JPS6214076A - 受光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、被測距物体から反射された信号光を受けて
被測距物体までの距離を測定する例えばカメラ等に使用
される測距装置に係り、特に受光素子及び増幅回路を有
した受光装置に関するものである。

〔従来の技術〕

一般にこの棚の測距装置としては、近接して配設された
１対の受光素子が被測距物体から反射された信号光を受
け、この信号光により発生された受光素子の光起電流の
比を求めることにより、被測距物体までの距離を求めて
いるものである。

第２図及び第３図はこの種の測距装置を示すものである
。まず、第２図に示すようにＬＥＤ等からなる発光素子
（１）からのパルス状の信号光は投光側収光レンズ（２
）を介して被測距物体（８ａ）又は（８ｂ）ｌζ入射さ
れ、その反射された信号光（４ａ）又は（４ｂ）は１対
の受光菓子（７ａ）　（７ｂ）を有した光検出素子（３
ＰＩ）ｌ　ｔ６１に入射される。この光検出素子（６）
はカソードとなるＮ型の半導体基板（６Ｃ）とこの半導
体基板の一主面に形成されたアノードとなるＰ型の半導
体層（６ａ）　（６ｂ）とから構成されているものであ
る。今、近距離にある被測距物体（８ａ）から反射され
た信号光（４ａ）が入射されたとすると、第３図に示す
ように受光素子（７ａ）には多くの信号光（４ａ）が入
射されるため、受光素子（７ａ）には大きな光起ｌ流が
流れ、受光素子（７ｂ）ｌζは小さな光起電流が流れる
。また遠距＃！Ｉｉｔζある被測距物体（８ｂ）から反
射された信号光（４ｂ）が入射されたとすると。第３図
に示すように受光素子（７ｂ）には多くの信号光（４ｂ
）が入射されるため、受光素子（７ｂ）には大きな光起
（流が流れ、受光素子（７ａ）には小さな光起電流が流
れる。そして第４図に示すように受光素子（７ａ）に流
れる光起電流は受光装＠　（８ａ）によりその光起電流
に応じた１圧値にされてバッファアンプ（１Ｇ及び抵抗
圓を介して演算増幅器ｆ１２の一方の入力端に入力され
る。

一方、受光素子（７ｂ）に流れる光起電流は受光装置（
８ｂ）によりその光起電流ｆζ応じた電圧値にされてバ
ッファアンプ・１３及び抵抗Ｉを介して演算増幅器０２
の他方の入力端に入力される。また、演算増幅器ｔｌＺ
の一方の入力端と出力端とは抵抗ｕＳを介して接続され
るとともに他方の入力端には抵抗ｌＩ′ｒＩを介して基
草電圧源ｕｅが接続されている。演算増幅器＋ＩＺ及び
抵抗ａｎ　（１４１（ＩＳ　ｕηは差動アンプを構成し
ているので、演算増幅器１１２の２つの入力端に入力さ
れた電圧の差電圧に応じた出力が演算出力＠　（１８）
に現われることになる。この演算出力端（Ｉｌｆζ現わ
れた出力は、受光素子（７ａ）（？　ｂ）の光起電流の
比に応じた値であり、結果として被測距物体（８〜又は
（８ｂ）までの距離情報が得られることになる。

次に、この様ｆζ構成された測距装置における従来の受
光装！　（８ａ）　（ｓｂ）　＋とついて第５図に基づ
いて説明する。受光装＠　（ａ　ａ）　（ｓ　ｂ）は両
者とも同じ回路構成であるので、第５図は１つの受光装
置ａ（８１を示している。第５図において（７）はカソ
ードが基準電位点Ｖｒｅｆ＋ζ接、ｎされた受光素子、
ｕ９はこの受光素子のアノードにベースが接続されるｎ
ｐｎトランジスタからなる信号増幅用トランジスタ■は
この信号増幅用トランジスタのエミッタと接地間に接続
された交流信号バイパス用コンデンサ、（社）のはカレ
ントミラー回路を構成するｐｎｐ　）ランジスタで、−
万のｐｎｐトランジスタ因）のエミッタが電源官位点Ｖ
ｃｃに接続されるとともにペース及びコレクタが上記信
号増幅用トランジスタｕ９のコレクタに接続され、他方
のｐｎｐ　トランジスタ（支）のエミッタが上記電源を
位点Ｖｃｃに接続されるとともにベースがｐｎｐ　トラ
ンジスタシυのベースに接続されているものである。器
（至）はこのカレントミラー回路のｐｎｐトランジスタ
＠のコレクタと接地間に接続される対数圧縮ダイオード
で、ｎｐｎトランジスタをダイオード接続したものから
構成されており、対数圧縮ダイオードののアノードがこ
の受光装置の出力端（９）Ｉζ接続されているものであ
る。（ハ）は上記電源？１位点Ｖｃｃと信号増幅用トラ
ンジスタｔ１９１のベースとの間に接続されたバイアス
電流源で、例えばトランジスタにより構成されているも
のである。■は上記信号増幅用トランジスタｕ９のベー
スと接地間に接続され、ベースが上記信号増幅用トラン
ジスタＩＩＩのエミッタに接続される直流電流を吸収す
るためのｎｐｎ　トランジスタ、罰は上記信号増幅用ト
ランジスタｕ！ｌのエミッタと接地間に接続される回路
バイアスを設定する定″！流源で、例えばトランジスタ
により構成されるものである。（至）は反転入力端（２
８ａ）、非反転入力端（２ｓ　ｂ）、出力端（２８ｃ）
及び制御端（２８のを有し、反転入力端（２８ａ）が上
記対数圧縮ダイオード＠のアノードに接続されるととも
に出力端（２８ｃ）が反転入力端（２８ａ）に接続され
、上記対数圧縮ダイオード（ハ）（至）の初期ｉａ流を
設定するためのバッファアンプ、（至）はこのバッファ
アンプの制御端（２９のと接地間に接続され、パツファ
フンプ■の周波数を低下させるためのコンデンサ、（至
）ｃ＋ｎ＠は上記対数圧縮ダイオード接続υの初期電圧
を設定するための基準ｎ圧発生回路を構成する定電流源
、 抵抗及びダイオードで、定電流源■と抵抗（２）との接
続点が上記バッファアンプ■の非反転入力端（２ｓ　ｂ
）に接続されており、定電流源■は例えばトランジスタ
で構成され、ダイオード■はダイオード接続されたｎｐ
ｎ　）ランジスタから構成されているものである。

また、バッファアンプ（至）は第６図ｆζ示すように構
成されており、第６図において（２８ｃ）はベースが反
転入力端１．２８ａ）に接続されるｎｐｎ　）ランジス
タ、（２８０はベースが非反転入力端（２８ｂ）に接続
さ才１、コレクタが［源電位点Ｖｃｃ　ｔζ接続され、
エミッタが上記ｎｐｎ　）ランジスタ（２ｓ　ｅ）のエ
ミッタに接続されるｎｐｎトランジスタで、上記ｎｐｎ
　トランジスタ（２ｓ　ｅ）とで差動アンプを構成する
ものである。（２８のはこれらｎｐｎ　）ランジスタ（
２Ｓａ）（２ｓｆ）のエミッタ接続点と接地間に接続さ
れた定電流源、（２８ｈ）Ｃ２８ｉ）はカレントミラー
回路を構成するｐｎｐトランジスタテ、両ｐｎｐトラン
ジスタのエミッタが電源電位点Ｖｃｃに接続されるとと
もにベースが共通接続され、−万のｐｎｐトランジスタ
（２８ｈ）のコレクタはベース及び上記ｎｐｎ　トラン
ジスタ（２８ｅ）のコレクタに接続さ１′Ｌ１上記ｎｐ
ｎ　トランジスタ（２ｓ　ｅ）　（２ｓ　ｆ）による差
動出力を伝達するものである。（２ｓｊ）（２ｓｋ）は
カレントミラー回路を構成するｎｐｎトランジスタで、
両ｎｐｎ　）−ランジスタのエミッタが接地されるとと
もＣζベースが共通接続され、一方のｎｐｎ　トランジ
スタ（２８ｊ）のコレクタはベース及び上記ｐｎｐ　ト
ランジスタ（２８ｉ）のコレクタに接続され、他方のｎ
ｐｎ　トランジスタ（２ｓｋ）のコレクタは出力端（２
８ｃ）に接続されて反転入力端（２Ｓａ）＋ζ度続され
る。

次蚤ζ、この僅に構成された受光装置の動作に−】いて
説明する。まず、無信号時、つまり受光素子（７）に被
測距物体から反射されたパルス状の信号光（４）が入射
されていない時、増幅トランジスタｕ９を流れる電流は
定１流源□□□ｆζより決定されているため、バイアス
電流源（刻のバイアス電流の内、増幅トランジスタＵの
ベース電流を差し引いた残りの電流がｎｐｎ　トランジ
スタ（３１１に流れることになる。

また、受光素子（７）に外光（太陽光及びその反射光等
による略一定の強さの光）が入射されていると、受光素
子（７）には直流の光起電流が発生されることになる。

しかし、この直流の光起電流は次の理由によりほとんど
がｎｐｎ　）ランジスタＩ２１Ａに流れ込みこの直流の
光起電流による増幅トランジスタｕ９のベースに流れ込
む電流は無視できるものである。

つまり、直流の光起電流は初期において増幅トランジス
タ（６）のベースに流れ込み、増幅率１１ｙＫｌｌｆＪ
倍されて増幅トランジスタｕ９のエミッタから流れ出る
が直流であるためコンデンサ■普ζは流れ込まずｎｐｎ
　トランジスタ＋２！６１のベースに流れ込むことにな
る。その結果、直流の光起電流はｎｐｎ　トランジスタ
（至）のコレクタを通って引き去られ、帰還がかかるた
め、増幅トランジスタｕ！Ｉｌのベースに流れ込む電流
は１／　（ｈｇｙ　ｄ９１Ｘｈｙｘ　ｌＡと非常に小さ
くなり、無視できるものである。

従って、増幅トランジスタＬｌｌのコレクタに流れ込む
電流は無信号時に定電流源のに決定される−定の電流値
となる。このコレクタに流れ込む電流値と同じ値の電流
がカレントミラー回路を構成するｐｎｐ　トランジスタ
■のコレクタから流れ出ることになる。一方、定電流源
■、抵抗６υ及びダイオード■で構成される基準電圧発
生回路の基準電圧がバッファアンプのの非反転入力端（
２ｓ　ｂ）に接続されており、ｐｎｐトランジスタ■の
コレクタがバッファアンプのの反転入力端（２８ａ）及
び出力端（２８Ｃ）に接続されているため、ｐｎｐトラ
ンジスタ■のコレクタから流れ出る電流は対数圧縮ダイ
オードのの７／−ド電位（バッファアンプ■の出力端（
２ｓ　ｃ）　［位）が等しくなるように、対数圧縮ダイ
オードの（至）とバッファアンプ（支）とに分流される
ことになる。

従って、受光装＠（８）の出力端（９）には基準電圧発
生回路の基準電圧が現われることになる。

ここで、ダイオード＠勿■の逆方向飽和電流をＩｓ、　
ｐｎｐｌ−ランジスタロのコレクタから流れ出る電流を
ＩＣ（社）、対数圧縮ダイオード（ハ）（至）に流れ込
む電流をＩＦ、定電流涙■に流れる電流をＩ（３Ｉ、抵
抗Ｃ３１］の抵抗値をＲ（３１１とすると、対数圧縮ダ
イオードののアノード電位は２ＫＴ　　Ｉ″Ｎ Ｑ　　１ｎＩｓとなり、基準電■発 生回路の基準電圧は ＫＴ　　Ｉｌｎ 、Ｉｎ、　＋　ＲＧＩＩ　Ｉ（３ｆｆとなる。そして、
両１圧は等しくなるため ている。

一方、受光素子（７）に被測距物体から反射されたパル
ス状の信号光＋４１が入射されると、このパルス状の信
号光１４＋により受光素子（７）にパルス状の光起電流
が発生されることｉζなる。このパルス状の光起電流は
増幅トランジスタ１！ｉのベースに流れ込み、ｈＦ、　
ｕ＊倍されて増幅トランジスタ０９のエミッタからコン
デンサ（７）へ流れ込む。この時、ｈＦＥｕ９１倍され
たパルス状の光起電流は交流であるため、ｎｐｎトラン
ジスタ四のベース看では流れ込まないため、帰還はかか
らないものである。

従って、増幅トランジスタｕｌのコレクタＩζ流れ込む
電流は定電流源面に決定される電流値とコンデンサｌζ
流れるｈＦ、　ｕＣＪ倍されたパルス状の光起電流値と
の和の電流値となる。このコレクタＩζ流れ込む電流値
と同じ組の電流がカレントミラー回路を構成するｐｎｐ
　トランジスタ＠のコレクタから流れ出ることになる。

一方、バッファアンプ■の制御端（２８ａ）にコンデン
サ（至）が接続されているため、バッファアンプ■とし
ては、反転入力端（２８ａ）の電位変化Ｊζ対する出力
端（２ｓ　ｃ）への応答が遅れることになり、無信号時
に対してｐｎｐ　トランジスタ■のコレクタから流れ出
る増加分、っまりｈｐＢ　ｕ９倍されたパルス状の光起
電法相当分は対数圧縮ダイオ−トノＩ２４１に流れ込み
、この増加分により対数圧縮ダイオード＠のアノード電
位が増加して、受光装置の出力端（９）ＩＣ現われるこ
とになる。

この時の出力端（９）の電位は受光素子（７１のパルス
となる。

この様Ｃζ構成された受光装置（８）を２つ用いて第４
図に示す測距装置を構成する。今、被測距物体から反射
されたパルス状の信号光（４）により発生される受光素
子（７ａ）　（７ｂ）の光起電流をそれぞれＩＬ（７ａ
）、ＩＬ（７ｂ）とすルト、受光装＆　（ｓ　ａ）　（
ｓ　ｂ）の出力端（９ａ）（９ｂ）位が現われることに
なる。

ここで、受光装！！　（８ａ）（ａｂ）の基準電圧発生
回路における基準電位を、充分小さい値１ことっである
ので、Ｉ　１２２１１．ｔ　ｈｐＫＬ１９ＩＬ（７ａ）
及びｈｒＢｉ１９１１　Ｌ　（７ｂ）ｔｔ対して充分小
さく、基準電圧源（１６１の電圧をＶｓとすると、演算
増幅器ｑ３の出力は次式の様になる。

＝　ｖ８＋２に’Ｉ”１ｎＩＬ　（７ｂ）ｑ　　　ＩＬ
（７ａ 従って、出力端（旧］ζは受光素子（７ａ）（７ｂ）　
＋ζおける光起１ａ　訛ＩＬ　（７ａ）　、　ｌｘ、　
（７ｂ）の比ｌζ応じた電圧が現われ、この電圧はまさ
しく被測距物体までの距離が得られる値になっているも
のである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記した受光装置にあっては、受光素子（７）のアノー
ドが直接増幅トランジスタｉｌｌのベースに接読されて
いるため、蛍光灯等の低周波の外光のＦ　ｙｇを受は易
く、この様な状況下ｆζあっては被測距物体までの測距
結果に誤差が生じ易く、また、対数圧縮ダイオードｔ２
３１（２４１に流れる初期電流、つまり無信号時の電流
は基準発生回路の基準電圧によって設定しているため温
度変化の影響を受けて初期゛層流が変化し出力電圧の直
線性が変化するという間１点を有しているものであった
。

この発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、蛍
光灯等の低周波の外光の影響が少なく、しかも温度変化
による影響等も少ない受光装置を得ることを目的とする
ものである。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る受光装置は、受光装置からのパルス状の
起″題流を電流増幅トランジスタにて増幅し、対数圧縮
ダイオード素子に上記パルス状の起電流に応じた電圧が
現われるものにおいて、受光素子と電流増幅トランジス
タのベースとの間に低周波減衰用コンデンサを接続する
とともに、電流増幅トランジスタのコレクタ電流を受け
てこのコレクタ電流に応じた電流を対数圧縮ダイオード
素子に出力する第１の電流変換回路と、対数圧縮ダイオ
ード素子に流れる電流を受けてこの電流に応じた値を電
流増幅トランジスタのエミッタ電流となす第２の電流変
換回路とを設けたものである。

〔作用〕

この発明においては、低周波減衰用コンデンサが受光素
子からの蛍光灯等の低周波の外光に基づき発生する低周
波の起電流を電流増幅トランジスタのベースへ伝達され
るのを抑制して低周波の外光による影響を抑制するとと
もに、第１の電流変換回路と第２の電流変換回路と１こ
より、電流増幅トランジスタのコレクタ電流とエミッタ
電流に基づき対数圧縮ダイオード素子）ζ流れる初期電
流を設定して温度変化の影響を抑制させているものであ
る。

〔実施例〕

以下にこの発明の一実施例を第１図に基づいて説明する
と、第１図において＋７１１！カソードが電源電位点Ｖ
ｃｃ＋と接続されるとともにアノードが負荷抵抗（至）
を介して接地される受光素子、（至）はこの受光素子の
アノードと電流増幅トランジスタｕ９のベースとの間に
接続される低周波減衰用コンデンサ（ト）はベースにバ
イアス電圧が供給され、電源電位点ＶＣＣと電流増幅ト
ランジスタｔｌｌのベースとの間に接続されるベースバ
イアス用ｎｐｎ　）ランジスタ、国は１対のｐｎｐ　ト
ランジスタ＠＠から構成される第１のカレントミラー回
路で両ｐｎｐ　トランジスタのエミッタは電源電位点Ｖ
ｃｃに接続されるとともにベースが共通接続され、一方
のｐｎｐトランジスタ（２１）のベース及びコレクタは
増幅トランジスタｕ９のコレクタに接続され、他方のｐ
ｎｐ　トランジスタ■のコレクタは対数圧縮ダイオード
ののアノードに接続されており、ｐｎｐトランジスタａ
ｕｃｓのエミッタ面積比が１：ｎに構成されてｐｎｐ　
）ランジスタノ■ζ流れる電流値がｐｎｐ）ランジスタ
ＣＤに流れる電流値のｎ倍となる関係になっている。■
は上＆ｌ！ｐｎｐトランジスタ（社）に並列ｆζ接続さ
れ、第２定電流源勾の定電流Ｉ■より大きい定電流Ｉ（
支）なる電流が流れる第１の定電流源で例えばトランジ
スタにより構成されている。（至）は対数圧縮ダイオー
ド■のベースにベースが接続されてカレントミラー回路
を構成するｎｐｎ　トランジスタで対数圧縮ダイオード
（至）と等しい電流値が流れるように設定されている。

（至）は１対のｐｎｐ　）ランジスタ（社）（旬から構
成される第２のカレントミラー回路で、両ｐｎｐ　）ラ
ンジスタのエミッタは電源電位点Ｖｃｃｌζ接続される
とともにベースが共通接続され、一方のｐｎｐトランジ
スタ（口のベース及びコレクタが上記ｎｐｎトランジス
タ■のコレクタに接続される。（転）は１対のｎｐｎ　
）ランジスタ關■から構成される第３のカレントミラー
回路で、両トランジスタのエミッタは接地されるととも
にベースが共通接続され、−万のベース及びコレクタが
上記ｐｎｐ　トランジスタ１１）のコレクタに接続され
ており、ｎｐｎトランジスタ（４４１［ζ流れる電流値
がｐｎｐ　トランジスタ■に流れる電流値のｎ倍となる
関係になるよう、各ｐｎｐトランジスタｆ４１）　ｆ４
１）及びｎｐｎ　）ランジス＊ｕ（４ｉのエミッタ面積
比が設定されているものである。＋４６１は１対のｎｐ
ｎ　）ランラスタ０η關から構成される第４のカレント
ミラー回路で、両トランジスタのエミッタは接地される
とともにベースが共通接続され、一方のｎｐｎ　）ラン
ジスタ１？＋のベース及びコレクタは上記ｐｎｐトラン
ジスタ（４４１のコレクタに接続されるとともに第２の
定電流源（ハ）を介して電源電位点Ｖｃｃ　ｔζ接続さ
れ、他方のトランジスタ囮のコレクタは電流増幅トラン
ジスタｕ９のエミッタに接続されており、両トランジス
タ（４η咽には等しい電流が流れるように設定されてい
る。四は上記対数圧縮ダイオードののアノードと接地と
の間ｆζ接続される第４の定電流源である。

次にこの様に構成された受光装置の動作Ｉζついて説明
する。まず、受光素子（７）に被測距物体から反射され
たパルス状の信号光（４）が入射されていない時、つま
り無信号時について説明する。今、対数圧縮ダイオード
（２）（至）に流れる初期電流を工（至）とすると、第
１のカレントミラー回路（至）のｐｎｐトランジスタ＠
に流れる電流は、■（２）＋Ｉ　１４９となりｐｎｐ　
トランジスタ―υに流れる電流は。（Ｉｃｙ　ＩＷ９１
）となる。従−）で電流増幅トランジスタｕｌのコレク
タにはＩ＠＋　（Ｉ叱１ｆ４９）の電流が流れ込むこと
になる。

また、トランジスタ（至）には初期電流と等しい電流Ｉ
Ｑ３が流れ、第２及び第３のカレントミラー回路（至）
（社）によりｍ倍にされるため、第３のカレントミラー
回路（４Ｘ５のｎｐｎ　）ランジスタ圓にはｍＩ（２３
なる電流ば流れることになる。そして、第４のカレント
ミラー回路１４１１９のｎｐｎトランジスタ儂ηにはエ
トｍｌ−なる電流が流れるためｎｐｎトランジスタ（ハ
）にもｌ１４Ｓ’−ｍＩｑなる電流が流れることになる
。従って、返流増幅トランジスタＵ）のエミッタから流
れ出る電流は１万十工咽−ｍＩのになる。電流増幅トラ
ンジスタｔｌ！Ｊ　ｌζおいて、ベース電流はほとんど
無視できるためエレクタ電流とエミッタ電流は一致する
ため、ＩＯ２）＋　　（Ｉａ＋１１４９１）＝Ｉｒ：！
ｒＦ＋Ｉ１６−ｍＩｆＪヲ満足するように力レントミラ
ー回路の面積比Ｒｎ、第１ないし第４の定電流源面一■
（４嘗の定電流値に＋、Ｉ面、Ｉ゛、、シ。

Ｉ（４１を設定すれば良いものである。従−］で、対数
圧縮ダイオード（ハ）（至）の初期電流Ｉ（ｉは上記し
た定数により設定できるため、任意憂ζ設定でき設計裕
度が大きいものである。

次ｆζ対数圧縮ダイオード（ハ）（２）に初期電流１ｅ
Ｊ）が無信号時に流れるメカニズムｆζついて説明する
。

今、対数圧縮ダイオードの（財）に電流が流れていない
とすると、トランジスタ■は非導通状態となるため、第
３のカレントミラー回路（４３のｎｐｎ　）ランジスタ
ロ滲も非導通状態となり、第４のカレントミラー回路噛
のｎｐｎトランジスタ１７）　ｆ４１Ｇには第２の定電
流源（ハ）に流れる定電流Ｉ　ｆａと等しい電流が流れ
ることになる。そして、第１のカレントミラー回路（至
）のｐｎｐ　トランジスタ１２υにはｌ１４５１＋ＩＨ
＋Ｉ（９）の電流が流れ、ｐｎｐトランジＸ　９　＠　
＋（はｎ　（Ｉ＋４！９＋　Ｉｌ−■（支））の電流が
流れること）ζなる。このｎ　（ｌ１４５）＋　Ｉの）
−■（支））は第４の定電流源姻に流れる定電流■（４
９より大きいため、対数圧縮対数ダイオード＠（２４）
　ｌζはｎ（Ｉ研Ｉ＠−ｉｃｍ）−■（４９の電流が流
れ込むことになり、初期電流Ｉｆｌで安定することにな
る。一方、圧縮ダイオードの＠に初期電流Ｉｆ２３より
大きな電法王のが流れたとすると、第３のカレントミラ
ー回路（転）のｎｐｎトランジスタ（４４に流れる電流
は、ｍｌ１２３１り大きれば第４のカレントミラー回路
１４６）のｎｐｎトランジスタ１７＋　ｔａは非導通状
態となる。そして、第１の定電流源（至）の定電法王■
が第２の定電流源面一より大きいため第１のカレントミ
ラー回路国のｐｎｐトランジスタ（２）＠も非導通状態
となって、対数圧縮ダイオードｆ２３１２４１に流れ込
む電流値は減少され、初期電流ＩＣ２３で安定すること
になる。

以上から明らかな如く、対数圧縮ダイオードの（至）に
流れる初期電法王＠は第１ないし第４のカレントミラー
回路及び第１ないし第３の定電流源により決定され、出
力端（９）ｌζ現われる電圧は温度変化の影響が少ない
安定した一定電圧が得られることになるものである。

また、受光素子（７）に外光、例えば太陽光等の賂一定
の強さの光や蛍光灯等の低周波の光が入射されて、受光
素子（７）に直流や低周波の起電流が発生されても低周
波減衰用コンデンサ（財）により電流増幅トランジスタ
ｕｇ１のベースへの伝達が阻止されるため、何ら影響を
及ぼさないものである。

−万、受光素子（７）（ζ被測距物体から反射されたパ
ルス状の信号光＋４１が入射されると、このパルス状の
信号光＋４１　ｆ（より受光素子（７）Ｉζはパルス状
の光起電流Ｉ　１１７１が発生されることになる。この
パルス状の光起電流ＩＬｔ７＋は、負荷抵抗■及び低周
波減衰用コンデンサ（財）を介して電流増幅トランジス
タ＋１１のベースに流れ込み、ｈｐＥｕ９）倍されてバ
イパスコンデンサ■に流れ込むことになる。この時、第
１及び第２の定電流源＠罰の定電流が電流増扇トランジ
スタＣＩ！ｌのベースに流れ込む起電流のｈＦＩＩ！！
１！１倍された値に対して充分大きく設定されているた
め、電流増幅トランジスタｕｌのベース・エミッタ間電
圧の電位変動は非常に小さく、負荷抵抗ωの両端間電圧
の変動も非常に小さいものとなり、受光素子（７）にお
けるパルス状の光起電流ＩＬｔ７１はほとんど全て電流
増幅トランジスタｕ９）のベースに流れることになる。

モしてｈＦＩ！！１９倍された上記光起電流ＩＬ（７１
がバイパスコンデンサ■に流れることにより、このｈｐ
ｇ　ｕ！Ｊ　ＩＩＪ７１に相当する電流は第１のカレン
トミラー回路図のｐｎｐ　トランジスタ＠ｉζ流れ、ｐ
ｎｐ）ランジスタ＠　ｌ（ｎ−ｈｒＩｕ！１１　Ｉ　Ｌ
＋７１が流れることになる。その結果対数圧縮ダイオー
ド１帽ζは１１２３）＋　ｎ　ｈ　Ｆ　Ｋ＋１９１　Ｉ
　Ｌ＋７１なる電流が流れることになり、出力端子Ｃζ
は受光素子（７）のパルス状の光起電流Ｉ　Ｌｔ７＋に
応じた増分の対線圧縮電圧が現われることになるもので
ある。

上記の様に構成さ゛れた受光装置Ｃζおいては、蛍光灯
等の低周波の外光に対して、低周波減衰用コンデンサ（
至）により影響のほとんどない対数圧縮ダイオード鉋の
アノード電位が′得られ、しかも、対数圧縮ダイオード
Ｃζ流れる初期電流ＩＬノが第１ないし第４のカレント
ミラー回路１３１１（至）（転）１４［９及び第１ない
し第４の定電流源助動−嘔により決定されるため、対数
圧縮ダイオード（ハ）のアノード電位が温度の変動、外
乱等の影響を受けに＜＜、精度の弱いものが得られるも
のである。

なお、上記実施例においては、負荷抵抗（至）を用いた
ものを示したが、負荷抵抗■のかわりに、ダイオード、
ダイオードと抵抗の直列体、抵抗とコンデンサとダイオ
ードと組み合せ及びコイルなどの直流的にはインピーダ
ンスが低く交流的にはインピーダンスの高いものを用い
ても良いものである。

また、上記実施例においては、受光装置（８）を被測距
物体までの距離を測定するものに適用した場合について
説明したが、入射光の比による位置判定回路あるいは入
射光そのものの絶対値を測定する装ｒａＩζ適用しても
良いものである。

〔発明の効果〕

この発明は以上に述べたように、受光素子と電流増幅ト
ランジスタのベースとの間に低周波減衰用コンデンサを
接続するととも（ζ、電流増幅トランジスタのコレクタ
電流を受けてこのコレクタ電流に応じた電流を対数圧縮
ダイオード素子に出力する第１の電流変換回路と、対数
圧縮ダイオード素子に流れる７ｇ流を受けてこの電流ｉ
ζ応じた値を電流増幅トランジスタのエミッタ電流とな
す第２の電流変換回路とを設けたものとしたので、蛍光
灯等の低周波の外光に対して影響が少なく、温度の変動
に対しても影響を受は難い対数圧縮電圧が得られるとい
う効果を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施伝を示す回路図、第２図及び
第３図はパルス状の信号光と受光素子（７ａ）（７ｂ）
との関係を示す概略図及び受光素子平面図、第４図は測
距装置を示す概略回路図、第６図は従来の受光装置を示
す回路図、第６図は第６図のもののバッファアンプ（支
）を示す回路図である。 図において（７）は受光素子、１１１！　ｉ流増幅トラ
ンジスタ、■はバイパスコンデンサ、＠（至）は対数圧
縮ダイオード、（５）は第２の定電流源、［有］は低周
波減衰用コンデンサ、国＠（転）１４６１は第１ないし
第４のカレントミラー回路、（資）卿は第１及び第３の
定電流源である。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）パルス状の信号光を受けてパルス状の起電流を発
   生する受光素子、この受光素子の一端に一方の電極が接
   続される低周波減衰用コンデンサ、この低周波減衰用コ
   ンデンサの他方の電極にベースが接続される電流増幅ト
   ランジスタ、この電流増幅トランジスタのエミッタに接
   続されるバイパスコンデンサ、上記電流増幅トランジス
   タのコレクタ電流を受けてこのコレクタ電流に応じた電
   流を出力する第１の電流変換回路、この第１の電流交換
   手段の出力電流を受ける対数圧縮ダイオード素子、この
   対数圧縮ダイオード素子に流れる電流を受けてこの電流
   に応じた値を上記電流増幅トランジスタのエミッタ電流
   となす第２の電流変換回路を備えた受光装置。
2. （２）第１の電流変換手段は、１対のトランジスタから
   なり、一方のトランジスタが電流増幅トランジスタのコ
   レクタに接続され、他方のトランジスタが対数圧縮ダイ
   オードに接続され、他方のトランジスタに流れる電流値
   が一方のトランジスタに流れる電流値のｎ倍となる関係
   にある第１のカレントミラー回路と、この第１のカレン
   トミラー回路の一方のトランジスタに並列に接続される
   第１の定電流源とを有したものであることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の受光装置。
3. （３）第２の電流変換手段は、対数圧縮ダイオード素子
   とカレントミラー回路を構成するトランジスタと、１対
   のトランジスタからなり一方のトランジスタが上記トラ
   ンジスタに接続される第２のカレントミラー回路と、１
   対のトランジスタからなり一方のトランジスタが上記第
   ２のカレントミラー回路の他方のトランジスタに接続さ
   れる第３のカレントミラー回路と、１対のトランジスタ
   からなり、一方のトランジスタが上記第３のカレントミ
   ラー回路の他方のトランジスタに並列に接続されるとと
   もに第２の定電流源に接続され、他方のトランジスタが
   電流増幅トランジスタのエミッタに接続される第４のカ
   レントミラー回路と、この第４のカレントミラー回路の
   他方のトランジスタに並列に接続される第３の定電流源
   とを有し、第４のカレントミラー回路の他方のトランジ
   スタに流れる電流値が対数圧縮ダイオードに流れる電流
   値のｍ倍となる関係になすように第１ないし第４のトラ
   ンジスタが設定されていることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項または第２項記載の受光装置。