JPH0749231B2 - 光学記録体 - Google Patents
光学記録体Info
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- JPH0749231B2 JPH0749231B2 JP60178221A JP17822185A JPH0749231B2 JP H0749231 B2 JPH0749231 B2 JP H0749231B2 JP 60178221 A JP60178221 A JP 60178221A JP 17822185 A JP17822185 A JP 17822185A JP H0749231 B2 JPH0749231 B2 JP H0749231B2
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 12
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 6
- 125000003262 carboxylic acid ester group Chemical group [H]C([H])([*:2])OC(=O)C([H])([H])[*:1] 0.000 claims description 5
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 2
- 125000005415 substituted alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 1
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- -1 Co Substances 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910008449 SnF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMEGJBVQLJJKKX-HOTMZDKISA-N [(2R,3S,4S,5R,6R)-5-acetyloxy-3,4,6-trihydroxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound CC(=O)OC[C@@H]1[C@H]([C@@H]([C@H]([C@@H](O1)O)OC(=O)C)O)O SMEGJBVQLJJKKX-HOTMZDKISA-N 0.000 description 1
- 229940081735 acetylcellulose Drugs 0.000 description 1
- 125000005083 alkoxyalkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/248—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes porphines; azaporphines, e.g. phthalocyanines
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光学記録体に関する。
従来の技術 レーザーを用いた光学記録は、高密度の情報記録保存お
よび再生を可能とするため、近年、特に、開発が望まれ
ている。
よび再生を可能とするため、近年、特に、開発が望まれ
ている。
光学記録の一例としては、光デイスクをあげる事ができ
る。
る。
一般に光デイスクは、円形の基体に設けられた薄い記録
層に、１μｍ程度に集束したレーザー光を照射し、高密
度の情報記録を行なうものである。
層に、１μｍ程度に集束したレーザー光を照射し、高密
度の情報記録を行なうものである。
記録は、照射されたレーザーエネルギーの吸収により、
その個所に生じた、記録層の、分解、蒸発、溶解等の熱
的変形により生成し、そして記録された情報の再生は、
レーザー光により、変形が起きている部分と起きていな
い部分の反射率の差を読み取る事により行なわれる。
その個所に生じた、記録層の、分解、蒸発、溶解等の熱
的変形により生成し、そして記録された情報の再生は、
レーザー光により、変形が起きている部分と起きていな
い部分の反射率の差を読み取る事により行なわれる。
したがつて、記録体としては、レーザー光のエネルギー
を効率良く吸収する必要があるため、記録に使用する特
定波長のレーザー光に対する吸収が大きい事、情報の再
生を正確に行なうため、再生に使用する特定波長のレー
ザー光に対する反射率が高い事が必要である。
を効率良く吸収する必要があるため、記録に使用する特
定波長のレーザー光に対する吸収が大きい事、情報の再
生を正確に行なうため、再生に使用する特定波長のレー
ザー光に対する反射率が高い事が必要である。
この様な光学記録体としては、これまで、各種の金属、
金属化合物やカルコゲナイド等の無機化合物が提案され
ているが、これらの薄膜は、空気酸化を受けやすく、長
期間の保存が困難であつたり、紫外部や可視部の光に対
して感応性であり、日光、その他の光に弱い等の欠点が
あつた。
金属化合物やカルコゲナイド等の無機化合物が提案され
ているが、これらの薄膜は、空気酸化を受けやすく、長
期間の保存が困難であつたり、紫外部や可視部の光に対
して感応性であり、日光、その他の光に弱い等の欠点が
あつた。
有機化合物を用いた記録体としては、シアニン系色素、
スクワリリウム系色素、ナフトキノン系色素、フタロシ
アニン系色素等が提案されている。このうち、フタロシ
アニン系色素は、紫外部や可視部の光に対して極めて安
定なものであるが、有機溶媒に対する溶解性が著しく低
く、経済的に有利な塗布方式による薄膜形成の方法をと
ることができないという欠点を有していた。
スクワリリウム系色素、ナフトキノン系色素、フタロシ
アニン系色素等が提案されている。このうち、フタロシ
アニン系色素は、紫外部や可視部の光に対して極めて安
定なものであるが、有機溶媒に対する溶解性が著しく低
く、経済的に有利な塗布方式による薄膜形成の方法をと
ることができないという欠点を有していた。
発明が解決しようとする問題点 本発明は、レーザー光、特に半導体レーザー光による書
き込み感度が高く、かつ保存安定性の良好で、しかも、
塗布方式による薄膜化が可能な有機物の光学記録体を提
供する事を目的とする。
き込み感度が高く、かつ保存安定性の良好で、しかも、
塗布方式による薄膜化が可能な有機物の光学記録体を提
供する事を目的とする。
問題点を解決するための手段 本発明は、基板と、下記一般式〔Ｉ〕で示される光吸収
性物質を含有する記録層とからなる光学記録体をその要
旨とする。
性物質を含有する記録層とからなる光学記録体をその要
旨とする。
一般式〔Ｉ〕 （式中、R1、R2、R3及びR4は置換されていてもよいC1〜
C22のアルキル基、−（C2H4O）nY、 を表わし、Ｘはハロゲン原子を表わし、Ｙは水素原子、
アリール基または置換されていてもよいアルキル基を表
わし、ｎは１〜４の整数を表わし、ｍは０、１または２
を表わし、Ｚは水素原子、カルボン酸基、カルボン酸エ
ステル基、アリール基、置換されていてもよいアルキル
基または置換されていてもよいアルコキシ基を表わし、
Ａは周期律表第I B族、第II A族、第II B族、第III A
族、第III B族、第IV A、第IV B族、第V B族および第V
III族に属する金属または該金属を含有する化合物を表
わし、破線で示したベンゼン環は隣接する実線で示した
ベンゼン環がそれと結合してナフタレン環を形成してい
てもよいことを表す。但し、実線で示したベンゼン環の
すべてが隣接する破線で示したベンゼン環と結合してナ
フタレン環を形成している場合であって、ＡがVOである
場合を除く。） 上記一般式〔Ｉ〕で示される光吸収物質において、Ｘで
表わされるハロゲン原子としては、フツ素原子、塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、Ｙとしては、
水素原子；フエニル基等のアリール基；または水酸基、
カルボン酸基もしくはカルボン酸エステル基で置換され
ていてもよいC1〜C25のアルキル基が挙げられ、Ｚは、
水素原子；カルボン酸；カルボン酸エステル基；フエニ
ル基等のアリール基；水酸基、カルボン酸基もしくはカ
ルボン酸エステル基で置換されていてもよいC1〜C25の
アルキル基；アルコキシ基、アルコキシアルコキシ基ま
たはアルコキシアルコキシアルコキシ基等で置換されて
いてもよいアルコキシ基が挙げられる。
C22のアルキル基、−（C2H4O）nY、 を表わし、Ｘはハロゲン原子を表わし、Ｙは水素原子、
アリール基または置換されていてもよいアルキル基を表
わし、ｎは１〜４の整数を表わし、ｍは０、１または２
を表わし、Ｚは水素原子、カルボン酸基、カルボン酸エ
ステル基、アリール基、置換されていてもよいアルキル
基または置換されていてもよいアルコキシ基を表わし、
Ａは周期律表第I B族、第II A族、第II B族、第III A
族、第III B族、第IV A、第IV B族、第V B族および第V
III族に属する金属または該金属を含有する化合物を表
わし、破線で示したベンゼン環は隣接する実線で示した
ベンゼン環がそれと結合してナフタレン環を形成してい
てもよいことを表す。但し、実線で示したベンゼン環の
すべてが隣接する破線で示したベンゼン環と結合してナ
フタレン環を形成している場合であって、ＡがVOである
場合を除く。） 上記一般式〔Ｉ〕で示される光吸収物質において、Ｘで
表わされるハロゲン原子としては、フツ素原子、塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、Ｙとしては、
水素原子；フエニル基等のアリール基；または水酸基、
カルボン酸基もしくはカルボン酸エステル基で置換され
ていてもよいC1〜C25のアルキル基が挙げられ、Ｚは、
水素原子；カルボン酸；カルボン酸エステル基；フエニ
ル基等のアリール基；水酸基、カルボン酸基もしくはカ
ルボン酸エステル基で置換されていてもよいC1〜C25の
アルキル基；アルコキシ基、アルコキシアルコキシ基ま
たはアルコキシアルコキシアルコキシ基等で置換されて
いてもよいアルコキシ基が挙げられる。
また、Ａの第I B族、第II A族、第III A族、第III B
族、第IV A族、第IV B族、第V B族、第V III族に属する
金属の例としては、Cu、Mg、Zn、Ge、Sn、Si、Pb、Fe、
Co、Niが挙げられ、その金属を含有する化合物として
は、AlCl、InCl、TiO、VoGeCl2、SnCl2、SnBr2、SnF2、
SnI2等が挙げられる。
族、第IV A族、第IV B族、第V B族、第V III族に属する
金属の例としては、Cu、Mg、Zn、Ge、Sn、Si、Pb、Fe、
Co、Niが挙げられ、その金属を含有する化合物として
は、AlCl、InCl、TiO、VoGeCl2、SnCl2、SnBr2、SnF2、
SnI2等が挙げられる。
これらの化合物は、たとえば、下記一般式〔II〕 （式中、Ｒは、前記R1、R2、R3またはR4の定義に同じで
あり、破線で示したベンゼン環は隣接する実線で示した
ベンゼン環がそれと結合してナフタレン環を形成してい
てもよいことを表す。） で示されるＯ−ジシアノ化合物と金属または金属化合物
とから公知の方法に従つて容易に製造することができる
〔例えば、A.W.Snow,N.L.Jarvis,J.Am.Chem.Soc.,Vol10
6,No.174706−4711（1984）を参照〕。
あり、破線で示したベンゼン環は隣接する実線で示した
ベンゼン環がそれと結合してナフタレン環を形成してい
てもよいことを表す。） で示されるＯ−ジシアノ化合物と金属または金属化合物
とから公知の方法に従つて容易に製造することができる
〔例えば、A.W.Snow,N.L.Jarvis,J.Am.Chem.Soc.,Vol10
6,No.174706−4711（1984）を参照〕。
本発明の基板材料としては、ガラス、プラスチツクス等
があげられる。プラスチツクスは、安全性、軽量性の点
で好適である。プラスチツクスとしては、アクリル樹
脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニ
ル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチ
レン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリ
スチレン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
があげられる。プラスチツクスは、安全性、軽量性の点
で好適である。プラスチツクスとしては、アクリル樹
脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニ
ル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチ
レン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリ
スチレン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
記録層の成膜方法としては、基板上に真空蒸着する方
法、樹脂溶液と混合して塗布する方法、溶媒に溶解させ
て、塗布または浸漬する方法等の公知の方法があげられ
る。特に、本発明の化合物はその溶媒に対する溶解性が
良好なため塗布方式に適している。
法、樹脂溶液と混合して塗布する方法、溶媒に溶解させ
て、塗布または浸漬する方法等の公知の方法があげられ
る。特に、本発明の化合物はその溶媒に対する溶解性が
良好なため塗布方式に適している。
塗布による製膜は、上記一般式〔Ｉ〕で示される化合物
を例えば、溶媒中に溶解し、場合によつてはバインダー
とともに混合し、スピンコートすることにより得られ
る。バインダーとしては、ポリイミド樹脂、ポリアミド
樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル
樹脂、ポリカーボネート樹脂、セルロース系樹脂等を挙
げることができる。
を例えば、溶媒中に溶解し、場合によつてはバインダー
とともに混合し、スピンコートすることにより得られ
る。バインダーとしては、ポリイミド樹脂、ポリアミド
樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル
樹脂、ポリカーボネート樹脂、セルロース系樹脂等を挙
げることができる。
その際樹脂に対する光吸収性物質の比率は10wt％以上が
望ましい。
望ましい。
溶媒としては、ジメチルホルムアミド、メチルエチルケ
トン、メチルセルソルブ、エタノール、テトラヒドロフ
ラン、ジクロロメタン、クロロベンゼン等各種のものを
用いる事ができる。
トン、メチルセルソルブ、エタノール、テトラヒドロフ
ラン、ジクロロメタン、クロロベンゼン等各種のものを
用いる事ができる。
本発明の光学記録体の記録層は基板の両面に設けてもよ
いし、片面だけに設けてもよい。
いし、片面だけに設けてもよい。
上記の様にして得られた記録体への記録は、基体の両面
または、片面に設けた記録層に１μｍ程度に集束したレ
ーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてる事
により行なう。レーザー光の照射された部分には、レー
ザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融等の記
録層の熱的変形が起こる。
または、片面に設けた記録層に１μｍ程度に集束したレ
ーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてる事
により行なう。レーザー光の照射された部分には、レー
ザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融等の記
録層の熱的変形が起こる。
記録された情報の再生は、レーザー光により、熱的変形
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取る事により行なう。
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取る事により行なう。
光源としては、He−Neレーザー、Arレーザー、半導体レ
ーザー等の各種のレーザーを用いる事ができるが、価
格、大きさの点で、半導体レーザーが特に好ましい。
ーザー等の各種のレーザーを用いる事ができるが、価
格、大きさの点で、半導体レーザーが特に好ましい。
半導体レーザーとしては、中心波長830nm、中心波長780
nm、そしてそれより短波長のレーザーを使用する事がで
きる。
nm、そしてそれより短波長のレーザーを使用する事がで
きる。
実施例 実施例１ 下記構造式 で表わされるＯ−ジシアノ化合物0.4gとPbO0.25gを混合
し、減圧下210℃に昇温、融解し、この温度で14時間か
く拌した。得られた粗結晶をカラムクロマトにより精製
し、下記式〔III〕で示される本発明の光吸収物質の暗
青色の結晶0.18g（m.p.243〜244℃）を得た。本品のク
ロロホルム溶媒中のλmaxは723nmであつた。
し、減圧下210℃に昇温、融解し、この温度で14時間か
く拌した。得られた粗結晶をカラムクロマトにより精製
し、下記式〔III〕で示される本発明の光吸収物質の暗
青色の結晶0.18g（m.p.243〜244℃）を得た。本品のク
ロロホルム溶媒中のλmaxは723nmであつた。
上記式〔III〕で示される本発明の光吸収物質をメチル
エチルケトンに溶解し、スピンコート（回転数2000rp
m）によりメタアクリル樹脂基板上に塗布し、膜厚2500
Åの薄膜を得た。薄膜の最大吸収波長は730nmであり、
ピークは巾広かつた。
エチルケトンに溶解し、スピンコート（回転数2000rp
m）によりメタアクリル樹脂基板上に塗布し、膜厚2500
Åの薄膜を得た。薄膜の最大吸収波長は730nmであり、
ピークは巾広かつた。
この薄膜に、中心波長780nmの半導体レーザー光を出力4
mWで、ビーム径約１μｍで照射した所、巾約１μｍ、ピ
ツト長約２μｍの輪郭の極めて明瞭な孔（ピツト）が形
成された。キヤリアレベル／ノイズレベル（C/N）比
は、52dBであつた。60℃、80％（相対湿度）の恒温恒湿
槽中で10日間保存した後の半導体レーザーによる書き込
み性能（C/N比）を第１表に示す。
mWで、ビーム径約１μｍで照射した所、巾約１μｍ、ピ
ツト長約２μｍの輪郭の極めて明瞭な孔（ピツト）が形
成された。キヤリアレベル／ノイズレベル（C/N）比
は、52dBであつた。60℃、80％（相対湿度）の恒温恒湿
槽中で10日間保存した後の半導体レーザーによる書き込
み性能（C/N比）を第１表に示す。
実施例２〜36 実施例１に準じて合成した下記式〔IV〕〜式〔XXX VI〕
に示す本発明の光吸収物質を実施例１とほぼ同様の条件
でメタアクリル樹脂板上に製膜した。
に示す本発明の光吸収物質を実施例１とほぼ同様の条件
でメタアクリル樹脂板上に製膜した。
これらの本発明の光吸収物質の薄膜の最大吸収波長、半
導体レーザー記録時のC/N比、保存安定性を前記実施例
１の結果と共に第１表に示す。表中、保存安定性は、60
℃、80％（相対湿度）の恒温恒湿槽中で10日間保存した
後の、半導体レーザーによる書き込み性能（C/N比）を
示す。
導体レーザー記録時のC/N比、保存安定性を前記実施例
１の結果と共に第１表に示す。表中、保存安定性は、60
℃、80％（相対湿度）の恒温恒湿槽中で10日間保存した
後の、半導体レーザーによる書き込み性能（C/N比）を
示す。
実施例37 式〔III〕に示す本発明の光吸収物質0.2gをメチルエチ
ルケトン10gに溶解し、バインダーとしてニトロセルロ
ース溶液1g（ダイセル（株）製造、25wt％メチルエチル
ケトン溶液）を加え、溶解した。この溶液をスピンコー
ト（回転部1500rpm）によりメタアクリル樹脂基板上に
塗布し、膜厚1200Åの薄膜を得た。薄膜の最大吸収波長
は730nmでありピークは巾広かつた。
ルケトン10gに溶解し、バインダーとしてニトロセルロ
ース溶液1g（ダイセル（株）製造、25wt％メチルエチル
ケトン溶液）を加え、溶解した。この溶液をスピンコー
ト（回転部1500rpm）によりメタアクリル樹脂基板上に
塗布し、膜厚1200Åの薄膜を得た。薄膜の最大吸収波長
は730nmでありピークは巾広かつた。
この薄膜に、中心波長780nmの半導体レーザー光を出力4
mWで、ビーム径約１μｍで照射したところ、巾約１μ
ｍ、ビツト長約２μｍの輪郭の極めて明瞭な孔（ビツ
ト）が形成された。キヤリアレベル／ノイズレベル（C/
N比）は53dBであつた。60℃、80％（相対湿度）の恒温
恒湿槽中で10日間保存した後の、半導体レーザーによる
書き込み性能（C/N比）は53dBであつた。
mWで、ビーム径約１μｍで照射したところ、巾約１μ
ｍ、ビツト長約２μｍの輪郭の極めて明瞭な孔（ビツ
ト）が形成された。キヤリアレベル／ノイズレベル（C/
N比）は53dBであつた。60℃、80％（相対湿度）の恒温
恒湿槽中で10日間保存した後の、半導体レーザーによる
書き込み性能（C/N比）は53dBであつた。
実施例38 式〔III〕に示す本発明の光吸収物質0.2gをメチルエチ
ルケトン10gに溶解し、バインダーとしてアセチルセル
ロース0.2g（ダイセル（株）製造Ｌ−20）を加え、溶解
した。この溶液をスピンコート（回転数1500rpm）によ
り、メタアクリル樹脂基板上に塗布し、膜厚1500Åの薄
膜を得た。薄膜の最大吸収波長は730nmであり、ピーク
は巾広かつた。
ルケトン10gに溶解し、バインダーとしてアセチルセル
ロース0.2g（ダイセル（株）製造Ｌ−20）を加え、溶解
した。この溶液をスピンコート（回転数1500rpm）によ
り、メタアクリル樹脂基板上に塗布し、膜厚1500Åの薄
膜を得た。薄膜の最大吸収波長は730nmであり、ピーク
は巾広かつた。
この薄膜に、中心波長780nmの半導体レーザー光を出力4
mWで、ビーム径約１μｍで照射したところ、巾約１μ
ｍ、ピツト長約２μｍの輪郭のきわめて明瞭な孔（ピツ
ト）が形成された。キヤリアレベル／ノイズレベル（C/
N比）は52dBであつた。60℃、80％（相対湿度）の恒温
恒湿槽中で10日間保存したのちの、半導体レーザーによ
る書き込み性能（C/N比）は52dBであつた。
mWで、ビーム径約１μｍで照射したところ、巾約１μ
ｍ、ピツト長約２μｍの輪郭のきわめて明瞭な孔（ピツ
ト）が形成された。キヤリアレベル／ノイズレベル（C/
N比）は52dBであつた。60℃、80％（相対湿度）の恒温
恒湿槽中で10日間保存したのちの、半導体レーザーによ
る書き込み性能（C/N比）は52dBであつた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−254391（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−254392（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−215663（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−197280（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】基板と、下記一般式〔Ｉ〕で示される光吸
収物質を含有する記録層とからなる光学記録体。 一般式〔Ｉ〕 （式中、R1、R2、R3及びR4は置換されていてもよいC1〜
C22のアルキル基、−（C2H4O）nY又は を表わし、Ｘはハロゲン原子を表わし、Ｙは水素原子、
アリール基または置換されていてもよいアルキル基を表
わし、ｎは１〜４の整数を表わし、ｍは０、１または２
を表わし、Ｚは水素原子、カルボン酸基、カルボン酸エ
ステル基、アリール基、置換されていてもよいアルキル
基または置換されていてもよいアルコキシ基を表わし、
Ａは周期律表第I B族、第II A族、第II B族、第III A
族、第III B族、第IV A族、第IV B族、第V B族および第
V III族に属する金属または該金属を含有する化合物を
表わし、破線で示したベンゼン環は隣接する実線で示し
たベンゼン環がそれと結合してナフタレン環を形成して
いてもよいことを表す。但し、実線で示したベンゼン環
のすべてが隣接する破線で示したベンゼン環と結合して
ナフタレン環を形成している場合であって、ＡがVOであ
る場合を除く。） - 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の光学記録体に
おいて、ＡがSn、SnL2、Ge、GeL2、Pb、Fe、Ni、Co、V
O、InL、TiO、Si、Cu、Mg、ZnまたはA1L（ただし、Ｌは
ハロゲン原子を示す。）である物。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60178221A JPH0749231B2 (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 光学記録体 |
| PCT/JP1986/000412 WO1987001076A1 (fr) | 1985-08-13 | 1986-08-12 | Support d'enregistrement optique |
| EP86904931A EP0232427B1 (en) | 1985-08-13 | 1986-08-12 | Optical recording medium |
| DE8686904931T DE3686044T2 (de) | 1985-08-13 | 1986-08-12 | Optisches speichermedium. |
| US07/030,868 US4769307A (en) | 1985-08-13 | 1986-08-12 | Optical recording member |
| US07/157,229 US4904567A (en) | 1985-08-13 | 1988-02-18 | Optical recording member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60178221A JPH0749231B2 (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 光学記録体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6239286A JPS6239286A (ja) | 1987-02-20 |
| JPH0749231B2 true JPH0749231B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=16044705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60178221A Expired - Lifetime JPH0749231B2 (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 光学記録体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4769307A (ja) |
| EP (1) | EP0232427B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0749231B2 (ja) |
| DE (1) | DE3686044T2 (ja) |
| WO (1) | WO1987001076A1 (ja) |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5945046A (ja) * | 1982-09-08 | 1984-03-13 | Kubota Ltd | クランク軸の製造方法 |
| US4904567A (en) * | 1985-08-13 | 1990-02-27 | Mitsubishi Kasei Corporation | Optical recording member |
| US4719613A (en) * | 1985-08-27 | 1988-01-12 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Optical recording medium having a reflective recording layer including a resinous binder and a naphthalocyanine dye |
| JPH0741740B2 (ja) * | 1985-09-18 | 1995-05-10 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体 |
| JPH0745259B2 (ja) * | 1986-09-16 | 1995-05-17 | 株式会社日立製作所 | 光学的情報記録媒体 |
| JPS6394893A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-25 | Kao Corp | 光学的情報記録媒体 |
| EP0346354B1 (en) * | 1987-02-13 | 1992-08-19 | The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and | Substituted phthalocyanines |
| GB8720417D0 (en) * | 1987-08-28 | 1987-10-07 | Minnesota Mining & Mfg | Recording medium for optical data storage |
| JPS6475489A (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-22 | Dainippon Ink & Chemicals | Phthalocyanine derivative |
| DE3882894T2 (de) * | 1987-10-20 | 1994-03-17 | Mitsui Toatsu Chemicals | 1,2-Naphtalocyanine, Infrarotabsorber und sie verwendende Aufzeichnungsmaterialien. |
| DE68928559T2 (de) * | 1988-12-15 | 1998-06-18 | Mitsui Toatsu Chemicals | Absorbiermittel im nahen Infrarot und Anzeige-/Aufzeichnungsmaterialien, die daraus hergestellt sind |
| US5270463A (en) * | 1988-12-15 | 1993-12-14 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Halogenated alkoxyphthalocyanines |
| US5087390A (en) * | 1989-04-04 | 1992-02-11 | Hoechst Celanese Corp. | Tetraazaporphyrin dye mixtures |
| KR910005252A (ko) * | 1989-08-30 | 1991-03-30 | 미다 가쓰시게 | 광정보 기록매체 |
| ES2094795T3 (es) * | 1990-11-02 | 1997-02-01 | Ici Plc | Ftalocianinas polisustituidas. |
| US5380842A (en) * | 1991-06-20 | 1995-01-10 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Phthalocyanine compounds and usage thereof |
| DE69228502T2 (de) * | 1991-06-19 | 1999-08-12 | Mitsui Chemicals, Inc., Tokio/Tokyo | Phthalocyaninverbindungen und ihre Verwendung |
| DE69227729T2 (de) * | 1991-06-21 | 1999-06-02 | Mitsui Chemicals, Inc., Tokio/Tokyo | Amorphe Phthalocyaninverbindung oder eine Mischung amorpher Phthalocyaninverbindungen sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung |
| SG47881A1 (en) * | 1991-11-08 | 1998-04-17 | Eastman Chem Co | Method for tagging thermoplastic materials with near infrared fluorophores |
| EP0575816B1 (en) | 1992-06-12 | 1999-09-22 | Mitsui Chemicals, Inc. | Light-absorbing compound and optical recording medium containing same |
| JP2901477B2 (ja) * | 1993-03-24 | 1999-06-07 | 株式会社日本触媒 | 光記録媒体 |
| EP0619345B1 (en) * | 1993-04-09 | 1999-08-25 | Mitsui Chemicals, Inc. | Phthalocyanine compound and optical recording medium containing it |
| GB9405970D0 (en) * | 1994-03-25 | 1994-05-11 | Secr Defence | Substituted phthalocyanines |
| TW454009B (en) | 1994-12-27 | 2001-09-11 | Mitsui Chemicals Inc | Near infrared light-absorbing dye of phthalocyanine compounds and optical recording media comprising them |
| JP3623039B2 (ja) * | 1996-02-22 | 2005-02-23 | 株式会社リコー | 光記録媒体 |
| US5959296A (en) * | 1996-06-24 | 1999-09-28 | Eastman Chemical Company | Scanners for reading near infrared fluorescent marks |
| AU5975799A (en) * | 1998-09-21 | 2000-04-10 | Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. | Substituted phthalocyanine |
| JP2002074740A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Hayashibara Biochem Lab Inc | 光記録媒体 |
| US6737143B2 (en) | 2001-06-14 | 2004-05-18 | Ricoh Company Ltd. | Optical recording medium, optical recording method and optical recording device |
| JP4137691B2 (ja) | 2003-04-30 | 2008-08-20 | 株式会社リコー | 光記録媒体 |
| PL1621584T3 (pl) | 2004-07-29 | 2007-06-29 | Clariant Finance Bvi Ltd | Ligandy azowe na bazie aminoantypiryny i ich kompleksy z metalami do stosowania w optycznych nośnikach rejestrujących |
| JP4598828B2 (ja) * | 2004-08-09 | 2010-12-15 | シルバーブルック リサーチ ピーティワイ リミテッド | 耐光性が向上した合成に好適な水分散性ｉｒ染料 |
| US7122076B2 (en) * | 2004-08-09 | 2006-10-17 | Silverbrook Research Pty Ltd | Synthetically expedient water-dispersible IR dyes |
| US7470315B2 (en) | 2005-07-05 | 2008-12-30 | Silverbrook Research Pty Ltd | Red-shifted water dispersible napthalocyanine dyes |
| US20070228341A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-10-04 | Hayes Richard A | Solar control laminates |
| US7622192B2 (en) * | 2005-12-30 | 2009-11-24 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Solar control laminates |
| US20080057185A1 (en) * | 2005-12-30 | 2008-03-06 | Wall Jason S | Solar control laminates |
| KR101577693B1 (ko) | 2013-12-27 | 2015-12-15 | 나노씨엠에스(주) | 폴리 옥소가교형 프탈로시아닌 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 근적외선 흡수 및 반사 조성물 |
| JP6651300B2 (ja) * | 2015-04-23 | 2020-02-19 | 山本化成株式会社 | フタロシアニン化合物、これを含有する近赤外線カットフィルタ |
| CN117903607A (zh) * | 2024-01-16 | 2024-04-19 | 大连理工大学 | 一类高溶解性酞菁染料及其合成方法与彩色滤光片 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR816859A (fr) * | 1936-01-30 | 1937-08-19 | Ig Farbenindustrie Ag | Nouvelles phtalocyanines de la série benzénique |
| US2795583A (en) * | 1953-07-14 | 1957-06-11 | Gen Aniline & Film Corp | Phthalocyanine derivatives |
| US2859219A (en) * | 1956-02-20 | 1958-11-04 | Gen Aniline & Film Corp | Hydrocarbon-soluble phthalocyanine dyes |
| CA1030959A (en) * | 1973-11-27 | 1978-05-09 | Jost Von Der Crone | Halogen-containing metal phthalocyanines and a process for their manufacture |
| JPS5686795A (en) * | 1979-11-29 | 1981-07-14 | Rca Corp | Melting removing type optical recording medium |
| GB2066489B (en) * | 1979-11-29 | 1983-10-19 | Rca Corp | Ablative optical recording medium |
| JPS5782093A (en) * | 1980-11-12 | 1982-05-22 | Ricoh Co Ltd | Optical information recording medium |
| US4622179A (en) * | 1983-07-19 | 1986-11-11 | Yamamoto Kagaku Gosei Co., Ltd. | Naphthalocyanine compounds |
| JPS60184565A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-09-20 | Yamamoto Kagaku Gosei Kk | ナフタロシアニン化合物 |
| US4492750A (en) * | 1983-10-13 | 1985-01-08 | Xerox Corporation | Ablative infrared sensitive devices containing soluble naphthalocyanine dyes |
| JPS61177287A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-08 | ヘキスト・セラニーズ・コーポレーション | 発色団を含有する情報記録媒体 |
| JPS61197280A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-01 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS61215663A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-25 | Yamamoto Kagaku Gosei Kk | ナフタロシアニン化合物 |
| JPS61254391A (ja) * | 1985-05-07 | 1986-11-12 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光学的情報の記録媒体 |
| JPS61254392A (ja) * | 1985-05-07 | 1986-11-12 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| JP2826917B2 (ja) * | 1991-09-26 | 1998-11-18 | キヤノン株式会社 | シート給送装置 |
-
1985
- 1985-08-13 JP JP60178221A patent/JPH0749231B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-08-12 EP EP86904931A patent/EP0232427B1/en not_active Expired
- 1986-08-12 US US07/030,868 patent/US4769307A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-08-12 DE DE8686904931T patent/DE3686044T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-08-12 WO PCT/JP1986/000412 patent/WO1987001076A1/ja not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0232427A1 (en) | 1987-08-19 |
| DE3686044T2 (de) | 1993-01-14 |
| EP0232427B1 (en) | 1992-07-15 |
| EP0232427A4 (en) | 1988-04-26 |
| WO1987001076A1 (fr) | 1987-02-26 |
| DE3686044D1 (de) | 1992-08-20 |
| JPS6239286A (ja) | 1987-02-20 |
| US4769307A (en) | 1988-09-06 |
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