JPS62145252A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPS62145252A JPS62145252A JP28599885A JP28599885A JPS62145252A JP S62145252 A JPS62145252 A JP S62145252A JP 28599885 A JP28599885 A JP 28599885A JP 28599885 A JP28599885 A JP 28599885A JP S62145252 A JPS62145252 A JP S62145252A
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- JP
- Japan
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- photoreceptor
- intermediate layer
- amorphous silicon
- photoconductive layer
- layer
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子写真用感光体に関し、特に、感光層に非
晶質ケイ素を用いた電子写真用感光体に関する。
晶質ケイ素を用いた電子写真用感光体に関する。
従来の技術
電子写真法は、感光体に帯電、像露光により静電潜像を
形成し、この潜像をトナーと称される現像剤で現像後、
転写紙にトナー像を転写し定着し。
形成し、この潜像をトナーと称される現像剤で現像後、
転写紙にトナー像を転写し定着し。
て複写物を得る方法である。この電子写真法に用いられ
る感光体は、基本構成として導電性基板上に感光層を積
層して成る。しかして、従来より、感光層を構成する材
料としてはセレンあるいはセレン合金、硫化カドミウム
、酸化亜鉛等の無機感光材料、あるいは、ポリビニルカ
ルバゾール、トリニトロフルオレノン、ビスアゾ顔料、
フタロシアニン、ピラゾリン、ヒドラゾン等の有機感光
材料が知られており、感光層を単層あるいは積層にして
用いられている。しかしながら、従来より用いられてい
るこれらの感光層は、耐久性、耐熱性、光感度などにお
いて未だ解決すべき問題点を有している。
る感光体は、基本構成として導電性基板上に感光層を積
層して成る。しかして、従来より、感光層を構成する材
料としてはセレンあるいはセレン合金、硫化カドミウム
、酸化亜鉛等の無機感光材料、あるいは、ポリビニルカ
ルバゾール、トリニトロフルオレノン、ビスアゾ顔料、
フタロシアニン、ピラゾリン、ヒドラゾン等の有機感光
材料が知られており、感光層を単層あるいは積層にして
用いられている。しかしながら、従来より用いられてい
るこれらの感光層は、耐久性、耐熱性、光感度などにお
いて未だ解決すべき問題点を有している。
近年、この感光層として非晶質ケイ素（アモルファスシ
リコン）を用いた感光体が知られ種々その改善が試みら
れている。この非晶質ケイ素を用いた感光体は、シラン
（ＳｉＨ２）ガスをグロー放電分解法等によりケイ素の
非晶質膜を導電性基板上に形成したものであって、非晶
質ケイ素膜中に水素原子が組み込まれて光導電性を呈す
るものである。この非晶質ケイ素感光体は、感光層の表
面硬度が高く傷つきに＜＜、摩耗にも強く、耐熱性も高
く、機械的強度にふいてもすぐれている。更に、非晶質
ケイ素は、分光感度域が広く、高い光感度を有する如く
感光特性もすぐれている。しかし反面、非晶質ケイ素を
用いた感光体は、暗減衰が大きく、帯電しても十分な帯
電電位が得られないという欠点を有する。即ち、非晶質
ケイ素感光体を帯電し、像露光して静電潜像を形成し、
次いで現像する際、感光体上の表面電荷が像露光工程ま
で、あるいは現像工程までの間に光照射を受けなかった
部分の電荷までも減衰してしまい、現像に必要な帯電電
位が得られない。この帯電電位の減衰は、環境条件の影
響によっても変化しやすく、特に高温高湿環境では帯電
電位が大巾に低下する。
リコン）を用いた感光体が知られ種々その改善が試みら
れている。この非晶質ケイ素を用いた感光体は、シラン
（ＳｉＨ２）ガスをグロー放電分解法等によりケイ素の
非晶質膜を導電性基板上に形成したものであって、非晶
質ケイ素膜中に水素原子が組み込まれて光導電性を呈す
るものである。この非晶質ケイ素感光体は、感光層の表
面硬度が高く傷つきに＜＜、摩耗にも強く、耐熱性も高
く、機械的強度にふいてもすぐれている。更に、非晶質
ケイ素は、分光感度域が広く、高い光感度を有する如く
感光特性もすぐれている。しかし反面、非晶質ケイ素を
用いた感光体は、暗減衰が大きく、帯電しても十分な帯
電電位が得られないという欠点を有する。即ち、非晶質
ケイ素感光体を帯電し、像露光して静電潜像を形成し、
次いで現像する際、感光体上の表面電荷が像露光工程ま
で、あるいは現像工程までの間に光照射を受けなかった
部分の電荷までも減衰してしまい、現像に必要な帯電電
位が得られない。この帯電電位の減衰は、環境条件の影
響によっても変化しやすく、特に高温高湿環境では帯電
電位が大巾に低下する。
更に、非晶質ケイ素の感光体は、繰返し使用すると徐々
に帯電電位が低下してしまう。この様な帯電電位の暗減
衰の大きな感光体を用いて複写物を作成すると、画像濃
度が低くまた、中間調の再現性に乏しい複写物となる。
に帯電電位が低下してしまう。この様な帯電電位の暗減
衰の大きな感光体を用いて複写物を作成すると、画像濃
度が低くまた、中間調の再現性に乏しい複写物となる。
発明の目的
本発明の目的は、非晶質ケイ素を用いる感光体の上述の
欠点を解消した電子写真用感光体を提供することにある
。
欠点を解消した電子写真用感光体を提供することにある
。
更に、本発明の目的は、非晶質ケイ素を用い、しかも、
帯電電位の暗減衰が極めて小さい電子写真用感光体を提
供することにある。
帯電電位の暗減衰が極めて小さい電子写真用感光体を提
供することにある。
本発明の他の目的は、帯電特性が外部環境の雰囲気の変
化によって影響を受けない電子写真用感光体を提供する
ことにある。
化によって影響を受けない電子写真用感光体を提供する
ことにある。
また、本発明の他の目的は、繰返し使用されても画像品
質の優れた電子写真用感光体を提供することにある。
質の優れた電子写真用感光体を提供することにある。
更に、本発明の他の目的は、機械的強度、耐久性、耐熱
性、光感度などの電子写真特性に優れた電子写真用感光
体を提供することにある。
性、光感度などの電子写真特性に優れた電子写真用感光
体を提供することにある。
発明の構成
本発明者は、鋭意研究を行なった結果、導電性基板と、
非晶質ケイ素から成る光導電層との１に中間層を設ける
とともに、該中間層として、有機スズ化合物を少なくと
も１種類含有する溶液の乾燥硬化物を用いることによっ
て上記目的が達成されることを見出した。光導電層とし
ては、非晶質ケイ素を主体とするｌ型半導体であって、
更に、炭素原子、窒累原子または酸素原子のうちの少な
くとも１種類を含有したものを用いる。
非晶質ケイ素から成る光導電層との１に中間層を設ける
とともに、該中間層として、有機スズ化合物を少なくと
も１種類含有する溶液の乾燥硬化物を用いることによっ
て上記目的が達成されることを見出した。光導電層とし
ては、非晶質ケイ素を主体とするｌ型半導体であって、
更に、炭素原子、窒累原子または酸素原子のうちの少な
くとも１種類を含有したものを用いる。
かくして、本発明に従えば、導電性基板上に中間層及び
光導電層を順次積層して成る電子写真用感光体において
、前記光導電層が、水素原子を含有する非晶質ケイ素を
主体とするｌ型半導体から成り、さらに炭素原子、窒崇
原子または酸崇原子のうちの少なくとも１種類を含有し
ており、前記中間層が、有機スズ化合物を少なくとも１
種類含む溶液の乾燥硬化物から成ることを特徴とする電
子写真用感光体が提供される。
光導電層を順次積層して成る電子写真用感光体において
、前記光導電層が、水素原子を含有する非晶質ケイ素を
主体とするｌ型半導体から成り、さらに炭素原子、窒崇
原子または酸崇原子のうちの少なくとも１種類を含有し
ており、前記中間層が、有機スズ化合物を少なくとも１
種類含む溶液の乾燥硬化物から成ることを特徴とする電
子写真用感光体が提供される。
本発明の電子写真用感光体の中間層を形成するのに用い
られる有機スズ化合物としては、スズビスアセチルアセ
トネート、スズテトラメトキサイド、スズテトラエトキ
サイド、スズテトライソプロポキサイド、スズテトラブ
トキサイド、スズテトラ−３ｅｃ −ブトキサイ、ド等
が挙げられる。
られる有機スズ化合物としては、スズビスアセチルアセ
トネート、スズテトラメトキサイド、スズテトラエトキ
サイド、スズテトライソプロポキサイド、スズテトラブ
トキサイド、スズテトラ−３ｅｃ −ブトキサイ、ド等
が挙げられる。
本発明の電子写真用感光体を得るに当っては、上記のご
とき有機スズ化合物の１種または２種以上を適当な溶媒
に溶解した溶液を塗布する。また、この際、これらの有
機スズ化合物に有機ケイ素化合物を混合した溶液を用い
てもよい。この有機ケイ素化合物としては一般にシラン
カップリング剤と呼ばれている化合物が好適であり、例
えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリエトキシシ
ラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、Ｔ−メ
タアクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（
アミノエチル）ｒ−アミノプロピルトリメトキシシラン
、Ｎ−β〈アミノエチル）Ｔ−アミノプロピルメチルジ
メトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラ
ン、Ｔ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、Ｔ−
アミノプロピルトリエトキシシラン、メチルトリメトキ
シシラン、ジメチルジ、°トキシラン、トリメチルモノ
メトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェ
ニルジェトキシシラン、モノフェニルトリメトキシシラ
ン等が挙げられる。このようなシランカップリング剤を
混合して用いる場合には、該シランカップリング剤が全
固形物重量に対して５〜５０％となるようにするのがよ
い。
とき有機スズ化合物の１種または２種以上を適当な溶媒
に溶解した溶液を塗布する。また、この際、これらの有
機スズ化合物に有機ケイ素化合物を混合した溶液を用い
てもよい。この有機ケイ素化合物としては一般にシラン
カップリング剤と呼ばれている化合物が好適であり、例
えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリエトキシシ
ラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、Ｔ−メ
タアクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（
アミノエチル）ｒ−アミノプロピルトリメトキシシラン
、Ｎ−β〈アミノエチル）Ｔ−アミノプロピルメチルジ
メトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラ
ン、Ｔ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、Ｔ−
アミノプロピルトリエトキシシラン、メチルトリメトキ
シシラン、ジメチルジ、°トキシラン、トリメチルモノ
メトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェ
ニルジェトキシシラン、モノフェニルトリメトキシシラ
ン等が挙げられる。このようなシランカップリング剤を
混合して用いる場合には、該シランカップリング剤が全
固形物重量に対して５〜５０％となるようにするのがよ
い。
かくして、有機スズ化合物、場合によっては更に有機ケ
イ素化合物を含有する溶液を、光導電層上に、スプレー
塗布、浸漬塗布、ナイフ塗布またはロール塗布などの方
法で塗布した後、乾燥硬化させることによって本発明の
電子写真用感光体が得られる。乾燥硬化温度は１００〜
４００ ℃の間の任意の温度に設定することができる。
イ素化合物を含有する溶液を、光導電層上に、スプレー
塗布、浸漬塗布、ナイフ塗布またはロール塗布などの方
法で塗布した後、乾燥硬化させることによって本発明の
電子写真用感光体が得られる。乾燥硬化温度は１００〜
４００ ℃の間の任意の温度に設定することができる。
最終的に得られる表面層の膜厚も任意に設定され得るが
、０．１〜１０μｍ、特に１μｍ以下が好適である。
、０．１〜１０μｍ、特に１μｍ以下が好適である。
非晶質ケイ素を主体とする光導電層は、Ｓ ｉ ＩＩ
４．５ｉ２１（、，５ｉｚｌ（ａ、Ｓｉ＋［（＋ｏ、等
の水累ケイ累ガスの１種またはそれらの混合物を原料と
して、グロー放電法、スパッタリング法、イオンブレー
ティング法、真空蒸着法などの方法によって基板上に形
成する。中でも、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法によってシ
ラン（ＳｉＨ，）ガス等をグロー放電分解する方法（グ
ロー放電法）が、膜中への水素の含有量の制御の点から
好ましい。また、この場合水素の含有を一層効率良く行
なうために、プラズマＣＶＤ装置内にシランガス等と同
時に、別途に水素（Ｈ２）ガスを導入してもよい。
４．５ｉ２１（、，５ｉｚｌ（ａ、Ｓｉ＋［（＋ｏ、等
の水累ケイ累ガスの１種またはそれらの混合物を原料と
して、グロー放電法、スパッタリング法、イオンブレー
ティング法、真空蒸着法などの方法によって基板上に形
成する。中でも、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法によってシ
ラン（ＳｉＨ，）ガス等をグロー放電分解する方法（グ
ロー放電法）が、膜中への水素の含有量の制御の点から
好ましい。また、この場合水素の含有を一層効率良く行
なうために、プラズマＣＶＤ装置内にシランガス等と同
時に、別途に水素（Ｈ２）ガスを導入してもよい。
なお、この非晶質ケイ素を主体とする光導電層中には、
該層をより１型半導体にするように、微量のホウ１（Ｂ
）を添加することができる。このホウ素原子の添加には
通常ボロン（Ｂ２Ｈａ）ガスが原料として用いられる。
該層をより１型半導体にするように、微量のホウ１（Ｂ
）を添加することができる。このホウ素原子の添加には
通常ボロン（Ｂ２Ｈａ）ガスが原料として用いられる。
この場合、ホウ素原子の添加量は１０〜１１００ｐｐの
程度である。
程度である。
また、本発明に従う電子写真用感光体においては、光導
電層が、水素原子を含有する非晶質ケイ素を主体とする
ｌ型半導体から成り、更に、炭素原子、窒素原子または
酸素原子のうち少なくとも１種類を含有している。この
ような原子の含有は、特に感光層膜の暗抵抗の増加、光
感度の増加、更には、帯電能（単位膜厚あたりの帯電電
位）の増加の点から好ましい。
電層が、水素原子を含有する非晶質ケイ素を主体とする
ｌ型半導体から成り、更に、炭素原子、窒素原子または
酸素原子のうち少なくとも１種類を含有している。この
ような原子の含有は、特に感光層膜の暗抵抗の増加、光
感度の増加、更には、帯電能（単位膜厚あたりの帯電電
位）の増加の点から好ましい。
更に、感光体の長波長域の感度を増加させることを目的
として、光導電層膜にゲルマニウム（６ｃ）などの元累
を添加することも可能である。またハロゲン原子を添加
することによって、暗抵抗の増加等を図ることもできる
。
として、光導電層膜にゲルマニウム（６ｃ）などの元累
を添加することも可能である。またハロゲン原子を添加
することによって、暗抵抗の増加等を図ることもできる
。
かくして、本発明の電子写真用感光体の光導電層を調製
するには、プラズマＣＶＤ装置内に、主原料である水素
化ケイ素ガス、更に所望に応じて水素ガスを用い、それ
らのガスと共に、必要な元来を含むガス状化合物を導入
してグロー放電分解を行なえばよい。以上のようにプラ
ズマＣＶＤ法による非晶質ケイ素から成る光導電層を形
成するのに有効な放電条件は、例えば、交流放電の場合
、周波数は通常０．１〜３０ＭＨｚ、放電時の真空度は
Ｏ，ｌ 〜５ Ｔｏｒｒ、基板加熱温度は１００〜４０
０℃である。しかして、非晶質ケイ素を主体とする光導
電層の膜厚は、１〜１００μｍ１特に１０〜５０μｍと
するのが好適である。
するには、プラズマＣＶＤ装置内に、主原料である水素
化ケイ素ガス、更に所望に応じて水素ガスを用い、それ
らのガスと共に、必要な元来を含むガス状化合物を導入
してグロー放電分解を行なえばよい。以上のようにプラ
ズマＣＶＤ法による非晶質ケイ素から成る光導電層を形
成するのに有効な放電条件は、例えば、交流放電の場合
、周波数は通常０．１〜３０ＭＨｚ、放電時の真空度は
Ｏ，ｌ 〜５ Ｔｏｒｒ、基板加熱温度は１００〜４０
０℃である。しかして、非晶質ケイ素を主体とする光導
電層の膜厚は、１〜１００μｍ１特に１０〜５０μｍと
するのが好適である。
導電性基板としては、アルミニウム、ニッケル、クロム
、ステンレス鋼、もしくは黄銅などの金属、導電膜を有
するプラスチックシートもしくはガラス、または、導電
化処理をした紙などを用いることができる。また、導電
性基板の形状は、円筒状、平板状、エンドレスベルト状
等の任意の形状を採ることができる。
、ステンレス鋼、もしくは黄銅などの金属、導電膜を有
するプラスチックシートもしくはガラス、または、導電
化処理をした紙などを用いることができる。また、導電
性基板の形状は、円筒状、平板状、エンドレスベルト状
等の任意の形状を採ることができる。
実施例
次に、比較例と本発明の実施例とを挙げて、本発明の電
子写真用感光体を更に説明する。
子写真用感光体を更に説明する。
比較例１：
容量結合型プラズマＣＶＤ装置の反応室内の所定の位置
に円筒状Ａｆｌ基板を設置し、基板温度を所定の温度で
ある２５０℃に維持し、反応室内に１００％シラン（Ｓ
ｉＨ，）ガスを毎分１２０ＣＣ１水素希釈の１００ｐｐ
ｍ ジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスを毎分２０ＣＧ、１００
％エチレン（Ｃ２）１．）ガスを毎分１２ｃｃ、さらに
１００％水素（Ｂ２）ガスを毎分８８０Ｃの範囲で流入
させ、反応槽内をＱ、５Ｔｏｒｒの内圧に維持した後、
１３．５６ Ｍ Ｈｚの高周波電力を投入して、グロー
放電を生じせしめ、高周波電源の出力を８５Ｗに維持し
た。このようにして、円筒状のＡＩ基板上に厚さ２５μ
ｍで非晶質ケイ素を主体とし不純物として炭素原子を含
有する１型半導体から成る光導電層を有する感光体を得
た。
に円筒状Ａｆｌ基板を設置し、基板温度を所定の温度で
ある２５０℃に維持し、反応室内に１００％シラン（Ｓ
ｉＨ，）ガスを毎分１２０ＣＣ１水素希釈の１００ｐｐ
ｍ ジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスを毎分２０ＣＧ、１００
％エチレン（Ｃ２）１．）ガスを毎分１２ｃｃ、さらに
１００％水素（Ｂ２）ガスを毎分８８０Ｃの範囲で流入
させ、反応槽内をＱ、５Ｔｏｒｒの内圧に維持した後、
１３．５６ Ｍ Ｈｚの高周波電力を投入して、グロー
放電を生じせしめ、高周波電源の出力を８５Ｗに維持し
た。このようにして、円筒状のＡＩ基板上に厚さ２５μ
ｍで非晶質ケイ素を主体とし不純物として炭素原子を含
有する１型半導体から成る光導電層を有する感光体を得
た。
このようにして得られた感光体を複写機に入れ、正のコ
ロナ帯電方式で画質を評価したところ、初期時では実用
上問題のない画像濃度が得られたが、複写操作を繰り返
すうちに徐々に画像濃度は低下した。
ロナ帯電方式で画質を評価したところ、初期時では実用
上問題のない画像濃度が得られたが、複写操作を繰り返
すうちに徐々に画像濃度は低下した。
実施例１：
比較例１と同一の円筒状Ａｔｌ基板に、スズトリスアセ
チルアセトネート１重量部、メチルトリナトキシシラン
１重量部、メチルアルコール２０重量部、イソプロピル
アルコール３０重量部から成る溶液を浸漬塗布し、２５
０℃の炉中で２時間乾怪硬化し、０．２μｍ厚の中間層
を設けた。次に、この中間層上に、比較例１と同じ方法
により、比較例１と同じ内容の非晶質ケイ素を主体とす
る光導電層を比較例１とほぼ同じ膜厚で設けた。このよ
うにして得られた感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯
電方式で画質評価したところ、初期時では実用上問題の
ない画像濃度が得られた。また、複写操作を５万回繰り
返したが画像濃度の低下はみられなかった。同時に負の
コロナ帯電方式で実施した複写試験も、正帯電方式の場
合と同様、良好な結果を与えた。
チルアセトネート１重量部、メチルトリナトキシシラン
１重量部、メチルアルコール２０重量部、イソプロピル
アルコール３０重量部から成る溶液を浸漬塗布し、２５
０℃の炉中で２時間乾怪硬化し、０．２μｍ厚の中間層
を設けた。次に、この中間層上に、比較例１と同じ方法
により、比較例１と同じ内容の非晶質ケイ素を主体とす
る光導電層を比較例１とほぼ同じ膜厚で設けた。このよ
うにして得られた感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯
電方式で画質評価したところ、初期時では実用上問題の
ない画像濃度が得られた。また、複写操作を５万回繰り
返したが画像濃度の低下はみられなかった。同時に負の
コロナ帯電方式で実施した複写試験も、正帯電方式の場
合と同様、良好な結果を与えた。
比較例２：
容量結合型プラズマＣＶＤ装置の反応室内の所定の位置
に円筒状へ１基板を設置し、基板温度を所定の温度であ
る２５０℃に維持し、反応室内に１００％シラン（Ｓｉ
Ｈ４）ガスを毎分１２ Ｑｃｃ。
に円筒状へ１基板を設置し、基板温度を所定の温度であ
る２５０℃に維持し、反応室内に１００％シラン（Ｓｉ
Ｈ４）ガスを毎分１２ Ｑｃｃ。
水素希釈の１００ｐｐｍ ジボラン（Ｂ、Ｈ，）ガスを
毎分２０ＣＣ，１００％窒素（Ｎ２）ガスを毎分８５ｃ
ｃ、さらに１００％水素（Ｂ２）ガスを毎分１５ｃｃの
範囲で流入させ、反応槽内をＱ、５Ｔｏｒｒの内圧に維
持した後、１３．５６ Ｍ Ｈｚの高周波電力を投入し
て、グロー放電を生じせしめ、高周波電源の出力を８５
Ｗに維持した。このようにして、円筒状のＡβ基板上に
厚さ２５μｍで非晶質ケイ素を主体とし不純物として窒
素原子を含有するｌ型半導体から成る光導電層を有する
感光体を得た。このようにして得られた感光体を複写機
に入れ、正のコロナ帯電方式で画質を評価したところ、
初期時では実用上問題のない画像濃度が得られたが、複
写操作を繰り返すうちに徐々に画像濃度は低下した。
毎分２０ＣＣ，１００％窒素（Ｎ２）ガスを毎分８５ｃ
ｃ、さらに１００％水素（Ｂ２）ガスを毎分１５ｃｃの
範囲で流入させ、反応槽内をＱ、５Ｔｏｒｒの内圧に維
持した後、１３．５６ Ｍ Ｈｚの高周波電力を投入し
て、グロー放電を生じせしめ、高周波電源の出力を８５
Ｗに維持した。このようにして、円筒状のＡβ基板上に
厚さ２５μｍで非晶質ケイ素を主体とし不純物として窒
素原子を含有するｌ型半導体から成る光導電層を有する
感光体を得た。このようにして得られた感光体を複写機
に入れ、正のコロナ帯電方式で画質を評価したところ、
初期時では実用上問題のない画像濃度が得られたが、複
写操作を繰り返すうちに徐々に画像濃度は低下した。
実施例２：
比較例２と同一の円筒状／ｌ基板に、スズテトライソプ
ロポキシ２重量部、ジメチルシトキシシラン１重量部、
エチルアルコール４０重量部から成る溶液を浸漬塗布し
、２５０℃の炉中で２時間乾燥硬化し、０．３μｍ厚の
中間層を設けた。次に、この中間層上に、比較例２と同
じ方法により、比較例２と同じ内容の非晶質ケイ素を主
体とする光導電層を比較例２とほぼ同じ膜厚で設けた。
ロポキシ２重量部、ジメチルシトキシシラン１重量部、
エチルアルコール４０重量部から成る溶液を浸漬塗布し
、２５０℃の炉中で２時間乾燥硬化し、０．３μｍ厚の
中間層を設けた。次に、この中間層上に、比較例２と同
じ方法により、比較例２と同じ内容の非晶質ケイ素を主
体とする光導電層を比較例２とほぼ同じ膜厚で設けた。
このようにして得られた感光体を複写機に入れ、正のコ
ロナ帯電方式で画質評価したところ、初期時では実用上
問題のない画像濃度が得られた。また、複写操作を５万
回繰り返したが画像濃度の低下はみられなかった。同時
に負のコロナ帯電方式で実施した複写試験も、正帯電方
式の場合と同様、良好な結果を与えた。
ロナ帯電方式で画質評価したところ、初期時では実用上
問題のない画像濃度が得られた。また、複写操作を５万
回繰り返したが画像濃度の低下はみられなかった。同時
に負のコロナ帯電方式で実施した複写試験も、正帯電方
式の場合と同様、良好な結果を与えた。
比較例３：
容量結合型プラズマＣＶＤ装置の反応室内の所定の位置
に円筒状／１基板を設置し、基板温度を所定の温度であ
る２５０℃に維持し、反応室内に１００％シラン（Ｓｉ
Ｈ，）ガスを毎分１２ Ｑｃｃ。
に円筒状／１基板を設置し、基板温度を所定の温度であ
る２５０℃に維持し、反応室内に１００％シラン（Ｓｉ
Ｈ，）ガスを毎分１２ Ｑｃｃ。
水素希釈の１００ｐｐｍ ジボラン（Ｂ２１（６）ガス
を毎分２０ＣＣ１１００％酸素（０２）ガスを毎分１．
０ｃｃ、さらに１００％水素（Ｂ２）ガスを毎分９９ｃ
ｃの範囲で流入させ、反応槽内を０，５Ｔｏｒｒの内圧
に維持した後、１３．５６ Ｍ Ｈｚの高周波電力を投
入して、グロー放電を生じせしめ、高周波電源の出力を
８５Ｗに１．ＩＦ持した。このようにして、円筒状のΔ
β基板上に厚さ２５μｍで非晶質ケイ素を主体とし不純
物として炭諧原子を含有するｌ型半導体から成る光導電
層を有する感光体を得た。このようにして得られた感光
体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式で画質を評価し
たところ、初期時では実用上問題のない画像濃度がｉ等
られたが、複写操作を繰り返すうちに徐々に画像源一度
は低下した。
を毎分２０ＣＣ１１００％酸素（０２）ガスを毎分１．
０ｃｃ、さらに１００％水素（Ｂ２）ガスを毎分９９ｃ
ｃの範囲で流入させ、反応槽内を０，５Ｔｏｒｒの内圧
に維持した後、１３．５６ Ｍ Ｈｚの高周波電力を投
入して、グロー放電を生じせしめ、高周波電源の出力を
８５Ｗに１．ＩＦ持した。このようにして、円筒状のΔ
β基板上に厚さ２５μｍで非晶質ケイ素を主体とし不純
物として炭諧原子を含有するｌ型半導体から成る光導電
層を有する感光体を得た。このようにして得られた感光
体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式で画質を評価し
たところ、初期時では実用上問題のない画像濃度がｉ等
られたが、複写操作を繰り返すうちに徐々に画像源一度
は低下した。
実施例３：
比較例３と同一の円筒状Ａβ基板に、テトラブトキサイ
ドスズ２重量部、Ｔ−アクリロキシプロピルトリメトキ
シシラン１重量部、メチルアルコール２０ ｍ ”ｆＬ
部、エチルアルコール３０ｍｆｆ１８’Ｅから成る溶
液を浸漬塗布し、２５０℃の炉中で２時間乾燥硬化し、
０．２μｍ厚の中間層を設けた。次に、この中間層上に
、比較例３と同じ方法により、比較例３と同じ内容の非
晶質ケイ素を主体とする光導電層を比較例３とほぼ同じ
膜厚で設けた。このようにして得られた感光体を複写機
に入れ、正のコロナ帯電方式で画質評価したところ、初
期時では実用上問題のない画像濃度が（耳られた。また
、複写１デ作を５万回繰り返したが画像濃度の低下はみ
られなかった。同時に負のコロナ帯電方式で実施した複
写試験も、正帯電方式の場合と同様、良好な結果を与え
た。
ドスズ２重量部、Ｔ−アクリロキシプロピルトリメトキ
シシラン１重量部、メチルアルコール２０ ｍ ”ｆＬ
部、エチルアルコール３０ｍｆｆ１８’Ｅから成る溶
液を浸漬塗布し、２５０℃の炉中で２時間乾燥硬化し、
０．２μｍ厚の中間層を設けた。次に、この中間層上に
、比較例３と同じ方法により、比較例３と同じ内容の非
晶質ケイ素を主体とする光導電層を比較例３とほぼ同じ
膜厚で設けた。このようにして得られた感光体を複写機
に入れ、正のコロナ帯電方式で画質評価したところ、初
期時では実用上問題のない画像濃度が（耳られた。また
、複写１デ作を５万回繰り返したが画像濃度の低下はみ
られなかった。同時に負のコロナ帯電方式で実施した複
写試験も、正帯電方式の場合と同様、良好な結果を与え
た。
発明の効果
本発明の電子写真用感光体は、非晶質ケイ素からの成る
感光体の優れた特性である高機械的強度、高耐久性、高
耐熱、高光感度を保持し、しかも、外部環境や使用回数
の影ワを受けずに高い電荷保持力を有して、（優れた品
質の画像を供することができる。
感光体の優れた特性である高機械的強度、高耐久性、高
耐熱、高光感度を保持し、しかも、外部環境や使用回数
の影ワを受けずに高い電荷保持力を有して、（優れた品
質の画像を供することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電性基板上に中間層及び光導電層を順次積層して成る
電子写真用感光体において、 前記光導電層が、水素原子を含有する非晶質ケイ素を主
体とするｉ型半導体から成り、更に、炭素原子、窒素原
子または酸素原子のうち少なくとも１種類を含有してお
り、 前記中間層が、有機スズ化合物を少なくとも１種類含む
溶液の乾燥硬化物から成ることを特徴とする電子写真用
感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60285998A JPH0711714B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60285998A JPH0711714B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145252A true JPS62145252A (ja) | 1987-06-29 |
| JPH0711714B2 JPH0711714B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=17698684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60285998A Expired - Lifetime JPH0711714B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0711714B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5860748A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-11 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS59223439A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS59223441A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1985
- 1985-12-19 JP JP60285998A patent/JPH0711714B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5860748A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-11 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS59223439A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS59223441A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0711714B2 (ja) | 1995-02-08 |
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