が解決しようとする問題点 本発明は、有機溶媒に対する溶解性が高く、塗布てよる
コーティングも可能で、しかも、反射率が高くコントラ
ストが良好で、耐光性および再生光圧対する耐性にもす
ぐれている色素を用いた光学記録体を提供することを目
的とするものである。

問題点を解決するための手段 本発明の要旨は、一般式〔■〕 ・・・・・・［１） 〔式中、Ｒ１およびＲ１は、水素原子、アルキル基、ア
リール基またはアラルキル基を表わし、Ｒ１゜Ｖは、互
いに連絡して、環を形成してもよく、Ｒ１およびＲ４は
水素原子またはアルキル基を表わし、Ｘは水素原子また
はハロゲン原子を表わし、ｎは／”−Ｆの整数を示す。

〕で表わされるｌり　。

アリリウム化合物を含有する記録層から成ることを特徴
とする光学記録体に存する。

本発明の前記一般式［Ｉ］で表わされるスクアリリウム
系化合物は、式〔］〕で示されるアズレン系化合物 （式中、Ｒ１、ＲＲ，ＲＲ１Ｒ４、Ｘお！びｎは一般式
〔Ｉ〕におけるそれらと同一の意義を示す。）と式Ｃ１
）で示される Ｊ、≠−ジヒドロキシーＪ−シクロブテン−／、２−ジ
オンとを反応させることにょシ容易に製造することが出
来る。

前記一般式〔Ｉ〕ノＲ１、Ｒ８、Ｒｓ　オヨ０：　Ｒ’
　Ｉｃ　オ’ｆ’ｊるアルキル基としては、例えば炭素
数／　％　２０のアルキル基、好ましくは炭素数ｉ−ｇ
のアルキル基を挙げることが出来、具体的にはメチル基
、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基等が挙
げられ、これらは直鎖状でも分岐状でも良い。

Ｒ１のアリール基としては例えばフェニル基；ｐ−メチ
ルフェニル基、ｐ−ブチルフェニル基等の炭素数ｌ〜ｇ
のアルキル基置換フェニル基；ｐ−メトキシフェニル基
、ｐ−ペンチルオキシフェニル基等の炭素数／−１のア
ルコキシ基ｆｔ換フェニル基、ｐ−クロルフェニル基等
のハロゲン原子置換フェニル基を挙げることが出来る。

Ｒ２のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フ
ェニルエチル基等が挙げられ、更にこれらのフェニル基
は上記Ｒ１のアリール基で挙げたアルキル基、アルコキ
シ基、ノ１０ゲン原子等の置換基で置換されていても良
い。

アルキル基またはカルボン酸エステル基を示す。）を示
し、１％ｍはＯまたは／％／　０の整数（但し、１４ｍ
≦ｌθ）を示す。〕を形成し、アズレン環と共に環を形
成してもよい。

Ｘとしては、水素原子又はフッ素原子、塩素原子、臭素
原子、ヨード原子等のハロゲン原子を挙げることが出来
る。

一ブタノール、コープタノール、アミルアルコール、ｌ
−ヘキサノール、シクロヘキサノール、ｌ−ヘプタツー
ル、ｌ−ノナノール等のアルコール類、又はこれらのア
ルコール類とベンゼン、トルエン、キシレン、クロルベ
ンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒との混合溶媒などが挙
げられる。また、その製造反応における反応温度として
は、通常７０〜ｉｓｏ℃、好ましくは９０〜１１０℃の
温度が用いられる。

本発明の一般式ＣＩＩで示されるスクアリリウム系化合
物は、広範囲の種々の溶媒に対し、可溶である。

例えば、クロロホルム、ジクロルメタン、ジクロルエタ
ン、シフロムエタン、テトラクロルエタン等の含ハロゲ
ン炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジオキサン、テ
トラヒドロフラン、ジメトキシエタン等のエーテル系溶
媒、酢酸エチル、エチルセルソルブアセテート等のエス
テル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイ
ンブチルケトン等のケトン系溶媒、アセトアミド、Ｎ、
Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ　−メチルピロリドン等
のアミド系溶媒、メタノール、エタノール、メチルセル
ソルブ等のアルコ−＃系溶媒、　ベンゼン、トルエン、
キシレン、クロルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、
ジメチルスルホキシドなどの溶媒に可溶である。

本発明記録体の基板材料としては、ガラス、プラスチッ
クス等があげられる。プラスチックスは、安全性、軽量
性の点で好適である。プラスチックスとしては、アクリ
ル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化
ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ
エチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、
ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。

記録層の成膜方法としては、基板上に真空蒸着する方法
、樹脂溶媒と混合して塗布する方法、溶媒に溶解させて
、塗布または浸漬する方法等の公知の方法があげられる
。特に、本発明の化合物はその溶媒に対する溶解性が良
好なため塗布方式に適している。

塗布による製膜は、上記一般式〔Ｉ〕で示される化合物
を例えば、溶媒中知溶解し、場合によってはバインダー
とともに混合し、スピンコードすることによυ得られる
。バインダーとしては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹
脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹
脂、。

ポリカーボネート樹脂、セルロース系樹脂等を挙げるこ
とができる。

その際、樹脂に対する上記一般式〔Ｉ〕で示される光吸
収性物質の比率は１０ｖｔ％以上が望ましい。

スピナー法による成膜の場合、回転数は２００〜！ｒ０
００ｒｐｍが好ましく、スピンコードの後、場合によっ
ては、加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行なっ
てもよい。ま九、記録体の安定性や耐光性向上のために
、−重環酸素クエンチャーとして遷移金属Φレート化合
物（九とえば、アセチルアセトナートキレート、ビスフ
ェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビス
ジチオ−α−ジケトン等）あるいは３級アミン系化合物
等を含有していてもよい。更に、必要に応じて他の色素
を併用することかでドクターブレード法、キャスト法、
スピナー法、浸漬法、特に、スピナー法等の塗布方法に
よシ記録層を形成する場合の塗布溶媒としては、ブロモ
ホルム、ジブロモエタン、エチルセロソルフ、キンレン
、クロロベンゼン、シクロヘキサノン等の、沸点ｌユｏ
Ｓ−ｔｂｏ℃のものが好適に使用される。

本発明の光学記録体の記録層は基板の両面に設けてもよ
いし、片面だけに設けてもよい。

上記の様にして得られた記録体への記録は、基体の両面
または、片面に設けた記録層に／　ｐｍ程度に集束した
レーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてる
事により行なう。レーザー光の照射された部分には、レ
ーザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融等の
記録層の熱的変形が起こる。

記録された情報の再生は、レーザー光により、熱的変形
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取る事により行なう。

光源としては、Ｂ＠−Ｎ・レーザー、Ａｒレーザー、半
導体レーザー等の各種のレーザーを用いる事ができるが
、価格、大きさの点で、半導体レーザーが特に好ましい
。

半導体レーザーとしては、中心波長ｔＪＯｎｒｎ、中心
波長７ｔＯｎｍ、そしてそれよシ短波長のレーザーを使
用する事ができる・ 実施例 次に、本発明を実施例によシ更に具体的に説明するが、
本発明はこれらの実施例により限定されるものではない
。

実施例１ ３、ｉｔ　−ジヒドロキシ−３−シクロブテン−／、！
−ジオンｌ！■にｎ−ブチルアルコールＪＯｍｔを加え
、約ｔｏＯＣＶＣ加熱して溶解した。

この溶液に１−ｎ−プロピル−！ｒ−１ｇｏ−プロピル
−を一エトキシエトキシアズレンク！ダとトルエン１ｊ
ｆｌＩｔを加え、ｉｏｒ〜ｌ１０Ｃで生じる水を共沸的
に留去しながら約−０分攪拌して反応させた。冷却後、
反応溶液なカラムクロマトグラフィーにより精製して、
下記構造式二で示される化合物を得た。本化合物は、ｉ
ｑｔ〜ｌり９Ｃの融点を示した。

本実施例のスクアリリウム系化合物をｌ、コージプロモ
エタンに溶解し、スピンコード（回転数／　０００　ｒ
ｐｍ　）によりメタアクリル樹脂基板上に塗布し、膜厚
ｔｏｏｌの薄膜を得た。薄膜の最大吸収波長はり７　ｊ
　ｎｍ　であり、ピークは巾広かった。

この薄膜に、中心波長ｇ　ｊ　Ｏｆｉｍ　の半導体レー
ザー光を出力ｕ　ｍＷで、ビーム径約／　ｌ１ｍで照射
した所、巾約７μｍ、ピット長約−μｍの輪郭の極めて
明瞭な孔（ピット）が形成された。キャリアレベル／ノ
イズレベル（Ｃ／Ｎ）比１ｄ−１ｓ２ｄＢ　　であった
。

耐光性および再生光に対する耐性も良好であった。

実施例コ 実施例１に準じて下記構造式； で示される化合物を得た。本化合物は／！６〜１！７Ｃ
の融点を示した。

本化合物を実施例１と同様にメタアクリル樹脂基板上に
塗布し、ｇｓｏＸの薄膜を得た。薄膜の最大吸収波長は
７　ｔ　Ｏｎｍ　　であった。実施例１と同様にしてＣ
７Ｎ比を測定したところｊ　／　ｄＢ　　であった。耐
光性および再生光に対する耐性も良好であった。

実施例３ 実施例１に準じて合成したスクアリリウム系化合物を実
施例１と同様の条件でメタアクリル樹脂基板上に製膜し
た。

これらの本発明のスクアリリウム系化合物の薄膜の最大
吸収波長、半導体レーザー記録時のＣ／　Ｎ比を第１表
に示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・〔 I
   〕 〔式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は、水素原子、アルキル基
   、アリール基またはアラルキル基を表わし、Ｒ＾１、Ｒ
   ＾２は、互いに連絡して、環を形成してもよく、Ｒ＾３
   およびＲ＾４は水素原子またはアルキル基を表わし、Ｘ
   は水素原子またはハロゲン原子を表わし、ｎは１〜４の
   整数を示す。〕で表わされるスクアリリウム化合物を含
   有する記録層から成ることを特徴とする光学記録体。