JPS62145754A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62145754A JPS62145754A JP60285505A JP28550585A JPS62145754A JP S62145754 A JPS62145754 A JP S62145754A JP 60285505 A JP60285505 A JP 60285505A JP 28550585 A JP28550585 A JP 28550585A JP S62145754 A JPS62145754 A JP S62145754A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- resin
- semiconductor device
- molded
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体装置に係り、特に半導体ペレットを搭載
するリードフレームの構造に関するものである。
するリードフレームの構造に関するものである。
半導体装置は、その電気的動作をする半導体ペレットが
微小なため、パッケージ化され外的障害防止とともにそ
の取扱いを容易にしている。そして、前記パッケージに
は半導体ペレットの各電極に接続されたリードが突出し
ている。
微小なため、パッケージ化され外的障害防止とともにそ
の取扱いを容易にしている。そして、前記パッケージに
は半導体ペレットの各電極に接続されたリードが突出し
ている。
具体的な例としては、デュアルイン型のレジンモールド
半導体装置があり、その製造においては、まず放射形状
に配置される複数のリードと、これらリードの先端部に
配置される平板と、これらを結束するフレームとからな
るリードフレームを用意し、前記平板上に半導体ペレッ
トをダイボンドした後、半導体ペレットの各電極とこれ
らに対応する他のリードの先端部をワイヤボンディング
でそれぞれ接続する。そして、前記半導体ペレットとそ
の周辺部をリードフレームの表裏面からレジンをモール
ドすることにより被覆し、前記リードフレームのフレー
ム部のみをプレス等で除去するとともに、リード部を一
定の方向に折曲げることにより完成する。
半導体装置があり、その製造においては、まず放射形状
に配置される複数のリードと、これらリードの先端部に
配置される平板と、これらを結束するフレームとからな
るリードフレームを用意し、前記平板上に半導体ペレッ
トをダイボンドした後、半導体ペレットの各電極とこれ
らに対応する他のリードの先端部をワイヤボンディング
でそれぞれ接続する。そして、前記半導体ペレットとそ
の周辺部をリードフレームの表裏面からレジンをモール
ドすることにより被覆し、前記リードフレームのフレー
ム部のみをプレス等で除去するとともに、リード部を一
定の方向に折曲げることにより完成する。
なお、このような半導体装置の構造は、例えば特公昭５
４−５２６４号公報および特公昭５６−４３８５４号公
報等に詳記されている。 ′しかしながら、９のよ
うに構成される半導体装置は、レジンの各リード部取出
口において、レジンと各リードとが十分に接着され密着
されているものの、実際にはレジンと各リードとのモー
ルド部分に幅が数庫程度の微小な隙間を有している。
４−５２６４号公報および特公昭５６−４３８５４号公
報等に詳記されている。 ′しかしながら、９のよ
うに構成される半導体装置は、レジンの各リード部取出
口において、レジンと各リードとが十分に接着され密着
されているものの、実際にはレジンと各リードとのモー
ルド部分に幅が数庫程度の微小な隙間を有している。
このため、この微小な隙間から外気が侵入し、レジン内
のリードを腐蝕させ、さらにこの腐蝕により隙間を一層
拡大させて外気の侵入、腐蝕を促進させる結果となり、
長期間の使用に対して信頼性を損なうという問題があっ
た。
のリードを腐蝕させ、さらにこの腐蝕により隙間を一層
拡大させて外気の侵入、腐蝕を促進させる結果となり、
長期間の使用に対して信頼性を損なうという問題があっ
た。
本発明の目的は、レジン内への外気の侵入を防止し、信
頼性を向上させることができる半導体装置を提供するこ
とにある。
頼性を向上させることができる半導体装置を提供するこ
とにある。
本発明の一実施例によれば、半導体ペレットを接続する
リードの少なくともレジンモールドされる内側に酸化膜
を設けることにより、リードとレジンとが確実に密着さ
れた半導体装置が提供される。
リードの少なくともレジンモールドされる内側に酸化膜
を設けることにより、リードとレジンとが確実に密着さ
れた半導体装置が提供される。
〔発明の実施例〕
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明による半導体装置の一実施例を説明する
ためのリードフレームの平面図である。
ためのリードフレームの平面図である。
同図において、リードフレーム１は、放射形状に配置さ
れる複数個のリード２と、これらのリード２の先端部に
比較的面積が大なる平板３と、これらのリード２および
平板３を結束するフレーム４とから一体的に形成されて
いる。そして、このリードフレーム１は、Ｎ ｉ ４２
％、残りＦｅ等を含む４２７０イと称する金属板を所定
の形状にプレス成形して形成されるとともに、平板３お
よびこれらのリード２の先端部には第２図に要部断面図
で示すようにプレス段５を境界としてプレス加工が施さ
れ、その板厚ｔ、が他の部分の板厚ｔ２よりも薄くして
形成されている。さらに平板３上およびこれらのリード
２の最先端部には、第１図に示すように右方向に流れる
細かいハツチングで示す領域に厚さ約２ρ程度のＡｕメ
ッキ層６が形成゛され、さらにこれらのり−ド２の先端
部分には、左方向に流れる細かいハツチングで示す領域
７にその表裏面にわたって酸化膜８が形成されている。
れる複数個のリード２と、これらのリード２の先端部に
比較的面積が大なる平板３と、これらのリード２および
平板３を結束するフレーム４とから一体的に形成されて
いる。そして、このリードフレーム１は、Ｎ ｉ ４２
％、残りＦｅ等を含む４２７０イと称する金属板を所定
の形状にプレス成形して形成されるとともに、平板３お
よびこれらのリード２の先端部には第２図に要部断面図
で示すようにプレス段５を境界としてプレス加工が施さ
れ、その板厚ｔ、が他の部分の板厚ｔ２よりも薄くして
形成されている。さらに平板３上およびこれらのリード
２の最先端部には、第１図に示すように右方向に流れる
細かいハツチングで示す領域に厚さ約２ρ程度のＡｕメ
ッキ層６が形成゛され、さらにこれらのり−ド２の先端
部分には、左方向に流れる細かいハツチングで示す領域
７にその表裏面にわたって酸化膜８が形成されている。
この酸化膜８はリードフレーム１の酸化領域７をＯ３雰
囲気中で約４００℃程度の温度で加熱することにより容
易に形成される。
囲気中で約４００℃程度の温度で加熱することにより容
易に形成される。
このようにして形成されたリードフレーム１は、第３図
に示すように平板３上に半導体ペレット９がＡｕ−８ｉ
共晶により固着されて搭載され、さらに半導体ペレット
９に形成された約１ｏＯｐｎ角の各電極は、これらにそ
れぞれ対応するり−ド２の最先端部に形成されたＡｕメ
ッキ層６に直径約３２ｐのＡｕ線１０がネイルヘッドボ
ンディング法により接続され、半導体ペレット９とその
周辺部を破線りで示す部分でリード２の表裏面からレジ
ン１１がモールドされている。
に示すように平板３上に半導体ペレット９がＡｕ−８ｉ
共晶により固着されて搭載され、さらに半導体ペレット
９に形成された約１ｏＯｐｎ角の各電極は、これらにそ
れぞれ対応するり−ド２の最先端部に形成されたＡｕメ
ッキ層６に直径約３２ｐのＡｕ線１０がネイルヘッドボ
ンディング法により接続され、半導体ペレット９とその
周辺部を破線りで示す部分でリード２の表裏面からレジ
ン１１がモールドされている。
このようにリードフレーム１のレジン１１がモールドさ
れる内側に酸化膜８を設けたことにより、表面に微細な
凹凸が形成されるので、モールドされたレジン１１はそ
の微細な凹凸部に食い込んで接着され、機械的に結合し
て密着されることになる。したがって、レジン１１とリ
ード２とのモールド部分には隙間が発生しなくなり、外
気の侵入を遮断することができるので、レジン１１内の
リードの腐蝕を確実に防止することができる。
れる内側に酸化膜８を設けたことにより、表面に微細な
凹凸が形成されるので、モールドされたレジン１１はそ
の微細な凹凸部に食い込んで接着され、機械的に結合し
て密着されることになる。したがって、レジン１１とリ
ード２とのモールド部分には隙間が発生しなくなり、外
気の侵入を遮断することができるので、レジン１１内の
リードの腐蝕を確実に防止することができる。
なお、前述した実施例においては、半導体装置としてデ
ュアルイン型のレジンモールド半導体装置を例に掲げた
場合について説明したが、本発明はこれに限定されるも
めではなく、小信号用のレジンモールド型半導体装置で
も良く、要は一端に半導体ペレットに形成された各電極
にボンディングワイヤを介して接続されるリードと、半
導体ペレットおよびこれらのリードとが梗脂モールドさ
れて構成される半導体装置であれば特に限定されるもの
ではない。
ュアルイン型のレジンモールド半導体装置を例に掲げた
場合について説明したが、本発明はこれに限定されるも
めではなく、小信号用のレジンモールド型半導体装置で
も良く、要は一端に半導体ペレットに形成された各電極
にボンディングワイヤを介して接続されるリードと、半
導体ペレットおよびこれらのリードとが梗脂モールドさ
れて構成される半導体装置であれば特に限定されるもの
ではない。
以上説明したように本発明によれば、半導体ペレットを
接続するリードの少なくともレジンモールドされる内側
に酸化膜を設けたことにより、レジンとリードとが完全
に密着され、外気の侵入を防止し、リードの腐蝕を確実
に防止することができるので、信頼性の高い半導体装置
が得られるという極めて優れた効果を有する。
接続するリードの少なくともレジンモールドされる内側
に酸化膜を設けたことにより、レジンとリードとが完全
に密着され、外気の侵入を防止し、リードの腐蝕を確実
に防止することができるので、信頼性の高い半導体装置
が得られるという極めて優れた効果を有する。
第１図ないし第４図は本発明による半導体装置の一実施
例を説明するための図である。 １・・・リードフレーム、２・・・リード、３・・・平
板、４・・・フレーム、５・・・プレス段、６・・・Ａ
ｕメッキ層、７・・・酸化領域、８・・・酸化膜、９・
・・半導体ペレット、１０・・・Ａｕ線、１１・・・レ
ジン。
例を説明するための図である。 １・・・リードフレーム、２・・・リード、３・・・平
板、４・・・フレーム、５・・・プレス段、６・・・Ａ
ｕメッキ層、７・・・酸化領域、８・・・酸化膜、９・
・・半導体ペレット、１０・・・Ａｕ線、１１・・・レ
ジン。
Claims (1)
- 半導体ペレットに形成した各電極にワイヤを介して接続
させるリードと、前記半導体ペレットとリードとをモー
ルドする樹脂とからなる半導体装置において、前記リー
ドの少なくとも樹脂モールドさせる内側に酸化膜を設け
たことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60285505A JPS62145754A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60285505A JPS62145754A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145754A true JPS62145754A (ja) | 1987-06-29 |
Family
ID=17692395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60285505A Pending JPS62145754A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62145754A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009231322A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-12-20 JP JP60285505A patent/JPS62145754A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009231322A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
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