JPS62152171A - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents

薄膜トランジスタの製造方法

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JPS62152171A
JPS62152171A JP60292312A JP29231285A JPS62152171A JP S62152171 A JPS62152171 A JP S62152171A JP 60292312 A JP60292312 A JP 60292312A JP 29231285 A JP29231285 A JP 29231285A JP S62152171 A JPS62152171 A JP S62152171A
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Junichi Hanna
純一 半那
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勇 清水
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜トランジスタに関する。
〔従来の技術〕
従来、薄膜トランジスタ（ＴＰＴ　）等に用いる半導体
膜、絶縁膜、光導電膜、磁性膜或いは金属膜等の非晶質
乃至多結晶質の機能性膜は、所望される物理的特性や用
途等の観点から個々に適し友成膜方法が採用されている
。
例えば、必要に応じて、水素原子（６）や７％ロｒン原
子（３）等の補償剤で不対電子が補償された非晶質や多
結晶質の非単結晶シリコン（以後ｒ　Ｎ０Ｎ−８ｉ（Ｈ
，Ｘ）　Ｊと略記し、その中でも殊に非晶質シリコンを
示す場合にはｒ　Ａ−８ｉ（）Ｉ、Ｘ）　Ｊ、多結晶シ
リコンを示す場合にはｒ　ｐｏｌｙ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）　
Ｊと記す）膜等のシリコン堆積膜（尚、俗に言う微結晶
シリコンは、Ａ−８１（Ｈ，Ｘ）の範囁にはいることは
断るまでもない）の形成には、真空蒸着法、プラズマＣ
ＶＤ法、熱ＣＶＤ法、反応スノクツタリング法、イオン
ブレーティング法、光ＣＶＤ法などが試みられており、
一般的には、プラズマＣＶＤ法が広く用いられ、企業化
されている。
丙午ら、従来から一般化されているプラズマＣＶＤ法に
よるシリコン堆積膜の形成に於ての反応プロセスは、従
来のＣＶＤ法に比較してかなり複雑であり、その反応機
構も不明な点が少なくない。
又、その堆積膜の形成・ぐラメ−ターも多く（例えば、
基体温度、導入ガスの流量と比、形成時の圧力、高周波
電力、′ｉ！Ｌｉ構造、反応容器の構造、排気の速度、
プラズマ発生方式など）これらの多くの・譬うメータの
組み合せによるため、時にはプラズマが不安定な状態に
なり、形成された堆潰膜に著しい悪影響を与えることが
少なくなかった。そのうえ、装置特有の・やラメータを
装置ごとに選定しなければならず、したがって製造条件
を一般化することがむずかしいというのが実状であった
。
他方、シリコン堆積膜として、電気的、光学的特性を各
用途毎に十分に満足させ得るものを発現させるためには
、現状ではプラズマＣＶＤ法によって形成することがｊ
＆良とされている。
丙午ら、シリコン堆積膜の応用用途によっては、大面積
化、換厚均−性、膜品質の均一性全十分満足させて再現
性のある量産化を図らねばならないため、プラズマＣＶ
Ｄ法によるシリコン堆ｍｇｏ形成においては、量産装置
に多大な設備投資が必要となり、またその量産の為の管
理項目も複雑になシ、管理許容幅も狭く、装置の調整も
微妙であることから、これらのことが今後改善すべき問
題点として指摘されている。
又、プラズマＣＶＤ法の場合には、成膜される基体の配
されている成膜空間に於いて高周波或いはマイクロ波等
によって直接プラズマを生成している為に、発生する電
子や多数のイオン種が成膜過程に於いて膜にダメーゾを
与え膜品質の低下、膜品質の不均一化の要因となってい
る。
この点の改良として提案されている方法には、間接プラ
ズマＣＶＤ法がある。
該間接プラズマＣＶＤ法は、成膜空間から離れた上流位
置にてマイクロ波等によってプラズマ全生成し、該プラ
ズマ全成膜空間まで輸送することで、成膜に有効な化学
種を選択的に使用出来る様に計ったものである。
丙午ら、斯かるプラズマＣＶＤ法でも、プラでマの輸送
が必須であることから、成膜に有効な化学種の寿命が長
くなければならず、自ずと、使用するガス種が制限され
、種々の堆積膜が得られないこと、及びプラズマを発生
する為に多大なエネルギーを要すること、成膜に有効な
化学種の生成及び量が簡匣な管理下に本質的に肯かれな
いこと等の問題点は残存している。
プラズマＣＶＤ法に対して、光ＣＶＤ法は、成膜時と膜
品質にグメーノを与えるイオン種や電子が発生しないと
いう点で有利ではあるが、光源にそれ程多くの種類がな
いこと、光源の波長も紫外に片寄っていること、工業化
する場合には大型の光源とその電源を要すること、光源
からの元金成膜空間に導入する窓が成膜時に被膜されて
仕舞う為に成膜中に光量の低下、強いては、光源からの
光が成膜空間に入射されなくなるという問題点がある。
上述の如く、薄膜トランジスタを構成する堆積膜の形成
に於ては解決されるべき点は、まだまだ残っており、そ
の実用可能な特性、均一性を維持させながら低コストな
装置で省エネルギー化を計って量産化できる形成方法を
開発することが切望されている。これ等のことは、他の
機能性膜、例えば窒化シリコン膜、炭化シリコン膜、酸
化シリコン膜に於ても各々同様の解決されるべき問題と
して挙げることが出来る。
〔発明の目的及び概要〕
本発明の目的は、上述した従来の堆積膜形成法の欠点を
除去して、膜品質が良好な状態で形成せしめられた堆積
膜によシ構成することのできる薄膜トランジスタを提供
することＫある。
本発明の他の目的は、省エネルギー化を図ると同時に、
生産性、量産性に優れ、高品質で電気的、光学的、半導
体的等の物理特性に優れた膜により構成することのでき
る薄膜トランジスタを提供することにある。
上記目的は、基体上に化学的気相法により堆積膜を形成
する方法を用い、前記堆積膜を構成する構成要素となる
原子を含む気体状原料物質と、該原料物質に酸化作用を
する性質を有する気体状ノ・ロダン系酸化剤とを反応空
間に導入して接触させることで励起状態の前駆体を含む
複数の前駆体を化学的に生成せしめ、これら前駆体のう
ち少なくとも１つの前駆体を堆積膜構成要素の供給源と
して膜形成を行なうことにより、少なくとも１つの構成
層を形成せしめていることを特徴とする本発明の薄膜ト
ランジスタによって達成される。
〔発明の詳細な説明及び実施例〕
本発明に於いて、使用される堆積膜形成用の気体状原料
物質は、気体状ハロゲン系酸化剤との接触により酸化作
用をうけるものであり、目的とする堆積膜の種類、特性
、用途等によって所望に従って適宜選択される。本発明
に於いては、上記の気体状原料物質及び気体状ノ・ロデ
ン系酸化剤は、化学的接触をする際に気体状とされるも
のであれば良く、通常の場合は、気体でも液体でも固体
であっても差支えない。
堆積膜形成用の原料物質あるいはノ・ロダン系酸化剤が
液体又は固体である場合には、Ａｒ、、Ｈｅ、　Ｎ２、
■２等のキャリアーガスを使用し、必要に応じては熱も
加えながらバブリングを行なって反応空間に堆積膜形成
用の原料物質及びハロゲン系酸化剤を気体状として導入
する。
この際、上記気体状原料物質及び気体状ハロゲン系酸化
剤の分圧及び混合比は、キャリアーガスの流量あるいは
堆積膜形成用の原料物質及び気体状ハロゲン系酸化剤の
蒸気圧ｆｔ調節することにより設定される。
本発明に於いて使用される堆積膜形成用の原料物質とし
ては、例えば、半導体性或いは電気的絶縁性のシリコン
堆積膜やｒルマニウム堆積膜等のテトラヘドラル系の堆
積膜を得るのであれば、直鎖状、及び分岐状の鎖状シラ
ン化合物、環状シラン化合物、鎖状ゲルマニウム化合物
等が有効なものとして挙げることが出来る。
具体的には、直鎖状シラン化合物としては５ｌｎＨ２＋
２　（ｎ　＝１．２，３．４，５１６，７１８　）、分
岐状鎖状シラン化合物としては、５ＩＨ３ＳｉＨ（Ｓｉ
Ｈ３）ＳｉＨ２ＳｔＨ３、鎖状ｒルマン化合物としては
、ＧｅｍＨ２ｍ＋２　（ｍ＝１＋２１３１４＃５）等が
挙げられる。この他、例えばスズの堆積膜を作成するの
であればＳ　ｎ　Ｈａ等の水素化スズを有効な原料物質
として挙げることが出来る。
勿論、これ等の原料物質は１種のみならず２種以上混合
して使用することも出来る。
本発明に於いて使用されるハロゲン系酸化剤は、反応空
間内に導入される際気体状とされ、同時に反応空間内に
導入される堆積膜形成用の気体状原料物質に接触だけで
効果的に酸化作用をする性質を有するもので、Ｆ２、Ｃ
２２、Ｂ　ｒ　２、■２、ＦＣＬ、　Ｆ’Ｂｒ等のハロ
ゲンガス、発生期状態の弗素、塩素、臭素等が有効なも
のとして挙げることが出来る。
これ等のハロゲン系酸化剤は気体状で、前記の堆積膜形
成用の原料物質の気体と共に所望の流量と供給圧を与え
られて反応空間内に導入されて前記原料物質と混合衝突
することで化学的接触音し、前記原料物質に酸化作用を
して励起状態の前駆体を含む複数種の前駆体を効率的に
生成する。生成される励起状態の前駆体及び他の前駆体
は、少なくともそのいずれか１つが形成される堆積膜の
構成要素の供給源として働く。
生成される前駆体は分解して又は反応して別の励起状態
の前駆体又は別の励起状態にある前駆体になって、或い
は必要に応じてエネルギーを放出はするがそのままの形
態で成膜空間に配設された基体表面に触れることで三次
元ネットワーク構造の堆積膜が作成される。
励起されるエネルギーレベルとしては、前記励起状態の
前駆体がより低いエネルギーレベルにエネルギー遷移す
る、又は別の化学種に変化する過程に於いて発光を伴う
エネルギーレベルである。
斯かるエネルギーの遷移に発光を伴なう励起状態の前駆
体を含め活性化された前駆体が形成されることで本発明
における堆積膜形成プロセスは、より効率良く、よシ省
エネルギーで進行し、膜全面に亘って均一でより良好な
物理特性を有する堆積膜が形成される。
本発明に於いては、堆積膜形成プロセスが円滑に進行し
、高品質で所望の物理特性を有する膜が形成される可く
、成膜因子としての、原料物質及びハロゲン系酸化剤の
種類と組み合せ、これ等の混合比、混合時の圧力、流量
、成膜空間内圧、ガスの流量、成膜温度（基体温度及び
雰囲気温度）が所望に応じて適宜選択される。これ等の
成膜因子は有機的に関連し、単独で決定されるものでは
なく相互関連の下に夫々に応じて決定される。本発明に
於いて、反応空間に導入される堆積膜形成用の気体状原
料物質と気体状ハロゲン系酸化剤との量の割合は、上記
成膜因子の中関連する成膜因子との関係に於いて適宜所
望に従って決められるが、導入流量比で、好ましくは、
１／２０−１００／１が適当であり、より好ましくは１
１５〜５０／１とされるのが望ましい。
反応空間に導入される際の混合時の圧力としては前記気
体状原料物質と前記気体状ハロゲン系酸化剤との化学的
接触全確率的により高める為には、より高い方が良いが
、反応性を考５這して適宜所望に応じて最適値を決定す
るのが良い。前記混合時の圧力としては、上記の様にし
て決められるが、夫々の導入時の圧力として、好ましく
は１×１０−７気圧〜１０気圧、より好ましくはＩ　Ｘ
　１０−６気圧〜３気圧とされるのが望ましい。
成膜空間内の圧力、即ち、その表面に成膜される基体が
配設されている空間内の圧力は、反応空間に於いて生成
される励起状態の前駆体■）及び場合によって該前駆体
＠）より派生的に生ずる前駆体（ｂ）が成膜に効果的に
寄与する様に適宜所望に応じて設定される。
成膜空間の内圧力は、成膜空間が反応空間と開放的に連
続している場合には、堆積膜形成用の基体状原料物質と
気体状ハロゲン系酸化剤との反応空間での導入圧及び流
量との関連に於いて、例えば差動排気或いは、大型の排
気装置の使用等の工夫を加えて調整することが出来る。
或いは、反応空間と成膜空間の連結部のコンダクタンス
が小さい場合には、成膜空間に適当な排気装置を設け、
該装置の排気量を制御することで成膜空間の圧力を調整
することが出来る。
又、反応空間と成膜空間が一体的になっていて、反応位
置と成膜位置が空間的に異なるだけの場合には、前述の
様に差動排気するか或いは、排気能力の充分ある大型の
排気装置を設けてやれば良い。
上記のようにして成膜空間内の圧力は、反応空間に導入
される気体状原料物質と気体状ハロゲン酸化剤の導入圧
力との関係に於いて決められるが、好ましくは０．００
１　Ｔｏｒｒ〜１００　Ｔｏｒｒ、より好ましくは０．
０１　Ｔｏｒｒ　〜３０　Ｔｏｒｒ　、最適には０．０
５Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒとされるのが望ましい。
ガスの流量に就いては、反応空間への前記堆積膜形成用
の原料物質及びハロゲン系酸化剤の導入の際にこれ等が
均一に効率良く混合され、前記前駆体■）が効率的に生
成され且つ成膜が支障なく適切になされる様に、ガス導
入口と基体とガス排気口との幾何学的配置を考慮して設
計される必要がある。この幾何学的な配置の好適な例の
１つが第１図に示される。
成膜時の基体温度（’ｒｓ）としては、使用されるガス
種及び形成される堆積膜の種数と要求される特性に応じ
て、個々に適宜所望に従って設定されるが、非晶質の膜
を得る場合には好ましくは室温から４５０℃、より好ま
しくは５０〜４００℃とされるのが望ましい。殊に半導
体性や光導電性等の特性がより良好なシリコン堆積膜を
形成する場合には、基体温度（Ｔ、）は７０〜３５０℃
とされるのが望ましい。また、多結晶の膜を得る場合に
は、好ましくは２００〜６５０℃、よシ好ましくは３０
０〜６００℃とされるのが望ましい。
成膜空間の雰囲気温度（Ｔａｔ）としては、生成される
前記前駆体■）及び前記前駆体０）が成膜に不適当な化
学種に変化せず、且つ効率良く前記前駆体（６）が生成
される様に基体温度（Ｔ、）との関連で適宜所望に応じ
て決められる。
本発明に於いて使用される基体としては、形成される堆
積膜の用途に応じて適宜所望に応じて選択されるのであ
れば導電性でも電気絶縁性であっても良い。導電性基体
としては、例えば、ＮｉＣｒ。
ステンレス、ＡＬ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　ＩｒＸ
Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ。
ＴＩ、ＰｔＸＰｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられ
る。
電気絶縁性基体としては、ポリエステル、ポリエチレン
、Ｉリカー？ネート、セルローズアセテート、ポリプロ
ピレン、ポリ塩化ビニル、ボＩＪ　塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック等が通常使用される。これら
の電気絶縁性基体は、好適には少なくともその一方の表
面が導電処理され、該導電処理され次表面側に他の層が
設けられるのが望ましい。
例えばガラスであれば、その表面がＮｉＣｒ、　Ａｔ。
ＣｒＳＭｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、
　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｓ　ｎＯ２、ｒ
Ｔｏ　（Ｉｎ２Ｏ３＋　ＳｎＯ□）等の薄膜を設ける事
によって導電処理され、或いはポリエステルフィルム等
の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、　ｋｌ。
Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚｎ、　Ｎｉ、　Ａｕ、　Ｃｒ、　Ｍ
ｏ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ。
Ｔｉ５Ｐｔ等の金属で真空蒸着、電子ビーム蒸着、ス・
ぐツタリング等で処理し、又は前記金属でラミネート処
理して、その表面が導電処理される。支持体の形状とし
ては、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状とし得、
所望によって、その形状が決定される。
基体は、基体と膜との密着性及び反応性を考慮して上記
の中より選ぶのが好ましい。更に両者の熱膨張の差が大
きいと膜中に多量の歪が生じ、良品質の膜が得られない
場合があるので、両者の熱膨張の差が近接している基体
全選択して使用するのが好ましい。
又、基体の表面状態は、膜の構造（配向）や錐状組織の
発生に直接関係するので、所望の特性が得られる様な膜
構造と膜組織となる様に基体の表面を処理するのが望ま
しい。
第１図は本発明の薄膜トランジスタを製造するに好適な
装置の１例を示すものである。
第１図に示す堆積膜形成装置は、装置本体、排気系及び
ガス供給系の３つに大別される。
装置本体には、反応空間及び成膜空間が設けられている
。
１０１〜１０８は夫々、成膜する際に使用されるガスが
充填されているビンペ、１０１ａ〜１０８ａは夫夫ガス
供給パイプ、１０１ｂ〜１０８ｂは夫々各？ンペからの
ガスの流量調整用のマスフローコントロ−ラー、１０１
ｃ〜１０８ｃはそれぞれガス圧力計、１０１ｄ〜１０８
ｄ及び１０１ｅ〜１０８ｅは夫々パルプ、１０１「〜１
０８【は夫々対応するガスデンペ内の圧力を示す圧力計
である。
１２０は真空チャンバーであって、上部にガス導入用の
配管が設けられ、配管の下流に反応空間が形成される構
造を有し、且つ該配管のガス排出口に対向して、基体１
１８が設置される様に基体ホールダー１１２が設けられ
た成膜空間が形成される構造を有する。ガス導入用の配
管は、三重同心円配置構造となっており、中よりガスゴ
ンペ１０１．１０２よりのガスが導入される８Ｊ１のガ
ス導入管１０９、ガスゲンペ１０３〜１０５よりのガス
が導入される第２のガス導入管１１０、及びガスデンＲ
１０６〜１０８よりのガスが導入される第３のガス導入
管１１１を有する。
各ガス導入管の反応空間へのガス排出には、その位置が
内側の管になる程基体の表面位置より遠い位置に配され
る設計とされている。即ち、外側の管になる程その内側
にある管を包囲する様に夫夫のガス導入管が配設されて
いる。
各導入管への管デンペからのガスの供給は、ガス供給ノ
４イブライン１２３〜１２５によって夫々ナサれる。
各ガス導入管、各ガス供給パイプライン及び真空チャン
バー１２０は、メイン真空バルブ１１９を介して不図示
の真空排気装置により真空排気される。
気体１１８は基体ホルダー１１２を上下に移動させるこ
とによって各ガス導入管の位置より適宜所望の距離に設
置される。
本発明の場合、この基体とガス導入管のガス排出口の距
離は、形成される堆積膜の種類及びその所望される特性
、ガス流量、真空チャンバーの内圧等を考慮して適切な
状態になる様に決められるが、好ましくは、数１１１１
〜２０口、より好ましくは、５１１１１〜１５の程度と
されるのが望ましい。
１１３は、基体１１８を成膜時に適当な温度に加熱した
り、或いは、成膜前に基体１１８ｔ−予備加熱したシ、
更には、成膜後、膜をアニールする為に加熱する基体加
熱ヒータである。
基体加熱ヒータ１１３は、導ａ１１４により電源１１５
により電力が供給される。
１１６は、基体温度（Ｔ、）の温度を測定する為の熱電
対で温度表示装置１１７に電気的に接続されている。
以下、実施例に従って、本発明を具体的に説明する。
本発明においては、形成する膜中に周期律表第■族また
は同第■族に属する原子（ＣＮ　）を導入することによ
って、非晶質膜結晶膜等の電気伝導度及び／オたけ電気
伝導型を制御することができる。
膜中に導入される原子（ＣＮ　）としては、周期律表ｍ
［［族に属するＢ　、　ＡｔＸＧａ、　Ｉｎ、　Ｔｔ、
及び同第Ｖ族に属するＮ、　Ｐ、　Ａｓ、　Ｓｂ、　Ｂ
ｌが例示できる。これらのうちでも特にＢ、　ＧａＸＰ
、　Ｓｂが好適である。
原子（ＣＮ　）導入用の原料物質としては、ガス状の又
は容易にガス化し得るものが採用される。具体的には、
ＰＨ３、Ｐ２Ｈ４、ｐｃｔ３、Ａ　ｓ　Ｈｓ、Ａｓ　Ｃ
ｔ３、ｓｂ馬、ＢｉＨＢＣ／、３、Ｂ　Ｂ　ｒ　ｓ、Ｂ
２Ｈ６、Ｂ４Ｉ（、。、Ｂ　５Ｈ，、Ｂ５Ｈ１１、Ｂ６
Ｈ１ｏ、Ｂ６■、２、Ａｔｃｔ　ｓ等を挙げることがで
きる。
これら原子（ＣＮ　）導入用物質は前記気体状原料物質
とともに成膜空間は導入してもよいし、あるいはこれら
とは別個の供給ラインによシ反応空間に導入してもよい
。また、これらを併用してもよい。これら原子（ＣＮ　
）の導入量は所望の電気伝導度に応じて適宜設定される
。
実施例１ 第１図に示した堆積膜形成装置を用い、第２図に示した
構成の薄膜トランジスタを作製した。
このトランジスタは、コーニング社製７０５９カラス２
３４、非晶質シリコン層（第１層、厚み７０００１　）
２３３、リンを高濃度にドープした非晶質シリコン層（
第２層、厚み５００Ｘ）２３２、酸化シリコン層（第３
層、厚み１０００１　）　２３１、ｈｔ＜Ｈ傘４２９に
より構成されている。堆積膜形成は２Ｊ１ｆｉに示し九
条件によって行なった。
本実施例によって作製した薄膜トランジスタは、従来品
より１５チ程度改善された０ｎ−ｏｆｆ比を示した。
実施例２ ＳｉＨ４の代りに５ｔ２Ｈ６’ｉ用いて第１層を形成し
た以外は実施例１と同一の薄膜トランジスタを作製した
。
本実施例によって作製した薄膜トランジスタは、従来品
よシ１７％程度改善されたｏｎ　−ｏｆｆ比を示した。
実施例３ ＮＯの代９にＣ２Ｈｉ用いて第３層を形成し次以外は実
施例１と同一の薄膜トランジスタを作製した。
本実施例によって作製した薄膜トランジスタは、従来品
上り１４％程度改善されたｏｎ　−ｏｆｆ比を示した。
実施例４ ＮＯの代りにＮＨ，を用いて第３層を形感し次以外は実
施例１と同一の薄膜トランジスタを作製した。
本実施例によって作製した薄膜トランジスタは、従来品
より１３チ程度改善されたｏｎ　−ｏｆｆ比を示した。
〔発明の効果〕
本発明によれば、膜品質が良好な状態で形成せしめられ
省エネルギー化を図ると共に、生産性、量産性に優れ、
高品質で電気的、光学的、半導体的等の物理特性に優れ
た膜によυ構成された薄膜トランジスタを提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の薄膜トランジスタを製造するための堆
積膜形成装置の断面図である。 第２図は本発明の薄膜トランジスタの１例の断面図であ
る。 ２３２．２３３・・・非晶質シリコン層、２３１・・・
酸化シリコン層。 代理人　弁理士　　山　下　穣　子 弟２図 手続７市正書（方力 ■（和６１年　４月２４日

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）基体上に化学的気相法により堆積膜を形成する方
    法を用い、前記堆積膜を構成する構成要素となる原子を
    含む気体状原料物質と、該原料物質に酸化作用をする性
    質を有する気体状ハロゲン系酸化剤とを反応空間に導入
    して接触させることで励起状態の前駆体を含む複数の前
    駆体を化学的に生成せしめ、これら前駆体のうち少なく
    とも１つの前駆体を堆積膜構成要素の供給源として膜形
    成を行なうことにより、少なくとも１つの構成層を形成
    せしめていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  2. （２）前記気体状原料物質は、鎖状シラン化合物である
    特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜トランジスタ。
  3. （３）前記鎖状シラン化合物は、直鎖状シラン化合物で
    ある特許請求の範囲第（２）項記載の薄膜トランジスタ
    。
  4. （４）前記直鎖状シラン化合物は、一般式Ｓｉ＿ｎＨ＿
    ２＿ｎ＿＋＿２（ｎは１〜８の整数）で示される特許請
    求の範囲第（）項記載の薄膜トランジスタ。
  5. （５）前記鎖状シラン化合物は、分岐状鎖状シラン化合
    物である特許請求の範囲第（３）項記載の薄膜トランジ
    スタ。
  6. （６）前記気体状原料物質は、硅素の環状構造を有する
    シラン化合物である特許請求の範囲第（１）項記載の薄
    膜トランジスタ。
  7. （７）前記気体状原料物質は、鎖状ゲルマン化合物であ
    る特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜トランジスタ。
  8. （８）前記鎖状ゲルマン化合物は、一般式Ｇｅ＿ｍＨ＿
    ２＿ｍ＿＋＿２（ｍは１〜５の整数）で示される特許請
    求の範囲第（）項記載の薄膜トランジスタ。
  9. （９）前記気体状原料物質は、テトラヘドラル系化合物
    である特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜トランジス
    タ。
  10. （１０）前記気体状ハロゲン系酸化剤は、ハロゲンガス
    を含む特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜トランジス
    タ。
  11. （１１）前記気体状ハロゲン系酸化剤は、弗素ガスを含
    む特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜トランジスタ。
  12. （１２）前記気体状ハロゲン系酸化剤は、塩素ガスを含
    む特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜トランジスタ。
  13. （１３）前記気体状ハロゲン系酸化剤は、弗素原子を構
    成成分として含むガスである特許請求の範囲第（１）項
    記載の薄膜トランジスタ。
  14. （１４）前記気体状ハロゲン系酸化剤は、発生期状態の
    ハロゲンを含む特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜ト
    ランジスタ。
  15. （１５）前記基体は、前記気体状原料物質と前記気体状
    ハロゲン系酸化剤の前記反応空間への導入方向に対して
    対向する位置に配設される特許請求の範囲第（１）項記
    載の薄膜トランジスタ。
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