JPS6215856B2 - - Google Patents
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Description
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線、等を示
す）の様な電磁波に感受性のあるアモルフアス光
導電部材の製造方法に関する。 テレビ用の撮像管や電子写真用像形成部材等に
於ける光導電層を構成する光導電材料としては、
高感度、高抵抗であつて、視感度に出来る限り近
いスペクトル特性を有する事、製造時や使用時に
於いて、人体に対して無公害である事、更には撮
像管に於いては、残像を所定時間内に容易に制御
する事が出来る事等の特性が要求される。殊に、
事務機としてオフイスで使用される電子写真装置
内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合に
は、上記の使用時に於ける無公害性は重要な点で
ある。而乍ら、従来の、例えば実用化されている
撮像管の光導電層を構成する光導電材料である
PbO，Se―As―Te，CdSe，Sb2S3等、又電子写
真用像形成部材の光導電層を構成する光導電材料
であるSe，CdS，ZnO等の無機光導電材料やポリ
―Ｎビニルカルバゾール（PVK）、トリニトロフ
ルオレノン（TNF）等の有機光導電材料
（OPC）は、上記の諸条件の総てを水準以上で必
ずしも満足しているとは断言し難い。 例えば、電子写真用像形成部材の場合に就て述
べれば、Seを光導電層形成材料とする電子写真
用像形成部材は、Se単独では、例えば、可視光
領域の光を利用する場合、その分光感度領域が狭
いのでTeやAsを添加して分光感度領域を拡げる
ことが計られている。 而乍ら、この様な、TeやAsを含むSe系光導電
層を有する電子写真用像形成部材は、確かに分光
感度領域は改良されるが、光疲労が大きくなる為
に、同一原稿を連続的に繰返し、コピーすると複
写画像の画像濃度の低下やバツクグランドの汚れ
（白地部分のカブリ）を生じたり、又、引続き他
の原稿をコピーすると前の原稿の画像が残像とし
て複写される（ゴースト現象）等の欠点を有して
いる。 而も、Se、殊にAs，Teは人体に対して極めて
有害な物質であるので、製造時に於いて、人体へ
の接触がない様な製造装置を使用する工夫が必要
であつて、装置への資本投下が著しく大きい。更
には、製造後に於いても、光導電層が露呈してい
ると、クリーニング等の処理を受ける際、光導電
層表面は直に摺擦される為に、その一部が削り取
られて、現像剤中に混入したり、複写機内に飛散
したり、複写画像中に混入したりして、人体に接
触する原因を与える結果を生む。又、Se系光導
電層は、その表面がコロナ放に、連続的に多数回
繰返し晒されると、層の表面付近が結晶化又は酸
化を起して光導電層の電気的特性の劣化を招く場
合が少なくない。或いは、又、光導電層表面が露
呈していると、静電像の可視化（現像）に際し、
液体現像剤を使用する場合、その溶剤と接触する
為に耐溶剤性（耐液現性）に優れていることが要
求されるが、この点に於いて、Se系光導電層は
必ずしも満足しているとは断言し難い。 又、別には、Se系光導電層は、通常の場合真
空蒸着によつて形成されるので、所期の光導電特
性を有する光導電層を再現性良く得るには、蒸着
温度、蒸着基板温度、真空度、冷却速度等の各種
の製造パラメーターを厳密に調整する必要があ
る。 又、Se系光導電層は、電子写真用像形成部材
の光導電層としての高暗抵抗を保有する為に、ア
モルフアス状態に形成されるが、Seの結晶化が
約65℃と極めて低い温度で起る為に、製造後の取
扱い中に、又は使用中に於ける周囲温度や画像形
成プロセス中の他の部材との摺擦による摩擦熱の
影響を多分に受けて結晶化現象を起し、暗抵抗の
低下を招き易いという耐熱性上にも欠点がある。 一方、ZnO，CdS等を光導電層構成材料として
使用する電子写真用像形成部材は、その光導電層
が、ZnOやCdS等の光導電材料粒子を適当な樹脂
結合剤中に均一に分散して形成されている。こ
の、所謂バインダー系光導電層を有する像形成部
材は、Se系光導電層を有する像形成部材に較べ
て製造上に於いて有利であつて、比較的製造コス
トの低下を計ることが出来る。即ち、バインダー
系光導電層は、ZnOやCdSの粒子と適当な樹脂結
着剤とを適当な溶剤を用いて混練して調合した塗
布液を適当な基体上に、ドクターブレード法、デ
イツピング法等の塗布方法で塗布した後固化させ
るだけで形成することが出来るので、Se系光導
電層を有する像形成部材に較べ製造装置にそれ程
の資本投下をする必要がないばかりか、製造法自
体も簡便且つ容易である。 而乍ら、バインダー系光導電層は、基本的に構
成材料が光導電層材料と樹脂結着剤の二成分系で
あるし、且つ光導電材料粒子が樹脂結着剤中に均
一に分散されて形成されなければならない特殊性
の為に、光導電層の電気的及び光導電的特性や物
理的化学的特性を決定するパラメーターが多く、
従つて、斯かるパラメーターを厳密に調整しなけ
れば所望の特性を有する光導電層を再現性良く形
成することが出来ずに歩留りの低下を招き量産性
に欠けるという欠点がある。 又、バインダー系光導電層は、分散系という特
殊性故に、層全体がポーラスになつており、その
為に湿度依存性が著しく、多湿雰囲気中で使用す
ると電気的特性の劣化を来たし、高品質の複写画
像が得られなくなる場合が少なくない。 更には、光導電層のポーラス性は、現像の際の
現像剤の層中への侵入を招来し、離型性、クリー
ニング性が低下するばかりか使用不能を招く原因
ともなり、殊に、液体現像剤を使用すると毛細現
象による促進をうけてそのキヤリアー溶剤と共に
現像剤が層中に侵透するので上記の点は著しいも
のとなり、光導電層表面を表面被覆層で覆うこと
が必要となる。 而乍ら、この表面被覆層を設ける改良も、光導
電層のポーラス性に起因する光導電層表面の凹凸
性故に、その界面が均一にならず、光導電層と表
面被覆層との接着性及び電気的接触性の良好な状
態を得る事が仲々困難であるという欠点が存す
る。 又、CdSを使用する場合には、CdS自体の人体
への影響がある為に、製造時及び使用時に於い
て、人体に接触したり、或いは、周囲環境下に飛
散したりすることのない様にする必要がある。
ZnOを使用する場合には、人体に対する影響は殆
んどないが、ZnOバインダー系光導電層は光感度
が低く、分光感度領域が狭い、光疲労が著しい、
光応答性が悪い等の欠点を有している。 又、最近注目されているPVKやTNF等の有機
光導電材料を使用する電子写真用像形成部材に於
いては、表面が導電処理されたポリエチレンテレ
フタレート等の適当な支持体上にPVKやTNK等
の有機光導電材料の塗膜を形成するだけで光導電
層を形成出来るという製造上に於ける利点及び可
撓性に長けた電子写真用像形成部材が製造出来る
という利点を有するものであるが、他方に於い
て、耐湿性、耐コロナイオン性、クリーニング性
に欠け、又光感度が低い、可視光領域に於ける分
光感度領域が狭く且つ短波長側に片寄つている等
の欠点を有し、極限定された範囲でしか使途に供
されていない。然もこれ等の有機光導電材料の中
には発癌性物質の疑いがあるものもある等、人体
に対してその多くは全く無害であるという保証が
なされていない。 従つて、上述の諸問題点の解決された優れた光
導電部材が得られる様な第３の材料が所望されて
いる。 その様な材料として最近有望視されているもの
の中に例えばアモルフアスシリコン（以後ａ―Si
と略記する）やアモルフアスゲルマニウム（以後
ａ―Geと略記する）がある。 ところで、ａ―Si膜やａ―Ge膜は、開発初期
のころは、その製造法や製造条件によつて、その
構造が左右される為に種々の電気的特性、光学的
特性を示し、再現性の点に大きな問題を抱えてい
た。例えば、初期に於いて、真空蒸着法やスパツ
ターリング法で形成されたａ―Si膜は、ボイド等
の欠陥を多量に含んでいて、その為に電気的性質
も光学的性質も大きく影響を受け、基礎物性の研
究材料としてもそれ程注目されてはいず、応用の
為の研究開発もされなかつた。而乍ら、アモルフ
アスではｐ，ｎ制御が不可能とされていたのが、
ａ―Siに於いて、1976年初頭にアモルフアスとし
て初めてｐ―ｎ接合が実現し得るという報告
（Applid Physics Letter；Vol28，No.２，
15January1976）が成されて以来、大きな関心が
集められ、以後主として太陽電池への応用に研究
開発力が注がれて来ている。 この為、これ迄に報告されているａ―Si膜は、
太陽電池用として開発されたものであるので、そ
の電気的特性・光学的特性の点に於いて、電子写
真用像形成部材や撮像管等の光導電層としては使
用し得えないのが現状である。即ち、太陽電池
は、太陽エネルギーを電流の形に変換して取り出
すので、SN比〔光電流（ip）／暗電流（id）〕が
良くて、効率良く電流を取り出すには、ａ―Si膜
の抵抗は比較的小さくなければならないが、余り
抵抗が少さ過ぎると光感度が低下し、SN比が悪
くなるので、その特性の一つとしての抵抗は105
〜108Ω・cm程度が要求される。 而乍ら、この程度の抵抗（暗抵抗：暗所での抵
抗）を有するａ―Si膜では、例えば電子写真用像
形成部材や撮像管等の光導電層としては、余りに
も抵抗（暗抵抗）が低く過ぎて、現在、知られて
いる電子写真法を適用するのでは全く使用し得な
い。この暗抵抗の問題はａ―Geに就ても同様に
云う事が出来る。 又、これ迄のａ―Si膜に関する報告では、暗抵
抗を増大させると光感度が低下し、例えば、暗低
抗が1010Ω・cmでのａ―Si膜は、光電利得（入
射photon当りの光電流）が低下しており、この
点に於いても、従来のａ―Si膜は電子写真用像形
成部材や撮像管等の光導電層とは成り得なかつ
た。 従つて、電子写真用像形成部材や撮像管等の光
導電層として充分適用される可き暗抵抗と光感度
を具備する光導電層を製造する方法が、再現性と
生産性を加味して開発される必要がある。 ところで、ａ―Si層やａ―Ge層は一般的に
は、グロー放電法やスパツタリング法等の放電現
象を利用する堆積法によつて適当な支持体上に形
成される。 この様な堆積法によつてａ―Siやａ―Ge層を
形成する場合、層形成時の支持体温度によつて形
成された層の暗抵抗と光感度が変わることは種々
の報告書や文献に示されている。 即ち、例えば、ａ―Si層の場合、支持体温度を
300℃程度の高温に保持して層形成すれば電気的
特性の一つであるSN比の増大を計る事が出来
る。而乍ら、ａ―Siの層成長速度は、例えばSe
等に較べて遥かに遅い為、先の様な高温を電子写
真用像形成部材や撮像管等の光導電層に要求され
る層厚になる迄精度良く一定に維持することは甚
だ困難である。更に、電子写真用像形成部材の光
導電層の場合には、総受光面は、通常の場合であ
つても例えばA4判やB4判程度以上の大面積を要
するものであるから、この様な大面積に亘つて層
形成終了まで先に示した様な高温状態を均一に保
持する為に温度制御する事は現在の技術では至難
の術である。然も、支持体温度を変化させる場合
に於いても、先の様な大面積に亘つて、場所によ
る温度の変化率斑のない様に制御することすらも
難しい。 この様に所望の暗抵抗、明抵抗及び光感度を得
る為に支持体温度を高温で長時間且つ温度斑のな
い様に大面積に亘つて制御するのは極めて困難で
ある。従つて、層形成時の場所及び時間による温
度斑が生じ、大面積に亘つて層厚の均一化が計れ
ないばかりか、光導電層に要求される電気的及び
光学的特性の均一化を計ることも出来ない。 本発明は上記の点に鑑み成されたものであつ
て、ａ―Siやａ―Geに就て電子写真用像形成部
材や撮像管等の光導電層への適用という観点か
ら、総括的に鋭意研究検討を続けた結果、所定の
方法でSiとGeを母体として形成したアモルフア
ス半導体層（以後、ａ―半導体層と記す）を、あ
る特定の温度（Ta）で、ある特定の雰囲気中で
熱処理すれば、本発明に於いて所望される優れた
特性を有する光導電層と成る事を見出した点に主
として基いている。 又、本発明は、比較的温度制御の容易な室温
（ＴR）近辺の支持体温度で形成した、電子写真用
像形成部材や撮像管等の光導電層としては電気
的・光学的特性が極めて悪い為に従来適用され得
ない光導電層であつても、層形成後、ある特定の
温度（Ta）と雰囲気で熱処理を行つてやれば、
要求される電気的特性を充分満足することを見出
した点にある。 更には又、熱処理の際の温度制御は、それ程厳
密に行わずとも所望する全面積に亘つて電気的及
び光学的に均一な光導電層が形成され得るという
点を見出した点にもある。 本発明は電気的・光学的特性が常時安定してい
て、感度が極めて高く、耐光疲労性、耐熱性に著
しく長く、繰返し使用に際しても劣化現象を起さ
ない光導電部材の得られる製造方法を提供するこ
とを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材に
適用させた場合、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事
が容易に出来る光導電部材の得られる製造方法を
提供することである。 本発明のもう一つの目的は、分光感度領域が
略々全可視光域を覆つており暗減衰速度が小さく
て光応答性が速い光導電部材の得られる製造方法
を提供することでもある。 本発明の更にもう一つの目的は、耐摩耗性、ク
リーニング性、耐溶剤性に優れた光導電部材の得
られる製造方法を提供することでもある。 本発明の所期の目的は、支持体上にSiとGeを
母体として形成されたａ―半導体層を、酸素、窒
素、及び、酸素原子又は窒素原子を含む化合物の
中の少なくとも１つを含むか又はそれ等の中の活
性化されたものの中の少なくとも１つを含む雰囲
気中で熱処理してアモルフアス光導電部材（以後
ａ―光導電部材と記す）を製造することによつて
達成される。 又、本発明の所期の目的は (a) 減圧にし得る堆積室内に所望のガスを導入し
て所望の内圧とし、該堆積室内に於けるシリコ
ン及びシリコン化合物の中の少なくとも１つと
ゲルマニウム及びゲルマン化合物の中の少なく
とも１つとが存在する空間に放電を生起させて
ガスプラズマ雰囲気を形成すること； (b) 予め前記堆積室内に設置され、層形成の温度
範囲内に維持されている支持体上にアモルフア
ス半導体を堆積させて所望の厚さにアモルフア
ス半導体層を形成するに充分な時間前記ガスプ
ラズマ雰囲気を維持すること； (c) 前記(b)工程に於いて形成された支持体上のア
モルフアス半導体層を、酸素、窒素、及び酸素
原子又は窒素原子を含む化合物の中の少なくと
も１つを含むか又は、それ等の中の活性化され
たものの中の少なくとも１つを含む雰囲気中で
熱処理すること； を包含する事を特徴とするアモルフアス光導電部
材の製造方法によつて効果的に達成される。 本発明に於いては、支持体上に形成されたａ―
半導体層を、以降詳細に述べられるところの熱処
理を施すことでアモルフアス光導電層（以後、ａ
―光導電層と記す）を形成するものであるが、ａ
―半導体層を支持体上に形成する際の支持体温度
Tsと、層形成後熱処理する温度Taは基本的に
は、所望する特性を有する光導電層が得られる可
き相互関係に再現性及び生産性を加味して決定さ
れる。Tsの上限としては通常の場合100℃、好適
には50℃とされるのが望ましい。Tsの下限とし
ては、余り低く過ぎるとａ―半導電層の表面性が
悪くなるばかりか、その様な温度で形成された層
の物性値は電子写真用像形成部材や撮像管等の光
導電層に要求される物性値の域を逸脱して仕舞つ
て使用に適さない様になるし、又、ＴRから余り
掛離れた温度とすると逆に冷却する為の製御を要
するので、通常の場合にはＴRとされると良い。
尚、本発明に於けるＴRとは20〜25℃を示すもの
とする。 ａ―半導体層形成後、熱処理する温度Taは、
本発明の目的を達成す可き所望の電気的・光学的
特性、更に電子写真に適用する場合には電子写真
特性が得られる範囲に於いて適宜選択されるもの
であるが、通常の場合100℃以上、好適には150℃
以上とされるのが望ましい。 Taの上限としては、形成されたａ―光導電層
が、所望される特性に悪影響を与える程には結晶
化しない温度とされ、通常の場合は450℃とさ
れ、好適には400℃とされるのが望ましい。特
に、Taとして200〜350℃の範囲の温度とすると
最適である。 本発明に於いては、熱処理する時間としては、
形成された層の厚さ、面積、層の形成された支持
体の種類等によつて各々異なるものであるが一般
的には15〜180分とされると良い。 本発明に於いては、形成されたａ―半導体層
は、層形成後熱処理を受ける為に、以降に記され
る如きアニーリング（annealnig）雰囲気形成物
質又は／及びその活性化されたもので形成される
雰囲気中に晒される。 ａ―半導体層を前記雰囲気中で熱処理するに
は、該ａ―半導体層の形成されている支持体を
Taに加熱して行つても良いし、又熱処理の為に
ａ―半導体層が置かれている前記雰囲気の温度
（雰囲気温度）をTaにして行つても良いし、或い
は、前記支持体の温度と前記雰囲気温度の両者を
Taにして行つても良い。 本発明に於いては、所望の層厚及び面積で、所
望の支持体上に形成したａ―半導体層を熱処理す
る際の雰囲気を形成する物質（以後、アニーリン
グ雰囲気形成物質と称する）としては、酸素、窒
素、酸素原子又は窒素原子を含む化合物や空気、
或いはこれ等の混合物を挙げることが出来る。本
発明に於いては、このアニーリング雰囲気形成物
質を、気体として通常存在するそのままの状態
か、又は、プラズマ化、或いはラジカル化して、
ａ―半導体層形成終了後、真空を破ることなく、
ａ―半導体層形成用のと同一の堆積室内に導入し
て引続き熱処理して（連続法No.１）も良いし、該
堆積室の内部のものを真空を破ることなく移転し
得る様に設計されている熱処理室内に導入して引
続き熱処理を行つて（連続法No.２）も良いし、
又、ａ―半導体層形成後、一旦ａ―半導体層形成
用の堆積室より大気中に取り出して、再び前記堆
積室とは別個に設けられている熱処理室に導入し
て熱処理を行つて（不連続法）も良い。 而乍ら、大量生産性と形成されるａ―半導体層
の均一特性化とを一層計る為には、上記３つの熱
処理法の中、連続法No.２が最も好ましいものであ
る。 酸素原子又は窒素原子を含むアニーリング雰囲
気形成物質としては、熱処理時に、形成されたａ
―半導体層中に、本発明の目的達成に不必要な不
純物が取り込まれたり、或いは、化学的又は物理
的に形成されたａ―半導体層を劣化させないもの
であれば、大概のものが使用され得る。その様な
アニーリング雰囲気形成物質としては、好適には
常温に於いて気体状態を取り得るものが有効であ
る。 酸素原子又は窒素原子を含むアニーリング雰囲
気形成物質としては、具体的には、例えば、オゾ
ン（O3）、一酸化炭素（CO）、二酸化炭素
（CO2）、一酸化窒素（NO）、亜酸化窒素
（N2O）、三二酸化窒素（N2O3）、四酸化窒素
（N2O4）、二酸化窒素（NO2）、五酸化窒素
（N2O5）、アンモニア（NH3）、等の他、多数のも
のが有効である。これ等は、本発明の目的達成に
不都合を引起さなければ、必要に応じて二種以上
混合して使用しても良い。 以上の様な条件の下に、熱処理されたａ―半導
体層（ａ―光導電層）は大面積に亘つて、電気的
特性及び光学的特性が均一であつて、而も斯かる
均一性には経時変化がなく、且つ驚く可きことに
は、電子写真用像形成部材に適用した場合、静電
的特性、耐コロナイオン性、耐溶剤性、耐摩耗
性、クリーニング性等に長けている為に、繰返し
使用による電子写真特性の劣化が殆んどない。 この様に、本発明の製造方法によつて形成され
る光導電層は、電子写真用像形成部材や撮像管等
の光導電層として有用であるが、更には、固体イ
メージセンサーの光感知素子部を構成するのにも
有用である。 本発明に於いては、ａ―光導電層は、以下に述
べる支持体上に形成される。例えば、ステンレ
ス、Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、
Pt、Pd等の金属又はこれ等の合金等の導電性支
持体、又は、これ等の金属が蒸着された導電性支
持体或いは、耐熱性、少なくともTaに於いて耐
熱性を示す合成樹脂のフイルム又はシート、又は
ガラス、セラミツク等の電気絶縁性支持体は、等
が有効なものとして挙げられる。支持体はその上
にａ―半導体が堆積される前に、一連の清浄処理
が施される。この様な清浄処理に於いて、一般的
には、例えば金属性支持体であれば、エツチング
によつて表面を効果的に清浄化するアルカリ性又
は酸性の溶液と接触される。その後、支持体は清
浄雰囲気中で乾燥され、その後の準備処理がなけ
れば、次いで放電現象を利用してａ―半導体を支
持体上に堆積させる装置の堆積室内の所定位置に
設置される。 電気絶縁性支持体の場合には、必要に応じて、
その表面を導電処理される。 例えば、ガラスであれば、In2O3，SnO2等でそ
の表面が導電処理され、或いはポリイミドフイル
ム等の合成樹脂フイルムであれば、Al、Ag、
Pb、Zn、Ni、Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、
Ti、Pt等の金属を以つて真空蒸着、電子ビーム
蒸着、スパツタリング等で処理し、又は前記金属
でラミネート処理して、その表面が導電処理され
る。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、
板状等、任意の形状とし得、所望によつて、その
形状は決定されるが、電子写真に適用する場合連
続高速複写用とするには、無端ベルト状又は円筒
状とするのが望ましい。支持体の厚さは、所望通
りのａ―光導電部材が形成される様に適宜決定さ
れるが、ａ―光導電部材として可撓性が要求され
る場合には、支持体としての機能が充分発揮され
る範囲内であれば、可能な限り薄くされる。而乍
ら、この様な場合、支持体の製造上及び取扱い
上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以上と
される。 本発明に於いて、堆積室内に設置された支持体
上にａ―Si及びａ―Geを堆積させて所望層厚の
ａ―半導体層を形成させるには、先ず堆積室内を
所定の圧、例えば１×10-3〜１×10-8Torr程度に
減圧した後、支持体を温度Tsに保持し、次いで
所定のガスを堆積室内に導入して放電現象を生起
させ、シリコン及びシリコン化合物の中の少なく
とも１つとゲルマニウム及びゲルマン化合物の中
の少なくとも１つとが存在する堆積室内の空間に
ガスプラズマ雰囲気を形成し、所望の層厚になる
までの充分な時間該ガスプラズマ雰囲気を維持さ
せれば良い。放電現象を利用する堆積法には、グ
ロー放電法、スパツターリング法、イオンプレー
テイング法等があり、ａ―半導体層は、斯かる堆
積法によつて、支持体上に形成される。 本発明に於いて、所望のプラズマ雰囲気を形成
するに有効な放電現象を堆積室内に生起させるに
はAC又はDCの電源とし、充分なパワーを得る為
には、通常100〜2000V、好適には300〜1500Vの
電圧に調整され、投入される電力としては、通常
0.1〜300W、好適には0.5〜100Wとされるのが良
い。又、更には、ACの場合、その周波数は、通
常0.2〜30MHz、好適には５〜20MHzとされるの
が望ましい。 本発明に於いて、熱処理されるａ―半導体層
は、下記のタイプのａ―半導体の中の一種類で層
形成するか又は少なくとも二種類を選択し、異な
るタイプのものが接合される状態として層形成す
る事によつて得られる。 ｎ型……ドナー（donor）のみを含むもの、
或いは、ドナーとアクセブター（acceptor）と
の両方を含み、ドナーの濃度（Nd）が高いも
の。 ｐ型……アクセブターのみを含むもの。或い
は、ドナーとアクセブターとの両方を含み、ア
クセブターの濃度（Na）が高いもの。 ｉ型……NaNdＯのもの又は、NaNdの
もの。 本発明に於ける光導電層を構成する層としての
〜のタイプのａ―半導体の層は、後に詳述す
る様にグロー放電法や反応スパツタリング法等に
よる層形成の際に、ｎ型不純物又は、ｐ型不純
物、或いは、両不純物を、形成されるａ―半導体
層中にその量を制御してドーピングしてやる事に
よつて形成される。 この場合、本発明者等の実験結果からの知見に
よれば、層中の不純物の濃度を1015〜1019cm-3の
範囲内に調整することによつて、より強いｎ型
（又はより強いｐ型）のａ―半導体層からより弱
いｎ型（又はより弱いｎ型）のａ―半導体層を形
成する事が出来る。 〜のタイプのａ―半導体層は、グロー放電
法、スパツターリング法、イオンインプランテー
シヨン法、イオンプレーテイング法等によつて形
成される。これ等の製造法は、製造条件、設備資
本投下の負荷程度、製造規模、製造されるａ―光
導電部材に所望される電気的・光学的特性等の要
因によつて適宜選択されて採用されるが、所望す
る特性を有するａ―光導電部材を製造する為の制
御が比較的容易である、〜のタイプに制御す
る為に形成されるａ―半導体層中に不純物を導入
するのに族又はＶ族の不純物を置換型で導入す
ることが出来る等の利点からグロー放電法が好適
に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用してａ―
半導体層を形成しても良い。 形成されるａ―半導体層は、目的とする特性を
有する可く、その暗抵抗及び光電利得が、その形
成時にＨを含有させて制御される。ここに於い
て、「ａ―半導体層中にＨが含有される」という
ことは、「Ｈが、Si又はGeと結合した状態」、「Ｈ
がイオン化して層中に取り込まれている状態」又
は「H2として層中に取り込まれている状態」の
何れかの又はこれ等の複合されている状態を意味
する。ａ―半導体層へのＨの含有は、層を形成す
る際、製造装置系内にSiH4，Si2H6，GeH4等の化
合物又はH2の形で導入し、気体放電によつて、
それらの化合物又はH2を分解して、ａ―半導体
層中に、層の成長に併せて含有させる。 本発明者の知見によれば、ａ―半導体層中への
Ｈの含有量は、形成されるａ―光導電部材が、実
際面に於いて適用され得るか否かを左右する大き
な要因の一つであつて、極めて重要であることが
判明している。 本発明に於いて、形成されるａ―光導電部材を
実際面に充分適用させ得る為には、ａ―光導電層
中に含有されるＨの量は通常の場合10〜
40atomic％、好適には15〜30atomic％とされる
のが望ましい。ａ―光導電層中へのＨ含有量が上
記の数値範囲に限定される理由の理論的裏付は今
の処、明確にされておれず推論の域を出ない。而
乍ら、数多くの実験結果から、上記数値範囲外の
Ｈの含有量では、例えば電子写真用の像形成部材
の光導電層としての要求に応じた特性に制御する
のが極めて困難である、製造された電子写真用像
形成部材は照射される電磁波に対する感度が極め
て低い、又は場合によつては、該感度が殆んど認
められない、電磁波照射によるキヤリアーの増加
が小さい等が認められ、Ｈの含有量が上記の数値
範囲内にあるのが必要条件であることが裏付けら
れている。ａ―光導電層中へのＨの含有は、例え
ば、グロー放電法では、ａ―半導体を形成する出
発物質がSiH4，Si2H6等のシリコンの水素化物と
GeH4等の水素化物ゲルマンとを使用するので、
SiH4，Si2H6，GeH4等の水素化物が分解してａ―
半導体層が形成される際Ｈは自動的に層中に含有
されるが、更にＨの層中への含有を一層効率良く
行なうには、ａ―半導体層を形成する際に、グロ
ー放電を行なう装置系内にH2ガスを導入してや
れば良い。 スパツターリング法による場合にはAr等の不
活性ガス又はこのガスをベースとした混合ガス雰
囲気中で、SiとGeとの２つをターゲツトとして
又は（Si＋Ge）混合系をターゲツトとしてスパ
ツターリングを行なう際に、H2ガスを導入して
やるか又はSiH4，Si2H6等の水素化硅素ガスや
GeH4等の水素化ゲルマニウムガス、或いは、不
純物のドーピングも兼ねてB2H6，PH3等のガスを
導入してやれば良い。 ａ―半導体層は、製造時の不純物のドーピング
によつて前記〜のタイプに制御することがで
きる。 ａ―半導体層中にドーピングされる不純物とし
ては、ａ―半導体層をＰ型にするには、周期律表
第族Ａの元素、例えばＢ，Al，Ga，In，Tl等
が好適なものとして挙げられ、ｎ型にする場合に
は、周期律表第族Ａの元素、例えば、Ｎ，Ｐ，
As，Sb，Bi等が好適なものとして挙げられる。 ａ―半導体層中にドーピングされる不純物の量
は、所望される電気的・光学的特性に応じて適宜
決定されるが、周期律表第族Ａの不純物の場合
には通常10-6〜10-3atomic％、好適には10-5〜
10-4atomic％、周期律表第族Ａの不純物の場合
には、通常10-8〜10-3atomic％、好適には10-8〜
10-4atomic％とされるのが望ましい。 これ等不純物のａ―半導体層中へのドーピング
方法は、ａ―半導体層を形成する際に採用される
製造方法によつて各々異なるものであつて、具体
的には、以降の説明又は実施例に於いて詳述され
る。 ａ―光導電層の層厚としては、所望される電気
的・光学的特性及び電子写真に適用する場合には
電子写真特性、更には使用条件、例えば、可撓性
が要求されるか否か等に応じて適宜決定されるも
のであるが、通常の場合５〜80μ、好適には10〜
70μ、最適には10〜50μとされるのが望ましい。 次に本発明に於いて、グロー放電法及びスパツ
ターリング法を採用した場合に就て説明する。 第１図は、キヤパシタンスタイプグロー放電法
によつて、ａ―光導電部材を製造する為の装置の
模式的説明図である。 １０１はグロー放電堆積室であつて、内部に
は、ａ―光導電層を形成する為の支持体１０２が
固定部材１０３に固定されており、支持体１０２
の下部側には、支持体１０２を加熱する為のヒー
ター１０４が固定部材１０３とは電気的に絶縁さ
れて設置されている。支持体１０２の設置される
固定部材１０３は、矢印Ｘで示す様に上下に移動
可能な様に設けられており、堆積室１０１内に生
起されるグロー放電領域中の任意の位置に支持体
１０２を配置し得る様になつている。堆積室１０
１の上部には、高周波電源１０５と接続されてい
るキヤパシタンスタイプ電極１０６，１０７が巻
かれており、前記高周波電源１０５がONされる
と前記電極１０６，１０７に高周波電力が印加さ
れて堆積室１０１内にグロー放電が生起される様
になつている。堆積室１０１の上端部には、ガス
導入管が接続されており、ガスボンベ１０８，１
０９，１１０，１１１，１１２より各々のボンベ
内のガスが必要時に堆積室１０１内に導入される
様になつている。１１３，１１４，１１５，１１
６，１１７は各々フロメータであつてガスの流量
を検知する為のメータであり、又、１１８，１１
９，１２０，１２１，１２２は流量調整バルブ、
バルブ１２８は補助バルブである。 又堆積室１０１の下端部はメインバルブ１２９
を介して排気装置（図示されていない）に接続さ
れている。１３０は、堆積室１０１内の真空を破
る為のバルブである。 堆積室１０１の左側には、堆積室１０１で形成
されたａ―半導体層を熱処理する為の室である熱
処理室１３１が連結して設けられている。堆積室
１０１と熱処理室１３１とは、真空を破ることな
く、ゲードバルブ１４０を開閉する事によつて、
中のものを移動する事が出来又独立した室とし得
ることも出来る様に設計されている。 １３２は、熱処理室１３１内でａ―半導体層を
熱処理する際に使用される加熱炉であつて、例え
ば赤外線加熱手段やヒーターを内蔵した加熱手段
を用いることが出来る。 熱処理室１３１の左端部の延長部には、熱処理
室１３１にボンベ１３３よりアニーリング雰囲気
形成物質が導入される様にガス導入管が接続され
ている。１３４，１３９はバルブ、１３６は流量
調節バルブ、１３５はフローメーターである。 前記ガス導入管の流量調節バルブ１３５とバル
ブ１３９との間には、高周波電源１３７と接続さ
れているインダクタンスコイル１３８が巻回され
ていて、ボンベ１３３より熱処理室１３１にアニ
ーリング雰囲気形成物質を導入するに際して必要
に応じて、予め該雰囲気形成物質をプラズマ化か
又はラジカル化等の活性化が行える様になつてい
る。 １４２は、補助加熱炉であつて、熱処理室１３
１に導入されるアニーリング雰囲気形成物質又は
その活性化したものを、熱処理室１３１に導入す
る前に予め所定の温度に加熱する為の手段であ
る。 第１図のグロー放電堆積装置を使用して、支持
体１０２上に所望特性のａ―光導電層を形成する
には、先ず、所定の清浄化処理を施した支持体１
０２を清浄化面を上面にして固定部材１０３に固
定する。 支持体１０２の表面を清浄化するには、通常、
実施されている方法、例えば、中性洗剤溶液、純
水、アルカリ又は酸等による化学的処理法が採用
される。又ある程度清浄化した後、堆積室１０１
内の所定位置に設置し、その上にａ―光導電層を
形成する前にグロー放電処理を行つても良い。こ
の場合、支持体１０２の清浄化処理からａ―光導
電層形成迄同一系内で真空を破ることなく行うこ
とが出来るので、清浄化した支持体面に汚物や不
純物が付着するのを避けることが出来る。支持体
１０２を固定部材１０３に固定したら、メインバ
ルブ１２９を全開して堆積室１０１内の空気を矢
印Ａで示す様に排気して、真空度10-5torr程度
にする。堆積室１０１内が所定の真空度に達した
後、必要に応じてヒーター１０４を点火して支持
体１０２を加熱し、所定温度に達したら、その温
度に保つ。 次に補助バルブ１２８を全開し、続いてガスボ
ンベ１０８のバルブ１２３及びガスボンベ１０
９，１１０のバルブ１２４，１２５を各々を全開
する。ガスボンベ１０８は例えばArガス等の稀
釈ガス用であり、ガスボンベ１０９，１１０はａ
―半導体層を形成する為の原料ガス用であつて、
ガスボンベ１０９は、例えば、SiH4，Si2H6，
Si4H10又は、それ等の混合物等が、ガスボンベ１
１０には、例えばGeH4等が各々貯蔵されてい
る。又、ボンベ１１１及びボンベ１１２は必要に
応じてａ―半導体層中に不純物を導入する為の原
料ガス用であつて、各々PH3，P2H4，B2H4，
B2H6等が貯蔵されている。その後ガスボンベ１
０８，１０９及び１１０の流量調節バルブ１１
８，１１９，１２０を、フローメータ１１３，１
１４及び１１５を見乍ら、各々徐々に開口し、堆
積室１０１内に稀釈ガスとして例えばArガス、
及び、例えば、SiH4ガス等とGeH4ガス等とのａ
―半導体形成用の原料ガスを導入する。この時
Arガス等の稀釈ガスは必ずしも要するものでは
なく、SiH4ガス等とGeH4ガス等との前記原料ガ
スのみ導入しても良い。Arガスをａ―半導体層
形成用の原料ガスに混合して導入する場合、その
量的割合は、所望に従つて決定されるが、通常の
場合、稀釈ガスに対して前記原料ガスが10Vol％
以上とされる。尚稀釈ガスとしてArガスの代り
にHeガス等の稀ガスを使用しても良い。 堆積室１０１内に、ボンベ１０８，１０９，１
１０よりガスが導入された時点に於いて、メイン
バルブ１２９を調節して、所定の真空度、通常の
場合は、ａ―半導体層を形成する時のガス圧で
10-2〜3Torrに保つ。次いで、堆積室１０１外に
巻かれたキヤパシタンスタイプの電極１０６，１
０７に高周波電源１０５により所定周波数、通常
の場合は0.2〜30MHzの高周波電圧を加えてグロ
ー放電を堆積室１０１内に起すと、例えば、
SiH4ガス及びGeH4ガスが分解して、支持体１０
２上にSiとGeからなる半導体が堆積されてａ―
半導体層が形成される。 形成されるａ―半導体層中に不純物を導入する
際には、ボンベ１１１又はボンベ１１２より不純
物生成用のガスを、ａ―半導体層形成時に堆積室
１０１内に導入してやれば良い。この場合、流量
調節バルブ１２１又は１２２を適当に調節するこ
とにより、ボンベ１１１又はボンベ１１２よりの
堆積室１０１へのガスの導入量を適切に制御する
ことが出来るので、形成されるａ―半導体層中に
導入される不純物の量を任意に制御することが出
来る他、更に、ａ―半導体層の厚み方向に不純物
の量を変化させることも容易に成し得る。 次に、支持体１０２上に所定層厚のａ―半導体
層が形成された後、高周波電源１０５をOFFに
してバルブ１１８，１１９，１２０，１２８及び
必要に応じてバルブ１２１，１２２を閉じる。 この場合、支持体１０２の温度を維持するため
のヒーター１０４は引続きON状態のままにして
も良いし、又OFF状態としても良い。次に、メ
インバルブ１４５を全開して所定の真空度に矢印
Ｂで示す様に予め排気してある熱処理室１３１の
点線で示した位置に、ゲートバルブ１４０を開い
て、そして一対の回転ローラ１４３及び１連の複
数の回転ローラー１４４によつて、支持体１０２
上に形成したａ―半導体層を転送する。その後、
ゲートバルブ１４０は再び閉じられる。 この場合、熱処理室１３１は、加熱炉１３２に
よつて予め昇温されていても良いし、又、ａ―半
導体層を点線で示す位置に堆積室１０１より移動
して、ゲートバルブ１４０を閉じた後に昇温を開
始しても良い。 ａ―半導体層の導入された熱処理室１３１は、
バルブ１３４，１３９を全開し、フローメーター
１３５を見乍ら、流量調節バルブ１３６を徐々に
開いて、ボンベ１３３内より、アニーリング雰囲
気形成物質が導入され、前記流量調節バルブ１３
６とメインバルブ１４５を調節して所定の内圧と
されて、熱処理が開始される。この場合の熱処理
室１３１の内圧は、大気圧以上の加圧であつて
も、又大気圧以下の減圧であつても良い。 次に、ａ―半導体層が所定時間熱処理された
後、流量調節バルブ１３６、バルブ１３９を閉
じ、加熱炉１３２をOFFにする。 その後、支持体１０２を回転ローラ１４４によ
つて取出蓋１４１の方向に移動させて所定の温度
に冷却し、メインバルブ１４５を閉じ、リークバ
ルブ１４６を徐々に用いて、取出蓋１４１を開い
て、支持体１０２上に形成されたａ―光導電層
（熱処理されたａ―半導体層）を外部に取出す。 第１図に示される装置に於いては、RF（radio
frequency）キヤパスタンスタイプグロー放電法
が採用されているが、この他、RFインダクタン
スタイプ、DC二極タイプ等のグロー放電法も本
発明に於いて採用される。又、グロー放電の為の
電極は、堆積室１０１の内に設けても良いし又堆
積室１０１の外に設けても良い。 第２図は、本発明に於いて、スパツターリング
法によつてａ―光導電部材を製造する為の装置の
一つを示す模式的説明図である。 ２０１は堆積室であつて、内部には、ａ―光導
電層を形成する為の支持体２０２が堆積室２０１
とは電気的に絶縁されている導電性の固定部材２
０３に固定されて所定位置に設置されている。支
持体２０２の下方には、支持体２０２を加熱する
為のヒーター２０４が配置され、上方には、所定
間隔を設けて支持体２０２と対向する位置に所定
の割合比になつているSiとGeから成るターゲツ
ト２０５が電極２０６に設置されている。Siター
ゲツトとGeターゲツトを使用する場合には、２
つのターゲツトを電極２０６に取付けるか又は、
２つのターゲツトを各々の為に設けられる電極に
各々取付けて使用する。 支持体２０２が設置されている固定部材２０３
とターゲツト２０５間には、高周波電源２０７に
よつて、高周波電圧が印加される様になつてい
る。又、堆積室２０１には、ボンベ２０８，２０
９，２１０，２１１が各々、バルブ２１２，２１
３，２１４，２１５、フローメータ２１６，２１
７，２１８，２１９、流量調節バルブ２２０，２
２１，２２２，２２３、補助バルブ２２４を介し
て接続されており、ボンベ２０８，２０９，２１
０，２１１より必要時に堆積室２０１内にガスが
導入される様になつている。 尚、第２図の装置に於いても補助バルブ２２４
と堆積室２０１間のガス導入管経路途中に、第１
図の装置と同様のアニーリング雰囲気形成物質を
活性化、例えばプラズマ化或いはラジカル化する
ための手段を設けて、堆積室２０１内に、アニー
リング雰囲気形成物質を導入する前に活性化する
様にしても良い。 今、第２図の装置を用いて、支持体２０２上に
ａ―光導電層を形成するには、先ず、堆積室２０
１内の空気を矢印Ｃで示す様に、適当な排気装置
を使用して排気して所定の真空度にする。次に、
必要に応じてヒーター２０４を点火して支持体２
０２を所定の温度まで加熱する。 次に、支持体２０２が所定の温度に保持されて
いることを検知した後、補助バルブ２２４、バル
ブ２１２，２１３を全開する。次いでメインバル
ブ２２５及び流量調節バルブ２２１を調節しなが
らボンベ２０９よりH2ガスを堆積室２０１内に
所定の真空度になるまで導入し、その真空度に保
つ。 続いて、流量調節バルブ２２０を開いて、ボン
ベ２０８より例えばArガス等の雰囲気ガスを堆
積室２０１内に所定の真空度になるまで導入し、
その真空度に保つ。この場合の、H2ガス、及び
Arガス等の雰囲気ガスの堆積室２０１内への流
量は所望する物性のａ―半導体層が形成される様
に適宜決定される。例えば、堆積室２０１内の雰
囲気ガスとH2ガスの混合ガスの圧力は真空度
で、通常は10-3〜10-1Torr、好適には５×10-3〜
３×10-2Torrとされる。Arガスは、Heガス等の
稀ガスに代えることも出来る。 堆積室２０１内に、ボンベ２０８，２０９より
所定の真空度になるまで、Arガス等の雰囲気ガ
ス及びH2ガスが導入された後、高周波電源２０
７により、所定の周波数及び電圧で、支持体２０
２が設置されている固定部材２０３とターゲツト
２０５間に高周波電圧を印加して放電させ、生じ
た例えばArイオン等の雰囲気ガスのイオンでタ
ーゲツト２０５のSiとGeをスパツターリング
し、支持体２０２上にａ―半導体層を形成する。 第２図の説明に於いては、高周波電界放電によ
るスパツターリング法であるが、別に直流電界放
電によるスパツターリング法を採用しても良い。
スパツターリング法に於いてもグロー放電法と同
様に不純物のドーピングによつて、形成されるａ
―半導体層をｎ型或いはｐ型に調整することが出
来る。不純物の導入法は、スパツターリング法に
於いてもグロー放電法と同様であつて、例えば、
PH3，P2H4，B2H6等の如き物質をガス状態でａ
―半導体層形成時にボンベ２１０より堆積室２０
１内に導入して、ａ―半導体層中にＰ又はＢを不
純物としてドーピングする。この他、又、形成さ
れたａ―半導体層に不純物をイオンインプランテ
ーシヨン法によつて導入しても良い。この場合、
ａ―半導体層の極薄い表面層を特定の伝導型に容
易に制御することが出来る。 次に、支持体２０２上に所定層厚のａ―半導体
層が形成された後、高周波電源２０７をOFFに
してバルブ２２０，２２１、及び必要に応じてバ
ルブ２２２を閉じ、堆積室２０１内にあるガスを
充分排気する。この際、支持体２０２の温度を維
持するヒーター２０４は引き続きONの状態のま
までも良いし、又、OFFされても良い。 その後、支持体２０２を熱処理温度Taに保持
して、バルブ２１５を全開し、次いで流量調節バ
ルブ２２３を徐々に開き乍ら、ボンベ２１１より
堆積室２０１内にアニーリング雰囲気形成物質を
導入すると共に、メインバルブ２２５を調整し
て、堆積室２０１の内圧を所定圧にし、所定時間
熱処理を行う。 所定時間、熱処理を行つた後、流量調節バルブ
２２３及び補助バルブ２２４を閉じ、ヒーター２
０４をOFF状態にして、所定温度（通常は室
温）になる様に、熱処理を受けたａ―半導体層
（ａ―光導電層）を冷却する。その後、これを外
部に取り出す。 実施例 １ 第１図に示す装置を用い、以下の様にして電子
写真用像形成部材を作成し、画像形成処理を施し
て画像出しを行つた。34cm×27cmの厚さ２mmの
SnO2の透明導電膜を表面に有するガラス基板
（支持体１０２）を中性洗剤にて洗浄後、超音波
洗浄、流水によるすすぎ、純水洗浄、エチルアル
コールと水酸化カリウムによる洗浄、純水洗浄、
超音波洗浄の工程で十分洗浄を行つて乾燥した。
この様にして、用意した支持体１０２をグロー放
電堆積室１０１内の所定位置にある固定部材１０
３の所定位置に堅固に固定した。 次いで、メインバルブ１２９を全開して堆積室
１０１内の空気を排気し、約５×10-5Torrの真
空度にした。その後ヒーター１０４を点火して支
持体を均一に加熱して50℃に上昇させ、この温度
に保つた。その後、補助バルブ１２８を全開し、
引続いてボンベ１０８のバルブ１２３、ボンベ１
０９のバルブ１２４を全開した後、流量調節バル
ブ１１８及び１１９を徐々に開いて、ボンベ１０
８よりArガスを、ボンベ１０９よりSiH4ガスを
堆積室１０１内に導入した。この時、メインバル
ブ１２９を調節して堆積室１０１内の真空度が約
0.07Torrに保持される様にした。続いて、GeH4
ガスを（純度99.999％）ボンベ１１０のバルブ１
２５を開き、流量調節バルプ１２０を徐に開け、
フロメーター１１５の読みが、SiH4ガスの流量
の30％になるように流量調節バルブ１２０の開口
を定め、安定化させた。この時の堆積室１０１の
内圧は約0.05Torrであつた。 続いて、高周波電源１０５のスイツチをONに
して、電極１０６，１０７に13.56MHzの高周波
電力を投入し、堆積室１０１内部にグロー放電を
発生させ100Wの入力電力とした。この様な条件
の下で支持体１０２上にａ―半導体層を生長さ
せ、18時間同条件を保つて約20μ厚のａ―半導体
（Ｈが含有されている）層を形成した。その後、
引続き堆積室１０１内を真空に引き乍ら高周波電
源１０５をOFF状態としてグロー放電を中止さ
せると共に、流量調節バルブ１１８〜１２０、バ
ルブ１２３〜１２５補助バルブ１２８を閉じて、
堆積室１０１内の圧力を約１×10-5Torrとして
10分間その真空度に保つた。この時、支持体の温
度としては層形成時の温度を維持した。この間熱
処理室１３１内もバルブ１４５を開いて空気を排
気し約１×10-5Torrの真空度にした。その後ゲ
ートバルブ１４０を開き１回転ローラ１４３，１
４４を回転させることにより予め加熱炉１３２に
より250℃に昇温された熱処理室１３１の点線で
示す位置にａ―半導体が堆積された支持体１０２
を移動させ、ゲートバルブ１４０を閉じた。直ち
にバルブ１３４，１３９を全開し、引き続いて流
量調節バルブ１３６を徐々に開くと共にメインバ
ルブ１４５を調節し乍らボンベ１３３よりO2ガ
スを導入して、熱処理室１３１の内圧を約
100Torrとし、この状態を熱処理をする間維持し
た。この様にして250℃の温度で30分間熱処理を
行つた。この様にして作成した電子写真用像形成
部材を、熱処理終了後、回転ローラ１４４により
支持体１０２を取出蓋１４１の方に移動させ、バ
ルブ１４５、バルブ１３４、流量調節バルブ１３
６、バルブ１３９を閉じ、代りにリークバルブ１
４６を開いて熱処理室１３１内の真空を破り、外
部に取り出した。この電子写真用像形成部材に、
暗中に於いて電源電圧5500Vでコロナ放電を光
導電層表面に行い、次いで15lux・secの露光量で
画像露光を行つて、静電像を形成し、該静電像を
カスケード法により荷電されたトナーで現象し
て転写紙上に転写・定着したところ解像力が高く
極めて鮮明な画像が得られた。 この様な画像形成処理を繰返し、前記電子写真
用像形成部材に施し、この電子写真用像形成部材
の耐久性に就て試験したところ、10万枚目の転写
紙上に得られた画像も極めて良質であつて、一枚
目の転写紙上の画像と較べても何等差違はなく、
この電子写真用像形成部材が耐コロナイオン性、
耐摩耗性、クリーニング性等に優れ著しく耐久性
に富んでいることが実証された。尚、クリーニン
グ法としてはプレードクリーニングを採用し、プ
レードはウレタンゴムで成型したものを使用し
た。 実施例 ２ 第１表に示す様な条件にした以外は、実施例１
と同様な条件及び手順によつて、通常の方法で清
浄化処理したアルミニウム支持体上にａ―半導体
層を形成し、引続いて第２表に示す温度で60分間
熱処理を行つた後、堆積室１０１外に取り出して
試料No.ｓ〜で示される電子写真用像形成部材
を各々得た。又、別に熱処理を行わない以外は試
料No.ｓ〜と同様の条件で製造した電子写真用
像形成部材を比較試料とした。これ等の電子写真
用像形成部材に、暗中に於いて電源電圧5500Vで
コロナ放電を光導電層表面に行い、次いで
15lux・secの露光量で画像露光を行つて、静電像
を形成し、該静電像をカスケード法により荷電
されたトナーで現像して転写紙上に転写・定着
し、得られた転写画像について、評価を行つた。
その結果を第２表に示す。
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線、等を示
す）の様な電磁波に感受性のあるアモルフアス光
導電部材の製造方法に関する。 テレビ用の撮像管や電子写真用像形成部材等に
於ける光導電層を構成する光導電材料としては、
高感度、高抵抗であつて、視感度に出来る限り近
いスペクトル特性を有する事、製造時や使用時に
於いて、人体に対して無公害である事、更には撮
像管に於いては、残像を所定時間内に容易に制御
する事が出来る事等の特性が要求される。殊に、
事務機としてオフイスで使用される電子写真装置
内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合に
は、上記の使用時に於ける無公害性は重要な点で
ある。而乍ら、従来の、例えば実用化されている
撮像管の光導電層を構成する光導電材料である
PbO，Se―As―Te，CdSe，Sb2S3等、又電子写
真用像形成部材の光導電層を構成する光導電材料
であるSe，CdS，ZnO等の無機光導電材料やポリ
―Ｎビニルカルバゾール（PVK）、トリニトロフ
ルオレノン（TNF）等の有機光導電材料
（OPC）は、上記の諸条件の総てを水準以上で必
ずしも満足しているとは断言し難い。 例えば、電子写真用像形成部材の場合に就て述
べれば、Seを光導電層形成材料とする電子写真
用像形成部材は、Se単独では、例えば、可視光
領域の光を利用する場合、その分光感度領域が狭
いのでTeやAsを添加して分光感度領域を拡げる
ことが計られている。 而乍ら、この様な、TeやAsを含むSe系光導電
層を有する電子写真用像形成部材は、確かに分光
感度領域は改良されるが、光疲労が大きくなる為
に、同一原稿を連続的に繰返し、コピーすると複
写画像の画像濃度の低下やバツクグランドの汚れ
（白地部分のカブリ）を生じたり、又、引続き他
の原稿をコピーすると前の原稿の画像が残像とし
て複写される（ゴースト現象）等の欠点を有して
いる。 而も、Se、殊にAs，Teは人体に対して極めて
有害な物質であるので、製造時に於いて、人体へ
の接触がない様な製造装置を使用する工夫が必要
であつて、装置への資本投下が著しく大きい。更
には、製造後に於いても、光導電層が露呈してい
ると、クリーニング等の処理を受ける際、光導電
層表面は直に摺擦される為に、その一部が削り取
られて、現像剤中に混入したり、複写機内に飛散
したり、複写画像中に混入したりして、人体に接
触する原因を与える結果を生む。又、Se系光導
電層は、その表面がコロナ放に、連続的に多数回
繰返し晒されると、層の表面付近が結晶化又は酸
化を起して光導電層の電気的特性の劣化を招く場
合が少なくない。或いは、又、光導電層表面が露
呈していると、静電像の可視化（現像）に際し、
液体現像剤を使用する場合、その溶剤と接触する
為に耐溶剤性（耐液現性）に優れていることが要
求されるが、この点に於いて、Se系光導電層は
必ずしも満足しているとは断言し難い。 又、別には、Se系光導電層は、通常の場合真
空蒸着によつて形成されるので、所期の光導電特
性を有する光導電層を再現性良く得るには、蒸着
温度、蒸着基板温度、真空度、冷却速度等の各種
の製造パラメーターを厳密に調整する必要があ
る。 又、Se系光導電層は、電子写真用像形成部材
の光導電層としての高暗抵抗を保有する為に、ア
モルフアス状態に形成されるが、Seの結晶化が
約65℃と極めて低い温度で起る為に、製造後の取
扱い中に、又は使用中に於ける周囲温度や画像形
成プロセス中の他の部材との摺擦による摩擦熱の
影響を多分に受けて結晶化現象を起し、暗抵抗の
低下を招き易いという耐熱性上にも欠点がある。 一方、ZnO，CdS等を光導電層構成材料として
使用する電子写真用像形成部材は、その光導電層
が、ZnOやCdS等の光導電材料粒子を適当な樹脂
結合剤中に均一に分散して形成されている。こ
の、所謂バインダー系光導電層を有する像形成部
材は、Se系光導電層を有する像形成部材に較べ
て製造上に於いて有利であつて、比較的製造コス
トの低下を計ることが出来る。即ち、バインダー
系光導電層は、ZnOやCdSの粒子と適当な樹脂結
着剤とを適当な溶剤を用いて混練して調合した塗
布液を適当な基体上に、ドクターブレード法、デ
イツピング法等の塗布方法で塗布した後固化させ
るだけで形成することが出来るので、Se系光導
電層を有する像形成部材に較べ製造装置にそれ程
の資本投下をする必要がないばかりか、製造法自
体も簡便且つ容易である。 而乍ら、バインダー系光導電層は、基本的に構
成材料が光導電層材料と樹脂結着剤の二成分系で
あるし、且つ光導電材料粒子が樹脂結着剤中に均
一に分散されて形成されなければならない特殊性
の為に、光導電層の電気的及び光導電的特性や物
理的化学的特性を決定するパラメーターが多く、
従つて、斯かるパラメーターを厳密に調整しなけ
れば所望の特性を有する光導電層を再現性良く形
成することが出来ずに歩留りの低下を招き量産性
に欠けるという欠点がある。 又、バインダー系光導電層は、分散系という特
殊性故に、層全体がポーラスになつており、その
為に湿度依存性が著しく、多湿雰囲気中で使用す
ると電気的特性の劣化を来たし、高品質の複写画
像が得られなくなる場合が少なくない。 更には、光導電層のポーラス性は、現像の際の
現像剤の層中への侵入を招来し、離型性、クリー
ニング性が低下するばかりか使用不能を招く原因
ともなり、殊に、液体現像剤を使用すると毛細現
象による促進をうけてそのキヤリアー溶剤と共に
現像剤が層中に侵透するので上記の点は著しいも
のとなり、光導電層表面を表面被覆層で覆うこと
が必要となる。 而乍ら、この表面被覆層を設ける改良も、光導
電層のポーラス性に起因する光導電層表面の凹凸
性故に、その界面が均一にならず、光導電層と表
面被覆層との接着性及び電気的接触性の良好な状
態を得る事が仲々困難であるという欠点が存す
る。 又、CdSを使用する場合には、CdS自体の人体
への影響がある為に、製造時及び使用時に於い
て、人体に接触したり、或いは、周囲環境下に飛
散したりすることのない様にする必要がある。
ZnOを使用する場合には、人体に対する影響は殆
んどないが、ZnOバインダー系光導電層は光感度
が低く、分光感度領域が狭い、光疲労が著しい、
光応答性が悪い等の欠点を有している。 又、最近注目されているPVKやTNF等の有機
光導電材料を使用する電子写真用像形成部材に於
いては、表面が導電処理されたポリエチレンテレ
フタレート等の適当な支持体上にPVKやTNK等
の有機光導電材料の塗膜を形成するだけで光導電
層を形成出来るという製造上に於ける利点及び可
撓性に長けた電子写真用像形成部材が製造出来る
という利点を有するものであるが、他方に於い
て、耐湿性、耐コロナイオン性、クリーニング性
に欠け、又光感度が低い、可視光領域に於ける分
光感度領域が狭く且つ短波長側に片寄つている等
の欠点を有し、極限定された範囲でしか使途に供
されていない。然もこれ等の有機光導電材料の中
には発癌性物質の疑いがあるものもある等、人体
に対してその多くは全く無害であるという保証が
なされていない。 従つて、上述の諸問題点の解決された優れた光
導電部材が得られる様な第３の材料が所望されて
いる。 その様な材料として最近有望視されているもの
の中に例えばアモルフアスシリコン（以後ａ―Si
と略記する）やアモルフアスゲルマニウム（以後
ａ―Geと略記する）がある。 ところで、ａ―Si膜やａ―Ge膜は、開発初期
のころは、その製造法や製造条件によつて、その
構造が左右される為に種々の電気的特性、光学的
特性を示し、再現性の点に大きな問題を抱えてい
た。例えば、初期に於いて、真空蒸着法やスパツ
ターリング法で形成されたａ―Si膜は、ボイド等
の欠陥を多量に含んでいて、その為に電気的性質
も光学的性質も大きく影響を受け、基礎物性の研
究材料としてもそれ程注目されてはいず、応用の
為の研究開発もされなかつた。而乍ら、アモルフ
アスではｐ，ｎ制御が不可能とされていたのが、
ａ―Siに於いて、1976年初頭にアモルフアスとし
て初めてｐ―ｎ接合が実現し得るという報告
（Applid Physics Letter；Vol28，No.２，
15January1976）が成されて以来、大きな関心が
集められ、以後主として太陽電池への応用に研究
開発力が注がれて来ている。 この為、これ迄に報告されているａ―Si膜は、
太陽電池用として開発されたものであるので、そ
の電気的特性・光学的特性の点に於いて、電子写
真用像形成部材や撮像管等の光導電層としては使
用し得えないのが現状である。即ち、太陽電池
は、太陽エネルギーを電流の形に変換して取り出
すので、SN比〔光電流（ip）／暗電流（id）〕が
良くて、効率良く電流を取り出すには、ａ―Si膜
の抵抗は比較的小さくなければならないが、余り
抵抗が少さ過ぎると光感度が低下し、SN比が悪
くなるので、その特性の一つとしての抵抗は105
〜108Ω・cm程度が要求される。 而乍ら、この程度の抵抗（暗抵抗：暗所での抵
抗）を有するａ―Si膜では、例えば電子写真用像
形成部材や撮像管等の光導電層としては、余りに
も抵抗（暗抵抗）が低く過ぎて、現在、知られて
いる電子写真法を適用するのでは全く使用し得な
い。この暗抵抗の問題はａ―Geに就ても同様に
云う事が出来る。 又、これ迄のａ―Si膜に関する報告では、暗抵
抗を増大させると光感度が低下し、例えば、暗低
抗が1010Ω・cmでのａ―Si膜は、光電利得（入
射photon当りの光電流）が低下しており、この
点に於いても、従来のａ―Si膜は電子写真用像形
成部材や撮像管等の光導電層とは成り得なかつ
た。 従つて、電子写真用像形成部材や撮像管等の光
導電層として充分適用される可き暗抵抗と光感度
を具備する光導電層を製造する方法が、再現性と
生産性を加味して開発される必要がある。 ところで、ａ―Si層やａ―Ge層は一般的に
は、グロー放電法やスパツタリング法等の放電現
象を利用する堆積法によつて適当な支持体上に形
成される。 この様な堆積法によつてａ―Siやａ―Ge層を
形成する場合、層形成時の支持体温度によつて形
成された層の暗抵抗と光感度が変わることは種々
の報告書や文献に示されている。 即ち、例えば、ａ―Si層の場合、支持体温度を
300℃程度の高温に保持して層形成すれば電気的
特性の一つであるSN比の増大を計る事が出来
る。而乍ら、ａ―Siの層成長速度は、例えばSe
等に較べて遥かに遅い為、先の様な高温を電子写
真用像形成部材や撮像管等の光導電層に要求され
る層厚になる迄精度良く一定に維持することは甚
だ困難である。更に、電子写真用像形成部材の光
導電層の場合には、総受光面は、通常の場合であ
つても例えばA4判やB4判程度以上の大面積を要
するものであるから、この様な大面積に亘つて層
形成終了まで先に示した様な高温状態を均一に保
持する為に温度制御する事は現在の技術では至難
の術である。然も、支持体温度を変化させる場合
に於いても、先の様な大面積に亘つて、場所によ
る温度の変化率斑のない様に制御することすらも
難しい。 この様に所望の暗抵抗、明抵抗及び光感度を得
る為に支持体温度を高温で長時間且つ温度斑のな
い様に大面積に亘つて制御するのは極めて困難で
ある。従つて、層形成時の場所及び時間による温
度斑が生じ、大面積に亘つて層厚の均一化が計れ
ないばかりか、光導電層に要求される電気的及び
光学的特性の均一化を計ることも出来ない。 本発明は上記の点に鑑み成されたものであつ
て、ａ―Siやａ―Geに就て電子写真用像形成部
材や撮像管等の光導電層への適用という観点か
ら、総括的に鋭意研究検討を続けた結果、所定の
方法でSiとGeを母体として形成したアモルフア
ス半導体層（以後、ａ―半導体層と記す）を、あ
る特定の温度（Ta）で、ある特定の雰囲気中で
熱処理すれば、本発明に於いて所望される優れた
特性を有する光導電層と成る事を見出した点に主
として基いている。 又、本発明は、比較的温度制御の容易な室温
（ＴR）近辺の支持体温度で形成した、電子写真用
像形成部材や撮像管等の光導電層としては電気
的・光学的特性が極めて悪い為に従来適用され得
ない光導電層であつても、層形成後、ある特定の
温度（Ta）と雰囲気で熱処理を行つてやれば、
要求される電気的特性を充分満足することを見出
した点にある。 更には又、熱処理の際の温度制御は、それ程厳
密に行わずとも所望する全面積に亘つて電気的及
び光学的に均一な光導電層が形成され得るという
点を見出した点にもある。 本発明は電気的・光学的特性が常時安定してい
て、感度が極めて高く、耐光疲労性、耐熱性に著
しく長く、繰返し使用に際しても劣化現象を起さ
ない光導電部材の得られる製造方法を提供するこ
とを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材に
適用させた場合、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事
が容易に出来る光導電部材の得られる製造方法を
提供することである。 本発明のもう一つの目的は、分光感度領域が
略々全可視光域を覆つており暗減衰速度が小さく
て光応答性が速い光導電部材の得られる製造方法
を提供することでもある。 本発明の更にもう一つの目的は、耐摩耗性、ク
リーニング性、耐溶剤性に優れた光導電部材の得
られる製造方法を提供することでもある。 本発明の所期の目的は、支持体上にSiとGeを
母体として形成されたａ―半導体層を、酸素、窒
素、及び、酸素原子又は窒素原子を含む化合物の
中の少なくとも１つを含むか又はそれ等の中の活
性化されたものの中の少なくとも１つを含む雰囲
気中で熱処理してアモルフアス光導電部材（以後
ａ―光導電部材と記す）を製造することによつて
達成される。 又、本発明の所期の目的は (a) 減圧にし得る堆積室内に所望のガスを導入し
て所望の内圧とし、該堆積室内に於けるシリコ
ン及びシリコン化合物の中の少なくとも１つと
ゲルマニウム及びゲルマン化合物の中の少なく
とも１つとが存在する空間に放電を生起させて
ガスプラズマ雰囲気を形成すること； (b) 予め前記堆積室内に設置され、層形成の温度
範囲内に維持されている支持体上にアモルフア
ス半導体を堆積させて所望の厚さにアモルフア
ス半導体層を形成するに充分な時間前記ガスプ
ラズマ雰囲気を維持すること； (c) 前記(b)工程に於いて形成された支持体上のア
モルフアス半導体層を、酸素、窒素、及び酸素
原子又は窒素原子を含む化合物の中の少なくと
も１つを含むか又は、それ等の中の活性化され
たものの中の少なくとも１つを含む雰囲気中で
熱処理すること； を包含する事を特徴とするアモルフアス光導電部
材の製造方法によつて効果的に達成される。 本発明に於いては、支持体上に形成されたａ―
半導体層を、以降詳細に述べられるところの熱処
理を施すことでアモルフアス光導電層（以後、ａ
―光導電層と記す）を形成するものであるが、ａ
―半導体層を支持体上に形成する際の支持体温度
Tsと、層形成後熱処理する温度Taは基本的に
は、所望する特性を有する光導電層が得られる可
き相互関係に再現性及び生産性を加味して決定さ
れる。Tsの上限としては通常の場合100℃、好適
には50℃とされるのが望ましい。Tsの下限とし
ては、余り低く過ぎるとａ―半導電層の表面性が
悪くなるばかりか、その様な温度で形成された層
の物性値は電子写真用像形成部材や撮像管等の光
導電層に要求される物性値の域を逸脱して仕舞つ
て使用に適さない様になるし、又、ＴRから余り
掛離れた温度とすると逆に冷却する為の製御を要
するので、通常の場合にはＴRとされると良い。
尚、本発明に於けるＴRとは20〜25℃を示すもの
とする。 ａ―半導体層形成後、熱処理する温度Taは、
本発明の目的を達成す可き所望の電気的・光学的
特性、更に電子写真に適用する場合には電子写真
特性が得られる範囲に於いて適宜選択されるもの
であるが、通常の場合100℃以上、好適には150℃
以上とされるのが望ましい。 Taの上限としては、形成されたａ―光導電層
が、所望される特性に悪影響を与える程には結晶
化しない温度とされ、通常の場合は450℃とさ
れ、好適には400℃とされるのが望ましい。特
に、Taとして200〜350℃の範囲の温度とすると
最適である。 本発明に於いては、熱処理する時間としては、
形成された層の厚さ、面積、層の形成された支持
体の種類等によつて各々異なるものであるが一般
的には15〜180分とされると良い。 本発明に於いては、形成されたａ―半導体層
は、層形成後熱処理を受ける為に、以降に記され
る如きアニーリング（annealnig）雰囲気形成物
質又は／及びその活性化されたもので形成される
雰囲気中に晒される。 ａ―半導体層を前記雰囲気中で熱処理するに
は、該ａ―半導体層の形成されている支持体を
Taに加熱して行つても良いし、又熱処理の為に
ａ―半導体層が置かれている前記雰囲気の温度
（雰囲気温度）をTaにして行つても良いし、或い
は、前記支持体の温度と前記雰囲気温度の両者を
Taにして行つても良い。 本発明に於いては、所望の層厚及び面積で、所
望の支持体上に形成したａ―半導体層を熱処理す
る際の雰囲気を形成する物質（以後、アニーリン
グ雰囲気形成物質と称する）としては、酸素、窒
素、酸素原子又は窒素原子を含む化合物や空気、
或いはこれ等の混合物を挙げることが出来る。本
発明に於いては、このアニーリング雰囲気形成物
質を、気体として通常存在するそのままの状態
か、又は、プラズマ化、或いはラジカル化して、
ａ―半導体層形成終了後、真空を破ることなく、
ａ―半導体層形成用のと同一の堆積室内に導入し
て引続き熱処理して（連続法No.１）も良いし、該
堆積室の内部のものを真空を破ることなく移転し
得る様に設計されている熱処理室内に導入して引
続き熱処理を行つて（連続法No.２）も良いし、
又、ａ―半導体層形成後、一旦ａ―半導体層形成
用の堆積室より大気中に取り出して、再び前記堆
積室とは別個に設けられている熱処理室に導入し
て熱処理を行つて（不連続法）も良い。 而乍ら、大量生産性と形成されるａ―半導体層
の均一特性化とを一層計る為には、上記３つの熱
処理法の中、連続法No.２が最も好ましいものであ
る。 酸素原子又は窒素原子を含むアニーリング雰囲
気形成物質としては、熱処理時に、形成されたａ
―半導体層中に、本発明の目的達成に不必要な不
純物が取り込まれたり、或いは、化学的又は物理
的に形成されたａ―半導体層を劣化させないもの
であれば、大概のものが使用され得る。その様な
アニーリング雰囲気形成物質としては、好適には
常温に於いて気体状態を取り得るものが有効であ
る。 酸素原子又は窒素原子を含むアニーリング雰囲
気形成物質としては、具体的には、例えば、オゾ
ン（O3）、一酸化炭素（CO）、二酸化炭素
（CO2）、一酸化窒素（NO）、亜酸化窒素
（N2O）、三二酸化窒素（N2O3）、四酸化窒素
（N2O4）、二酸化窒素（NO2）、五酸化窒素
（N2O5）、アンモニア（NH3）、等の他、多数のも
のが有効である。これ等は、本発明の目的達成に
不都合を引起さなければ、必要に応じて二種以上
混合して使用しても良い。 以上の様な条件の下に、熱処理されたａ―半導
体層（ａ―光導電層）は大面積に亘つて、電気的
特性及び光学的特性が均一であつて、而も斯かる
均一性には経時変化がなく、且つ驚く可きことに
は、電子写真用像形成部材に適用した場合、静電
的特性、耐コロナイオン性、耐溶剤性、耐摩耗
性、クリーニング性等に長けている為に、繰返し
使用による電子写真特性の劣化が殆んどない。 この様に、本発明の製造方法によつて形成され
る光導電層は、電子写真用像形成部材や撮像管等
の光導電層として有用であるが、更には、固体イ
メージセンサーの光感知素子部を構成するのにも
有用である。 本発明に於いては、ａ―光導電層は、以下に述
べる支持体上に形成される。例えば、ステンレ
ス、Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、
Pt、Pd等の金属又はこれ等の合金等の導電性支
持体、又は、これ等の金属が蒸着された導電性支
持体或いは、耐熱性、少なくともTaに於いて耐
熱性を示す合成樹脂のフイルム又はシート、又は
ガラス、セラミツク等の電気絶縁性支持体は、等
が有効なものとして挙げられる。支持体はその上
にａ―半導体が堆積される前に、一連の清浄処理
が施される。この様な清浄処理に於いて、一般的
には、例えば金属性支持体であれば、エツチング
によつて表面を効果的に清浄化するアルカリ性又
は酸性の溶液と接触される。その後、支持体は清
浄雰囲気中で乾燥され、その後の準備処理がなけ
れば、次いで放電現象を利用してａ―半導体を支
持体上に堆積させる装置の堆積室内の所定位置に
設置される。 電気絶縁性支持体の場合には、必要に応じて、
その表面を導電処理される。 例えば、ガラスであれば、In2O3，SnO2等でそ
の表面が導電処理され、或いはポリイミドフイル
ム等の合成樹脂フイルムであれば、Al、Ag、
Pb、Zn、Ni、Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、
Ti、Pt等の金属を以つて真空蒸着、電子ビーム
蒸着、スパツタリング等で処理し、又は前記金属
でラミネート処理して、その表面が導電処理され
る。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、
板状等、任意の形状とし得、所望によつて、その
形状は決定されるが、電子写真に適用する場合連
続高速複写用とするには、無端ベルト状又は円筒
状とするのが望ましい。支持体の厚さは、所望通
りのａ―光導電部材が形成される様に適宜決定さ
れるが、ａ―光導電部材として可撓性が要求され
る場合には、支持体としての機能が充分発揮され
る範囲内であれば、可能な限り薄くされる。而乍
ら、この様な場合、支持体の製造上及び取扱い
上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以上と
される。 本発明に於いて、堆積室内に設置された支持体
上にａ―Si及びａ―Geを堆積させて所望層厚の
ａ―半導体層を形成させるには、先ず堆積室内を
所定の圧、例えば１×10-3〜１×10-8Torr程度に
減圧した後、支持体を温度Tsに保持し、次いで
所定のガスを堆積室内に導入して放電現象を生起
させ、シリコン及びシリコン化合物の中の少なく
とも１つとゲルマニウム及びゲルマン化合物の中
の少なくとも１つとが存在する堆積室内の空間に
ガスプラズマ雰囲気を形成し、所望の層厚になる
までの充分な時間該ガスプラズマ雰囲気を維持さ
せれば良い。放電現象を利用する堆積法には、グ
ロー放電法、スパツターリング法、イオンプレー
テイング法等があり、ａ―半導体層は、斯かる堆
積法によつて、支持体上に形成される。 本発明に於いて、所望のプラズマ雰囲気を形成
するに有効な放電現象を堆積室内に生起させるに
はAC又はDCの電源とし、充分なパワーを得る為
には、通常100〜2000V、好適には300〜1500Vの
電圧に調整され、投入される電力としては、通常
0.1〜300W、好適には0.5〜100Wとされるのが良
い。又、更には、ACの場合、その周波数は、通
常0.2〜30MHz、好適には５〜20MHzとされるの
が望ましい。 本発明に於いて、熱処理されるａ―半導体層
は、下記のタイプのａ―半導体の中の一種類で層
形成するか又は少なくとも二種類を選択し、異な
るタイプのものが接合される状態として層形成す
る事によつて得られる。 ｎ型……ドナー（donor）のみを含むもの、
或いは、ドナーとアクセブター（acceptor）と
の両方を含み、ドナーの濃度（Nd）が高いも
の。 ｐ型……アクセブターのみを含むもの。或い
は、ドナーとアクセブターとの両方を含み、ア
クセブターの濃度（Na）が高いもの。 ｉ型……NaNdＯのもの又は、NaNdの
もの。 本発明に於ける光導電層を構成する層としての
〜のタイプのａ―半導体の層は、後に詳述す
る様にグロー放電法や反応スパツタリング法等に
よる層形成の際に、ｎ型不純物又は、ｐ型不純
物、或いは、両不純物を、形成されるａ―半導体
層中にその量を制御してドーピングしてやる事に
よつて形成される。 この場合、本発明者等の実験結果からの知見に
よれば、層中の不純物の濃度を1015〜1019cm-3の
範囲内に調整することによつて、より強いｎ型
（又はより強いｐ型）のａ―半導体層からより弱
いｎ型（又はより弱いｎ型）のａ―半導体層を形
成する事が出来る。 〜のタイプのａ―半導体層は、グロー放電
法、スパツターリング法、イオンインプランテー
シヨン法、イオンプレーテイング法等によつて形
成される。これ等の製造法は、製造条件、設備資
本投下の負荷程度、製造規模、製造されるａ―光
導電部材に所望される電気的・光学的特性等の要
因によつて適宜選択されて採用されるが、所望す
る特性を有するａ―光導電部材を製造する為の制
御が比較的容易である、〜のタイプに制御す
る為に形成されるａ―半導体層中に不純物を導入
するのに族又はＶ族の不純物を置換型で導入す
ることが出来る等の利点からグロー放電法が好適
に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用してａ―
半導体層を形成しても良い。 形成されるａ―半導体層は、目的とする特性を
有する可く、その暗抵抗及び光電利得が、その形
成時にＨを含有させて制御される。ここに於い
て、「ａ―半導体層中にＨが含有される」という
ことは、「Ｈが、Si又はGeと結合した状態」、「Ｈ
がイオン化して層中に取り込まれている状態」又
は「H2として層中に取り込まれている状態」の
何れかの又はこれ等の複合されている状態を意味
する。ａ―半導体層へのＨの含有は、層を形成す
る際、製造装置系内にSiH4，Si2H6，GeH4等の化
合物又はH2の形で導入し、気体放電によつて、
それらの化合物又はH2を分解して、ａ―半導体
層中に、層の成長に併せて含有させる。 本発明者の知見によれば、ａ―半導体層中への
Ｈの含有量は、形成されるａ―光導電部材が、実
際面に於いて適用され得るか否かを左右する大き
な要因の一つであつて、極めて重要であることが
判明している。 本発明に於いて、形成されるａ―光導電部材を
実際面に充分適用させ得る為には、ａ―光導電層
中に含有されるＨの量は通常の場合10〜
40atomic％、好適には15〜30atomic％とされる
のが望ましい。ａ―光導電層中へのＨ含有量が上
記の数値範囲に限定される理由の理論的裏付は今
の処、明確にされておれず推論の域を出ない。而
乍ら、数多くの実験結果から、上記数値範囲外の
Ｈの含有量では、例えば電子写真用の像形成部材
の光導電層としての要求に応じた特性に制御する
のが極めて困難である、製造された電子写真用像
形成部材は照射される電磁波に対する感度が極め
て低い、又は場合によつては、該感度が殆んど認
められない、電磁波照射によるキヤリアーの増加
が小さい等が認められ、Ｈの含有量が上記の数値
範囲内にあるのが必要条件であることが裏付けら
れている。ａ―光導電層中へのＨの含有は、例え
ば、グロー放電法では、ａ―半導体を形成する出
発物質がSiH4，Si2H6等のシリコンの水素化物と
GeH4等の水素化物ゲルマンとを使用するので、
SiH4，Si2H6，GeH4等の水素化物が分解してａ―
半導体層が形成される際Ｈは自動的に層中に含有
されるが、更にＨの層中への含有を一層効率良く
行なうには、ａ―半導体層を形成する際に、グロ
ー放電を行なう装置系内にH2ガスを導入してや
れば良い。 スパツターリング法による場合にはAr等の不
活性ガス又はこのガスをベースとした混合ガス雰
囲気中で、SiとGeとの２つをターゲツトとして
又は（Si＋Ge）混合系をターゲツトとしてスパ
ツターリングを行なう際に、H2ガスを導入して
やるか又はSiH4，Si2H6等の水素化硅素ガスや
GeH4等の水素化ゲルマニウムガス、或いは、不
純物のドーピングも兼ねてB2H6，PH3等のガスを
導入してやれば良い。 ａ―半導体層は、製造時の不純物のドーピング
によつて前記〜のタイプに制御することがで
きる。 ａ―半導体層中にドーピングされる不純物とし
ては、ａ―半導体層をＰ型にするには、周期律表
第族Ａの元素、例えばＢ，Al，Ga，In，Tl等
が好適なものとして挙げられ、ｎ型にする場合に
は、周期律表第族Ａの元素、例えば、Ｎ，Ｐ，
As，Sb，Bi等が好適なものとして挙げられる。 ａ―半導体層中にドーピングされる不純物の量
は、所望される電気的・光学的特性に応じて適宜
決定されるが、周期律表第族Ａの不純物の場合
には通常10-6〜10-3atomic％、好適には10-5〜
10-4atomic％、周期律表第族Ａの不純物の場合
には、通常10-8〜10-3atomic％、好適には10-8〜
10-4atomic％とされるのが望ましい。 これ等不純物のａ―半導体層中へのドーピング
方法は、ａ―半導体層を形成する際に採用される
製造方法によつて各々異なるものであつて、具体
的には、以降の説明又は実施例に於いて詳述され
る。 ａ―光導電層の層厚としては、所望される電気
的・光学的特性及び電子写真に適用する場合には
電子写真特性、更には使用条件、例えば、可撓性
が要求されるか否か等に応じて適宜決定されるも
のであるが、通常の場合５〜80μ、好適には10〜
70μ、最適には10〜50μとされるのが望ましい。 次に本発明に於いて、グロー放電法及びスパツ
ターリング法を採用した場合に就て説明する。 第１図は、キヤパシタンスタイプグロー放電法
によつて、ａ―光導電部材を製造する為の装置の
模式的説明図である。 １０１はグロー放電堆積室であつて、内部に
は、ａ―光導電層を形成する為の支持体１０２が
固定部材１０３に固定されており、支持体１０２
の下部側には、支持体１０２を加熱する為のヒー
ター１０４が固定部材１０３とは電気的に絶縁さ
れて設置されている。支持体１０２の設置される
固定部材１０３は、矢印Ｘで示す様に上下に移動
可能な様に設けられており、堆積室１０１内に生
起されるグロー放電領域中の任意の位置に支持体
１０２を配置し得る様になつている。堆積室１０
１の上部には、高周波電源１０５と接続されてい
るキヤパシタンスタイプ電極１０６，１０７が巻
かれており、前記高周波電源１０５がONされる
と前記電極１０６，１０７に高周波電力が印加さ
れて堆積室１０１内にグロー放電が生起される様
になつている。堆積室１０１の上端部には、ガス
導入管が接続されており、ガスボンベ１０８，１
０９，１１０，１１１，１１２より各々のボンベ
内のガスが必要時に堆積室１０１内に導入される
様になつている。１１３，１１４，１１５，１１
６，１１７は各々フロメータであつてガスの流量
を検知する為のメータであり、又、１１８，１１
９，１２０，１２１，１２２は流量調整バルブ、
バルブ１２８は補助バルブである。 又堆積室１０１の下端部はメインバルブ１２９
を介して排気装置（図示されていない）に接続さ
れている。１３０は、堆積室１０１内の真空を破
る為のバルブである。 堆積室１０１の左側には、堆積室１０１で形成
されたａ―半導体層を熱処理する為の室である熱
処理室１３１が連結して設けられている。堆積室
１０１と熱処理室１３１とは、真空を破ることな
く、ゲードバルブ１４０を開閉する事によつて、
中のものを移動する事が出来又独立した室とし得
ることも出来る様に設計されている。 １３２は、熱処理室１３１内でａ―半導体層を
熱処理する際に使用される加熱炉であつて、例え
ば赤外線加熱手段やヒーターを内蔵した加熱手段
を用いることが出来る。 熱処理室１３１の左端部の延長部には、熱処理
室１３１にボンベ１３３よりアニーリング雰囲気
形成物質が導入される様にガス導入管が接続され
ている。１３４，１３９はバルブ、１３６は流量
調節バルブ、１３５はフローメーターである。 前記ガス導入管の流量調節バルブ１３５とバル
ブ１３９との間には、高周波電源１３７と接続さ
れているインダクタンスコイル１３８が巻回され
ていて、ボンベ１３３より熱処理室１３１にアニ
ーリング雰囲気形成物質を導入するに際して必要
に応じて、予め該雰囲気形成物質をプラズマ化か
又はラジカル化等の活性化が行える様になつてい
る。 １４２は、補助加熱炉であつて、熱処理室１３
１に導入されるアニーリング雰囲気形成物質又は
その活性化したものを、熱処理室１３１に導入す
る前に予め所定の温度に加熱する為の手段であ
る。 第１図のグロー放電堆積装置を使用して、支持
体１０２上に所望特性のａ―光導電層を形成する
には、先ず、所定の清浄化処理を施した支持体１
０２を清浄化面を上面にして固定部材１０３に固
定する。 支持体１０２の表面を清浄化するには、通常、
実施されている方法、例えば、中性洗剤溶液、純
水、アルカリ又は酸等による化学的処理法が採用
される。又ある程度清浄化した後、堆積室１０１
内の所定位置に設置し、その上にａ―光導電層を
形成する前にグロー放電処理を行つても良い。こ
の場合、支持体１０２の清浄化処理からａ―光導
電層形成迄同一系内で真空を破ることなく行うこ
とが出来るので、清浄化した支持体面に汚物や不
純物が付着するのを避けることが出来る。支持体
１０２を固定部材１０３に固定したら、メインバ
ルブ１２９を全開して堆積室１０１内の空気を矢
印Ａで示す様に排気して、真空度10-5torr程度
にする。堆積室１０１内が所定の真空度に達した
後、必要に応じてヒーター１０４を点火して支持
体１０２を加熱し、所定温度に達したら、その温
度に保つ。 次に補助バルブ１２８を全開し、続いてガスボ
ンベ１０８のバルブ１２３及びガスボンベ１０
９，１１０のバルブ１２４，１２５を各々を全開
する。ガスボンベ１０８は例えばArガス等の稀
釈ガス用であり、ガスボンベ１０９，１１０はａ
―半導体層を形成する為の原料ガス用であつて、
ガスボンベ１０９は、例えば、SiH4，Si2H6，
Si4H10又は、それ等の混合物等が、ガスボンベ１
１０には、例えばGeH4等が各々貯蔵されてい
る。又、ボンベ１１１及びボンベ１１２は必要に
応じてａ―半導体層中に不純物を導入する為の原
料ガス用であつて、各々PH3，P2H4，B2H4，
B2H6等が貯蔵されている。その後ガスボンベ１
０８，１０９及び１１０の流量調節バルブ１１
８，１１９，１２０を、フローメータ１１３，１
１４及び１１５を見乍ら、各々徐々に開口し、堆
積室１０１内に稀釈ガスとして例えばArガス、
及び、例えば、SiH4ガス等とGeH4ガス等とのａ
―半導体形成用の原料ガスを導入する。この時
Arガス等の稀釈ガスは必ずしも要するものでは
なく、SiH4ガス等とGeH4ガス等との前記原料ガ
スのみ導入しても良い。Arガスをａ―半導体層
形成用の原料ガスに混合して導入する場合、その
量的割合は、所望に従つて決定されるが、通常の
場合、稀釈ガスに対して前記原料ガスが10Vol％
以上とされる。尚稀釈ガスとしてArガスの代り
にHeガス等の稀ガスを使用しても良い。 堆積室１０１内に、ボンベ１０８，１０９，１
１０よりガスが導入された時点に於いて、メイン
バルブ１２９を調節して、所定の真空度、通常の
場合は、ａ―半導体層を形成する時のガス圧で
10-2〜3Torrに保つ。次いで、堆積室１０１外に
巻かれたキヤパシタンスタイプの電極１０６，１
０７に高周波電源１０５により所定周波数、通常
の場合は0.2〜30MHzの高周波電圧を加えてグロ
ー放電を堆積室１０１内に起すと、例えば、
SiH4ガス及びGeH4ガスが分解して、支持体１０
２上にSiとGeからなる半導体が堆積されてａ―
半導体層が形成される。 形成されるａ―半導体層中に不純物を導入する
際には、ボンベ１１１又はボンベ１１２より不純
物生成用のガスを、ａ―半導体層形成時に堆積室
１０１内に導入してやれば良い。この場合、流量
調節バルブ１２１又は１２２を適当に調節するこ
とにより、ボンベ１１１又はボンベ１１２よりの
堆積室１０１へのガスの導入量を適切に制御する
ことが出来るので、形成されるａ―半導体層中に
導入される不純物の量を任意に制御することが出
来る他、更に、ａ―半導体層の厚み方向に不純物
の量を変化させることも容易に成し得る。 次に、支持体１０２上に所定層厚のａ―半導体
層が形成された後、高周波電源１０５をOFFに
してバルブ１１８，１１９，１２０，１２８及び
必要に応じてバルブ１２１，１２２を閉じる。 この場合、支持体１０２の温度を維持するため
のヒーター１０４は引続きON状態のままにして
も良いし、又OFF状態としても良い。次に、メ
インバルブ１４５を全開して所定の真空度に矢印
Ｂで示す様に予め排気してある熱処理室１３１の
点線で示した位置に、ゲートバルブ１４０を開い
て、そして一対の回転ローラ１４３及び１連の複
数の回転ローラー１４４によつて、支持体１０２
上に形成したａ―半導体層を転送する。その後、
ゲートバルブ１４０は再び閉じられる。 この場合、熱処理室１３１は、加熱炉１３２に
よつて予め昇温されていても良いし、又、ａ―半
導体層を点線で示す位置に堆積室１０１より移動
して、ゲートバルブ１４０を閉じた後に昇温を開
始しても良い。 ａ―半導体層の導入された熱処理室１３１は、
バルブ１３４，１３９を全開し、フローメーター
１３５を見乍ら、流量調節バルブ１３６を徐々に
開いて、ボンベ１３３内より、アニーリング雰囲
気形成物質が導入され、前記流量調節バルブ１３
６とメインバルブ１４５を調節して所定の内圧と
されて、熱処理が開始される。この場合の熱処理
室１３１の内圧は、大気圧以上の加圧であつて
も、又大気圧以下の減圧であつても良い。 次に、ａ―半導体層が所定時間熱処理された
後、流量調節バルブ１３６、バルブ１３９を閉
じ、加熱炉１３２をOFFにする。 その後、支持体１０２を回転ローラ１４４によ
つて取出蓋１４１の方向に移動させて所定の温度
に冷却し、メインバルブ１４５を閉じ、リークバ
ルブ１４６を徐々に用いて、取出蓋１４１を開い
て、支持体１０２上に形成されたａ―光導電層
（熱処理されたａ―半導体層）を外部に取出す。 第１図に示される装置に於いては、RF（radio
frequency）キヤパスタンスタイプグロー放電法
が採用されているが、この他、RFインダクタン
スタイプ、DC二極タイプ等のグロー放電法も本
発明に於いて採用される。又、グロー放電の為の
電極は、堆積室１０１の内に設けても良いし又堆
積室１０１の外に設けても良い。 第２図は、本発明に於いて、スパツターリング
法によつてａ―光導電部材を製造する為の装置の
一つを示す模式的説明図である。 ２０１は堆積室であつて、内部には、ａ―光導
電層を形成する為の支持体２０２が堆積室２０１
とは電気的に絶縁されている導電性の固定部材２
０３に固定されて所定位置に設置されている。支
持体２０２の下方には、支持体２０２を加熱する
為のヒーター２０４が配置され、上方には、所定
間隔を設けて支持体２０２と対向する位置に所定
の割合比になつているSiとGeから成るターゲツ
ト２０５が電極２０６に設置されている。Siター
ゲツトとGeターゲツトを使用する場合には、２
つのターゲツトを電極２０６に取付けるか又は、
２つのターゲツトを各々の為に設けられる電極に
各々取付けて使用する。 支持体２０２が設置されている固定部材２０３
とターゲツト２０５間には、高周波電源２０７に
よつて、高周波電圧が印加される様になつてい
る。又、堆積室２０１には、ボンベ２０８，２０
９，２１０，２１１が各々、バルブ２１２，２１
３，２１４，２１５、フローメータ２１６，２１
７，２１８，２１９、流量調節バルブ２２０，２
２１，２２２，２２３、補助バルブ２２４を介し
て接続されており、ボンベ２０８，２０９，２１
０，２１１より必要時に堆積室２０１内にガスが
導入される様になつている。 尚、第２図の装置に於いても補助バルブ２２４
と堆積室２０１間のガス導入管経路途中に、第１
図の装置と同様のアニーリング雰囲気形成物質を
活性化、例えばプラズマ化或いはラジカル化する
ための手段を設けて、堆積室２０１内に、アニー
リング雰囲気形成物質を導入する前に活性化する
様にしても良い。 今、第２図の装置を用いて、支持体２０２上に
ａ―光導電層を形成するには、先ず、堆積室２０
１内の空気を矢印Ｃで示す様に、適当な排気装置
を使用して排気して所定の真空度にする。次に、
必要に応じてヒーター２０４を点火して支持体２
０２を所定の温度まで加熱する。 次に、支持体２０２が所定の温度に保持されて
いることを検知した後、補助バルブ２２４、バル
ブ２１２，２１３を全開する。次いでメインバル
ブ２２５及び流量調節バルブ２２１を調節しなが
らボンベ２０９よりH2ガスを堆積室２０１内に
所定の真空度になるまで導入し、その真空度に保
つ。 続いて、流量調節バルブ２２０を開いて、ボン
ベ２０８より例えばArガス等の雰囲気ガスを堆
積室２０１内に所定の真空度になるまで導入し、
その真空度に保つ。この場合の、H2ガス、及び
Arガス等の雰囲気ガスの堆積室２０１内への流
量は所望する物性のａ―半導体層が形成される様
に適宜決定される。例えば、堆積室２０１内の雰
囲気ガスとH2ガスの混合ガスの圧力は真空度
で、通常は10-3〜10-1Torr、好適には５×10-3〜
３×10-2Torrとされる。Arガスは、Heガス等の
稀ガスに代えることも出来る。 堆積室２０１内に、ボンベ２０８，２０９より
所定の真空度になるまで、Arガス等の雰囲気ガ
ス及びH2ガスが導入された後、高周波電源２０
７により、所定の周波数及び電圧で、支持体２０
２が設置されている固定部材２０３とターゲツト
２０５間に高周波電圧を印加して放電させ、生じ
た例えばArイオン等の雰囲気ガスのイオンでタ
ーゲツト２０５のSiとGeをスパツターリング
し、支持体２０２上にａ―半導体層を形成する。 第２図の説明に於いては、高周波電界放電によ
るスパツターリング法であるが、別に直流電界放
電によるスパツターリング法を採用しても良い。
スパツターリング法に於いてもグロー放電法と同
様に不純物のドーピングによつて、形成されるａ
―半導体層をｎ型或いはｐ型に調整することが出
来る。不純物の導入法は、スパツターリング法に
於いてもグロー放電法と同様であつて、例えば、
PH3，P2H4，B2H6等の如き物質をガス状態でａ
―半導体層形成時にボンベ２１０より堆積室２０
１内に導入して、ａ―半導体層中にＰ又はＢを不
純物としてドーピングする。この他、又、形成さ
れたａ―半導体層に不純物をイオンインプランテ
ーシヨン法によつて導入しても良い。この場合、
ａ―半導体層の極薄い表面層を特定の伝導型に容
易に制御することが出来る。 次に、支持体２０２上に所定層厚のａ―半導体
層が形成された後、高周波電源２０７をOFFに
してバルブ２２０，２２１、及び必要に応じてバ
ルブ２２２を閉じ、堆積室２０１内にあるガスを
充分排気する。この際、支持体２０２の温度を維
持するヒーター２０４は引き続きONの状態のま
までも良いし、又、OFFされても良い。 その後、支持体２０２を熱処理温度Taに保持
して、バルブ２１５を全開し、次いで流量調節バ
ルブ２２３を徐々に開き乍ら、ボンベ２１１より
堆積室２０１内にアニーリング雰囲気形成物質を
導入すると共に、メインバルブ２２５を調整し
て、堆積室２０１の内圧を所定圧にし、所定時間
熱処理を行う。 所定時間、熱処理を行つた後、流量調節バルブ
２２３及び補助バルブ２２４を閉じ、ヒーター２
０４をOFF状態にして、所定温度（通常は室
温）になる様に、熱処理を受けたａ―半導体層
（ａ―光導電層）を冷却する。その後、これを外
部に取り出す。 実施例 １ 第１図に示す装置を用い、以下の様にして電子
写真用像形成部材を作成し、画像形成処理を施し
て画像出しを行つた。34cm×27cmの厚さ２mmの
SnO2の透明導電膜を表面に有するガラス基板
（支持体１０２）を中性洗剤にて洗浄後、超音波
洗浄、流水によるすすぎ、純水洗浄、エチルアル
コールと水酸化カリウムによる洗浄、純水洗浄、
超音波洗浄の工程で十分洗浄を行つて乾燥した。
この様にして、用意した支持体１０２をグロー放
電堆積室１０１内の所定位置にある固定部材１０
３の所定位置に堅固に固定した。 次いで、メインバルブ１２９を全開して堆積室
１０１内の空気を排気し、約５×10-5Torrの真
空度にした。その後ヒーター１０４を点火して支
持体を均一に加熱して50℃に上昇させ、この温度
に保つた。その後、補助バルブ１２８を全開し、
引続いてボンベ１０８のバルブ１２３、ボンベ１
０９のバルブ１２４を全開した後、流量調節バル
ブ１１８及び１１９を徐々に開いて、ボンベ１０
８よりArガスを、ボンベ１０９よりSiH4ガスを
堆積室１０１内に導入した。この時、メインバル
ブ１２９を調節して堆積室１０１内の真空度が約
0.07Torrに保持される様にした。続いて、GeH4
ガスを（純度99.999％）ボンベ１１０のバルブ１
２５を開き、流量調節バルプ１２０を徐に開け、
フロメーター１１５の読みが、SiH4ガスの流量
の30％になるように流量調節バルブ１２０の開口
を定め、安定化させた。この時の堆積室１０１の
内圧は約0.05Torrであつた。 続いて、高周波電源１０５のスイツチをONに
して、電極１０６，１０７に13.56MHzの高周波
電力を投入し、堆積室１０１内部にグロー放電を
発生させ100Wの入力電力とした。この様な条件
の下で支持体１０２上にａ―半導体層を生長さ
せ、18時間同条件を保つて約20μ厚のａ―半導体
（Ｈが含有されている）層を形成した。その後、
引続き堆積室１０１内を真空に引き乍ら高周波電
源１０５をOFF状態としてグロー放電を中止さ
せると共に、流量調節バルブ１１８〜１２０、バ
ルブ１２３〜１２５補助バルブ１２８を閉じて、
堆積室１０１内の圧力を約１×10-5Torrとして
10分間その真空度に保つた。この時、支持体の温
度としては層形成時の温度を維持した。この間熱
処理室１３１内もバルブ１４５を開いて空気を排
気し約１×10-5Torrの真空度にした。その後ゲ
ートバルブ１４０を開き１回転ローラ１４３，１
４４を回転させることにより予め加熱炉１３２に
より250℃に昇温された熱処理室１３１の点線で
示す位置にａ―半導体が堆積された支持体１０２
を移動させ、ゲートバルブ１４０を閉じた。直ち
にバルブ１３４，１３９を全開し、引き続いて流
量調節バルブ１３６を徐々に開くと共にメインバ
ルブ１４５を調節し乍らボンベ１３３よりO2ガ
スを導入して、熱処理室１３１の内圧を約
100Torrとし、この状態を熱処理をする間維持し
た。この様にして250℃の温度で30分間熱処理を
行つた。この様にして作成した電子写真用像形成
部材を、熱処理終了後、回転ローラ１４４により
支持体１０２を取出蓋１４１の方に移動させ、バ
ルブ１４５、バルブ１３４、流量調節バルブ１３
６、バルブ１３９を閉じ、代りにリークバルブ１
４６を開いて熱処理室１３１内の真空を破り、外
部に取り出した。この電子写真用像形成部材に、
暗中に於いて電源電圧5500Vでコロナ放電を光
導電層表面に行い、次いで15lux・secの露光量で
画像露光を行つて、静電像を形成し、該静電像を
カスケード法により荷電されたトナーで現象し
て転写紙上に転写・定着したところ解像力が高く
極めて鮮明な画像が得られた。 この様な画像形成処理を繰返し、前記電子写真
用像形成部材に施し、この電子写真用像形成部材
の耐久性に就て試験したところ、10万枚目の転写
紙上に得られた画像も極めて良質であつて、一枚
目の転写紙上の画像と較べても何等差違はなく、
この電子写真用像形成部材が耐コロナイオン性、
耐摩耗性、クリーニング性等に優れ著しく耐久性
に富んでいることが実証された。尚、クリーニン
グ法としてはプレードクリーニングを採用し、プ
レードはウレタンゴムで成型したものを使用し
た。 実施例 ２ 第１表に示す様な条件にした以外は、実施例１
と同様な条件及び手順によつて、通常の方法で清
浄化処理したアルミニウム支持体上にａ―半導体
層を形成し、引続いて第２表に示す温度で60分間
熱処理を行つた後、堆積室１０１外に取り出して
試料No.ｓ〜で示される電子写真用像形成部材
を各々得た。又、別に熱処理を行わない以外は試
料No.ｓ〜と同様の条件で製造した電子写真用
像形成部材を比較試料とした。これ等の電子写真
用像形成部材に、暗中に於いて電源電圧5500Vで
コロナ放電を光導電層表面に行い、次いで
15lux・secの露光量で画像露光を行つて、静電像
を形成し、該静電像をカスケード法により荷電
されたトナーで現像して転写紙上に転写・定着
し、得られた転写画像について、評価を行つた。
その結果を第２表に示す。
【表】
【表】
評価：◎…優 ○…良好 △…実用上可
×…実用上不可
実施例 ３ 第３表に示す様な条件にした以外は実施例１と
同様な条件及び手順によつて、通常の方法で清浄
化処理したアルミニウム支持体上にａ―半導体層
を形成し、引続いて第４表に示す温度で30分間熱
処理を行つた後、堆積室１０１外に取り出して試
料No.ｓ〜で示される電子写真用像形成部材を
各々得た。又、別に熱処理を行わない以外は試料
No.ｓ〜と同様の条件で製造した電子写真用像
形成部材を比較試料とした。これ等の電子写真用
像形成部材に、暗中に於いて電源電圧5500Vで
コロナ放電を光導電層表面に行い、次いで
15lux・secの露光量で画像露光を行つて、静電像
を形成し、該静電像をカスケード法により荷電
されたトナーで現像して転写紙上に転写・定着
し、得られた転写画像について、評価を行つた。
その結果を第４表に示す。
×…実用上不可
実施例 ３ 第３表に示す様な条件にした以外は実施例１と
同様な条件及び手順によつて、通常の方法で清浄
化処理したアルミニウム支持体上にａ―半導体層
を形成し、引続いて第４表に示す温度で30分間熱
処理を行つた後、堆積室１０１外に取り出して試
料No.ｓ〜で示される電子写真用像形成部材を
各々得た。又、別に熱処理を行わない以外は試料
No.ｓ〜と同様の条件で製造した電子写真用像
形成部材を比較試料とした。これ等の電子写真用
像形成部材に、暗中に於いて電源電圧5500Vで
コロナ放電を光導電層表面に行い、次いで
15lux・secの露光量で画像露光を行つて、静電像
を形成し、該静電像をカスケード法により荷電
されたトナーで現像して転写紙上に転写・定着
し、得られた転写画像について、評価を行つた。
その結果を第４表に示す。
【表】
【表】
評価：◎…優 ○…良好 △…実用上可
×…実用上不可
実施例 ４ 第５表に示す様な条件にした以外は、実施例１
と同様な条件及び手順によつて、通常の方法で清
浄化処理したアルミニウム支持体上にａ―半導体
層を形成し、引続いて第５表及び第６表に示す温
度と時間で熱処理を行つた後、堆積室１０１外に
取り出して試料No.ｓ〜で示される電子写真用
像形成部材を各々得た。これ等の電子写真用像形
成部材に、暗中に於いて電源電圧5500Vでコロ
ナ放電を光導電層表面に行い、次いで15lux・sec
の露光量で画像露光を行つて、静電像を形成し、
該静電像をカスケード法により荷電されたトナ
ーで現像して転写紙上に転写・定着し、得られた
転写面像に就て、評価を行つた。その結果を第６
表に示す。
×…実用上不可
実施例 ４ 第５表に示す様な条件にした以外は、実施例１
と同様な条件及び手順によつて、通常の方法で清
浄化処理したアルミニウム支持体上にａ―半導体
層を形成し、引続いて第５表及び第６表に示す温
度と時間で熱処理を行つた後、堆積室１０１外に
取り出して試料No.ｓ〜で示される電子写真用
像形成部材を各々得た。これ等の電子写真用像形
成部材に、暗中に於いて電源電圧5500Vでコロ
ナ放電を光導電層表面に行い、次いで15lux・sec
の露光量で画像露光を行つて、静電像を形成し、
該静電像をカスケード法により荷電されたトナ
ーで現像して転写紙上に転写・定着し、得られた
転写面像に就て、評価を行つた。その結果を第６
表に示す。
【表】
【表】
評価：◎…優 ○…良好 △…実用上可
×…実用上不可
実施例 ５ 第７表に示す様な条件にした以外は、実施例１
と同様な条件及び手順によつて、通常の方法で清
浄化処理したアルミニウム支持体上にａ―半導体
層を形成し、引続いて第７表及び第８表に示す温
度と時間で熱処理を行つた後、堆積室１０１外に
取り出して試料No.ｓ〜で示される電子写真用
像形成部材を各々得た。これ等の電子写真用像形
成部材に、暗中に於いて電源電圧5500Vでコロ
ナ放電を光導電層表面に行い、次いで15lux・sec
の露光量で画像露光を行なつて、静電像を形成
し、該静電像をカスケード法により荷電された
トナーで現像して転写紙上に転写・定着し、得ら
れた転写画像に就て、評価を行つた。その結果を
第８表に示す。
×…実用上不可
実施例 ５ 第７表に示す様な条件にした以外は、実施例１
と同様な条件及び手順によつて、通常の方法で清
浄化処理したアルミニウム支持体上にａ―半導体
層を形成し、引続いて第７表及び第８表に示す温
度と時間で熱処理を行つた後、堆積室１０１外に
取り出して試料No.ｓ〜で示される電子写真用
像形成部材を各々得た。これ等の電子写真用像形
成部材に、暗中に於いて電源電圧5500Vでコロ
ナ放電を光導電層表面に行い、次いで15lux・sec
の露光量で画像露光を行なつて、静電像を形成
し、該静電像をカスケード法により荷電された
トナーで現像して転写紙上に転写・定着し、得ら
れた転写画像に就て、評価を行つた。その結果を
第８表に示す。
【表】
【表】
評価：◎…優 ○…良好 △…実用上可
×…実用上不可
実施例 ６ 第９表に示す様な条件にした以外は、実施例１
と同様な条件及び手順によつて、通常の方法で静
浄化処理したアルミニウム支持体上にａ―半導体
層を形成し、引続いて第９表及び第10表に示す温
度と時間で熱処理を行つた後、堆積室１０１外に
取り出して試料No.ｓ〜で示される電子写真用
像形成部材を各々得た。これ等の電子写真用像形
成部材に、暗中に於いて電源電圧5500Vでコロ
ナ放電を光導電層表面に行い、次いで15lux・sec
の露光量で画像露光を行つて、静電像を形成し、
該静電像をカスケード法により荷電されたトナ
ーで現像して転写紙上に転写・定着し、得られた
転写画像に就て、評価を行つた。その結果を第10
表に示す。
×…実用上不可
実施例 ６ 第９表に示す様な条件にした以外は、実施例１
と同様な条件及び手順によつて、通常の方法で静
浄化処理したアルミニウム支持体上にａ―半導体
層を形成し、引続いて第９表及び第10表に示す温
度と時間で熱処理を行つた後、堆積室１０１外に
取り出して試料No.ｓ〜で示される電子写真用
像形成部材を各々得た。これ等の電子写真用像形
成部材に、暗中に於いて電源電圧5500Vでコロ
ナ放電を光導電層表面に行い、次いで15lux・sec
の露光量で画像露光を行つて、静電像を形成し、
該静電像をカスケード法により荷電されたトナ
ーで現像して転写紙上に転写・定着し、得られた
転写画像に就て、評価を行つた。その結果を第10
表に示す。
【表】
【表】
評価：◎…優 ○…良好 △…実用上可
×…実用上不可
実施例 ７ 補助加熱炉１４２により、補助加熱炉１４２に
囲まれている炉心の温度をも熱処理中、250℃に
保つ以外は実施例１と同様の条件と手順で像形成
部材を形成した。即ち、実施例１と同様な条件及
び手順によつて通常の方法で清浄化処理したアル
ミニウム支持体上にａ―半導体層を形成し、引き
続いて熱処理室１３１で、250℃の温度で20分間
熱処理を行つた後、熱処理室１３１内の真空を破
り外部に取り出した。この電子写真用像形成部材
に、暗中に於いて電源電圧5500Vでコロナ放電
を光導電層表面に行い、次いで15lux・secの露光
量で画像露光を行つて、静電像を形成し、該静電
像をカスケード法により荷電されたトナーで現
像して転写紙上に転写・定着したところ解像力が
高く極めて鮮明な画像が得られた。 この様な画像形成処理を繰返し、前記電子写真
用像形成部材に施し、この電子写真用像形成部材
の耐久性に就て試験したところ、10万枚目の転写
紙上に得られた画像も極めて良質であつて、一枚
目の転写紙上の画像と較べても何等差違はなく、
この電子写真用像形成部材が耐コロナイオン性、
耐摩耗性、クリーニング性等に優れ著しく耐久性
に富んでいることが実証された。尚、クリーニン
グ法としてはプレードクリーニングを採用し、ブ
レードはウレタンゴムで成型したものを使用し
た。 実施例 ８ 補助加熱炉１４２により、補助加熱炉に囲まれ
ている炉心の温度を、熱処理中350℃に保ち、加
熱炉１３２をONしないで熱処理条件以外は実施
例１と同様の手順と条件で像形成部材を形成し
た。即ち実施例１と同様の条件手順によつて通常
の方法で清浄化処理したアルミニウム支持体上に
ａ―半導体層を形成し、引き続いて熱処理室１３
１で、350℃のガス温度で40分間、熱処理を行つ
た後、熱処理室１３１内の真空を破り外部に取り
出した。この電子写真用像形成部材に、暗中に於
いて電源電圧5500Vでコロナ放電を光導電層表
面に行い、次いで15lux・secの露光量で画像露光
を行つて、静電像を形成し、該静電像をカスケー
ド法により荷電されたトナーで現像して転写紙
上に転写・定着したところ解像力が高く極めて鮮
明な画像が得られた。 この様な画像形成処理を繰り返し、前記電子写
真用像形成部材に施し、この電子写真用像形成部
材の耐久性に就て試験したところ、10万枚目の転
写紙上に得られた画像も極めて良質であつて、一
枚目の転写紙上の画像と較べても何等差違はな
く、この電子写真用像形成部材が耐コロナイオン
性、耐摩耗性、クリーニング性等に優れ著しく耐
久性に富んでいることが実証された。尚、クリー
ニング法としてはブレードクリーニングを採用
し、ブレードはウレタンゴムで成型したものを使
用した。 実施例 ９ 実施例１と同様に、第１図に示す装置を行い、
以下の様にして電子写真用像形成部材を作成し画
像形成処理を施して画像出しを行つた。 １％のNaOHなる溶液を用いて表面処理を行
い、充分水洗し乾燥させて表面を清浄化した厚さ
１mm、大きさ34cm×27cmのアルミニウム製の支持
体１０２を用意して、グロー放電堆積室１０１内
の所定位置にある固定部材１０３の所定位置に堅
固に固定した。 次いで、メインバルプ１２９を全開して堆積室
１０１内の空気を排気し、約５×10-5Torrの真
空度にした。その後ヒーター１０４を点火してア
ルミニウム支持体１０２を均一に加熱して50℃に
上昇させ、この温度に保つた。その後、補助バル
プ１２８を全開し、引続いてボンベ１０８のバル
ブ１２３、ボンベ１０９のバルブ１２４を全開し
た後、流量調節バルブ１１８及び１１９を徐々に
開いて、ボンベ１０８よりArガスを、ボンベ１
０９よりSiH4ガスを堆積室１０１内に導入し
た。この時、メインバルブ１２９を調節して堆積
室１０１内の真空度が約0.07Torrに保持される様
にした。 続いて、GeH4ガスを（純度99.99％）ボンベ１
１０のバルブ１２５を開き、流量調節バルブ１２
０を徐々に開け、フローメーター１１５の読み
が、SiH4ガスの流量の30％になる様に流量調節
バルプ１２０の開口を定め、安定化させた。この
時の堆積室１０１の内圧は約0.05Torrであつた。 続いて、高周波電源１０５のスイツチをONに
して、電極１０６，１０７に13.56MHzの高周波
電力を投入し、堆積室１０１内部にグロー放電を
発生させ100Wの入力電力とした。この様な条件
の下で支持体１０２上にａ―半導体層を生長さ
せ、18時間同条件を保つて約20μ厚のａ―半導体
（Ｈが含有されている）層を形成した。その後、
引続き堆積室１０１内を真空に引き乍ら高周波電
源１０５をOFF状態としてグロー放電を中止さ
せると共に、流量調節バルブ１１８〜１２０、バ
ルブ１２３〜１２５補助バルブ１２８を閉じて、
堆積室１０１内の圧力を約１×10-5Torrとして
10分間その真空度に保つた。この時、支持体の温
度としては層形成時の温度を維持した。その後、
ゲートバルブ１４０を開き、熱処理室１３１内も
堆積室１０１内と同一真空度になるように真空に
引いた。次にバルブ１３４、バルブ１３９を全開
し、引き続いて流量調節バルブ１３６を徐々に開
くと共に、メインバルブ１２９を調節し乍らボン
ベ１３３よりO2ガスを導入して堆積室１０１の
内圧を約100Torrとし、この状態を次の熱処理を
する間維持した。堆積室１０１内の圧力が
100Torrになつた時点に於いて、加熱ヒーター１
０４の温度を上昇させて、支持体１０２の温度を
250℃とし、この温度で60分間熱処理を行つた。
この様にして作成した光導電層を有する部材を、
熱処理終了後、ゲートバルブ１４０、メインバル
ブ１２９、バルブ１３４、流量調節バルブ１３
６、バルブ１３９を閉じ、代わりにバルブ１４６
を開いて堆積室１０１内の真空を破り、外部に取
り出した。この電子写真用像形成部材に、暗中に
於いて電源電圧5500Vでコロナ放電を光導電層
表面に行い、次いで15lux・secの露光量で画像露
光を行つて、静電像を形成し、該静電像をカスケ
ード法により荷電されたトナーで現像して転写
紙上転写・定着したところ解像力が高く極めて鮮
明な画像が得られた。 この様な画像形成処理を繰返し、前記電子写真
用像形成部材に施し、この電子写真用像形成部材
の耐久性に就て試験したところ、10万枚目の転写
紙上に得られた画像も極めて良質であつて、一枚
目の転写紙上の画像と較べても何等差違はなく、
この電子写真用像形成部材が耐コロナイオン性、
耐摩耗性、クリーニング性等に優れ著しく耐久性
に富んでいることが実証された。尚、クリーニン
グ法としてはブレードクリーニングを採用し、ブ
レードはウレタンゴムで成型したものを使用し
た。 実施例 10 補助加熱炉１４２により補助加熱炉１４２に囲
まれている炉心の温度を250℃、アニーリング雰
囲気形成ガス用のボンベ１３３の充填ガスをNO2
とし、又、熱処理室１３１ガスを導入する際、流
量調節バルプ１３６とバルプ１３９間のガス導入
管経路中に設けられたコイル１３８に高周波電源
１３７により通電しNO2ガスをプラズマ化して熱
処理室に導入して熱処理室１３１で熱処理する条
件以外は実施例１と同様の手順、条件で像形成部
材を形成した。即ち実施例１と同様の条件手順に
よつて通常法で清浄化処理したアルミニウム支持
体上にａ―半導体層を形成し、引き続いて、熱処
理室１３１で250℃の温度で30分間熱処理を行つ
た後、熱処理室１３１内の真空を破り外部に取り
出した。この電子写真用像形成部材に、暗中に於
いて電源電圧5500Vでコロナ放電を光導電層表
面に行い、次いで15lux・secの露光量で画像露光
を行なつて、静電像を形成し、該静電像をカスケ
ード法により荷電されたトナーで現像して転写
紙上に転写・定着したところ解像力が高く極めて
鮮明な画像が得られた。 この様な画像形成処理を繰返し、前記電子写真
用像形成部材に施し、この電子写真用像形成部材
の耐久性に就て試験したところ、10万放目の転写
紙上に得られた画像も極めて良質であつて、一枚
目の転写紙上の画像と較べても何等差違はなく、
この電子写真用像形成部材が耐コロナイオン性、
耐摩耗性、クリーニング性等に優れ著しく耐久性
に富んでいることが実証された。尚、クリーニン
グ法としてはプレードクリーングを採用し、プレ
ードはウレタンゴムで成型したものを使用した。 実施例 11 実施例10においてアニーリング雰囲気形成ガス
を、N2とし熱処理時間80分間の熱処理条件にし
た他は、実施例10と同様にしてアルミニウム支持
体上に厚さ20μのａ―半導体層を形成し、又同様
の手順で熱処理を行つて電子写真用像形成部材と
した。 この電子写真用像形成部材に就て、実施例10と
同様の条件手順で転写紙上に画像を形成したとこ
ろ極めて鮮明な画像が得られた。 実施例 12 実施例１と同様に、第１図に示す装置を用い以
下の様にして電子写真用像形成部材を作成し、画
像形成処理を施して画像出しを行つた。 １％のNaOHなる溶液を用いて表面処理を行
い、充分水洗し乾燥させて表面を清浄化した厚さ
１mm、大きさ34cm×27cmのアルミニウム支持体を
用意して、グロー放電堆積室１０１内の所定位置
にある固定部材１０３の所定位置に堅固に固定し
た。 次いで、メインバルブ１２９を全開して堆積室
１０１内の空気を排気し、約５×10-5Torrの真
空度にした。その後ヒーター１０４を点火して、
アルミニウム支持体を均一に加熱して50℃に上昇
させこの温度に保つた。その後、補助バルブ１２
８を全開し、引続いてボンベ１０８のバルブ１２
３、ボンベ１０９のバルブ１２４を全開した後、
流量調節バルブ１１８及び１１９を徐々に開い
て、ボンベ１０８よりArガスを、ボンベ１０９
よりSiH4ガスを堆積室１０１内に導入した。こ
の時、メインバルブ１２９を調節して堆積室１０
１内の真空度が約0.07Torrに保持される様にし
た。又、この場合、フローメーター１１３及び１
１４を注視し乍ら、流量調節バルブ１１８及び１
１９を調節して、SiH4ガスの流量がArガスの
10Vol％となる様にした。 続いてGeH4ガスを（純度99.999％）ボンベ１
１０のバルブ１２５を開き、流量調節バルブ１２
０を徐々に開け、フローメータ１１５の読みが
SiH4ガスの流量の30％になる様に流量調節バル
プ１２０の開口定め、安定化させた。この時の堆
積室１０１の内圧は約0.05Torrであつた。 次にボンベ１１１のバルブ１２６を全開し、そ
の後、流量調節バルプ１２１を徐々に開いてその
流量がSiH4ガスの流量の５×10-4vol％となる様
に制御し乍ら堆積室１０１内にB2H6ガスを導入
した。この時もメインバルブ１２９を調節して堆
積室１０１内の真空度を0.07Torrに保持した。 続いて、高周波電源１０５のスイツチをONに
して、電極１０６，１０７に13.56MHzの高周波
電力を投入し、堆積室１０１内部にグロー放電を
発生させ100Wの入力電力とした。この様な条件
の下で支持体１０２上にａ―半導体層を生長さ
せ、18時間同条件を保つて約20μ厚のａ―半導体
（Ｈが含有されている）層を形成した。その後、
引続き堆積室１０１内を真空に引き乍ら高周波電
源１０５をOFF状態としてグロー放電を中止さ
せると共に、流量調節バルプ１１８〜１２１、バ
ルプ１２３〜１２６、補助パルプ１２８を閉じて
堆積室１０１内の圧力を約１×10-5Torrとし
て、10分間その真空度に保つた。この時、支持体
の温度としては層形成時の温度を維持した。この
間熱処理室１３１内もバルプ１４５を開いて空気
を排気し約１×10-5Torrの真空度にした。その
後ゲートバルブ１４０を開き回転ローラ１４３，
１４４を回転させることにより予め加熱炉１３
２、により250℃に昇温された熱処理室１３１の
位置にａ―半導体が堆積された支持体１０２を移
動させ、ゲートバルブ１４０を閉じた。直ちにバ
ルブ１３４，１３９を全開し、引き続いて流量調
節バルブ１３６を徐々に開くと共にバルブ１４５
を調節し乍らボンベ１３３よりO2ガスを導入し
て熱処理室１３１の内圧を約100Torrとし、この
状態を熱処理する間維持した。この様にして、温
度250℃で30分間熱処理を行つた。この様にして
作成した電子写真用像形成部材を、熱処理終了
後、回転ローラ１４４により支持体１０２を取出
し蓋１４１の方に移動させメインバルブ１４５、
バルブ１３４、流量調節バルブ１３６、バルブ１
３９を閉じ、代りにリールバルブ１４６を開いて
熱処理室１３１内の真空を破り、外部に取り出し
た。この電子写真用像形成部材に、暗中に於いて
電源電圧5500Vでコロナ放電を光導電層表面に
行い次いで15lux・secの露光量で画像露光を行つ
て、静電像を形成し、該静電像をカスケード法に
より荷電されたトナーで現像して転写紙上に転
写・定着したところ解像力が高く極めて鮮明な画
像が得られた。 この様な画像形成処理を繰返し、前記電子写真
用像形成部材に施し、この電子写真用像形成部材
の耐久性に就て試験したところ、10万枚目の転写
紙上に得られた画像も極めて良質であつて、一枚
目の転写紙上の画像と較べても何等差違はなく、
この電子写真用像形成部材が耐コロナイオン性、
耐摩耗性、クリーニング性等に優れ著しく耐久性
に富んでいることが実証された。尚、クリーニン
グ法としてはブレードクリーニングを採用し、ブ
レードはウレタンゴムで成型したものを使用し
た。 次に、上記電子写真用像形成部材に就て、暗中
で、電源電圧6000Vのコロナ放電を施し、次い
で15lux・secの露光量で画像露光を行つて静電像
を形成した。この静電像をカスケード法により
荷電されたトナーを用いて現像し、次に転写紙上
に転写・定着したところ、極めて鮮明な画像が得
られた。 この結果と先の結果から本実施例で得られた電
子写真用像形成部材は、帯電極性に対する依存性
がなく両極性像形成部材の特性を具備しているこ
とが判つた。 実施例 13 実施例12に於いて、B2H6ガスの流量をSiH4ガ
スの流量の５×10-3vol％になる様に調整した他
は、実施例11と同様にしてアルミニウム支持体上
に厚さ20μのａ―半導体層を形成し、又同様の手
順で熱処理を行つて電子写真用像形成部材とし
た。 この電子写真用像形成部材に就て、実施例11と
同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成した
ところコロナ放電を行つて画像形成したよりも
その画質が優れており、極めて鮮明であつた。 実施例 14 第２図に示す装置を用い、以下の様にして電子
写真用像形成部材を作成し、画像形成処理を施し
て画像出しを行つた。 １％のNaOHなる溶液を用いて表面処理を行
い、充分水洗し乾燥させて表面を清浄化した厚さ
１mm、大きさ34cm×27cmのアルミニウム製の支持
体２０２を用意して堆積室２０１内の所定位置に
ある固定部材２０３の所定位置に堅固固定した。 この場合、支持体２０２は純度5nineのSiとGe
の多結晶の混合ターケツト２０５からは約8.5cm
離した。次いで、堆積室２０１内の空気を排気
し、約１×10-5Torrの真空度にした。その後、
ヒーター２０４を点火して支持体を均一に加熱し
て50℃に上昇させ、この温度に保つた。その後補
助バルプ２２４を全開し、引続いてボンベ２０９
のバルブ２１３を全開した後、流量調節バルブ２
２１を徐々に開いてメインバルブ２２５で調節し
ながら、ボンベ２０９よりH2ガスを、堆積室２
０１内の真空度が5.5×10-4Torrになる様にして
堆積室２０１内に導入した。 続いて、バルブ２１２を全開した後、流量調節
バルブ２２０をフローメータ２１６を注視し乍ら
徐々に開き堆積室２０１内の真空度が５×
10-3Torrになる様にしてArガスを堆積室２０１
内に導入した。 その後、高周波電源２０７のスイツチをONに
して、アルミニウム支持体２０２とターゲツト２
０５間に13.56MHz、1KVの高周波電圧を加えて
放電を起させ、アルミニウム支持体２０２上にａ
―半導体層の形成を開始し、30時間連続的に行つ
た。 その結果形成されたａ―半導体層の厚さは20μ
であつた。 その後、引続き堆積室２０１内を真空に引き乍
ら高周波電源２０７をOFF状態としてスパツタ
ーリングを中止させると共に、流量調節バルブ２
２０，２２１、バルブ２１２，２１３、補助バル
ブ２２４を閉じて、堆積室２０１内の圧力を約１
×10-5Torrとして10分間その真空度に保つた。
この時、支持体の温度としては層形成時の温度を
維持した。その後バルブ２１５、補助バルブ２２
４を全開し、引き続いて流量調節バルブ２２３を
徐々に開くと共に、メインバルブ２２５を調整し
乍ら、ボンベ２１１よりO2ガスを導入して堆積
室２０１の内圧を約100Torrとし、この状態を次
の熱処理をする間維持した。 堆積室２０１内の圧力が100Torrになつた時点
に於いて、加熱ヒーター２０４の温度を上昇させ
て支持体の温度を250℃とし、この温度で60分間
熱処理を行つた。 この様にして作成した電子写真用像形成部材
を、熱処理終了後、メインバルブ２２５、バルブ
２１５、流量調節バルブ２２３、補助バルブ２２
４を閉じ、代りにバルブ２２６を開いて、堆積室
２０１内の真空を破り、外部に取り出した。 この様にして作成した電子写真用像形成部材に
対して暗中で電源電圧5500Vでコロナ放電を行
い、次いで15lux・secの光量で画像露光を行つて
静電像を形成した。この静電像をカスケード現像
を行い、次いで転写紙上に転写・定着を行つたと
ころ、極めて鮮明で良質の画像が得られた。 実施例 15 第２図に示す装置を用い、実施例14と全く同様
の手順、方法で、アルミニウム製支持体上にａ―
半導体層を形成した。その後この試料を堆積室２
０１外に取り出して、第１図に示す装置の取出蓋
１４１を外して、試料を回転ローラ１４４上に支
持した。次に取出蓋１４１を閉じメインバルブ１
４５を開いて熱処理室１３１内の空気を排気し、
約１×10-5Torrの真空度にすると共に加熱炉１
３２をONして熱処理室１３１内を250℃に昇温し
一定に保つた。その後バルブ１３４，１３９を全
開し、引き続いて流量調節バルブ１３６を徐々に
開くと共にメインバルブ１４５を調整しながらボ
ンベ１３３よりO3ガスを導入して、熱処理室１
３１の内圧を約100Torrとした。以上のように熱
処理条件が一定になつたところで試料を回転ロー
ラ１４４で点線で示す位置に移動させ60分間熱処
理を行つた。この様にして作成した電子写真用像
形成部材を、熱処理終了後、再び回転ローラ１４
４により支持体１０２を取出蓋１４１の方に移動
させ、バルブ１４５、バルブ１３４、流量調節バ
ルブ１３６、バルブ１３９を閉じ、代りにリーク
バルブ１４６を開いて熱処理室１３１内の真空を
破り、外部に取り出した。この電子写真用像形成
部材に、暗中に於いて電源電圧5500Vでコロナ
放電を光導電層表面に行い、次いで15lux・secの
露光量で画像露光を行つて、静電像を形成し、該
静電像をカスケード法により荷電されたトナー
で現像して転写紙上に転写・定着したところ解像
力が高く極めて鮮明な画像が得られた。 この様な画像形成処理を繰返し、前記電子写真
用像形成部材に施し、この電子写真用像形成部材
の耐久性に就て試験したところ、10万枚目の転写
紙上に得られた画像も極めて良質であつて、一枚
目の転写紙上の画像と較べても何等差違はなく、
この電子写真用像形成部材が耐コロナイオン性、
耐摩耗性、クリーニング性等に優れ著しく耐久性
に富んでいることが実証された。尚、クリーニン
グ法としてはブレードクリーニングを採用し、ブ
レードはウレタンゴムで成型したものを使用し
た。 実施例 16 実施例１と同様の条件及び手順によつて形成し
た光導電層表面にポリウレタン樹脂によつて約20
μ厚の表面被覆層を形成して電子写真用像形成部
材を得た。 この電子写真用像形成部材に、暗中に於て電源
電圧6000Vでコロナ放電をその表面に行ない次
いで15lux・secの露光量で画像露光を行つて、静
電像を形成し、該静電像をカスケード法により
荷電されたトナーで現像して転写紙上に転写・定
着したところ解像力が高く極めて鮮明な画像が得
られた。
×…実用上不可
実施例 ７ 補助加熱炉１４２により、補助加熱炉１４２に
囲まれている炉心の温度をも熱処理中、250℃に
保つ以外は実施例１と同様の条件と手順で像形成
部材を形成した。即ち、実施例１と同様な条件及
び手順によつて通常の方法で清浄化処理したアル
ミニウム支持体上にａ―半導体層を形成し、引き
続いて熱処理室１３１で、250℃の温度で20分間
熱処理を行つた後、熱処理室１３１内の真空を破
り外部に取り出した。この電子写真用像形成部材
に、暗中に於いて電源電圧5500Vでコロナ放電
を光導電層表面に行い、次いで15lux・secの露光
量で画像露光を行つて、静電像を形成し、該静電
像をカスケード法により荷電されたトナーで現
像して転写紙上に転写・定着したところ解像力が
高く極めて鮮明な画像が得られた。 この様な画像形成処理を繰返し、前記電子写真
用像形成部材に施し、この電子写真用像形成部材
の耐久性に就て試験したところ、10万枚目の転写
紙上に得られた画像も極めて良質であつて、一枚
目の転写紙上の画像と較べても何等差違はなく、
この電子写真用像形成部材が耐コロナイオン性、
耐摩耗性、クリーニング性等に優れ著しく耐久性
に富んでいることが実証された。尚、クリーニン
グ法としてはプレードクリーニングを採用し、ブ
レードはウレタンゴムで成型したものを使用し
た。 実施例 ８ 補助加熱炉１４２により、補助加熱炉に囲まれ
ている炉心の温度を、熱処理中350℃に保ち、加
熱炉１３２をONしないで熱処理条件以外は実施
例１と同様の手順と条件で像形成部材を形成し
た。即ち実施例１と同様の条件手順によつて通常
の方法で清浄化処理したアルミニウム支持体上に
ａ―半導体層を形成し、引き続いて熱処理室１３
１で、350℃のガス温度で40分間、熱処理を行つ
た後、熱処理室１３１内の真空を破り外部に取り
出した。この電子写真用像形成部材に、暗中に於
いて電源電圧5500Vでコロナ放電を光導電層表
面に行い、次いで15lux・secの露光量で画像露光
を行つて、静電像を形成し、該静電像をカスケー
ド法により荷電されたトナーで現像して転写紙
上に転写・定着したところ解像力が高く極めて鮮
明な画像が得られた。 この様な画像形成処理を繰り返し、前記電子写
真用像形成部材に施し、この電子写真用像形成部
材の耐久性に就て試験したところ、10万枚目の転
写紙上に得られた画像も極めて良質であつて、一
枚目の転写紙上の画像と較べても何等差違はな
く、この電子写真用像形成部材が耐コロナイオン
性、耐摩耗性、クリーニング性等に優れ著しく耐
久性に富んでいることが実証された。尚、クリー
ニング法としてはブレードクリーニングを採用
し、ブレードはウレタンゴムで成型したものを使
用した。 実施例 ９ 実施例１と同様に、第１図に示す装置を行い、
以下の様にして電子写真用像形成部材を作成し画
像形成処理を施して画像出しを行つた。 １％のNaOHなる溶液を用いて表面処理を行
い、充分水洗し乾燥させて表面を清浄化した厚さ
１mm、大きさ34cm×27cmのアルミニウム製の支持
体１０２を用意して、グロー放電堆積室１０１内
の所定位置にある固定部材１０３の所定位置に堅
固に固定した。 次いで、メインバルプ１２９を全開して堆積室
１０１内の空気を排気し、約５×10-5Torrの真
空度にした。その後ヒーター１０４を点火してア
ルミニウム支持体１０２を均一に加熱して50℃に
上昇させ、この温度に保つた。その後、補助バル
プ１２８を全開し、引続いてボンベ１０８のバル
ブ１２３、ボンベ１０９のバルブ１２４を全開し
た後、流量調節バルブ１１８及び１１９を徐々に
開いて、ボンベ１０８よりArガスを、ボンベ１
０９よりSiH4ガスを堆積室１０１内に導入し
た。この時、メインバルブ１２９を調節して堆積
室１０１内の真空度が約0.07Torrに保持される様
にした。 続いて、GeH4ガスを（純度99.99％）ボンベ１
１０のバルブ１２５を開き、流量調節バルブ１２
０を徐々に開け、フローメーター１１５の読み
が、SiH4ガスの流量の30％になる様に流量調節
バルプ１２０の開口を定め、安定化させた。この
時の堆積室１０１の内圧は約0.05Torrであつた。 続いて、高周波電源１０５のスイツチをONに
して、電極１０６，１０７に13.56MHzの高周波
電力を投入し、堆積室１０１内部にグロー放電を
発生させ100Wの入力電力とした。この様な条件
の下で支持体１０２上にａ―半導体層を生長さ
せ、18時間同条件を保つて約20μ厚のａ―半導体
（Ｈが含有されている）層を形成した。その後、
引続き堆積室１０１内を真空に引き乍ら高周波電
源１０５をOFF状態としてグロー放電を中止さ
せると共に、流量調節バルブ１１８〜１２０、バ
ルブ１２３〜１２５補助バルブ１２８を閉じて、
堆積室１０１内の圧力を約１×10-5Torrとして
10分間その真空度に保つた。この時、支持体の温
度としては層形成時の温度を維持した。その後、
ゲートバルブ１４０を開き、熱処理室１３１内も
堆積室１０１内と同一真空度になるように真空に
引いた。次にバルブ１３４、バルブ１３９を全開
し、引き続いて流量調節バルブ１３６を徐々に開
くと共に、メインバルブ１２９を調節し乍らボン
ベ１３３よりO2ガスを導入して堆積室１０１の
内圧を約100Torrとし、この状態を次の熱処理を
する間維持した。堆積室１０１内の圧力が
100Torrになつた時点に於いて、加熱ヒーター１
０４の温度を上昇させて、支持体１０２の温度を
250℃とし、この温度で60分間熱処理を行つた。
この様にして作成した光導電層を有する部材を、
熱処理終了後、ゲートバルブ１４０、メインバル
ブ１２９、バルブ１３４、流量調節バルブ１３
６、バルブ１３９を閉じ、代わりにバルブ１４６
を開いて堆積室１０１内の真空を破り、外部に取
り出した。この電子写真用像形成部材に、暗中に
於いて電源電圧5500Vでコロナ放電を光導電層
表面に行い、次いで15lux・secの露光量で画像露
光を行つて、静電像を形成し、該静電像をカスケ
ード法により荷電されたトナーで現像して転写
紙上転写・定着したところ解像力が高く極めて鮮
明な画像が得られた。 この様な画像形成処理を繰返し、前記電子写真
用像形成部材に施し、この電子写真用像形成部材
の耐久性に就て試験したところ、10万枚目の転写
紙上に得られた画像も極めて良質であつて、一枚
目の転写紙上の画像と較べても何等差違はなく、
この電子写真用像形成部材が耐コロナイオン性、
耐摩耗性、クリーニング性等に優れ著しく耐久性
に富んでいることが実証された。尚、クリーニン
グ法としてはブレードクリーニングを採用し、ブ
レードはウレタンゴムで成型したものを使用し
た。 実施例 10 補助加熱炉１４２により補助加熱炉１４２に囲
まれている炉心の温度を250℃、アニーリング雰
囲気形成ガス用のボンベ１３３の充填ガスをNO2
とし、又、熱処理室１３１ガスを導入する際、流
量調節バルプ１３６とバルプ１３９間のガス導入
管経路中に設けられたコイル１３８に高周波電源
１３７により通電しNO2ガスをプラズマ化して熱
処理室に導入して熱処理室１３１で熱処理する条
件以外は実施例１と同様の手順、条件で像形成部
材を形成した。即ち実施例１と同様の条件手順に
よつて通常法で清浄化処理したアルミニウム支持
体上にａ―半導体層を形成し、引き続いて、熱処
理室１３１で250℃の温度で30分間熱処理を行つ
た後、熱処理室１３１内の真空を破り外部に取り
出した。この電子写真用像形成部材に、暗中に於
いて電源電圧5500Vでコロナ放電を光導電層表
面に行い、次いで15lux・secの露光量で画像露光
を行なつて、静電像を形成し、該静電像をカスケ
ード法により荷電されたトナーで現像して転写
紙上に転写・定着したところ解像力が高く極めて
鮮明な画像が得られた。 この様な画像形成処理を繰返し、前記電子写真
用像形成部材に施し、この電子写真用像形成部材
の耐久性に就て試験したところ、10万放目の転写
紙上に得られた画像も極めて良質であつて、一枚
目の転写紙上の画像と較べても何等差違はなく、
この電子写真用像形成部材が耐コロナイオン性、
耐摩耗性、クリーニング性等に優れ著しく耐久性
に富んでいることが実証された。尚、クリーニン
グ法としてはプレードクリーングを採用し、プレ
ードはウレタンゴムで成型したものを使用した。 実施例 11 実施例10においてアニーリング雰囲気形成ガス
を、N2とし熱処理時間80分間の熱処理条件にし
た他は、実施例10と同様にしてアルミニウム支持
体上に厚さ20μのａ―半導体層を形成し、又同様
の手順で熱処理を行つて電子写真用像形成部材と
した。 この電子写真用像形成部材に就て、実施例10と
同様の条件手順で転写紙上に画像を形成したとこ
ろ極めて鮮明な画像が得られた。 実施例 12 実施例１と同様に、第１図に示す装置を用い以
下の様にして電子写真用像形成部材を作成し、画
像形成処理を施して画像出しを行つた。 １％のNaOHなる溶液を用いて表面処理を行
い、充分水洗し乾燥させて表面を清浄化した厚さ
１mm、大きさ34cm×27cmのアルミニウム支持体を
用意して、グロー放電堆積室１０１内の所定位置
にある固定部材１０３の所定位置に堅固に固定し
た。 次いで、メインバルブ１２９を全開して堆積室
１０１内の空気を排気し、約５×10-5Torrの真
空度にした。その後ヒーター１０４を点火して、
アルミニウム支持体を均一に加熱して50℃に上昇
させこの温度に保つた。その後、補助バルブ１２
８を全開し、引続いてボンベ１０８のバルブ１２
３、ボンベ１０９のバルブ１２４を全開した後、
流量調節バルブ１１８及び１１９を徐々に開い
て、ボンベ１０８よりArガスを、ボンベ１０９
よりSiH4ガスを堆積室１０１内に導入した。こ
の時、メインバルブ１２９を調節して堆積室１０
１内の真空度が約0.07Torrに保持される様にし
た。又、この場合、フローメーター１１３及び１
１４を注視し乍ら、流量調節バルブ１１８及び１
１９を調節して、SiH4ガスの流量がArガスの
10Vol％となる様にした。 続いてGeH4ガスを（純度99.999％）ボンベ１
１０のバルブ１２５を開き、流量調節バルブ１２
０を徐々に開け、フローメータ１１５の読みが
SiH4ガスの流量の30％になる様に流量調節バル
プ１２０の開口定め、安定化させた。この時の堆
積室１０１の内圧は約0.05Torrであつた。 次にボンベ１１１のバルブ１２６を全開し、そ
の後、流量調節バルプ１２１を徐々に開いてその
流量がSiH4ガスの流量の５×10-4vol％となる様
に制御し乍ら堆積室１０１内にB2H6ガスを導入
した。この時もメインバルブ１２９を調節して堆
積室１０１内の真空度を0.07Torrに保持した。 続いて、高周波電源１０５のスイツチをONに
して、電極１０６，１０７に13.56MHzの高周波
電力を投入し、堆積室１０１内部にグロー放電を
発生させ100Wの入力電力とした。この様な条件
の下で支持体１０２上にａ―半導体層を生長さ
せ、18時間同条件を保つて約20μ厚のａ―半導体
（Ｈが含有されている）層を形成した。その後、
引続き堆積室１０１内を真空に引き乍ら高周波電
源１０５をOFF状態としてグロー放電を中止さ
せると共に、流量調節バルプ１１８〜１２１、バ
ルプ１２３〜１２６、補助パルプ１２８を閉じて
堆積室１０１内の圧力を約１×10-5Torrとし
て、10分間その真空度に保つた。この時、支持体
の温度としては層形成時の温度を維持した。この
間熱処理室１３１内もバルプ１４５を開いて空気
を排気し約１×10-5Torrの真空度にした。その
後ゲートバルブ１４０を開き回転ローラ１４３，
１４４を回転させることにより予め加熱炉１３
２、により250℃に昇温された熱処理室１３１の
位置にａ―半導体が堆積された支持体１０２を移
動させ、ゲートバルブ１４０を閉じた。直ちにバ
ルブ１３４，１３９を全開し、引き続いて流量調
節バルブ１３６を徐々に開くと共にバルブ１４５
を調節し乍らボンベ１３３よりO2ガスを導入し
て熱処理室１３１の内圧を約100Torrとし、この
状態を熱処理する間維持した。この様にして、温
度250℃で30分間熱処理を行つた。この様にして
作成した電子写真用像形成部材を、熱処理終了
後、回転ローラ１４４により支持体１０２を取出
し蓋１４１の方に移動させメインバルブ１４５、
バルブ１３４、流量調節バルブ１３６、バルブ１
３９を閉じ、代りにリールバルブ１４６を開いて
熱処理室１３１内の真空を破り、外部に取り出し
た。この電子写真用像形成部材に、暗中に於いて
電源電圧5500Vでコロナ放電を光導電層表面に
行い次いで15lux・secの露光量で画像露光を行つ
て、静電像を形成し、該静電像をカスケード法に
より荷電されたトナーで現像して転写紙上に転
写・定着したところ解像力が高く極めて鮮明な画
像が得られた。 この様な画像形成処理を繰返し、前記電子写真
用像形成部材に施し、この電子写真用像形成部材
の耐久性に就て試験したところ、10万枚目の転写
紙上に得られた画像も極めて良質であつて、一枚
目の転写紙上の画像と較べても何等差違はなく、
この電子写真用像形成部材が耐コロナイオン性、
耐摩耗性、クリーニング性等に優れ著しく耐久性
に富んでいることが実証された。尚、クリーニン
グ法としてはブレードクリーニングを採用し、ブ
レードはウレタンゴムで成型したものを使用し
た。 次に、上記電子写真用像形成部材に就て、暗中
で、電源電圧6000Vのコロナ放電を施し、次い
で15lux・secの露光量で画像露光を行つて静電像
を形成した。この静電像をカスケード法により
荷電されたトナーを用いて現像し、次に転写紙上
に転写・定着したところ、極めて鮮明な画像が得
られた。 この結果と先の結果から本実施例で得られた電
子写真用像形成部材は、帯電極性に対する依存性
がなく両極性像形成部材の特性を具備しているこ
とが判つた。 実施例 13 実施例12に於いて、B2H6ガスの流量をSiH4ガ
スの流量の５×10-3vol％になる様に調整した他
は、実施例11と同様にしてアルミニウム支持体上
に厚さ20μのａ―半導体層を形成し、又同様の手
順で熱処理を行つて電子写真用像形成部材とし
た。 この電子写真用像形成部材に就て、実施例11と
同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成した
ところコロナ放電を行つて画像形成したよりも
その画質が優れており、極めて鮮明であつた。 実施例 14 第２図に示す装置を用い、以下の様にして電子
写真用像形成部材を作成し、画像形成処理を施し
て画像出しを行つた。 １％のNaOHなる溶液を用いて表面処理を行
い、充分水洗し乾燥させて表面を清浄化した厚さ
１mm、大きさ34cm×27cmのアルミニウム製の支持
体２０２を用意して堆積室２０１内の所定位置に
ある固定部材２０３の所定位置に堅固固定した。 この場合、支持体２０２は純度5nineのSiとGe
の多結晶の混合ターケツト２０５からは約8.5cm
離した。次いで、堆積室２０１内の空気を排気
し、約１×10-5Torrの真空度にした。その後、
ヒーター２０４を点火して支持体を均一に加熱し
て50℃に上昇させ、この温度に保つた。その後補
助バルプ２２４を全開し、引続いてボンベ２０９
のバルブ２１３を全開した後、流量調節バルブ２
２１を徐々に開いてメインバルブ２２５で調節し
ながら、ボンベ２０９よりH2ガスを、堆積室２
０１内の真空度が5.5×10-4Torrになる様にして
堆積室２０１内に導入した。 続いて、バルブ２１２を全開した後、流量調節
バルブ２２０をフローメータ２１６を注視し乍ら
徐々に開き堆積室２０１内の真空度が５×
10-3Torrになる様にしてArガスを堆積室２０１
内に導入した。 その後、高周波電源２０７のスイツチをONに
して、アルミニウム支持体２０２とターゲツト２
０５間に13.56MHz、1KVの高周波電圧を加えて
放電を起させ、アルミニウム支持体２０２上にａ
―半導体層の形成を開始し、30時間連続的に行つ
た。 その結果形成されたａ―半導体層の厚さは20μ
であつた。 その後、引続き堆積室２０１内を真空に引き乍
ら高周波電源２０７をOFF状態としてスパツタ
ーリングを中止させると共に、流量調節バルブ２
２０，２２１、バルブ２１２，２１３、補助バル
ブ２２４を閉じて、堆積室２０１内の圧力を約１
×10-5Torrとして10分間その真空度に保つた。
この時、支持体の温度としては層形成時の温度を
維持した。その後バルブ２１５、補助バルブ２２
４を全開し、引き続いて流量調節バルブ２２３を
徐々に開くと共に、メインバルブ２２５を調整し
乍ら、ボンベ２１１よりO2ガスを導入して堆積
室２０１の内圧を約100Torrとし、この状態を次
の熱処理をする間維持した。 堆積室２０１内の圧力が100Torrになつた時点
に於いて、加熱ヒーター２０４の温度を上昇させ
て支持体の温度を250℃とし、この温度で60分間
熱処理を行つた。 この様にして作成した電子写真用像形成部材
を、熱処理終了後、メインバルブ２２５、バルブ
２１５、流量調節バルブ２２３、補助バルブ２２
４を閉じ、代りにバルブ２２６を開いて、堆積室
２０１内の真空を破り、外部に取り出した。 この様にして作成した電子写真用像形成部材に
対して暗中で電源電圧5500Vでコロナ放電を行
い、次いで15lux・secの光量で画像露光を行つて
静電像を形成した。この静電像をカスケード現像
を行い、次いで転写紙上に転写・定着を行つたと
ころ、極めて鮮明で良質の画像が得られた。 実施例 15 第２図に示す装置を用い、実施例14と全く同様
の手順、方法で、アルミニウム製支持体上にａ―
半導体層を形成した。その後この試料を堆積室２
０１外に取り出して、第１図に示す装置の取出蓋
１４１を外して、試料を回転ローラ１４４上に支
持した。次に取出蓋１４１を閉じメインバルブ１
４５を開いて熱処理室１３１内の空気を排気し、
約１×10-5Torrの真空度にすると共に加熱炉１
３２をONして熱処理室１３１内を250℃に昇温し
一定に保つた。その後バルブ１３４，１３９を全
開し、引き続いて流量調節バルブ１３６を徐々に
開くと共にメインバルブ１４５を調整しながらボ
ンベ１３３よりO3ガスを導入して、熱処理室１
３１の内圧を約100Torrとした。以上のように熱
処理条件が一定になつたところで試料を回転ロー
ラ１４４で点線で示す位置に移動させ60分間熱処
理を行つた。この様にして作成した電子写真用像
形成部材を、熱処理終了後、再び回転ローラ１４
４により支持体１０２を取出蓋１４１の方に移動
させ、バルブ１４５、バルブ１３４、流量調節バ
ルブ１３６、バルブ１３９を閉じ、代りにリーク
バルブ１４６を開いて熱処理室１３１内の真空を
破り、外部に取り出した。この電子写真用像形成
部材に、暗中に於いて電源電圧5500Vでコロナ
放電を光導電層表面に行い、次いで15lux・secの
露光量で画像露光を行つて、静電像を形成し、該
静電像をカスケード法により荷電されたトナー
で現像して転写紙上に転写・定着したところ解像
力が高く極めて鮮明な画像が得られた。 この様な画像形成処理を繰返し、前記電子写真
用像形成部材に施し、この電子写真用像形成部材
の耐久性に就て試験したところ、10万枚目の転写
紙上に得られた画像も極めて良質であつて、一枚
目の転写紙上の画像と較べても何等差違はなく、
この電子写真用像形成部材が耐コロナイオン性、
耐摩耗性、クリーニング性等に優れ著しく耐久性
に富んでいることが実証された。尚、クリーニン
グ法としてはブレードクリーニングを採用し、ブ
レードはウレタンゴムで成型したものを使用し
た。 実施例 16 実施例１と同様の条件及び手順によつて形成し
た光導電層表面にポリウレタン樹脂によつて約20
μ厚の表面被覆層を形成して電子写真用像形成部
材を得た。 この電子写真用像形成部材に、暗中に於て電源
電圧6000Vでコロナ放電をその表面に行ない次
いで15lux・secの露光量で画像露光を行つて、静
電像を形成し、該静電像をカスケード法により
荷電されたトナーで現像して転写紙上に転写・定
着したところ解像力が高く極めて鮮明な画像が得
られた。
第１図は、本発明を具現化する装置の一例を示
す模式的説明図、第２図は本発明に係わる光導電
部材をスパツターリング法で製造する為の装置の
一例を示す模式的説明図である。 １０１……堆積室、１０２……支持体、１０３
……固定部材、１０５……高周波電源、１０８〜
１１２……ボンベ、１２３〜１２７……バルブ、
１１８〜１２２……流量調節バルプ、１２９……
メインバルプ、１３１……熱処理室、１３２……
加熱炉、１３７……高周波電源、１３８……イン
グクタンスコイル、２０１……堆積室、２０２…
…支持体、２０５……ターゲツト、２０８〜２１
１……ボンベ、２１６〜２１９……流量調節バル
ブ、２２５……メインバルブ。
す模式的説明図、第２図は本発明に係わる光導電
部材をスパツターリング法で製造する為の装置の
一例を示す模式的説明図である。 １０１……堆積室、１０２……支持体、１０３
……固定部材、１０５……高周波電源、１０８〜
１１２……ボンベ、１２３〜１２７……バルブ、
１１８〜１２２……流量調節バルプ、１２９……
メインバルプ、１３１……熱処理室、１３２……
加熱炉、１３７……高周波電源、１３８……イン
グクタンスコイル、２０１……堆積室、２０２…
…支持体、２０５……ターゲツト、２０８〜２１
１……ボンベ、２１６〜２１９……流量調節バル
ブ、２２５……メインバルブ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 支持体上に形成されたシリコンとゲルマニウ
ムを母体とするアモルフアス半導体層を、酸素、
窒素、及び酸素原子又は窒素原子を含む化合物の
中の少なくとも１つを含むか又はそれ等の中の活
性化されたものの中の少なくとも１つを含む雰囲
気中で熱処理することを特徴とするアモルフアス
光導電部材の製造方法。 ２ 熱処理を100℃以上の温度で行う特許請求の
範囲第１項のアモルフアス光導電部材の製造方
法。 ３ 前記活性化はプラズマ化である特許請求の範
囲第１項のアモルフアス光導電部材の製造方法。 ４ 前記活性化はラジカル化である特許請求の範
囲第１項のアモルフアス光導電部材の製造方法。 ５ (a) 減圧にし得る堆積室内に所望のガスを導
入して所望の内圧とし、該堆積室内におけるシ
リコン及びシリコン化合物の中の少なくとも１
つとゲルマニウム及びゲルマン化合物の中の少
なくとも１つとが存在する空間に放電を生起さ
せてガスプラズマ雰囲気を形成すること； (b) 予め前記堆積室内に設置され、層形成の温度
範囲内に維持されている支持体上にアモルフア
ス半導体を堆積させて所望の厚さにアモルフア
ス半導体層を形成するに充分な時間前記ガスプ
ラズマ雰囲気を維持すること； (c) 前記(b)工程において形成された支持体上のア
モルフアス半導体層を、酸素、窒素、及び酸素
原子又は窒素原子を含む化合物の中の少なくと
も１つを含むか又は、それ等の中の活性化され
たものの中の少なくとも１つを含む雰囲気中で
熱処理すること； を包含する事を特徴とするアモルフアス光導電部
材の製造方法。 ６ 前記層形成の温度範囲の上限が100℃以下で
ある特許請求の範囲第５項のアモルフアス光導電
部材の製造方法。 ７ 熱処理を100℃以上で行う特許請求の範囲第
５項のアモルフアス光導電部材の製造方法。 ８ 前記活性化はプラズマ化である特許請求の範
囲第５項のアモルフアス光導電部材の製造方法。 ９ 前記活性化はラジカル化である特許請求の範
囲第５項のアモルフアス光導電部材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13545878A JPS5562781A (en) | 1978-11-01 | 1978-11-01 | Preparation of amorphous photoconductive portion material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13545878A JPS5562781A (en) | 1978-11-01 | 1978-11-01 | Preparation of amorphous photoconductive portion material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5562781A JPS5562781A (en) | 1980-05-12 |
| JPS6215856B2 true JPS6215856B2 (ja) | 1987-04-09 |
Family
ID=15152174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13545878A Granted JPS5562781A (en) | 1978-11-01 | 1978-11-01 | Preparation of amorphous photoconductive portion material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5562781A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4394426A (en) * | 1980-09-25 | 1983-07-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member with α-Si(N) barrier layer |
| JPS58189643A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-11-05 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
| US4491626A (en) * | 1982-03-31 | 1985-01-01 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member |
| JPS61281872A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非晶質シリコンゲルマニウム膜の形成方法 |
-
1978
- 1978-11-01 JP JP13545878A patent/JPS5562781A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5562781A (en) | 1980-05-12 |
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