JPS6214448A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS6214448A JPS6214448A JP60152233A JP15223385A JPS6214448A JP S6214448 A JPS6214448 A JP S6214448A JP 60152233 A JP60152233 A JP 60152233A JP 15223385 A JP15223385 A JP 15223385A JP S6214448 A JPS6214448 A JP S6214448A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cracks
- resin
- element mounting
- semiconductor device
- mount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/411—Chip-supporting parts, e.g. die pads
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、樹脂封止型半導体装置用リードフレームに関
し、特にリード線の集合体と半導体素子を搭載するため
の素子載置部を備える樹脂封止型半導体装置用リードフ
レームに関するものである。
し、特にリード線の集合体と半導体素子を搭載するため
の素子載置部を備える樹脂封止型半導体装置用リードフ
レームに関するものである。
樹脂封止型半導体装置は、線膨張率の小さい半導体素子
やリードフレームを線膨張率の大きい樹脂で封止する構
造をとる。このため、装置に熱負荷が加わると、装置内
に熱応力が発生する。この熱応力は、リードフレームあ
るいは半導体素子の端部で顕著に大きくなる０発生熱応
力の大きさが、例えば封止樹脂の強度より大きくなると
樹脂クラックが発生する。樹脂クラックが装置表面に達
すると水分が装置内部に容易に浸入するので、装置の耐
湿信頼性が著しく劣化してしまう、このため、装置の耐
湿信頼性を確保するためには樹脂クラックを防ぐ必要が
ある。樹脂クラックを防ぐ方法として、例えば特開昭５
８−１９９５４７号公報に記載されているように、素子
載置部の側面を凹凸形状とするリードフレーム構造が提
案されている。しかし、この構造では、側面に多くの凹
凸形状をつけることは逆に熱応力の集中する端部を多く
つくることになり好ましい構造とはなっていなかった。
やリードフレームを線膨張率の大きい樹脂で封止する構
造をとる。このため、装置に熱負荷が加わると、装置内
に熱応力が発生する。この熱応力は、リードフレームあ
るいは半導体素子の端部で顕著に大きくなる０発生熱応
力の大きさが、例えば封止樹脂の強度より大きくなると
樹脂クラックが発生する。樹脂クラックが装置表面に達
すると水分が装置内部に容易に浸入するので、装置の耐
湿信頼性が著しく劣化してしまう、このため、装置の耐
湿信頼性を確保するためには樹脂クラックを防ぐ必要が
ある。樹脂クラックを防ぐ方法として、例えば特開昭５
８−１９９５４７号公報に記載されているように、素子
載置部の側面を凹凸形状とするリードフレーム構造が提
案されている。しかし、この構造では、側面に多くの凹
凸形状をつけることは逆に熱応力の集中する端部を多く
つくることになり好ましい構造とはなっていなかった。
本発明の目的は、樹脂封止型半導体装置において、樹脂
クラックの発生を防止する半導体装置用リードフレーム
構造を提供することにある。
クラックの発生を防止する半導体装置用リードフレーム
構造を提供することにある。
樹脂封止型半導体装置においては、樹脂クラックの多く
が、半導体素子載置部の側面の下端部にクラックの起点
を持っている。特に載置部側面中央部の下端からクラッ
クが発生し、載置部の下端に沿って側面周辺部に向かっ
てクラックが進行する場合が多い、そこで樹脂クラック
を防止するためには、素子載置部側面の中央部下端近傍
に発生する熱応力を緩和してクラックの発生を防止する
か、万一クラックが発生してもその進展を止めてやれば
よい、クラックが、素子載置部側面の下端に沿って中央
部から周辺部へ向かって進展することから、このクラッ
クの進展を抑制するには、素子載置部の側辺形状を直線
ではなく凹凸形状とすればよい、しかし、凹凸を設ける
ことにより、応力の集中箇所となる端部が形成され、逆
にクラックの発生箇所を増加させる原因となるので、凹
凸を形成することは応力的には好ましくない、そこで、
クラックの発生起点となる素子載置部側面の中央部のみ
を凸形状あるいは凹形状とすればクランクの周辺部の進
展を抑止できる。この場合の発生熱応力の変化を解析し
た結果が第１図である。
が、半導体素子載置部の側面の下端部にクラックの起点
を持っている。特に載置部側面中央部の下端からクラッ
クが発生し、載置部の下端に沿って側面周辺部に向かっ
てクラックが進行する場合が多い、そこで樹脂クラック
を防止するためには、素子載置部側面の中央部下端近傍
に発生する熱応力を緩和してクラックの発生を防止する
か、万一クラックが発生してもその進展を止めてやれば
よい、クラックが、素子載置部側面の下端に沿って中央
部から周辺部へ向かって進展することから、このクラッ
クの進展を抑制するには、素子載置部の側辺形状を直線
ではなく凹凸形状とすればよい、しかし、凹凸を設ける
ことにより、応力の集中箇所となる端部が形成され、逆
にクラックの発生箇所を増加させる原因となるので、凹
凸を形成することは応力的には好ましくない、そこで、
クラックの発生起点となる素子載置部側面の中央部のみ
を凸形状あるいは凹形状とすればクランクの周辺部の進
展を抑止できる。この場合の発生熱応力の変化を解析し
た結果が第１図である。
第１図は素子載置部側面とリードの間隔りと、素子載置
部側面下端に発生する熱応力６の関係を示したものであ
る。この第１図から、素子載置部側面とリードの間隔が
短いほど発生熱応力が減少することがわかる。したがっ
て、素子載置部側面め中央部を凸形状にすると、クラッ
クの進展を抑止するのみでなく、クラックの起点となる
素子載置部側面下端に発生する熱応力を緩和することが
できる。
部側面下端に発生する熱応力６の関係を示したものであ
る。この第１図から、素子載置部側面とリードの間隔が
短いほど発生熱応力が減少することがわかる。したがっ
て、素子載置部側面め中央部を凸形状にすると、クラッ
クの進展を抑止するのみでなく、クラックの起点となる
素子載置部側面下端に発生する熱応力を緩和することが
できる。
以下、本発明の一実施例を第２図により説明する。第２
図に示すような素子載置部固定リード３が素子載置部１
の側面部から出ている場合には、この素子載置部固定リ
ード３のない側面の中央部を凸形状とする。この平面構
造により凸形状とした部分とリード２の間隔も短くなる
０本実施例によれば、半導体装置の樹脂クラックの起点
となる素子載置部側面下端近傍の熱応力を緩和できるの
でクラック発生を抑止する効果がある。さらに、クラッ
クが発生した場合にも、側面形状が直線ではなく段差が
あるために、クラックの素子載置部側面下端に沿った進
展を抑止するという効果もある。なお、凸形状とした部
分の形状は本実施例のような台形形状に限らず、矩形あ
るいは円弧等どのような形状でもかまわない、さらに、
周辺部に微小凸部等を設けても本効果を妨げるものでは
ない。
図に示すような素子載置部固定リード３が素子載置部１
の側面部から出ている場合には、この素子載置部固定リ
ード３のない側面の中央部を凸形状とする。この平面構
造により凸形状とした部分とリード２の間隔も短くなる
０本実施例によれば、半導体装置の樹脂クラックの起点
となる素子載置部側面下端近傍の熱応力を緩和できるの
でクラック発生を抑止する効果がある。さらに、クラッ
クが発生した場合にも、側面形状が直線ではなく段差が
あるために、クラックの素子載置部側面下端に沿った進
展を抑止するという効果もある。なお、凸形状とした部
分の形状は本実施例のような台形形状に限らず、矩形あ
るいは円弧等どのような形状でもかまわない、さらに、
周辺部に微小凸部等を設けても本効果を妨げるものでは
ない。
次に本発明の他の実施例を第３図により説明する。この
実施例では、素子載置部固定リード３を素子載置部１の
各端部口箇所から取り出している。
実施例では、素子載置部固定リード３を素子載置部１の
各端部口箇所から取り出している。
そこで、素子載置部１の各側面の中央部を凸形状として
いる。この凸部の形状は第一の実施例で示したように、
矩形９円弧等どのようなものでもかまわない、この実施
例においても第２図に示した実施例と同様な効果がある
。
いる。この凸部の形状は第一の実施例で示したように、
矩形９円弧等どのようなものでもかまわない、この実施
例においても第２図に示した実施例と同様な効果がある
。
本発明によれば、樹脂封止型半導体装置の半導体素子載
置部側面下端近傍に発生する樹脂クラックを抑止するこ
とができるので、半導体装置の耐湿信頼性を向上させる
ことができるという効果がある。
置部側面下端近傍に発生する樹脂クラックを抑止するこ
とができるので、半導体装置の耐湿信頼性を向上させる
ことができるという効果がある。
第１図は樹脂封止型半導体装置における素子載置部側面
下端に発生する熱応力と同側面とリードとの間隔の関係
図、第２図は本発明のリードフレームの一実施例を説明
する平面図、第３図は本発明のリードフレームの他の実
施例を説明する平面図である。 １・・・半導体素子載置部、２・・・リード、３・・・
半導体素子載置部固定リード、４・・・半導体素子、５
・・・封止樹脂、６・・・ボンディングワイヤ。 代理人 弁理士 小川勝男 ゝ・ Ｚ ｌ 口 ρ ρ、ｌ ρ、２ ρ３ ρ、４ ／ρ
ｆ子載１舒乙リードｑ間隔しくｍｍン ■ ２ 図 男 ３ 図
下端に発生する熱応力と同側面とリードとの間隔の関係
図、第２図は本発明のリードフレームの一実施例を説明
する平面図、第３図は本発明のリードフレームの他の実
施例を説明する平面図である。 １・・・半導体素子載置部、２・・・リード、３・・・
半導体素子載置部固定リード、４・・・半導体素子、５
・・・封止樹脂、６・・・ボンディングワイヤ。 代理人 弁理士 小川勝男 ゝ・ Ｚ ｌ 口 ρ ρ、ｌ ρ、２ ρ３ ρ、４ ／ρ
ｆ子載１舒乙リードｑ間隔しくｍｍン ■ ２ 図 男 ３ 図
Claims (1)
- リード線の集合体と半導体素子を搭載するための素子載
置部を備える半導体装置用リードフレームにおいて、素
子載置部側面の中央部の少くとも一箇所を凸形状とした
ことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60152233A JP2559364B2 (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60152233A JP2559364B2 (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6214448A true JPS6214448A (ja) | 1987-01-23 |
| JP2559364B2 JP2559364B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=15535994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60152233A Expired - Lifetime JP2559364B2 (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2559364B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4951120A (en) * | 1985-10-07 | 1990-08-21 | Hitachi, Ltd. | Lead frame and semiconductor device using the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5818948A (ja) * | 1981-07-27 | 1983-02-03 | Toshiba Corp | リ−ドフレ−ム |
| JPS5839059U (ja) * | 1981-09-09 | 1983-03-14 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | リ−ドフレ−ム |
| JPS61280645A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-11 | Hitachi Cable Ltd | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
-
1985
- 1985-07-12 JP JP60152233A patent/JP2559364B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5818948A (ja) * | 1981-07-27 | 1983-02-03 | Toshiba Corp | リ−ドフレ−ム |
| JPS5839059U (ja) * | 1981-09-09 | 1983-03-14 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | リ−ドフレ−ム |
| JPS61280645A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-11 | Hitachi Cable Ltd | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4951120A (en) * | 1985-10-07 | 1990-08-21 | Hitachi, Ltd. | Lead frame and semiconductor device using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2559364B2 (ja) | 1996-12-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6779264B2 (en) | Electronic device | |
| US6700189B2 (en) | Resin sealed semiconductor device | |
| US6437427B1 (en) | Lead frame used for the fabrication of semiconductor packages and semiconductor package fabricated using the same | |
| JP2915892B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| US5465027A (en) | Chip-in-glass fluorescent indicator panel with heat protection | |
| JP2559364B2 (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPH0382059A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0519958Y2 (ja) | ||
| JPH06342865A (ja) | 半導体装置用リードフレーム及び樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2751896B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS61267333A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6080262A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3157933B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6384143A (ja) | 半導体装置 | |
| KR960004101Y1 (ko) | 리드프레임 | |
| KR950006445Y1 (ko) | 리드프레임 | |
| JPH0453241A (ja) | パッケージ | |
| KR200331874Y1 (ko) | 반도체의다핀형태패키지 | |
| JPH02133951A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR200148623Y1 (ko) | 큐에프피용 반도체 칩_ | |
| JPH0379066A (ja) | 半導体装置のリードフレーム | |
| JPH02139954A (ja) | リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH06268145A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02156662A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6223142A (ja) | リ−ドフレ−ム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |