JPS6268227U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6268227U JPS6268227U JP15922985U JP15922985U JPS6268227U JP S6268227 U JPS6268227 U JP S6268227U JP 15922985 U JP15922985 U JP 15922985U JP 15922985 U JP15922985 U JP 15922985U JP S6268227 U JPS6268227 U JP S6268227U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- susceptor
- substrate
- vapor deposition
- chemical vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Description
第１図は本考案実施例の要部側断面図ａ，ｂ、
第２図は実施例によつた成長膜例の特性図、第３
図は従来例の要部側断面図、第４図は改良例の要
部側断面図、第５図は改良例によつた成長膜例の
特性図、である。 図において、１，１ａは反応管、２，２ａ〜２
ｃはガス導入口、３，３ａは蓋、４はサセプタ、
５，５ａは加熱用高周波コイル、６は４の移動機
構、Ｓは基板、である。
第２図は実施例によつた成長膜例の特性図、第３
図は従来例の要部側断面図、第４図は改良例の要
部側断面図、第５図は改良例によつた成長膜例の
特性図、である。 図において、１，１ａは反応管、２，２ａ〜２
ｃはガス導入口、３，３ａは蓋、４はサセプタ、
５，５ａは加熱用高周波コイル、６は４の移動機
構、Ｓは基板、である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 一端部から第一のガスをまた長手方向の中間部
から第二のガスを流入させる反応管と、成長膜堆
積の対象とする基板を載置するサセプタを該反応
管内でその長手方向に移動させる手段とを有し、 該反応管における該第二のガスを流入させるガ
ス導入口は、該サセプタの移動の際に該第二のガ
スが該第一のガスによつて希釈されない状態で該
サセプタ上の該基板に触れることのない位置に配
設されてなることを特徴とする有機金属化学気相
成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15922985U JPS6268227U (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15922985U JPS6268227U (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6268227U true JPS6268227U (ja) | 1987-04-28 |
Family
ID=31083464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15922985U Pending JPS6268227U (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6268227U (ja) |
-
1985
- 1985-10-17 JP JP15922985U patent/JPS6268227U/ja active Pending