JPH0416917B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0416917B2 JPH0416917B2 JP59046596A JP4659684A JPH0416917B2 JP H0416917 B2 JPH0416917 B2 JP H0416917B2 JP 59046596 A JP59046596 A JP 59046596A JP 4659684 A JP4659684 A JP 4659684A JP H0416917 B2 JPH0416917 B2 JP H0416917B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- voltage
- metal layer
- light
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 技術分野
本発明は表示効率がすぐれ耐圧の大きい背面電
極構造の薄膜EL素子に関する。
極構造の薄膜EL素子に関する。
(ロ) 背景技術
本出願人が以前、提案した薄膜EL素子は第１
図に示すようにガラス基板１上に透明電極２と、
Y2O3やSi3N4などから成る第１の誘電体層３と、
Mnなどを微量含むZnSから成る発光層４と、第
１の誘電体層３と同様の材質から成る第２の誘電
体層５とを電子ビーム蒸着法やスパツタリングに
よつて順次積層した上に、黒色背面電極として50
〜300ÅのMo層６と50〜300ÅのAl2O3層７とAl
層８とから成る３層膜を電子ビーム蒸着またはス
パツタリングによつて積層したものである（たと
えば特願昭58−19128号）。
図に示すようにガラス基板１上に透明電極２と、
Y2O3やSi3N4などから成る第１の誘電体層３と、
Mnなどを微量含むZnSから成る発光層４と、第
１の誘電体層３と同様の材質から成る第２の誘電
体層５とを電子ビーム蒸着法やスパツタリングに
よつて順次積層した上に、黒色背面電極として50
〜300ÅのMo層６と50〜300ÅのAl2O3層７とAl
層８とから成る３層膜を電子ビーム蒸着またはス
パツタリングによつて積層したものである（たと
えば特願昭58−19128号）。
このような黒色背面電極を用いると外来光の反
射が低減し、表示のコントラストが向上して高い
視認性が得られる。
射が低減し、表示のコントラストが向上して高い
視認性が得られる。
ところで、このような黒色電極構造を有する薄
膜EL素子は電気的には第２図に示すような等価
回路になると考えられる。図からわかるように、
EL素子は等価的には各薄膜と電極とで形成され
る直列接続コンデンサC1〜C4から成ると考えら
れ、EL素子を駆動するための交流電圧Ｅは各コ
ンデンサの容量に応じて分圧されて印加される。
ところが黒色電極構造を有する薄膜EL素子の場
合、上述したように、第２の誘電体層５とAl電
極層８との間にMo層６と比較的誘電率の小さな
Al2O3層７が挿入される構造となつているので、
駆動交流電圧ＥのうちコンデンサC4に印加され
る電圧分が大きくなり、最も大きな電圧を印加し
たいコンデンサC2すなわち発光層４に印加され
る電圧分が小さくなつてしまうため表示効率が悪
くなる。またMo層6、Al2O3層７、Al層８によつ
て形成されるコンデンサC4に比較的大きな電圧
が印加されるのに反してAl2O3層７が薄いため耐
圧が不安定であり、この部分の耐圧破壊によつて
素子自体が連鎖的に破壊することも考えられる。
膜EL素子は電気的には第２図に示すような等価
回路になると考えられる。図からわかるように、
EL素子は等価的には各薄膜と電極とで形成され
る直列接続コンデンサC1〜C4から成ると考えら
れ、EL素子を駆動するための交流電圧Ｅは各コ
ンデンサの容量に応じて分圧されて印加される。
ところが黒色電極構造を有する薄膜EL素子の場
合、上述したように、第２の誘電体層５とAl電
極層８との間にMo層６と比較的誘電率の小さな
Al2O3層７が挿入される構造となつているので、
駆動交流電圧ＥのうちコンデンサC4に印加され
る電圧分が大きくなり、最も大きな電圧を印加し
たいコンデンサC2すなわち発光層４に印加され
る電圧分が小さくなつてしまうため表示効率が悪
くなる。またMo層6、Al2O3層７、Al層８によつ
て形成されるコンデンサC4に比較的大きな電圧
が印加されるのに反してAl2O3層７が薄いため耐
圧が不安定であり、この部分の耐圧破壊によつて
素子自体が連鎖的に破壊することも考えられる。
(ハ) 発明の目的および構成
本発明は上記の点にかんがみてなされたもの
で、表示効率がすぐれ耐圧の大きい背面電極構造
を有する薄膜EL素子を提供することを目的とし、
この目的を達成するために背面電極を構成する誘
電体層と２層の金属層のうち２層の金属層を電気
的に短絡するように構成したものである。
で、表示効率がすぐれ耐圧の大きい背面電極構造
を有する薄膜EL素子を提供することを目的とし、
この目的を達成するために背面電極を構成する誘
電体層と２層の金属層のうち２層の金属層を電気
的に短絡するように構成したものである。
(ニ) 実施例
以下本発明を図面に基づいて説明する。
第３図は本発明による薄膜EL素子の一実施例
を示しており、図中第１図と同じ参照番号は同じ
構成部分を示している。
を示しており、図中第１図と同じ参照番号は同じ
構成部分を示している。
この実施例においては、第２の誘電体層５の上
にMo層６を形成した後このMo層６の形成範囲
よりも数mm内側の領域にAl2O3層７を形成する。
その後Mo層６の形成範囲と同じかそれにより大
きい領域にAl層８を形成する。これら各層の形
成領域は所定の寸法に穴をあけたステンレス薄板
（マスク）を基板に密着させ、蒸着またはスパツ
タリングによつて所定領域に規制することができ
る。また、黒色電極形成後マトリクスや７セグメ
ントなどのパターンにパターン化することはエツ
チングなどによつて自由に行うことができる。
にMo層６を形成した後このMo層６の形成範囲
よりも数mm内側の領域にAl2O3層７を形成する。
その後Mo層６の形成範囲と同じかそれにより大
きい領域にAl層８を形成する。これら各層の形
成領域は所定の寸法に穴をあけたステンレス薄板
（マスク）を基板に密着させ、蒸着またはスパツ
タリングによつて所定領域に規制することができ
る。また、黒色電極形成後マトリクスや７セグメ
ントなどのパターンにパターン化することはエツ
チングなどによつて自由に行うことができる。
このように、黒色電極を形成するAl2O3層７を
Mo層６およびAl層８よりも狭い領域に形成する
ことによりMo層６とAl層８とが薄膜形成領域の
周辺部で接触して電気的に短絡される。これによ
りAl2O3層７を両側から挾んでコンデンサ電極と
なつていたMo層６とAl層８とが同電位となりコ
ンデンサC4（第２図参照）が形成されなくなるの
でAl2O3層７の膜厚は素子の駆動交流電圧Ｅに影
響しなくなる。すなわち駆動交流電圧Ｅの一部が
Al2O3層７に印加されることがなくなる。そのた
めにその分だけ発光層４に印加される電圧分を高
めることができ表示効率を向上させることができ
るとともにAl2O3層７の耐圧は問題がなくなる。
発光層４に印加される電圧分を従来どおりでよい
とすれば当然の結果として、EL素子に印加する
駆動交流電圧を減少させることができ、実験によ
ればこの減少分は約10％にもなる。
Mo層６およびAl層８よりも狭い領域に形成する
ことによりMo層６とAl層８とが薄膜形成領域の
周辺部で接触して電気的に短絡される。これによ
りAl2O3層７を両側から挾んでコンデンサ電極と
なつていたMo層６とAl層８とが同電位となりコ
ンデンサC4（第２図参照）が形成されなくなるの
でAl2O3層７の膜厚は素子の駆動交流電圧Ｅに影
響しなくなる。すなわち駆動交流電圧Ｅの一部が
Al2O3層７に印加されることがなくなる。そのた
めにその分だけ発光層４に印加される電圧分を高
めることができ表示効率を向上させることができ
るとともにAl2O3層７の耐圧は問題がなくなる。
発光層４に印加される電圧分を従来どおりでよい
とすれば当然の結果として、EL素子に印加する
駆動交流電圧を減少させることができ、実験によ
ればこの減少分は約10％にもなる。
(ホ) 発明の効果
以上説明したように、本発明によれば、光透過
性の基板上に選択的に透明電極を形成し、透明電
極上に発光層を形成し、発光層上に第１の金属層
を形成し、第１の金属層上に該第１の金属層の形
成領域より内側に絶縁層を形成し、絶縁層および
第１の金属層上に第２の金属層を形成し、透明電
極が形成されていない領域上で第１の金属層上と
第２の金属層とが接触するようにした。
性の基板上に選択的に透明電極を形成し、透明電
極上に発光層を形成し、発光層上に第１の金属層
を形成し、第１の金属層上に該第１の金属層の形
成領域より内側に絶縁層を形成し、絶縁層および
第１の金属層上に第２の金属層を形成し、透明電
極が形成されていない領域上で第１の金属層上と
第２の金属層とが接触するようにした。
そのため、高い視認性を損うことなく駆動電圧
を低下することができ耐圧の低い駆動回路素子を
使用することができるようになる。その結果回路
のコストを下げることができる。また膜厚が薄い
ために比較的耐圧が不安定なAl2O3層などの誘電
体層に印加する電圧がなくなるので耐圧破壊の心
配がなくなりEL素子の歩留りや信頼性を大幅に
向上することができる。
を低下することができ耐圧の低い駆動回路素子を
使用することができるようになる。その結果回路
のコストを下げることができる。また膜厚が薄い
ために比較的耐圧が不安定なAl2O3層などの誘電
体層に印加する電圧がなくなるので耐圧破壊の心
配がなくなりEL素子の歩留りや信頼性を大幅に
向上することができる。
第１図は従来の薄膜EL素子の構造を示す断面
図、第２図は第１図に示した従来の薄膜EL素子
の等価回路、第３図は本発明による薄膜EL素子
の一実施例の断面図である。 １…ガラス基板、２…透明電極、３，５…誘電
体層、４…発光層、６…Mo層、７…Al2O3層、
８…Al層。
図、第２図は第１図に示した従来の薄膜EL素子
の等価回路、第３図は本発明による薄膜EL素子
の一実施例の断面図である。 １…ガラス基板、２…透明電極、３，５…誘電
体層、４…発光層、６…Mo層、７…Al2O3層、
８…Al層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光透過性の基板上に選択的に配設された透明
電極と、 前記基板上および前記透明電極上に形成された
発光層と、 前記発光層上に形成された第１の金属層と、 前記第１の金属層上に該第１の金属層の形成範
囲よりも内側の領域に形成された誘電体層と、 前記第１の金属層上および前記誘電体層上に形
成され、前記透明電極が形成されていない領域上
で前記第１の金属層と接する第２の金属層とを備
え、 前記第１の金属層、前記誘電体層、前記第２の
金属層により黒色背面電極を形成することを特徴
とする薄膜EL素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59046596A JPS60193295A (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59046596A JPS60193295A (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60193295A JPS60193295A (ja) | 1985-10-01 |
| JPH0416917B2 true JPH0416917B2 (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=12751676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59046596A Granted JPS60193295A (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60193295A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH046157Y2 (ja) * | 1986-12-26 | 1992-02-20 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5835360B2 (ja) * | 1978-02-03 | 1983-08-02 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌパネル |
| FI60332C (fi) * | 1980-04-24 | 1981-12-10 | Lohja Ab Oy | Elektroluminensstruktur |
| JPS6016077B2 (ja) * | 1980-09-01 | 1985-04-23 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌパネルの電極構造 |
-
1984
- 1984-03-13 JP JP59046596A patent/JPS60193295A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60193295A (ja) | 1985-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0416917B2 (ja) | ||
| JP2844964B2 (ja) | Ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| JPS5827506B2 (ja) | 黒化電極構造 | |
| JPS6359519B2 (ja) | ||
| JPH0348879Y2 (ja) | ||
| JPH0516158B2 (ja) | ||
| JPH05205874A (ja) | 薄膜ｅｌパネル | |
| JPS60241083A (ja) | エレクトロルミネツセンス表示素子 | |
| JPS5832393A (ja) | 薄膜電場発光素子 | |
| JPS61211996A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS61211997A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH04306589A (ja) | 薄膜ｅｌパネル | |
| JPH05152069A (ja) | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 | |
| JPS63183485A (ja) | 薄膜ｅｌ表示素子 | |
| JPS61188890A (ja) | 誘電体膜の形成方法 | |
| JPS61267297A (ja) | 両面発光体 | |
| JPS58680B2 (ja) | 電場発光板 | |
| JPS6318318B2 (ja) | ||
| JPS62122095A (ja) | 薄膜ｅｌ表示素子 | |
| JPS6147097A (ja) | エレクトロルミネセンス素子 | |
| JPH02195684A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS64800B2 (ja) | ||
| JPS6394293A (ja) | Ｅｌパネル | |
| JPS62154596A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS58188095A (ja) | エレクトロルミネセンス素子 |