JPH0414729B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、被測距物体から反射された信号光
を受けて被測距物体までの距離を測定する例えば
カメラ等に使用される測距装置に係り、特に受光
素子及び増幅回路を有した受光装置に関するもの
である。

〔従来の技術〕 一般にこの種の測距装置としては、近接して配
設された１対の受光素子が被測距物体から反射さ
れた信号光を受け、この信号光により発生された
受光素子の光起電流の比を求めることにより、被
測距物体までの距離を求めているものである。

第２図及び第３図はこの種の測距装置を示すも
のである。まず、第２図に示すようにLED等か
らなる発光素子１からのパルス状の信号光は投光
側収光レンズ２を介して被測距物体３ａ又は３ｂ
に入射され、その反射された信号光４ａ又は４ｂ
は１対の受光素子７ａ，７ｂを有した光検出素子
（SPD）６に入射される。この光検出素子６はカ
ソードとなるＮ型の半導体基板６ｃとこの半導体
基板の一主面に形成されたアノードとなるＰ型の
半導体層６ａ，６ｂとから構成されているもので
ある。今、近距離にある被測距物体３ａから反射
された信号光４ａが入射されたとすると、第３図
に示すように受光素子７ａには多くの信号光４ａ
が入射されるため、受光素子７ａには大きな光起
電流が流れ、受光素子７ｂには小さな光起電流が
流れる。また遠距離にある被測距物体３ｂから反
射された信号光４ｂが入射されたとすると、第３
図に示すように受光素子７ｂには多くの信号光４
ｂが入射されるため、受光素子７ｂには大きな光
起電流が流れ、受光素子７ａには小さな光起電流
が流れる。そして第４図に示すように受光素子７
ａに流れる光起電流は受光装置８ａによりその光
起電流に応じた電圧値にされてバツフアアンプ１
０及び抵抗１１を介して演算増幅器１２の他方の
入力端に入力される。また、演算増幅器１２の一
方の入力端に入力される。一方、受光素子７ｂに
流れる光起電流は受光装置８ｂによりその光起電
流に応じた電圧値にされてバツフアアンプ１３及
び抵抗１４を介して演算増幅器１２の一方の入力
端と出力端とは抵抗１５を介して接続されるとと
もに他方の入力端には抵抗１７を介して基準電圧
源１６が接続されている。演算増幅器１２及び抵
抗１１，１４，１５，１７は差動アンプを構成し
ているので、演算増幅器１２の２つの入力端に入
力された電圧の差電圧に応じた出力が演算出力端
１８に現われることになる。この演算出力端１８
に現われた出力は、受光素子７ａ，７ｂの光起電
流に比に応じた値であり、結果として被測距物体
３ａ又は３ｂまでの距離情報が得られることにな
る。

次に、この様に構成された測距装置における従
来の受光装置８ａ，８ｂについて第５図に基づい
て説明する。受光装置８ａ，８ｂは両者とも同じ
回路構成であるので、第５図は１つの受光装置８
を示している。第５図において、４は被測距物体
から反射された信号光、７はカソードが基準電位
点Vrefに接続された受光素子、１９はこの受光
素子７のアソードにベースが接続されるnpnトラ
ンジスタからなる信号増幅トランジスタ（電流増
幅トランジスタ）、２０はこの信号増幅用トラン
ジスタ１９のエミツタと接地間に接続された交流
信号バイバス用コンデンサ、２１，２２はカレン
トミラー回路を構成するpnpトランジスタで、一
方のpnpトランジスタ２１のエミツタが電源電位
点Vccに接続されるとともにベース及びコレクタ
が上記信号増幅用トランジスタ１９のコレクタに
接続され、他方のpnpトランジスタ２２のエミツ
タが上記電源電位点Vccに接続されるとともにベ
ースがpnpトランジスタ２１のベースに接続され
ているものである。２３，２４はこのカレントミ
ラー回路のpnpトランジスタ２２のコレクタと接
地間に接続される対数圧縮ダイオードで、npnト
ランジスタをダイオード接続したものから構成さ
れており、対数圧縮ダイオード２３のアノードが
この受光装置の出力端９に接続されているもので
ある。２５は上記電源電位点Vccと信号増幅用ト
ランジスタ１９のベースとの間に接続されたバイ
アス電流源で、例えばトランジスタにより構成さ
れているものである。２６は上記信号増幅用トラ
ンジスタ１９のベースと接地間に接続され、ベー
スが上記信号増幅用トランジスタ１９のエミツタ
に接続される直流電流を吸収するためのnpnトラ
ンジスタ、２７は上記信号増幅用トランジスタ１
９のエミツタと接地間に接続される回路バイアス
を設定する定電流源で、例えばトランジスタによ
り構成されるものである。２８は反転入力端２８
ａ、非反転入力端２８ｂ、出力端２８ｃ及び制御
端２８ｄを有し、反転入力端２８ａが上記対数圧
縮ダイオード２３のアノードに接続されるととも
に出力端２８ｃが反転入力端２８ａに接続され、
上記対数圧縮ダイオード２３，２４の初期電流を
設定するためのバツフアアンプ、２９はこのバツ
フアアンプの制御端２８ｄと接地間に接続され、
バツフアアンプ２８の周波数を低下させるための
コンデンサ、３０，３１，３２は上記対数圧縮ダ
イオード２３，２４の初期電圧を設定するための
基準電圧発生回路を構成する定電流源、抵抗及び
ダイオードで、定電流源３０と抵抗３１との接続
点が上記バツフアアンプ２８の非反転入力端２８
ｂに接続されており、定電流源３０は例えばトラ
ンジスタで構成され、ダイオード３２はダイオー
ド接続されたnpnトランジスタから構成されてい
るものである。

また、バツフアアンプ２８は第６図に示すよう
に構成されており、第６図において２８ｅはベー
スが反転入力端２８ａに接続されるnpnトランジ
スタ、２８ｆはベースが非反転入力端２８ｂに接
続され、コレクタが電源電位点Vccに接続され、
エミツタが上記npnトランジスタ２８ｅのエミツ
タに接続されるnpnトランジスタで、上記npnト
ランジスタ２８ｅとで差動アンプを構成するもの
である。２８ｇはこれらnpnトランジスタ２８
ｅ，２８ｆのエミツタ接続点と接地間に接続され
た定電流源、２８ｈ，２８ｉはカレントミラー回
路を構成するpnpトランジスタで、両pnpトラン
ジスタのエミツタが電源電位点Vccに接続される
とともにベースが共通接続され、一方のpnpトラ
ンジスタ２８ｈのコレクタはベース及び上記npn
トランジスタ２８ｅのコレクタに接続され、上記
npnトランジスタ２８ｅ，２８ｆによる差動出力
を伝達するものである。２８ｊ，２８ｋはカレン
トミラー回路を構成するnpnトランジスタで、両
npnトランジスタのエミツタが接地されるととも
にベースが共通接続され、一方のnpnトランジス
タ２８ｊのコレクタはベース及び上記pnpトラン
ジスタ２８ｉのコレクタに接続され、他方のnpn
トランジスタ２８ｋのコレクタは出力端２８ｃに
接続されて反転入力端２８ａに接続される。

次に、この様に構成された受光装置の動作につ
いて説明する。まず、無信号時、つまり受光素子
７に被測距物体から反射されたパルス状の信号光
４が入射されていない時、増幅トランジスタ１９
を流れる電流は定電流源２７により決定されてい
るため、バイアス電流源２５のバイアス電流の
内、増幅トランジスタ１９のベース電流を差し引
いた残りの電流がnpnトランジスタ２６に流れる
ことになる。また、受光素子７に外光（太陽光及
びその反射光等による略一定の強さの光）が入射
されていると、受光素子７には直流の光起電流が
発生されることになる。しかし、この直流の光起
電流は次の理由によりほとんどがnpnトランジス
タ２６に流れ込みこの直流の光起電流による増幅
トランジスタ１９のベースに流れ込む電流は無視
できるものである。つまり、直流の光起電流は初
期において増幅トランジスタ１９のベースに流れ
込み、増幅率h_FE19倍されて増幅トランジスタ１
９のエミツタから流れ出るが直流であるためコン
デンサ２０には流れ込まずnpnトランジスタ２６
のベースに流れ込むことになる。その結果、直流
の光起電流はnpnトランジスタ２６のコレクタを
通つて引き去られ、帰還がかかるため、増幅トラ
ンジスタ１９のベースに流れ込む電流は１／
（h_FE（19）×h_FE（26））と非常に小さくなり、無視
できるものである。

従つて、増幅トランジスタ１９のコレクタに流
れ込む電流は無信号時に定電流源２７に決定され
る一定の電流値となる。このコレクタに流れ込む
電流値と同じ値の電流がカレントミラー回路を構
成するpnpトランジスタ２２のコレクタから流れ
出ることになる。一方、定電流源３０、抵抗３１
及びダイオード３２で構成される基準電圧発生回
路の基準電圧がバツフアアンプ２８の非反転入力
端２８ｂに接続されており、pnpトランジスタ２
２のコレクタがバツフアアンプ２８の反転入力端
２８ａ及び出力端２８ｃに接続されているため、
pnpトランジスタ２２のコレクタから流れ出る電
流は対数圧縮ダイオード２３のアノード電位（バ
ツフアアンプ２８の出力端２８ｃ電位）が等しく
なるように、対数圧縮ダイオード２３，２４とバ
ツフアアンプ２８とに分流されることになる。従
つて、受光装置８の出力端９には基準電圧発生回
路の基準電圧が現われることになる。

ここで、ダイオード２３，２４，３２の逆方向
飽和電流をI_S、pnpトランジスタ２２のコレクタ
から流れ出る電流をI_C２２、対数圧縮ダイオード
２３，２４に流れ込む電流をＩ２３、定電流源３
０に流れる電流をＩ３０、抵抗３１の抵抗値をＲ
３１、ボルツマン定数をｋ、絶対温度をＴ、電子
の電荷をｑとすると、対数圧縮ダイオード２３の
アノード電位は2kT／ｑlnＩ（23）／I_Sとなり、基準電
圧 発生回路の基準電圧はkT／ｑlnＩ（30）／I_S＋Ｒ（31）
， Ｉ（30）となる。そして、両電圧は等しくなるた
め、KT／ｑlnＩ（30）／I_S＋Ｒ（31），Ｉ（30）＝2kT
／ｑln Ｉ（23）／I_Sの関係になつている。

一方、受光素子７に被測距物体から反射された
パルス状の信号光４が入射されると、このパルス
状の信号光４により受光素子７にパルス状の光起
電流が発生されることになる。このパルス状の光
起電流は増幅トランジスタ１９のベースに流れ込
み、h_FE19倍されて増幅トランジスタ１９のエミ
ツタからコンデンサ２０へ流れ込む。この時、
h_FE19倍されたパルス状の光起電流は交流である
ため、npnトランジスタ２６のベースには流れ込
まないため、帰還はかからないものである。

従つて、増幅トランジスタ１９のコレクタに流
れ込む電流は定電流源２７に決定される電流値と
コンデンサに流れるh_FE19倍されたパルス状の光
起電流値との和の電流値となる。このコレクタに
流れ込む電流値と同じ電流がカレントミラー回路
を構成するpnpトランジスタ２２のコレクタから
流れ出ることになる。一方、バツフアアンプ２８
の制御端２８ｄにコンデンサ２９が接続されてい
るため、バツフアアンプ２８としては、反転入力
端２８ａの電位変化に対する出力端２８ｃへの応
答が遅れることになり、無信号時に対してpnpト
ランジスタ２２のコレクタから流れ出る増加分、
つまりh_FE19倍されたパルス状の光起電流相当分
は対数圧縮ダイオード２３，２４に流れ込み、こ
の増加分により対数圧縮ダイオード２３のアノー
ド電位が増加して、受光装置の出力端９に現れる
ことになる。

この時の出力端９の電位は受光素子７のパルス
状の光起電流をI_L７とすると2kT／ｑln I_C（22）＋h_FE（19）I_L７／I_Sとなる。

この様に構成された受光装置８を２つ用いて第
４図に示す測距装置を構成する。今、被測距物体
から反射されたパルス状の信号光４により発生さ
れる受光素子７ａ，７ｂの光起電流をそれぞれI_L
７ａ，I_L７ｂとすると、受光装置８ａ，８ｂの出
力端９ａ，９ｂにはそれぞれ2kT／ｑln I_C（22）＋h_FE（19）I_L（7a）／I_S、2kT／ｑln I_C（22）＋h_FE（19）I_L（7b）／I_Sの電位が現われるこ
とに なる。

ここで、受光装置８ａ，８ｂの基準電圧発生回
路における基準電位を、充分小さい値にとつてあ
るので、I_C２２はh_FE１９I_L７ａ及びh_FB１９I_L７ｂ
に対して充分小さく、基準電圧源１６の電圧を
V_Sとすると、演算増幅器１２の出力は次式の様
になる。V_S＋2kT／ｑlnh_FE（19）I_L（7b）／I_S−2kT／
ｑln h_FE（19）I_L（7a）／I_S＝V_S＋2kT／ｑlnI_L（7b）／I_L（
7a） 従つて、出力端１８には受光素子７ａ，７ｂに
おける光起電流I_L７ａ，I_L７ｂの比に応じた電圧
が現われ、この電圧はまさしく被測距物体までの
距離が得られる値になつているものである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記した受光装置にあつては、受光素子７のア
ノードが直接増幅トランジスタ１９のベースに接
続されているため、蛍光灯等の低周波の外光の影
響を受け易く、この様な状況下にあつては被測距
物体までの測距物結果に誤差が生じ易く、また、
対数圧縮ダイオード２３，２４に流れる初期電
流、つまり無信号時の電流は基準電圧発生回路の
基準電圧によつて設定しているため温度変化の影
響を受けて初期電流が変化して出力電圧の直線性
が変化するという問題点を有しているものであつ
た。

この発明は上記じた点に鑑みてなされたもので
あり、蛍光灯等の低周波の外光の影響が少なく、
しかも温度変化による影響等も少ない受光装置を
得ることを目的とするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る受光装置は、受光装置からのパ
ルス状の起電流を電流増幅トランジスタにて増幅
し、対数圧縮ダイオード素子に上記パルス状の起
電流に応じた電圧が現われるものにおいて、受光
素子と電流増幅トランジスタのベースとの間に低
周波減衰用コンデンサを接続するとともに、電流
増幅トランジスタのコレクタ電流を受けてこのコ
レクタ電流に応じた電流を対数圧縮ダイオード素
子に出力する第１の電流交換手段と、対数圧縮ダ
イオード素子に流れる電流を受けてこの電流に応
じた値を電流増幅トランジスタのエミツタ電流と
なす第２の電流交換手段とを設けたものである。

〔作用〕

この発明においては、低周波減衰用コンデンサ
が受光素子からの蛍光灯等の低周波の外光に基づ
き発生する低周波の起電流を電流増幅トランジス
タのベースへ伝達されるのを抑制して低周波の外
光による影響を抑制するとともに、第１の電流交
換手段と第２の電流交換手段とにより電流増幅ト
ランジスタのコレクタ電流とエミツタ電流に基づ
き対数圧縮ダイオード素子に流れる初期電流を設
定して温度変化の影響を抑制させているものであ
る。

〔実施例〕

以下にこの発明の一実施例を第１図に基づいて
説明すると、第１図において７はカソートが電源
電位点Vccに接続されるとともにアノードが負荷
抵抗３３を介して接地される受光素子、３４はこ
の受光素子７のアノードと電流増幅トランジスタ
１９のベースとの間に接続される低周波減衰用コ
ンデンサ、３５はベースにバイアス電圧が供給さ
れ、電源電位点Vccと電流増幅トランジスタ１９
のベースとの間に接続されるベースバイアス用
npnトランジスタ、３６は１対のpnpトランジス
タ２１，２２から構成される第１のカレントミラ
ー回路で両pnpトランジスタのエミツタは電源電
位点Vccに接続されるとともにベースが共通接続
され、一方のpnpトランジスタ２１のベース及び
コレクタは増幅トランジスタ１９のコレクタに接
続され、他方のpnpトランジスタ２２のコレクタ
は対数圧縮ダイオード２３のアノードに接続され
ており、pnpトランジスタ２１，２２のエミツタ
面積比が１：ｎに構成されてpnpトランジスタ２
２に流れる電流値がpnpトランジスタ２１に流れ
る電流値のｎ倍となる関係になつている。３７は
上記pnpトランジスタ２１に並列に接続され、第
２定電流源２７の定電流Ｉ２７より大きい定電流
Ｉ３７なる電流がながれる第１の定電流源で例え
ばトランジスタにより構成されている。３８は対
数圧縮ダイオード２４のベースにベースが接続さ
れてカレントミラー回路を構成するnpnトランジ
スタで対数圧縮ダイオード２４と等しい電流値が
流れるように設定されている。３９は１対のpnp
トランジスタ４０，４１から構成される第２のカ
レントミラー回路で、両pnpトランジスタのエミ
ツタは電源電位点Vccに接続されるとともにベー
スが共通接続され、一方のpnpトランジスタ４０
のベース及びコレクタが上記npnトランジスタ３
８のコレクタに接続される。４２は１対のnpnト
ランジスタ４３，４４から構成される第３のカレ
ントミラー回路で、両トランジスタのエミツタは
接地されるとともにベースが共通接続され、一方
のベース及びコレクタが上記pnpトランジスタ４
１のコレクタに接続されており、npnトランジス
タ４４に流れる電流値がpnpトランジスタ４０に
流れる電流値のｍ倍となる関係になるよう、各
pnpトランジスタ４０，４１及びnpnトランジス
タ４３，４４のエミツタ面積比が設定されている
ものである。４６は１対のnpnトランジスタ４
７，４８から構成される第４のカレントミラー回
路で、両トランジスタのエミツタは接地されると
ともにベースが共通接続され、一方のnpnトラン
ジスタ４７のベース及びコレクタは上記pnpトラ
ンジスタ４４のコレクタに接続されるとともに第
３の定電流源４５（定電流Ｉ４５が流れる）を介
して電源電位点Vccに接続され、他方のトランジ
スタ４８のコレクタは電流増幅トランジスタ１９
のエミツタに接続されており、両トランジスタ４
７，４８には等しい電流が流れるように設定され
ている。４９は上記対数圧縮ダイオード２３のア
ノードと接地との間に接続される第４の定電流源
であり、定電流Ｉ４９が流れる。

次にこの様に構成された受光装置の動作につい
て説明する。まず、受光素子７に被測距物体から
反射されたパルス状の信号光４が入射されていな
い時、つまり無信号時について説明する。今、対
数圧縮ダイオード２３，２４に流れる初期電流を
Ｉ２３とすると、第１のカレントミラー回路３６
のpnpトランジスタ２２に流れる電流は、Ｉ２３
＋Ｉ４９となりpnpトランジスタ２１に流れる電
流は１／ｎ｛Ｉ２３＋Ｉ４９｝となる。従つて電流 増幅トランジスタ１９のコレクタにはＩ３７＋
１／ｎ｛Ｉ２３＋Ｉ４９｝の電流が流れ込むことに なる。また、トランジスタ３８には初期電流と等
しい電流Ｉ２３が流れ、第２及び第３のカレント
ミラー回路３９，４２によりｍ倍にされるため、
第３のカレントミラー回路４２のnpnトランジス
タ４４にはmI２３なる電流が流れることになる。
そして第４のカレントミラー回路のnpnトランジ
スタ４７にはＩ４５−mI２３なる電流が流れる
ためnpnトランジスタ４８にもＩ４５−mI２３な
る電流が流れることになる。従つて、電流増幅ト
ランジスタ１９のエミツタから流れ出る電流はＩ
２７＋Ｉ４５−mI２３になる。電流増幅トラン
ジスタ１９において、ベース電流はほとんど無視
でき、コレクタ電流とエミツタ電流は一致するた
め、Ｉ３７＋１／ｎ｛Ｉ２３＋Ｉ４９｝＝Ｉ２７＋Ｉ ４５−mI２３を満足するようにカレントミラー
回路の面積比ｍ，ｎ，第１ないし第４の定電流源
３７，２７，４５，４９の定電流値Ｉ３７，Ｉ２
７，Ｉ４５，Ｉ４９を設定すれば良いものであ
る。従つて、対数圧縮ダイオード２３，２４の初
期電流Ｉ２３は上記した定数により設定できるた
め、任意に設定でき設計裕度が大きいものであ
る。

次に対数圧縮ダイオード２３，２４に初期電流
Ｉ２３が無信号時に流れるメカニズムについて説
明する。今、対数圧縮ダイオード２３，２４に電
流が流れていないとすると、トランジスタ３８は
非導通状態となるため、第３のカレントミラー回
路４２のnpnトランジスタ４４も非導通状態とな
り、第４のカレントミラー回路４６のnpnトラン
ジスタ４７，４８には第２の定電流源４５に流れ
る定電流源Ｉ４５と等しい電流が流れることにな
る。そして、第１のカレントミラー回路３６の
pnpトランジスタ２１にはＩ４５＋Ｉ２７−Ｉ３
７の電流が流れ、pnpトランジスタ２２にはｎ
｛Ｉ４５＋Ｉ２７−Ｉ３７｝の電流が流れること
になる。このｎ｛Ｉ４５＋Ｉ２７−Ｉ３７｝は第
４の定電流源４９に流れる定電流Ｉ４９より大き
いため、対数圧縮ダイオード２３，２４には、ｎ
｛Ｉ４５＋Ｉ２７−Ｉ３７｝−Ｉ４９の電流が流れ
込むことになり、初期電流Ｉ２３で安定すること
になる。一方、圧縮ダイオード２３，２４に初期
電流Ｉ２３より大きな電流I′２３が流れたとする
と、第３のカレントミラー回路４２のnpnトラン
ジスタ４４に流れる電流は、mI′２３になる。こ
のmI′２３が第３の定電流源４５の定電流より大
きれば第４のカレントミラー回路４６のnpnトラ
ンジスタ４７，４８は非導通状態となる。そし
て、第１の定電流源３７の定電流Ｉ３７が第２の
定電流源Ｉ２７より大きいため第１のカレントミ
ラー回路３６のpnpトランジスタ２１，２２も非
導通状態となつて、対数圧縮ダイオード２３，２
４に流れ込む電流値は減少され、初期電流Ｉ２３
で安定することになる。

以上から明らかな如く、対数圧縮ダイオード２
３，２４に流れる初期電流Ｉ２３は第１ないし第
４のカレントミラー回路及び第１ないし第４の定
電流源により決定され、初期電流Ｉ２３は温度変
化の影響が少ない安定した一定電流が得られるこ
とになるものである。

また、受光素子７に外光、例えば太陽光等の略
一定の強さの光や蛍光灯等の低周波の光が入射さ
れて、受光素子７に直流や低周波の起電流が発生
されても低周波減衰用コンデンサ３４により電流
増幅トランジスタ１９のベースへの伝達が阻止さ
れるため、何ら影響を及ぼさないものである。

一方、受光素子７に被測距物体から反射された
パルス状の信号光４が入射されると、このパルス
状の信号光４により受光素子７にはパルス状の光
起電流I_L７が発生されることになる。このパルス
状の光起電流I_L７は、負荷抵抗３３及び低周波減
衰用コンデンサ３４を介して電流増幅トランジス
タ１９のベースに流れ込み、h_FE19倍されてバイ
パスコンデンサ２０に流れ込むことになる。この
時、第１及び第２の定電流源３７，２７の定電流
が電流増幅トランジスタ１９のベースに流れ込む
起電流のh_FE19倍された値に対して充分大きく設
定されているため、電流増幅トランジスタ１９の
ベース・エミツタ間電圧の電位変動は非常に小さ
く、負荷抵抗３３の両端間電圧の変動も非常に小
さいものとなり、受光素子７におけるパルス状の
光起電流I_L７はほとんど全て電流増幅トランジス
タ１９のベースに流れることになる。そしてh_FE
19倍された上記光起電流I_L７がバイパスコンデン
サ２０に流れることにより、このh_FE１９，I_L７
に相当する電流は第１のカレントミラー回路３６
のpnpトランジスタ２１に流れ、pnpトランジス
タ２２にｎ・h_FE１９，I_L７が流れることになる。
その結果対数圧縮ダイオード２３，２４には、Ｉ
２３＋nh_FE１９，I_L７なる電流が流れることにな
り、電力端子には受光素子７のパルス状の光起電
流I_L７に応じた増分の対縮圧縮電圧が現われるこ
とになるものである。

上記の様に構成された受光装置においては、蛍
光灯等の低周波の外光に対して、低周波減衰用コ
ンデンサ３４により影響のほとんどない対数圧縮
ダイオード２３のアノード電位が得られ、しか
も、対数圧縮ダイオードに流れる初期電流Ｉ２３
が第１ないし第４のカレントミラー回路３６，３
９，４２，４６及び第１ないし第４の定電流源３
７，２７，４５，４９により決定されるため、対
数圧縮ダイオード２３のアノード電位が温度の変
動、外乱等の影響を受けにくく、精度の高いもの
が得られるものである。

なお、上記実施例においては、負荷抵抗３３を
用いたものを示したが、負荷抵抗３３のかわり
に、ダイオード、ダイオードと抵抗の直列体、抵
抗とコンデンサとダイオードと組み合せ及びコイ
ルなどの直流的にはインピーダンスが低く交流的
にはインピーダンスの高いものを用いても良いも
のである。

また、上記実施例においては、受光装置８を被
測距物体までの距離を測定するものに適用した場
合について説明したが、入射光の比による位置判
定回路あるいは入射光そのものの絶対値を測定す
る装置に適用しても良いものである。

〔発明の効果〕 この発明は以上に述べたように、受光素子と電
流増幅トランジスタのベースとの間に低周波減衰
用コンデンサを接続するとともに、電流増幅トラ
ンジスタのコレクタ電流を受けてこのコレクタ電
流に応じた電流を対数圧縮ダイオード素子に出力
する第１の電流交換手段と、対数圧縮ダイオード
素子に流れる電流を受けてこの電流に応じた値を
電流増幅トランジスタのエミツタ電流となす第２
の電流交換手段とを設けたものとしたので、蛍光
灯等の低周波の外光に対して影響が少なく、温度
の変動に対しても影響を受け難い対数圧縮電圧が
得られるという効果を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す回路図、第
２図及び第３図はパルス状の信号光と受光素子７
ａ，７ｂとの関係を示す概略図及び受光素子平面
図、第４図は測距装置を示す概略回路図、第５図
は従来の受光装置を示す回路図、第６図は第５図
のもののバツフアアンプ２８を示す回路図であ
る。 図において７は受光素子、１９は電流増幅トラ
ンジスタ、２０はバイパスコンデンサ、２３，２
４は対数圧縮ダイオード、２７は第２の定電流
源、３４は低周波減衰用コンデンサ、３６，３
９，４２，４６は第１ないし第４のカレントミラ
ー回路、３７，４５は第１及び第３の定電流源あ
る。なお、各図中同一符号は同一又は相当部分を
示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ パルス状の信号光を受けてパルス状の起電流
   を発生する受光素子、この受光素子の一端に一方
   の電極が接続される低周波減衰用コンデンサ、こ
   の低周波減衰用コンデンサの他方の電極にベース
   が接続される電流増幅トランジスタ、この電流増
   幅トランジスタのエミツタに接続されるバイパス
   コンデンサ、上記電流増幅トランジスタのコレク
   タ電流を受けてこのコレクタ電流に応じた電流を
   出力する第１の電流交換手段、この第１の電流交
   換手段の出力電流を受ける対数圧縮ダイオード素
   子、この対数圧縮ダイオード素子に流れる電流を
   受けてこの電流に応じた値を上記電流増幅トラン
   ジスタのエミツタ電流となす第２の電流交換手段
   を備えた受光装置。 ２ 第１の電流交換手段は、１対のトランジスタ
   からなり、一方のトランジスタが電流増幅トラン
   ジスタのコレクタに接続され、他方のトランジス
   タが対数圧縮ダイオード素子に接続され、他方の
   トランジスタに流れる電流値が一方のトランジス
   タに流れる電流値のｎ倍となる関係にある第１の
   カレントミラー回路と、この第１のカレントミラ
   ー回路の一方のトランジスタに並列に接続される
   第１の定電流源とを有したものであることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の受光装置。 ３ 第２の電流交換手段は、対数圧縮ダイオード
   素子とカレントミラー回路を構成するトランジス
   タと、１対のトランジスタからなり一方のトラン
   ジスタが上記トランジスタに接続される第２のカ
   レントミラー回路と、１対のトランジスタからな
   り一方のトランジスタが上記第２のカレントミラ
   ー回路の他方のトランジスタに接続される第３の
   カレントミラー回路と、１対のトランジスタから
   なり、一方のトランジスタが上記第３のカレント
   ミラー回路の他方のトランジスタに並列に接続さ
   れるとともに第３の定電流源に接続され、他方の
   トランジスタが電流増幅トランジスタにエミツタ
   に接続される第４のカレントミラー回路と、この
   第４のカレントミラー回路の他方のトランジスタ
   に並列に接続される第２の定電流源とを有し、第
   ３のカレントミラー回路の他方のトランジスタに
   流れる電流値が対数圧縮ダイオード素子に流れる
   電流値のｍ倍となる関係になるように第１ないし
   第４のトランジスタが設定されていることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の
   受光装置。