JPH0746729B2 - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents

薄膜トランジスタの製造方法

Info

Publication number
JPH0746729B2
JPH0746729B2 JP60292312A JP29231285A JPH0746729B2 JP H0746729 B2 JPH0746729 B2 JP H0746729B2 JP 60292312 A JP60292312 A JP 60292312A JP 29231285 A JP29231285 A JP 29231285A JP H0746729 B2 JPH0746729 B2 JP H0746729B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
film transistor
manufacturing
transistor according
gaseous
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60292312A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62152171A (ja
Inventor
俊一 石原
博和 大利
政昭 広岡
純一 半那
勇 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP60292312A priority Critical patent/JPH0746729B2/ja
Priority to DE8686310103T priority patent/DE3684592D1/de
Priority to AU66918/86A priority patent/AU582033B2/en
Priority to EP86310103A priority patent/EP0232619B1/en
Priority to CA000526325A priority patent/CA1306145C/en
Priority to CN86108693A priority patent/CN1007564B/zh
Publication of JPS62152171A publication Critical patent/JPS62152171A/ja
Priority to US07/267,701 priority patent/US4885258A/en
Publication of JPH0746729B2 publication Critical patent/JPH0746729B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
    • H10P14/2901—Materials
    • H10P14/2902—Materials being Group IVA materials
    • H10P14/2905—Silicon, silicon germanium or germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
    • H10P14/2901—Materials
    • H10P14/2922—Materials being non-crystalline insulating materials, e.g. glass or polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
    • H10P14/2901—Materials
    • H10P14/2923—Materials being conductive materials, e.g. metallic silicides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
    • H10P14/2926—Crystal orientations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/32—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H10P14/3202—Materials thereof
    • H10P14/3204—Materials thereof being Group IVA semiconducting materials
    • H10P14/3211—Silicon, silicon germanium or germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
    • H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/057—Gas flow control
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/169—Vacuum deposition, e.g. including molecular beam epitaxy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/909—Controlled atmosphere

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、薄膜トランジスタの製造方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、薄膜トランジスタ（TFT）等に用いる半導体膜、
絶縁膜、光導電膜、磁性膜或いは金属膜等の非晶質乃至
結晶質の機能性膜は、所望される物理的特性や用途等の
観点から個々に適した成膜方法が採用されている。
例えば、必要に応じて、水素原子（Ｈ）やハロゲン原子
（Ｘ）等の補償剤で不対電子が補償された非晶質や多結
晶質の非単結晶シリコン（以後「NON−Si（H,X）」と略
記し、その中でも殊に非晶質シリコンを示す場合には
「Ａ−Si（H,X）」、多結晶シリコンを示す場合には「p
oly−Si（H,X）」と記す）膜等のシリコン堆積膜（尚、
俗に言う微結晶シリコンは、Ａ−Si（H,X）の範疇には
いることは断るまでもない）の形成には、真空蒸着法、
プラズマCVD法、熱CVD法、反応スパッタリング法、イオ
ンプレーティング法、光CVD法などが試みられており、
一般的には、プラズマCVD法が広く用いられ、企業化さ
れている。
而乍ら、従来から一般化されているプラズマCVD法によ
るシリコン堆積膜の形成に於ての反応プロセスは、従来
のCVD法に比較してかなり複雑であり、その反応機構も
不明な点が少なくない。又、その堆積膜の形成パラメー
ターも多く（例えば、基体温度、導入ガスの流量と比、
形成時の圧力、高周波電力、電極構造、反応容器の構
造、排気の速度、プラズマ発生方式など）これらの多く
のパラメータの組み合せによるため、時にはプラズマが
不安定な状態になり、形成された堆積膜に著しい悪影響
を与えることが少なくなかった。そのうえ、装置特有の
パラメータを装置ごとに選定しなければならず、したが
って製造条件を一般化することがむずかしいというのが
実状であった。
他方、シリコン堆積膜として、電気的、光学的特性を各
用途毎に十分に満足させ得るものを発現させるために
は、現状ではプラズマCVD法によって形成することが最
良とされている。
而乍ら、シリコン堆積膜の応用用途によっては、大面積
化、膜厚均一性、膜品質の均一性を十分満足させて再現
性のある量産化を図らねばならないため、プラズマCVD
法によるシリコン堆積膜の形成においては、量産装置に
多大な設備投資が必要となり、またその量産の為の管理
項目も複雑になり、管理許容幅も狭く、装置の調整も微
妙であることから、これらのことが今後改善すべき問題
点として指摘されている。
又、プラズマCVD法の場合には、成膜される基体の配さ
れている成膜空間に於いて高周波域いはマイクロ波等に
よって直接プラズマを生成している為に、発生する電子
や多数のイオン種が成膜過程に於いて膜にダメージを与
え膜品質の低下、膜品質の不均一化の要因となってい
る。
この点の改良として提案されている方法には、間接プラ
ズマCVD法がある。
該間接プラズマCVD法は、成膜空間から離れた上流位置
にてマイクロ波等によってプラズマを生成し、該プラズ
マを成膜空間まで輪送することで、成膜に有効な化学種
を選択的に使用出来る様に計ったものである。
而乍ら、斯かるプラズマCVD法でも、プラズマの輪送が
必須であることから、成膜に有効な化学種の寿命が長く
なければならず、自ずと、使用するガス種が制限され、
種々の堆積膜が得られないこと、及びプラズマを発生す
る為に多大なエネルギーを要すること、成膜に有効な化
学種の生成及び量が簡便な管理下に本質的に置かれない
こと等の問題点は残存している。
プラズマCVD法に対して、光CVD法は、成膜時と膜品質に
ダメージを与えるイオン種や電子が発生しないという点
で有利ではあるが、光源にそれ程多くの種類がないこ
と、光源の波長も紫外に片寄っていること、工業化する
場合には大型の光源とその電源を要すること、光源から
の光を成膜空間に導入する窓が成膜時に被膜されて仕舞
う為に成膜中に光量の低下、強いては、光源からの光が
成膜空間に入射されなくなるという問題点がある。
上述の如く、薄膜トランジスタを構成する堆積膜の形成
に於ては解決されるべき点は、まだまだ残っており、そ
の実用可能な特性、均一性を維持させながら低コストな
装置で省エネルギー化を計って量産化できる形成方法を
開発することが切望されている。これ等のことは、他の
機能性膜、例えば窒化シリコン膜、炭化シリコン膜、酸
化シリコン膜に於ても各々同様の解決されるべき問題と
して挙げることが出来る。
〔発明の目的及び概要〕
本発明の目的は、上述した従来の堆積膜形成法の欠点を
除去して、膜品質が良好な状態で形成せしめられた堆積
膜により構成することのできる薄膜トランジスタを提供
することにある。
本発明の他の目的は、省エネルギー化を図ると同時に、
生産性、量産性に優れ、高品質で電気的、光学的、半導
体的等の物理特性に優れた膜により構成することのでき
る薄膜トランジスタを提供することにある。
上記目的は、基体と、該基体上に薄膜半導体層と該薄膜
半導体層に絶縁層を介して設けられたゲート電極と、前
記薄膜半導体層に間隔をあけて設けられた伝導型を制御
する不純物を含有する半導体膜を介して設けられたソー
ス電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタの
製造方法において、 前記薄膜半導体層、前記絶縁層及び前記半導体膜は、夫
々の層又は膜を構成する構成要素となる原子を含む気体
状原料物質と、該原料物質に接触することで該原料物質
を酸化する気体状ハロゲン系酸化剤を成膜空間内に別々
に導入し、それによて生成される励起状態の前駆体によ
り形成されるとともに、前記半導体膜形成時には更に、
伝導型を制御する不純物を構成要素とする原料物質が前
記成膜空間内に導入されることを特徴とする薄膜トラン
ジスタの製造方法によって達成される。
〔発明の具体的説明及び実施例〕
本発明に於いて、使用される堆積膜形成用の気体状原料
物質は、気体状ハロゲン系酸化剤との接触により酸化作
用をうけるものであり、目的とする堆積膜の種類、特
性、用途等によって所望に従って適宜選択される。本発
明に於いては、上記の気体状原料物質及び気体状ハロゲ
ン系酸化剤は、化学的接触をする際に気体状とされるも
のであれば良く、通常の場合は、気体でも液体でも固体
であっても差支えない。
堆積膜形成用の原料物質あるいはハロゲン系酸化剤が液
体又は固体である場合には、Ar、He、N2、H2等のキャリ
アーガスを使用し、必要に応じては熱も加えながらバブ
リングを行なって反応空間に堆積膜形成用の原料物質及
びハロゲン系酸化剤を気体状として導入する。
この際、上記気体状原料物質及び気体状ハロゲン系酸化
剤の分圧及び混合比は、キャリアーガスの流量あるいは
堆積膜形成用の原料物質及び気体状ハロゲン系酸化剤の
蒸気圧を調節することにより設定される。
本発明に於いて使用される堆積膜形成用の原料物質とし
ては、例えば、半導体性或いは電気的絶縁性のシリコン
堆積膜やゲルマニウム堆積膜等のテトラヘドラル系の堆
積膜を得るのであれば、直鎖状、及び分岐状の鎖状シラ
ン化合物、環状シラン化合物、鎖状ゲルマニウム化合物
等が有効なものとして挙げることが出来る。
具体的には、直鎖状シラン化合物としてはSiｎH2+2（ｎ
＝1,2,3,4,5,6,7,8）、分岐状鎖状シラン化合物として
は、SiH3SiH（SiH3）SiH2SiH3、鎖状ゲルマン化合物と
しては、GeｍＨ2m＋２（ｍ＝1,2,3,4,5）等が挙げられ
る。この他、例えばスズの堆積膜を作成するのであれば
SnH4等の水素化スズを有効な原料物質として挙げること
が出来る。
勿論、これ等の原料物質は１種のみならず２種以上混合
して使用することも出来る。
本発明に於いて使用されるハロゲン系酸化剤は、反応空
間内に導入される際気体状とされ、同時に反応空間内に
導入される堆積膜形成用の気体状原料物質に接触だけで
効果的に酸化作用をする性質を有するもので、F2、C
l2、Br2、I2、FCl、FBr等のハロゲンガス、発生期状態
の弗素、塩素、臭素等が有効なものとして挙げることが
出来る。
これ等のハロゲン系酸化剤は気体状で、前記の堆積膜形
成用の原料物質の気体と共に所望の流量と供給圧を与え
られて反応空間内に導入されて前記原料物質と混合衝突
することで化学的接触をし、前記原料物質に酸化作用を
して励起状態の前駆体を含む複数種の前駆体を効率的に
生成する。生成される励起状態の前駆体及び他の前駆体
は、少なくともそのいずれか１つが形成される堆積膜の
構成要素の供給源として働く。
生成される前駆体は分解して又は反応して別の励起状態
の前駆体又は別の励起状態にある前駆体になて、或いは
必要に応じてエネルギーを放出はするがそのままの形態
で成膜空間に配設された基体表面に触れることで三次元
ネットワーク構造の堆積膜が作成される。
励起されるエネルギーレベルとしては、前記励起状態の
前駆体がより低いエネルギーレベルにエネルギー遷移す
る、又は別の化学種に変化する過程に於いて発光を伴う
エネルギーレベルである。斯かるエネルギーの遷移に発
光を伴なう励起状態の前駆体を含め活性化された前駆体
が形成されることで本発明における堆積膜形成プロセス
は、より効率良く、より省エネルギーで進行し、膜全面
に亘って均一でより良好な物理特性を有する堆積膜が形
成される。
本発明に於いては、堆積膜形成プロセスが円滑に進行
し、高品質で所望の物理特性を有する膜が形成される可
く、成膜因子としての、原料物質及びハロゲン系酸化剤
の種類と組み合せ、これ等の混合比、混合時の圧力、流
量、成膜空間内圧、ガスの流型、成膜温度（基体温度及
び雰囲気温度）が所望に応じて適宜選択される。これ等
の成膜因子は有機的に関連し、単独で決定されるもので
はなく相互関連の下に夫々に応じて決定される。本発明
に於いて、反応空間に導入される堆積膜形成用の気体状
原料物質と気体状ハロゲン系酸化剤との量の割合は、上
記成膜因子の中関連する成膜因子との関係に於いて適宜
所望に従って決められるが、導入流量比で、好ましく
は、1/2〜100/1が適当であり、より好ましくは1/5〜50/
1とされるのが望ましい。
反応空間に導入される際の混合時の圧力としては前記気
体状原料物質と前記気体状ハロゲン系酸化剤との化学的
接触を確率的により高める為には、より高い方が良い
が、反応性を考慮して適宜所望に応じて最適値を決定す
るのが良い。前記混合時の圧力としては、上記の様にし
て決められるが、夫々の導入時の圧力として、好ましく
は１×10-7気圧〜10気圧、より好ましくは１×10-6気圧
〜３気圧とされるのが望ましい。
成膜空間内の圧力、即ち、その表面に成膜される基体が
配設されている空間内の圧力は、反応空間に於いて生成
される励起状態の前駆体（Ｅ）及び場合によって該前駆
体（Ｅ）より派生的に生ずる前駆体（Ｄ）が成膜に効果
的に寄与する様に適宜所望に応じて設定される。
成膜空間の内圧力は、成膜空間が反応空間と開放的に連
続している場合には、堆積膜形成用の基体状原料物質と
気体状ハロゲン系酸化剤との反応空間での導入圧及び流
量との関連に於いて、例えば差動排気或いは、大型の排
気装置の使用等の工夫を加えて調整することが出来る。
或いは、反応空間と成膜空間の連結部のコンダクタンス
が小さい場合には、成膜空間に適当な排気装置を設け、
該装置の排気量を制御することで成膜空間の圧力を調整
することが出来る。
又、反応空間と成膜空間が一体的になっていて、反応位
置と成膜位置が空間的に異なるだけの場合には、前述の
様に差動排気するか或いは、排気能力の充分ある大型の
排気装置を設けてやれば良い。
上記のようにして成膜空間の圧力は、反応空間に導入さ
れる気体状原料物質と気体状ハロゲン酸化剤の導入圧力
との関係に於いて決められるが、好ましくは0.001Torr
〜100Torr、より好ましくは0.01Torr〜30Torr、最適に
は0.05Torr〜10Torrとされるのが望ましい。
ガスの流型に就いては、反応空間への前記堆積膜形成用
の原料物質及びハロゲン系酸化剤の導入の際にこれ等が
均一に効率良く混合され、前記前駆体（Ｅ）が効率的に
生成され且つ成膜が支障なく適切になされる様に、ガス
導入口と基体とガス排気口との幾何学的配置を考慮して
設計される必要がある。この幾何学的な配置の好適な例
の１つが第１図に示される。
成膜時の基体温度（Ts）としては、使用されるガス種及
び形成される堆積膜の種数と要求される特性に応じて、
個々に適宜所望に従って設定されるが、非晶質の膜を得
る場合には好ましくは室温から450℃、より好ましくは5
0〜400℃とされるのが望ましい。殊に半導体性や光導電
性等の特性がより良好なシリコン堆積膜を形成する場合
には、基体温度（Ts）は70〜350℃とされるのが望まし
い。また、多結晶の膜を得る場合には、好ましくは200
〜650℃、より好ましくは300〜600℃とされるのが望ま
しい。
成膜空間の雰囲気温度（Tat）としては、生成される前
記前駆体（Ｅ）及び前記前駆体（Ｄ）が成膜に不適当な
化学種に変化せず、且つ効率良く前記前駆体（Ｅ）が生
成される様に基体温度（Ts）との関連で適宜所望に応じ
て決められる。
本発明に於いて使用される基体としては、形成される堆
積膜の用途に応じて適宜所望に応じて選択されるのであ
れば導電性でも電気絶縁性であっても良い。導電性基体
としては、例えば、NiCr、ステンレス、Al、Cr、Mo、A
u、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の金属又はこれ等の
合金が挙げられる。
電気絶縁性基体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック等が通常使用される。これらの
電気絶縁性基体は、好適には少なくともその一方の表面
が導電処理され、該導電処理された表面側に他の層が設
けられるのが望ましい。
例えばガラスであれば、その表面がNiCr、Al、Cr、Mo、
Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd、In2O3、SnO2、ITO
（In2O3＋SnO2）等の薄膜を設ける事によって導電処理
され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィル
ムであれば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、Au、Cr、Mo、
Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt等の金属で真空蒸着、電子ビー
ム蒸着、スパッタリング等で処理し、又は前記金属でラ
ミネート処理して、その表面が導電処理される。支持体
の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形
状とし得、所望によって、その形状が決定される。
基体は、基体と膜との密着性及び反応性を考慮して上記
の中より選ぶのが好ましい。更に両者の熱膨張の差が大
きいと膜中に多量の歪が生じ、良品質の膜が得られない
場合があるので、両者の熱膨張の差が近接している基体
を選択して使用するのが好ましい。
又、基体の表面状態は、膜の構造（配向）や錐状組織の
発生に直接関係するので、所望の特性が得られる様な膜
構造と膜組織となる様に基体の表面を処理するのが望ま
しい。
第１図は本発明の薄膜トランジスタを製造するに好適な
装置の１例を示すものである。
第１図にす堆積膜形成装置は、装置本体、排気系及びガ
ス供給系の３つに大別される。
装置本体には、反応空間及び成膜空間が設けられてい
る。
101〜108は夫々、成膜する際に使用されるガスが充填さ
れているボンベ、101a〜108aは夫夫ガス供給パイプ、10
1b〜108bは夫々各ボンベからのガスの流量調整用のマス
フローコントローラー、101c〜108cはそれぞれガス圧力
計、101d〜108d及び101e〜108eは夫々バルブ、101f〜10
8fは夫々対応するガスボンベ内の圧力を示す圧力計であ
る。
120は真空チャンバーであって、上部にガス導入用の配
管が設けられ、配管の下流に反応空間が形成される構造
を有し、且つ該配管のガス排出口に対向して、基体118
が設置される様に基体ホールダー112が設けられた成膜
空間が形成される構造を有する。ガス導入用の配管は、
三重同心円配置構造となっており、中よりガスボンベ10
1,102よりのガス導入される第１のガス導入管109、ガス
ボンベ103〜105よりのガスが導入される第２のガス導入
管110、及びガスボンベ106〜108よりのガスが導入され
る第３のガス導入管111を有する。
各ガス導入管の反応空間へのガス排出には、その位置が
内側の管になる程基体の表面位置より遠い位置に配され
る設計とされている。即ち、外側の管になる程その内側
にある管を包囲する様に夫夫のガス導入管が配設されて
いる。
各導入管への管ボンベからのガスの供給は、ガス供給パ
イプライン123〜125によって夫々なされる。
各ガス導入管、各ガス供給パイプライン及び真空チャン
バー120は、メイン真空バルブ119を介して不図示の真空
排気装置により真空排気される。
気体118は基体ホルダー112を上下に移動させることによ
って各ガス導入管の位置より適宜所望の距離に設置され
る。
本発明の場合、この基体とガス導入管のガス排出口の距
離は、形成される堆積膜の種類及びその所望される特
性、ガス流量、真空チャンバーの内圧等を考慮して適切
な状態になる様に決められるが、好ましくは、数mm〜20
cm、より好ましくは、5mm〜15cm程度とされるのが望ま
しい。
113は、基体118を成膜時に適当な温度に加熱したり、或
いは、成膜前に基体118を予備加熱したり、更には、成
膜後、膜をアニールする為に加熱する基体加熱ヒータで
ある。
基体加熱ヒータ113は、導線114により電源115により電
力が供給される。
116は、基体温度（Ts）の温度を測定する為の熱電対で
温度表示装置117に電気的に接続されている。
以下、実施例に従って、本発明を具体的に説明する。
本発明においては、形成する膜中に周期律表第III族ま
たは同第Ｖ族に属する原子（CN）を導入することによっ
て、非晶質膜結晶膜等の電気伝導度及び／または電気伝
導型を制御することができる。膜中に導入される原子
（CN）としては、周期律表第III族に属するＢ、Al、G
a、In、Tl、及び同第Ｖ族に属するＮ、Ｐ、As、Sb、Bi
が例示できる。これらのうちでも特にＢ、Ga、Ｐ、Sbが
好適である。
原子（CN）導入用の原料物質としては、ガス状の又は容
易にガス化し得るものが採用される。具体的には、P
H3、P2H4、PCl3、AsH3、AsCl3、SbH3、BiH3、BCl3、BBr
3、B2H6、B4H10、B5H9、B5H11、B6H10、B6H12、AlCl3等
を挙げることができる。
これら原子（CN）導入用物質は前記気体状原料物質とと
もに成膜空間に導入してもよいし、あるいはこれらとは
別個の供給ラインにより反応空間に導入してもよい。ま
た、これらを併用してもよい。これら原子（CN）の導入
量は所望の電気伝導度に応じて適宜設定される。
実施例１ 第１図に示した堆積膜形成装置を用い、第２図に示した
構成の薄膜トランジスタを作製した。
このトランジスタは、コーニング社製7059ガラス234、
非晶質シリコン層（第１層、厚み7000Å）233、リンを
高濃度にドープした非晶質シリコン層（第２層、厚み50
0Å）232、酸化シリコン層（第３層、厚み1000Å）23
1、Al電極429により構成されている。堆積膜形成は第１
表に示した条件によって行なった。
本実施例によって作製した薄膜トランジスタは、従来品
より15％程度改善されたon−off比を示した。
実施例２ SiH4の代りにSi2H6を用いて第１層を形成した以外は実
施例１と同一の薄膜トランジスタを作製した。
本実施例によって作製した薄膜トランジスタは、従来品
より17％程度改善されたon−off比を示した。
実施例３ NOの代りにC2Hを用いた第３層を形成した以外は実施例
１と同一の薄膜トランジスタを作製した。
本実施例によって作製した薄膜トランジスタは、従来品
より14％程度改善されたon−off比を示した。
実施例４ NOの代りにNH3を用いて第３層を形成した以外は実施例
１と同一の薄膜トランジスタを作製した。
本実施例によって作製した薄膜トランジスタは、従来品
より13％程度改善されたon−off比を示した。
〔発明の効果〕
本発明によれば、膜品質が良好な状態で形成せしめられ
省エネルギー化を図ると共に、生産性、量産性に優れ、
高品質で電気的、光学的、半導体的等の物理特性に優れ
た膜により構成された薄膜トランジスタを提供すること
ができる。
すなわち、本発明によれば、優れた特性の堆積膜を堆積
でき、形成された薄膜トランジスタの特性も優れたもの
となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の薄膜トランジスタを製造するための堆
積膜形成装置の断面図である。 第２図は本発明の薄膜トランジスタの１例の断面図であ
る。 232,233……非晶質シリコン層、231……酸化シリコン
層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 勇 神奈川県横浜市緑区藤が丘２−41―21 (56)参考文献 特開 昭60−241222（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−242612（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−199771（ＪＰ，Ａ)

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基体と、該基体上に薄膜半導体層と該薄膜
    半導体層に絶縁層を介して設けられたゲート電極と、前
    記薄膜半導体層に間隔をあけて設けられた伝導型を制御
    する不純物を含有する半導体膜を介して設けられたソー
    ス電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタの
    製造方法において、 前記薄膜半導体層、前記絶縁層及び前記半導体膜は、夫
    々の層又は膜を構成する構成要素となる原子を含む気体
    状原料物質と、該原料物質に接触することで該原料物質
    を酸化する気体状ハロゲン系酸化剤を成膜空間内に別々
    に導入し、それによって生成される励起状態の前駆体に
    より形成されるとともに、前記半導体膜形成時には更
    に、伝導型を制御する不純物を構成要素とする原料物質
    が前記成膜空間内に導入されることを特徴とする薄膜ト
    ランジスタの製造方法。
  2. 【請求項２】前記気体状原料物質は、鎖状シラン化合物
    である特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜トランジス
    タの製造方法。
  3. 【請求項３】前記鎖状シラン化合物は、直鎖状シラン化
    合物である特許請求の範囲第（２）項記載の薄膜トラン
    ジスタの製造方法。
  4. 【請求項４】前記直鎖状シラン化合物は、一般式SiｎＨ
    2n＋２（ｎは１〜８の整数）で示される特許請求の範囲
    第（３）項記載の薄膜トランジスタの製造方法。
  5. 【請求項５】前記鎖状シラン化合物は、分岐状鎖状シラ
    ン化合物である特許請求の範囲第（２）項記載の薄膜ト
    ランジスタの製造方法。
  6. 【請求項６】前記気体状原料物質は、珪素の環状構造を
    有するシラン化合物である特許請求の範囲第（１）項記
    載の薄膜トランジスタの製造方法。
  7. 【請求項７】前記気体状原料物質は、鎖状ゲルマン化合
    物である特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜トランジ
    スタの製造方法。
  8. 【請求項８】前記鎖状ゲルマン化合物は、一般式GeｍＨ
    2m＋２（ｍは１〜５の整数）で示される特許請求の範囲
    第（７）項記載の薄膜トランジスタの製造方法。
  9. 【請求項９】前記気体状原料物質は、テトラヘドラル系
    化合物である特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜トラ
    ンジスタの製造方法。
  10. 【請求項１０】前記気体状ハロゲン系酸化剤は、ハロゲ
    ンガスを含む特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜トラ
    ンジスタの製造方法。
  11. 【請求項１１】前記気体状ハロゲン系酸化剤は、弗素ガ
    スを含む特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜トランジ
    スタの製造方法。
  12. 【請求項１２】前記気体状ハロゲン系酸化剤は、塩素ガ
    スを含む特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜トランジ
    スタの製造方法。
  13. 【請求項１３】前記気体状ハロゲン系酸化剤は、弗素原
    子を構成成分として含むガスである特許請求の範囲第
    （１）項記載の薄膜トランジスタの製造方法。
  14. 【請求項１４】前記気体状ハロゲン系酸化剤は、発生期
    状態のハロゲンを含む特許請求の範囲第（１）項記載の
    薄膜トランジスタの製造方法。
  15. 【請求項１５】前記基体は、前記気体状原料物質と前記
    気体状ハロゲン系酸化剤の前記反応空間への導入方向に
    対して対向する位置に配設される特許請求の範囲第
    （１）項記載の薄膜トランジスタの製造方法。
  16. 【請求項１６】前記気体状原料物質と前記気体状ハロゲ
    ン系酸化剤は、1/20〜10/1の導入量比で前記成膜空間内
    に導入される特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜トラ
    ンジスタの製造方法。
  17. 【請求項１７】前記気体状原料物質及び前記気体状ハロ
    ゲン系酸化剤を導入するための導入管の夫々のガス排出
    口と、前記基体との間の距離は、20cm以下とされる特許
    請求の範囲第（１）項記載の薄膜トランジスタの製造方
    法。
  18. 【請求項１８】前記成膜空間内の圧力は、0.001Torr〜1
    00Torrとされる特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜ト
    ランジスタの製造方法。
  19. 【請求項１９】前記絶縁層は、N,O又はＣを含有する特
    許請求の範囲第（１）項記載の薄膜トランジスタの製造
    方法。
  20. 【請求項２０】前記不純物は、周期律表第Ｖ族に属する
    元素である特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜トラン
    ジスタの製造方法。
JP60292312A 1985-12-26 1985-12-26 薄膜トランジスタの製造方法 Expired - Lifetime JPH0746729B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60292312A JPH0746729B2 (ja) 1985-12-26 1985-12-26 薄膜トランジスタの製造方法
DE8686310103T DE3684592D1 (de) 1985-12-26 1986-12-23 Verfahren zur herstellung eines duennschichttransistors.
AU66918/86A AU582033B2 (en) 1985-12-26 1986-12-23 Thin-film transistor
EP86310103A EP0232619B1 (en) 1985-12-26 1986-12-23 Method of manufacturing a thin-film transistor
CA000526325A CA1306145C (en) 1985-12-26 1986-12-24 Thin-film transistor
CN86108693A CN1007564B (zh) 1985-12-26 1986-12-26 薄膜晶体管
US07/267,701 US4885258A (en) 1985-12-26 1988-11-01 Method for making a thin film transistor using a concentric inlet feeding system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60292312A JPH0746729B2 (ja) 1985-12-26 1985-12-26 薄膜トランジスタの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62152171A JPS62152171A (ja) 1987-07-07
JPH0746729B2 true JPH0746729B2 (ja) 1995-05-17

Family

ID=17780139

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60292312A Expired - Lifetime JPH0746729B2 (ja) 1985-12-26 1985-12-26 薄膜トランジスタの製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4885258A (ja)
EP (1) EP0232619B1 (ja)
JP (1) JPH0746729B2 (ja)
CN (1) CN1007564B (ja)
AU (1) AU582033B2 (ja)
CA (1) CA1306145C (ja)
DE (1) DE3684592D1 (ja)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0647730B2 (ja) * 1985-12-25 1994-06-22 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JPH0746729B2 (ja) * 1985-12-26 1995-05-17 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
AU578174B2 (en) * 1985-12-28 1988-10-13 Canon Kabushiki Kaisha Chemical vapor deposition method
JP2566914B2 (ja) * 1985-12-28 1996-12-25 キヤノン株式会社 薄膜半導体素子及びその形成法
NL8801379A (nl) * 1988-05-30 1989-12-18 Imec Inter Uni Micro Electr Werkwijze voor het vervaardigen van een dunne-filmtransistor en een dergelijke dunne-filmtransistor.
JPH02258689A (ja) * 1989-03-31 1990-10-19 Canon Inc 結晶質薄膜の形成方法
DE69125886T2 (de) 1990-05-29 1997-11-20 Semiconductor Energy Lab Dünnfilmtransistoren
JP2805035B2 (ja) * 1990-05-29 1998-09-30 株式会社 半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタ
JP2700277B2 (ja) 1990-06-01 1998-01-19 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
US5403760A (en) * 1990-10-16 1995-04-04 Texas Instruments Incorporated Method of making a HgCdTe thin film transistor
US5930608A (en) * 1992-02-21 1999-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a thin film transistor in which the channel region of the transistor consists of two portions of differing crystallinity
JP2965094B2 (ja) * 1991-06-28 1999-10-18 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法
KR950008261B1 (ko) * 1991-12-03 1995-07-26 삼성전자주식회사 반도체장치의 제조방법
JP3173854B2 (ja) 1992-03-25 2001-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法及び作成された半導体装置
CN100465742C (zh) * 1992-08-27 2009-03-04 株式会社半导体能源研究所 有源矩阵显示器
US5663077A (en) 1993-07-27 1997-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor in which the gate insulator comprises two oxide films
US6331717B1 (en) 1993-08-12 2001-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Insulated gate semiconductor device and process for fabricating the same
JP3173926B2 (ja) 1993-08-12 2001-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法及びその半導体装置
US7067439B2 (en) 2002-06-14 2006-06-27 Applied Materials, Inc. ALD metal oxide deposition process using direct oxidation
US8119210B2 (en) 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
US7837838B2 (en) 2006-03-09 2010-11-23 Applied Materials, Inc. Method of fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma apparatus
US7645710B2 (en) 2006-03-09 2010-01-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system
US7678710B2 (en) 2006-03-09 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system
TWI435376B (zh) 2006-09-26 2014-04-21 應用材料股份有限公司 用於缺陷鈍化之高ｋ閘極堆疊的氟電漿處理
US20120043543A1 (en) * 2009-04-17 2012-02-23 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and manufacturing method therefor

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US31708A (en) * 1861-03-19 Improved device for coating pins
US2552626A (en) * 1948-02-17 1951-05-15 Bell Telephone Labor Inc Silicon-germanium resistor and method of making it
US3083550A (en) * 1961-02-23 1963-04-02 Alloyd Corp Process of coating vitreous filaments
US3188230A (en) * 1961-03-16 1965-06-08 Alloyd Corp Vapor deposition process and device
US3203827A (en) * 1962-06-26 1965-08-31 Union Carbide Corp Chromium plating process
US3224912A (en) * 1962-07-13 1965-12-21 Monsanto Co Use of hydrogen halide and hydrogen in separate streams as carrier gases in vapor deposition of ii-vi compounds
US3218204A (en) * 1962-07-13 1965-11-16 Monsanto Co Use of hydrogen halide as a carrier gas in forming ii-vi compound from a crude ii-vicompound
US3306768A (en) * 1964-01-08 1967-02-28 Motorola Inc Method of forming thin oxide films
US3466191A (en) * 1966-11-07 1969-09-09 Us Army Method of vacuum deposition of piezoelectric films of cadmium sulfide
US3506556A (en) * 1968-02-28 1970-04-14 Ppg Industries Inc Sputtering of metal oxide films in the presence of hydrogen and oxygen
US3655429A (en) * 1969-04-16 1972-04-11 Westinghouse Electric Corp Method of forming thin insulating films particularly for piezoelectric transducers
US3664866A (en) * 1970-04-08 1972-05-23 North American Rockwell Composite, method for growth of ii{11 {14 vi{11 {0 compounds on substrates, and process for making composition for the compounds
US3870558A (en) * 1971-08-17 1975-03-11 Tokyo Shibouro Electric Co Ltd Process for preparing a layer of compounds of groups II and VI
US3850679A (en) * 1972-12-15 1974-11-26 Ppg Industries Inc Chemical vapor deposition of coatings
US3922703A (en) * 1974-04-03 1975-11-25 Rca Corp Electroluminescent semiconductor device
SE393967B (sv) * 1974-11-29 1977-05-31 Sateko Oy Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket
JPS5242075A (en) * 1975-09-29 1977-04-01 Nippon Denso Co Ltd Device for controlling gas atmosphere in semiconductor producing equip ment
USRE31708E (en) 1976-11-01 1984-10-16 Method of depositing electrically conductive, infra-red reflective, transparent coatings of stannic oxide
US4146657A (en) * 1976-11-01 1979-03-27 Gordon Roy G Method of depositing electrically conductive, infra-red reflective, transparent coatings of stannic oxide
US4206252A (en) * 1977-04-04 1980-06-03 Gordon Roy G Deposition method for coating glass and the like
US4180596A (en) * 1977-06-30 1979-12-25 International Business Machines Corporation Method for providing a metal silicide layer on a substrate
GB2038883B (en) * 1978-11-09 1982-12-08 Standard Telephones Cables Ltd Metallizing semiconductor devices
US4282267A (en) * 1979-09-20 1981-08-04 Western Electric Co., Inc. Methods and apparatus for generating plasmas
JPS56161676A (en) * 1980-05-16 1981-12-12 Japan Electronic Ind Dev Assoc<Jeida> Electrode structure for thin film transistor
DE3168017D1 (en) * 1980-05-27 1985-02-14 Secr Defence Brit Manufacture of cadmium mercury telluride
KR890004497B1 (ko) * 1980-09-09 1989-11-06 에너지 컨버션 디바이시즈, 인코포레이티드 다중 셀의 감광성 비정질 합금 및 소자
FR2490246A1 (fr) * 1980-09-17 1982-03-19 Cit Alcatel Dispositif de deposition chimique activee sous plasma
US4470060A (en) * 1981-01-09 1984-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display with vertical non-single crystal semiconductor field effect transistors
US4359490A (en) * 1981-07-13 1982-11-16 Fairchild Camera & Instrument Corp. Method for LPCVD co-deposition of metal and silicon to form metal silicide
GB2107115B (en) * 1981-07-17 1985-05-09 Citizen Watch Co Ltd Method of manufacturing insulated gate thin film effect transitors
JPS6053745B2 (ja) * 1981-07-31 1985-11-27 アルバツク成膜株式会社 二元蒸着によつて不均質光学的薄膜を形成する方法
JPS58190058A (ja) * 1982-04-28 1983-11-05 Toshiba Corp 薄膜電界効果トランジスタの製造方法
JPS5919378A (ja) * 1982-07-23 1984-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 絶縁ゲート型トランジスタの製造方法
US4515107A (en) * 1982-11-12 1985-05-07 Sovonics Solar Systems Apparatus for the manufacture of photovoltaic devices
JPS59119359A (ja) * 1982-12-27 1984-07-10 Canon Inc 電子写真用光導電部材
JPS59232456A (ja) * 1983-06-16 1984-12-27 Hitachi Ltd 薄膜回路素子
US4526809A (en) * 1983-10-19 1985-07-02 University Of Delaware Process and apparatus for formation of photovoltaic compounds
US4546008A (en) * 1983-11-07 1985-10-08 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming a deposition film
US4683146A (en) * 1984-04-16 1987-07-28 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing deposition films
JPH0719749B2 (ja) * 1984-05-15 1995-03-06 キヤノン株式会社 堆積膜の形成方法
JPH0712024B2 (ja) * 1984-05-16 1995-02-08 キヤノン株式会社 堆積膜の形成方法
US4595601A (en) * 1984-05-25 1986-06-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of selectively forming an insulation layer
US4686553A (en) * 1985-08-02 1987-08-11 General Electric Company Low capacitance amorphous silicon field effect transistor structure
JPS62136885A (ja) * 1985-12-11 1987-06-19 Canon Inc 光起電力素子、その製造方法及びその製造装置
JPS62136871A (ja) * 1985-12-11 1987-06-19 Canon Inc 光センサ−、その製造方法及びその製造装置
JPH0746729B2 (ja) * 1985-12-26 1995-05-17 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JPH0651909B2 (ja) * 1985-12-28 1994-07-06 キヤノン株式会社 薄膜多層構造の形成方法
JPH084070B2 (ja) * 1985-12-28 1996-01-17 キヤノン株式会社 薄膜半導体素子及びその形成法
JPS62163318A (ja) * 1986-01-14 1987-07-20 Canon Inc 半導体素子及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
AU582033B2 (en) 1989-03-09
US4885258A (en) 1989-12-05
EP0232619A3 (en) 1988-04-06
DE3684592D1 (de) 1992-04-30
AU6691886A (en) 1987-07-02
JPS62152171A (ja) 1987-07-07
CN86108693A (zh) 1987-08-12
CA1306145C (en) 1992-08-11
EP0232619A2 (en) 1987-08-19
CN1007564B (zh) 1990-04-11
EP0232619B1 (en) 1992-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0746729B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JPH0651909B2 (ja) 薄膜多層構造の形成方法
US5160543A (en) Device for forming a deposited film
US5002793A (en) Process for forming film in a three-chambered apparatus having two chamber faces coated with films of at least 106 Ω cm resistance
US5470389A (en) Apparatus for forming deposited film
US4812328A (en) Method for forming deposited film
US4822636A (en) Method for forming deposited film
JPH084070B2 (ja) 薄膜半導体素子及びその形成法
JPH0651908B2 (ja) 薄膜多層構造の形成方法
JP2637396B2 (ja) 堆積膜形成法
JP2637397B2 (ja) 堆積膜形成法
JPH0647734B2 (ja) 堆積膜形成法
JPH0645883B2 (ja) 堆積膜形成法
JPH0645882B2 (ja) 堆積膜形成法
JP2547728B2 (ja) 堆積膜形成装置
JPS62142778A (ja) 堆積膜形成法
JPH0647729B2 (ja) 堆積膜形成法
JPS62163314A (ja) 薄膜多層構造およびその形成方法
JPH0645895B2 (ja) 堆積膜形成装置
JPH0645892B2 (ja) 堆積膜形成法
JPH0651907B2 (ja) 薄膜多層構造の形成方法
JPH0645884B2 (ja) 堆積膜形成法
JP2704986B2 (ja) 薄膜半導体素子及びその形成方法
JPH084069B2 (ja) 薄膜半導体素子及びその形成法
JPS63136617A (ja) 堆積膜形成法

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term