JPS6213357Y2 - - Google Patents

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JPS6213357Y2
JPS6213357Y2 JP1981181922U JP18192281U JPS6213357Y2 JP S6213357 Y2 JPS6213357 Y2 JP S6213357Y2 JP 1981181922 U JP1981181922 U JP 1981181922U JP 18192281 U JP18192281 U JP 18192281U JP S6213357 Y2 JPS6213357 Y2 JP S6213357Y2
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JP
Japan
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phosphor layer
layer
electrodes
high resistance
resistance
Prior art date
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JP1981181922U
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JPS5885798U (ja
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、例えば文字、数字、図形、画像等の
表示に用いられる直流駆動型のエレクトロルミネ
ツセンス素子に関するものである。
従来の直流駆動型エレクトロルミネツセンス素
子(以下これを単にEL素子と称す。)は、第1図
に示すように、対向電極1の下側面に蛍光体層2
を形成し、更にこの蛍光体層2の下側面には透明
電極3を配置し、更に該透明電極の下側面にガラ
ス基板4を重ねて形成したものねであつた。この
ように形成されたEL素子は、透明電極3と対向
電極1との間にある蛍光体層2が、ある程度の抵
抗値を有しているために、その両電極1,3間に
ある程度の大きさの電場があつても正常に発光す
るが、例えばその両電極1,3間の電場がある程
度以上になると、蛍光体層2内に生じる電子雪崩
の大きさが増して、その電子雪崩を起こしている
部分の電気抵抗が著しく小さくなり、少なくとも
その部分は、破壊して発光しなくなり、場合によ
つては上記両電極間が短絡状態となつて全く発光
しなくなる不都合があつた。
即ち直流駆動型EL素子では2つの電極の一方
から電子が注入され、両電極間で電場により加速
され、発光中心の不純物マンガンを励起し、励起
された発光中心は基底状態にもどるときに発光す
るものと考えられており、両電極間の電場で加速
された電子は蛍光体層内に於いて電子雪崩を生じ
させる場合がある。電子雪崩を生じている部分は
電気抵抗が著しく低くなるために蛍光体層全体の
抵抗値は低くなり、従つて蛍光体層に比較的大き
な電流が流れるようになる。このような状態にお
いて電子雪崩の大きさは多くの場合増大し、そし
て絶縁破壊に至りEL素子の性能は低下される問
題点があつた。
本考案はかかる不都合を解消するためになされ
たもので、蛍光体層の少なくともいずれか一方の
面に高抵抗値を有する電気抵抗層を設けて、電子
雪崩等による蛍光体層の破壊を防止することがで
きるEL素子を提供することを目的とするもので
ある。
以下に本考案の実施例を第2図に示す実施例に
基づいて詳細に説明する。
4はガラス基板であつて、このガラス基板4の
上側面には、透明電極3が重ね合わされている。
この透明電極3の上側面には例えば一酸化ケイ素
からなる高抵抗層5が設けられており、この高抵
抗層5の上側面には例えば不純物としてマンガン
を含む硫化亜鉛からなる蛍光体層2が設けられ、
更にその蛍光体層2の上側面には前記高抵抗層5
と同様の高抵抗層5′が設けられている。なお本
実施例においては、蛍光体層2の上下両面が高抵
抗層5及び5′によつて挟まれているものである
が、その高抵抗層のいずれか一方を省いてもよ
い。また1は上側の高抵抗層5′の上側面に重ね
合わされた対向電極である。
以上が本実施例よりなる直流駆動型EL素子の
構造であるが、このEL素子では、蛍光体層2に
高抵抗層5,5′を重ね合わせたことにより、蛍
光体層2に高抵抗を直列に接続したものと等価と
なり、従つて蛍光体層2中に電子雪崩が生じてそ
の部分の抵抗値が小さくなつても、その高抵抗層
によつて大きな電流が流れることがなく、これに
よつて蛍光体層2の電子雪崩等による破壊を抑制
することができる。
以上のように本考案は、蛍光体層2の少なくと
もいずれか一方の面に高電気抵抗層5又は5′が
積層され、かつそれらの層2,5又は5′を挟む
ように少なくともいずれか一方が透明構造の2枚
の電極1,3が設けられてなることを特徴とする
直流駆動型のEL素子であるから、このEL素子に
よれば、その蛍光体層2の面に重ね合わせた高電
気抵抗層5によつて蛍光体層2の電子雪崩等によ
る破壊が抑制され、これにより非発光部が発生す
る現象や蛍光体層の両側電極間が短絡する現象等
が防止され、品質の高い直流駆動型のEL素子が
提供できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のEL素子を示した断面説明図、
第2図は本考案よりなるEL素子の実施例を示し
た断面説明図である。 1……対向電極、2……蛍光体層、3……透明
電極、4……ガラス基板、5,5′……高抵抗
層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 少なくともいずれか一方が透明構造に形成さ
    れ、かつ夫々直流電源の両端子に接続された一対
    の電極1,3間に、蛍光体層2を介挿してなるエ
    レクトロルミネツセンス素子において、前記蛍光
    体層2の少なくともいずれか一方の電極対向面に
    高電気抵抗体層5,5′を積層してなることを特
    徴とするエレクトロルミネツセンス素子。
JP18192281U 1981-12-07 1981-12-07 エレクトロルミネツセンス素子 Granted JPS5885798U (ja)

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JP18192281U JPS5885798U (ja) 1981-12-07 1981-12-07 エレクトロルミネツセンス素子

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JP18192281U JPS5885798U (ja) 1981-12-07 1981-12-07 エレクトロルミネツセンス素子

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Publication Number Publication Date
JPS5885798U JPS5885798U (ja) 1983-06-10
JPS6213357Y2 true JPS6213357Y2 (ja) 1987-04-06

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ID=29979833

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JP18192281U Granted JPS5885798U (ja) 1981-12-07 1981-12-07 エレクトロルミネツセンス素子

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000074444A1 (fr) * 1999-05-27 2000-12-07 Tdk Corporation Diode electroluminescente
WO2000074443A1 (fr) * 1999-05-27 2000-12-07 Tdk Corporation Diode electroluminescente

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6297296A (ja) * 1985-10-23 1987-05-06 伊勢電子工業株式会社 薄膜elパネル

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JPS5885798U (ja) 1983-06-10

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