JPS62149498A - 情報カ−ド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は内部に情報処理を行う半尋体素子金内蔵した情
報カードに関する。

〔従来の技術〕

クレジットカードや、ＩＤカードあるいはプロセスカー
ドとして、カード自体の中にＩＣメモリやマイクロコン
ピュータ等のＩＣチップを内蔵している情報カードが、
従来の磁気カードの代替や。

工程管理票の代用として考えられておシ、フランスでは
電話カードとして既に実用されている。

このように半轡体素子チッフーを内蔵した情報カードは
、従来の磁気カードとの共用性をきえ、半専体素子モジ
ーール部以外は、ホリ塩化ビニールやポリエステル等の
プラスチックで長方形状に封入され、前記モジニール端
子部の一部のカバープラスチック部に端子孔が開口され
ている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

この情報カードは、表面が絶縁プラスナックで侮成され
ているため、又内蔵ＩＣはＭＯＳあるいは０ＭＯ８ｍ造
のものが採用ちれているため、静電気による内蔵ＩＣの
破壊が多発する。このために、これまではＩｃの入出力
端子の電極バッド近辺に保獲抵抗回路を形成したり、あ
るいは特開昭５９−４６０８５に示されているようにモ
ジュール端子近辺に他の放電しやすい第２の放電電極を
形成したり、あるいはカード表面に導体層を形成してカ
ード自体の帯電性を低くすることによシ、情報カードの
ＩＣの静電破壊防止対策を行っていた。

しかしながら、これらの対策だけでは充分ではなく、↑
ド５報刀−ドとの電気信号をやり取シする情報カード用
端末等の探針等の外部端子が静電気を帯電している場合
や、モジュール近辺の放電電極を介して他の部材からの
高圧の静電気が流れた場合、カード表面の導体層を介し
て他からの静電気が流れた場合等には、やはり情報カー
ドに内蔵されているＩＣの静電破壊を防止することは困
難であった。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の情報カードは内部に情報処理を行う半導体素子
を内蔵している。又、該情報カードは、該半導体素子の
外部電極端子をカード面に有しており、電気的情報１６
号の入出力を行う時たけ、それぞれの電極端子に電気的
に分離され、入出力信号処理可能な状態となる特徴を有
している。

枯」ち、他の信号入出力装置の端子がＭ記情報カードの
電極端子に接触することにより、該情報カードの１４１
端子の全導通状態が解除され、それぞれの端子として絶
縁分離されて、前記信号入出力装置との情報信号処理を
行う。次に信号処理が完了し、該信号入出力装置の端子
が、該情報カードの電極との接触が解除きれると、該情
報カードの電極端子はすべて、導通状態に戻る機能を有
している。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図は１本発明の一実施例の情報カードの平面図であ
る。グラスチック情報カード１は、ＩＳＯ規格を満足す
る寸法で厚さ０．７６１１！、幅５４０闘、長さ８６．
０ｍで、磁気テープ２と半導体モジュール３（破線領域
）を有している。開孔部は、半導体モジュール３の電極
端子４である。

第２図は、ｉｔａ：極端子４の拡大平面図である。一点
鎖線で囲まれている領域は、情報カード内に埋設されて
いる導通メタル層５である。導通メタル層５は、それぞ
れ電極端子４に合わせた開孔６を有している。

第３図は、電極端子４部における縦断面図である。７は
、半導体装置モジュールで、表面に電極端子４を有して
お９、全体でｓ　　０．３５ｍ厚に設計しである。

半導体モジュールｉ、０ＭＯ８ＬＳＩメモリとＣＭＯＳ
マイクロコンピュータＬＳＩとを搭載しており、ＬＳＩ
部はエポキシ樹脂でホラティング封止しである。導体パ
ターンは２０μｍ厚の銅で形成し又あり、基材板はガラ
スエポキシ、ポリイミド、トリアジン材を使用している
。電極端子４の表面は、ニッケルメッキ６μｍ、金メッ
キ４μｍ旋しである。８は、＠質塩化ヒニル板でｓ　　
０．５５ｙｓｎノリとしである。９．１０は、０．１ｍ
ｓ＋厚の塩化ビニル７−トで、シート９には、あらがじ
め０．０５ｍ１Ｊ％１の金メッキ付きニッケル導通メタ
ル５をＤ「定位置に添付し、必要な開孔６を設けである
。本情報カードの製造プロセスは、主に次の工程を経る
ことによシ得られる。

まず、モジュール７を内包できる開孔１２を有する硬質
塩化ビニル板８金準備し、該塩化ビニル板８の片面に、
塩化ビニルシート１０ｔ−添付する。

この際塩化ビニルシートにはシリコーンゴムエラストマ
ー板１１（厚み０．１６闘）を所定位置に貼付しである
。次いで半導体装置モジュール７を開孔１２の中に入れ
、更に上面を塩化ビニルシート９で熱圧接する。以上の
工程を経ることによシ、本発明情報カードを形成できる
。第４図は１本発明実施例の情報カードを信号入出力端
末装置に通した時の接触探針１３で押えられた時の電極
端子４との接触状況が示しである。シリコーンエラスト
マー１１は弾性係数が極めて優れているので、電極端子
４と接触探針１３との電気接触は極めて良くなる上、電
極端子４の導通メタル５との接触も容易に解除できる程
に収縮する。又、接触探針１３の圧力が解除されると、
ニジストマー１１は容易に原形に復し、モジュール７の
電極端子４は導通メタル５と再度接触する。以上のよう
に１本発明情報カードは、すべての外部電極端子が、情
報処理待以外は、同電位に短絡されているため、いかな
る静電気が端子部に加えられても、半害体素子部が静電
破壊を受けることがない。又、接触探針１３が帯電して
いても電極端子４に触れる寸前又は、同時に導通メタル
５を経由して放電する。従って望むらくは、導通メタル
５はアース端子として、接地さノ１．ている構造がよい
。

このような導通メタル５が、接地されやすい構造にした
十内報カードの例が、第５図、第６図に示しである。本
笑施例では、前実施例のシリコーンエラストマー１１の
代りに０．８闘厚のベリリウム銅バネ板１５を使用した
もので、電極端子４の上になるように配置したものであ
る。更に導通メタル５の接地を行いやすくするために塩
化ビニルシート９０代シに、ステンレスやアルミニウム
シート１４に変更したものである。本例も前例と同様の
効果があったことは云うまでもなく、史には、放電が更
に容易な構造となっている。又、バネ板１５は必すしも
本例の形状に限定されるのではなくて、カニ１圧により
、全体高さが縮むもので、且つ各々の電極端子に相応の
大きさであれはよいことは明らかである。

又、配置する位置も、第３図例のように半畳体モジュー
ルの下部に置いてもよく、この場合は、該半導体モジュ
ールの太きさよりも少し小さければ良いことも明らかで
ある。又、情報カードの表面に碍′屯性ポリマーを塗布
して、本発明の効果を上げたり出来るし、カバーシート
自体全専′屯性ポリマーとしても良いことも明らかであ
る。又、導通メタル５も金属丈に限定されるのではなく
４電性樹脂でもよいことも明らかである。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、情報カードの内蔵されて
いる半導体装置の外部電極端子を信号処理待以外は、す
べて導通させておき、次いで、他の信号入出力装置の端
子が該情報カードの端子に接触する時の外力によシ、す
べての電極端子が独立した端子になるように全導通状態
が解除され、各々の機能の端子の働きをするように分離
されるため、外部のいかなる静電気による半導体装置の
破壊を受けることがない情報カードを提供できる効果を
有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例の情報カードの平面図、第２図は
第１図の一部拡大平面図、第３図〜第６図は、本発明実
施例情報カードの縦断面図である。 ｌ　　情報カード、２　・・磁気テープ、３．７・・　
半導体モジュール、４−・電極端子、５・・・・導通端
子、６・・・端子孔、８　　・情報カード基板、９．１
０．１４・・・　カバーシート、１１・・・　エラスト
マー、１３・・・・・・外部装置端子ビン、１５・・・
・バネ材。 ７１図 名２図 茗３図 導 茅５図 ↓

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. １．情報処理を行う半導体素子を内蔵し、他の信号入出
   力装置との信号処理をする時以外は、該半導体素子の外
   部電極端子がすべて導通されていることを特徴とする情
   報カード。
2. ２．前記他の信号入出力装置の端子が接触することによ
   り、前記外部の電極端子の全導通状態が解除され、電源
   端子，アース端子，信号入出力端子等の各端子に電気的
   に分離されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の情報カード。