JPS6215877A - 半導体レ−ザアレイ装置 - Google Patents
半導体レ−ザアレイ装置Info
- Publication number
- JPS6215877A JPS6215877A JP60154716A JP15471685A JPS6215877A JP S6215877 A JPS6215877 A JP S6215877A JP 60154716 A JP60154716 A JP 60154716A JP 15471685 A JP15471685 A JP 15471685A JP S6215877 A JPS6215877 A JP S6215877A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguides
- semiconductor laser
- layer
- plane
- laser array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体レーザアレイ装置、特に高出力のレー
ザ光を一本の細いビームで出力できる半導体レーザアレ
イ装置に関する。
ザ光を一本の細いビームで出力できる半導体レーザアレ
イ装置に関する。
背景技術
光ディスク、レーザプリンタ、その他光計洞システムな
どの光源として、半導体レーザは用いられているが、現
在その高出力化が切望されている。
どの光源として、半導体レーザは用いられているが、現
在その高出力化が切望されている。
しかし現状の半導体レーザは、単一活性導波路構造であ
り、窓効果や端面反射率制御などの応用としても６０〜
７０μＷ程度が限界である。そこで複数の活性導波路を
持つ半導体レーザアレイの研究、開発が盛んになされて
いる。この半導体レーザアレイは、すべての導波路にお
ける光電異位相が同期したスーパーモード（０°位相モ
ード）を選択的に発振させることにより、細い一本のビ
ームで高出力光を放出できる。
り、窓効果や端面反射率制御などの応用としても６０〜
７０μＷ程度が限界である。そこで複数の活性導波路を
持つ半導体レーザアレイの研究、開発が盛んになされて
いる。この半導体レーザアレイは、すべての導波路にお
ける光電異位相が同期したスーパーモード（０°位相モ
ード）を選択的に発振させることにより、細い一本のビ
ームで高出力光を放出できる。
しかし従来の半導体レーザアレイにおいては、上述のよ
うにすべての導波路での光位相の完全な一致は実現され
ていない。具体的には、たとえば隣接する導波路間での
光位相が１８０°ずれを持ったスーパーモード（１８０
°位相モード）で発振し、出力光がある開き角度をもっ
た２本のビームの形で放出されるという第１の現象が生
じる。第１のこの現象が観測される半導体レーザアレイ
９の構造についで、第６図を参照しながら説明する。ま
ずＰ−ＧａＡｓ基板１の（００１）面上に、０．７μ階
厚のｎ” Ａ Ｊ！Ｏ＋ １ Ｇ ａ６． ｇ Ａ
ｓ電流狭さく層２と、０、−１μ論厚のｎ−ＧａＡｓ
衰面保！ＩＩ／１３とをこの順序で成長させる。成長方
法としては浪相エビタキシャル成艮法を用いる。次にこ
れら、各層２．３を貫通して、Ｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ基
板１に達する直線的な凹溝４を平行に３本形成する。凹
溝４の谷幅Ｄ１は４μｍ、深さＤ２は約１μ艶、各凹溝
４の中心間距離Ｄ３は５μｍｏとする。またこの凹溝４
は、レーザ共振器端面である（１１０）面に垂直とした
。この上うなウェハ上に再び液相エピタキシャル成長法
により０．２＃ｎ＋厚のＰ Ａ Ｊ？。、−２Ｇ ａ
ｏ、ｓｇＡ ｓクラッド層５と、０．０８μｍｎ厚のＰ
またはローＡノｏ＋Ｉ＜Ｇ ａｏ、ａ６Ａ ｓ活性層６
と、（）、８μ…のｎ−Ａ１’ ｏ 、 ４２ Ｇ ｇ
ｏ 、 ｓ ａ Ａ ｓクラッドｆｆ１７と、１．５
μｍ厚のｎ”−ＧａＡｓコンタクト／１ｉ１８とを連続
的にこの順序で成長させる。凹溝４は、Ｐ型クラッド層
５により完全に埋められるため、Ｐ型クラッド層５の上
面は平坦状になっている。その後、ウェハの両面に蒸着
により抵抗性全面電極を形成し、合金化処理を打なった
後、（０１１）面でへき開し、半導体レーザアレイクと
した。このように作製されたレーザ素子の発振ビームの
光電界分布と遠視野像を第８図および第９図にの各ライ
ンＬｌ、Ｌ２で示す。これらの結果により、隣接する活
性導波路間で光の時間的位相差は１８０°であることが
明らかである。
うにすべての導波路での光位相の完全な一致は実現され
ていない。具体的には、たとえば隣接する導波路間での
光位相が１８０°ずれを持ったスーパーモード（１８０
°位相モード）で発振し、出力光がある開き角度をもっ
た２本のビームの形で放出されるという第１の現象が生
じる。第１のこの現象が観測される半導体レーザアレイ
９の構造についで、第６図を参照しながら説明する。ま
ずＰ−ＧａＡｓ基板１の（００１）面上に、０．７μ階
厚のｎ” Ａ Ｊ！Ｏ＋ １ Ｇ ａ６． ｇ Ａ
ｓ電流狭さく層２と、０、−１μ論厚のｎ−ＧａＡｓ
衰面保！ＩＩ／１３とをこの順序で成長させる。成長方
法としては浪相エビタキシャル成艮法を用いる。次にこ
れら、各層２．３を貫通して、Ｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ基
板１に達する直線的な凹溝４を平行に３本形成する。凹
溝４の谷幅Ｄ１は４μｍ、深さＤ２は約１μ艶、各凹溝
４の中心間距離Ｄ３は５μｍｏとする。またこの凹溝４
は、レーザ共振器端面である（１１０）面に垂直とした
。この上うなウェハ上に再び液相エピタキシャル成長法
により０．２＃ｎ＋厚のＰ Ａ Ｊ？。、−２Ｇ ａ
ｏ、ｓｇＡ ｓクラッド層５と、０．０８μｍｎ厚のＰ
またはローＡノｏ＋Ｉ＜Ｇ ａｏ、ａ６Ａ ｓ活性層６
と、（）、８μ…のｎ−Ａ１’ ｏ 、 ４２ Ｇ ｇ
ｏ 、 ｓ ａ Ａ ｓクラッドｆｆ１７と、１．５
μｍ厚のｎ”−ＧａＡｓコンタクト／１ｉ１８とを連続
的にこの順序で成長させる。凹溝４は、Ｐ型クラッド層
５により完全に埋められるため、Ｐ型クラッド層５の上
面は平坦状になっている。その後、ウェハの両面に蒸着
により抵抗性全面電極を形成し、合金化処理を打なった
後、（０１１）面でへき開し、半導体レーザアレイクと
した。このように作製されたレーザ素子の発振ビームの
光電界分布と遠視野像を第８図および第９図にの各ライ
ンＬｌ、Ｌ２で示す。これらの結果により、隣接する活
性導波路間で光の時間的位相差は１８０°であることが
明らかである。
１８０°位相モードが選択的に発振するのは、従来例の
ような複数平行損失導波路構造の半導体レーザアレイク
では、各活性導波路間の光結合領域で光吸収が存在する
ため、１８０°位相モードのしきい値ディンが最低にな
るからである。このことは理論計算からも理解される。
ような複数平行損失導波路構造の半導体レーザアレイク
では、各活性導波路間の光結合領域で光吸収が存在する
ため、１８０°位相モードのしきい値ディンが最低にな
るからである。このことは理論計算からも理解される。
導波路解析より、導波路の中心間距離を５μ飴として３
工レメント平行損失導波路構造の半導体レーザアレイ９
の３つのスーパーモードのしきい値ゲインの横方向屈折
率差依存性を求めたグラフを第１０図のラインＬ ３
、Ｌ ４ 、Ｌ ５にそれぞれ示す。このように１８０
“位相モードを選択的かつ安定に発振させるのが理論的
にも実験的にも可能であることがわかるが、レーザ素子
応用において前述したような第１の現象となって現われ
る。また第１の現象の ｊほか、０１位相または
１８０°位相モード以外のスーパーモードで発振し、出
力光は複数のビームとなって放出される第２の現象が生
じたり、２つ以上のスーパーモードが非干渉の状態で重
なり合いビームが太くなる第３の現象が生じたりする。
工レメント平行損失導波路構造の半導体レーザアレイ９
の３つのスーパーモードのしきい値ゲインの横方向屈折
率差依存性を求めたグラフを第１０図のラインＬ ３
、Ｌ ４ 、Ｌ ５にそれぞれ示す。このように１８０
“位相モードを選択的かつ安定に発振させるのが理論的
にも実験的にも可能であることがわかるが、レーザ素子
応用において前述したような第１の現象となって現われ
る。また第１の現象の ｊほか、０１位相または
１８０°位相モード以外のスーパーモードで発振し、出
力光は複数のビームとなって放出される第２の現象が生
じたり、２つ以上のスーパーモードが非干渉の状態で重
なり合いビームが太くなる第３の現象が生じたりする。
これら第１〜第３の各現象は、半導体レーザアレイを使
用する立場からは不都合であり、単一スーパーモード発
振でかつ出力光は単一ビームであることが必要である。
用する立場からは不都合であり、単一スーパーモード発
振でかつ出力光は単一ビームであることが必要である。
発明が解決しようとする問題点
本発明の目的は、弔−スーパーモード発振であり、かつ
その出力光が単一ビームである半導体レーザアレイ装置
を提供することである。
その出力光が単一ビームである半導体レーザアレイ装置
を提供することである。
問題、αを解決するための手段
本発明は、平キテな複数の屈折率活性導波路を有し、前
記導波路のうち少なくとも１つの導波路が、レーザ共振
器反射面を構成する結晶方向に対して垂直な面から予め
定めた角度だけずれていることを特徴とする半導体レー
ザアレイ装置である。
記導波路のうち少なくとも１つの導波路が、レーザ共振
器反射面を構成する結晶方向に対して垂直な面から予め
定めた角度だけずれていることを特徴とする半導体レー
ザアレイ装置である。
作 用
本発明に従えば、平行な複数の屈折率活性導波路をもつ
レーザ素子でこれらの活性導波路とレーザ共振器端面の
なす角度が９０゛から適当な角度だけずれている構成を
レーザ素子の一部に有することにより、単一スーパーモ
ード発振により、その出力光が単一ビームである半導体
レーザアレイ装置を得ることができる。
レーザ素子でこれらの活性導波路とレーザ共振器端面の
なす角度が９０゛から適当な角度だけずれている構成を
レーザ素子の一部に有することにより、単一スーパーモ
ード発振により、その出力光が単一ビームである半導体
レーザアレイ装置を得ることができる。
実施例
ＰｔｆＪ１図は本発明の一実施例の斜視図であり、第２
図は半導体レーザアレイ装置１０の断面図である。本件
半導体レーザアレイ装置１０の基本構造は、従来例で示
した半導体レーザアレイ装置９のｖｌ造にほとんど等し
い。まずＰ−ＧａＡｓ基板１１の（００１）面上に、０
．７μＩ１１厚のｎ″−Ａ、／、、。
図は半導体レーザアレイ装置１０の断面図である。本件
半導体レーザアレイ装置１０の基本構造は、従来例で示
した半導体レーザアレイ装置９のｖｌ造にほとんど等し
い。まずＰ−ＧａＡｓ基板１１の（００１）面上に、０
．７μＩ１１厚のｎ″−Ａ、／、、。
Ｇａｏ、１−Ａｓ電流狭さくＭ１２と、０．１μｍ厚の
＋１− Ｇ ａＡ ｓ表面保護層１３とを、この順序で
液相成長法（ＬＰＥ法）により成長させる。次にこれら
各Ｍ１２．１３を貫通して、Ｐ−ＧａＡｓ基板１１に達
する凹溝１４を、第１図に示す形状で平行に３本形成す
る。凹溝１４の谷幅！１は４μ艶、深さＪ！２−は約１
μ鶴、各凹溝１４の中心間圧ａノ３は５μ鴎とする。こ
れら凹溝１４と、共振器面とのなす角度θは、第１式お
よび第２式で示す関係をもつ。
＋１− Ｇ ａＡ ｓ表面保護層１３とを、この順序で
液相成長法（ＬＰＥ法）により成長させる。次にこれら
各Ｍ１２．１３を貫通して、Ｐ−ＧａＡｓ基板１１に達
する凹溝１４を、第１図に示す形状で平行に３本形成す
る。凹溝１４の谷幅！１は４μ艶、深さＪ！２−は約１
μ鶴、各凹溝１４の中心間圧ａノ３は５μ鴎とする。こ
れら凹溝１４と、共振器面とのなす角度θは、第１式お
よび第２式で示す関係をもつ。
θ＝９０′−β （β≠０°） ・・・（１）
λＧ 、ｌ： ３ ＋ｓｉｎβ＝ ２ （Ｎｅｆｆ −１）
””” ）ここでλ。は、レーザの発振波長を
表わし、Ｎｅ「ｆは、発振波長に対するレーザ素子内で
の実効屈折率を表わす。またレーザ素子端面では凹溝１
４は、端面に対して垂直となっている。この上うなウェ
ハ上に再びＬＰＥ法により０．２μ輪厚のＰＡ に’
０．１２０ ａａ、ｓ６Ａ ｓクフツド！１５と、０．
０８μＩ１１厚のＰまたはｎ−Ａ Ｊ Ｏ，１４Ｇ
ａｏ、ａｓＡ Ｓ活性層１６と、Ｏ８８μ−のｎ−Ａ
Ｊｐ ０．４２Ｇ ｓ、、、ｍＡ ｓクラッド層１７と
、１．５μｌ厚のｎ” ＧａＡｓコンタクト層１８と
を、連続的にこの順序でｒ＆長させる。
λＧ 、ｌ： ３ ＋ｓｉｎβ＝ ２ （Ｎｅｆｆ −１）
””” ）ここでλ。は、レーザの発振波長を
表わし、Ｎｅ「ｆは、発振波長に対するレーザ素子内で
の実効屈折率を表わす。またレーザ素子端面では凹溝１
４は、端面に対して垂直となっている。この上うなウェ
ハ上に再びＬＰＥ法により０．２μ輪厚のＰＡ に’
０．１２０ ａａ、ｓ６Ａ ｓクフツド！１５と、０．
０８μＩ１１厚のＰまたはｎ−Ａ Ｊ Ｏ，１４Ｇ
ａｏ、ａｓＡ Ｓ活性層１６と、Ｏ８８μ−のｎ−Ａ
Ｊｐ ０．４２Ｇ ｓ、、、ｍＡ ｓクラッド層１７と
、１．５μｌ厚のｎ” ＧａＡｓコンタクト層１８と
を、連続的にこの順序でｒ＆長させる。
凹溝１４は、Ｐ型クラッド層１５により完全に埋められ
るたぬ、Ｐ型クラッド／１１５の上面は平坦状になって
いる。その後、ウェハの両面に蒸着により抵抗性全面電
極を形成し、合金化処理を行なった後、（０１１）面で
へき闇し、共振器とした。
るたぬ、Ｐ型クラッド／１１５の上面は平坦状になって
いる。その後、ウェハの両面に蒸着により抵抗性全面電
極を形成し、合金化処理を行なった後、（０１１）面で
へき闇し、共振器とした。
次にこの半導体レーザアレイ装置１０で出力ビームが１
本になる原理を述べる。第３図および第４図に端面近傍
での光波の位相関係を概念的に示士。ここでは３本の屈
折率活性導波路Ｍ １ 、Ｍ ２ 。
本になる原理を述べる。第３図および第４図に端面近傍
での光波の位相関係を概念的に示士。ここでは３本の屈
折率活性導波路Ｍ １ 、Ｍ ２ 。
Ｍ３を有する場合について説明する。本件レーザ７レイ
装置１０の基本構造は、第６図の従来半導体レーザアレ
イ装置ｉｉ９と等しい。したがって屈折率活性導波路Ｍ
１〜Ｍ３に直角な断面ＡＩ、Ａ２゜Ａ３では、隣り合う
屈折率活性導波路内の充電界位相は１８０°位相ずれて
いる。すなわちＡ１とＡ３の各面では同位相であり、Ａ
２の面では逆位相になっている。この光波は、屈折率活
性導波路Ｍ７〜Ｍ３の屈曲した部分を通り、端面と垂直
方向に進む１ｌＦＩＳ分に入射する。この部分でレーザ
素子内部では、角度βだけ屈折率活性導波路Ｍ１〜Ｍ３
が傾いているので８１ 、Ｂ ２ 、Ｂ ３の各面を見
ると、３つの屈折率活性導波路Ｍ１〜Ｍ３内の充電界は
同位相となる。そしてＣ１、Ｃ２、Ｃ３の各面では第４
図のライン１１で示すような光波が端面 ｊに垂直
に進むよ）になる。この光波は半導体レーザアレイ装置
１０外に放射されると、１本のビームとなり、第５図の
ラインノ２に示したような形状の遠視野像を呈する。こ
のような細い単一ビームを放射する半導体レーザアレイ
装置１０は応用上非常に有利である。
装置１０の基本構造は、第６図の従来半導体レーザアレ
イ装置ｉｉ９と等しい。したがって屈折率活性導波路Ｍ
１〜Ｍ３に直角な断面ＡＩ、Ａ２゜Ａ３では、隣り合う
屈折率活性導波路内の充電界位相は１８０°位相ずれて
いる。すなわちＡ１とＡ３の各面では同位相であり、Ａ
２の面では逆位相になっている。この光波は、屈折率活
性導波路Ｍ７〜Ｍ３の屈曲した部分を通り、端面と垂直
方向に進む１ｌＦＩＳ分に入射する。この部分でレーザ
素子内部では、角度βだけ屈折率活性導波路Ｍ１〜Ｍ３
が傾いているので８１ 、Ｂ ２ 、Ｂ ３の各面を見
ると、３つの屈折率活性導波路Ｍ１〜Ｍ３内の充電界は
同位相となる。そしてＣ１、Ｃ２、Ｃ３の各面では第４
図のライン１１で示すような光波が端面 ｊに垂直
に進むよ）になる。この光波は半導体レーザアレイ装置
１０外に放射されると、１本のビームとなり、第５図の
ラインノ２に示したような形状の遠視野像を呈する。こ
のような細い単一ビームを放射する半導体レーザアレイ
装置１０は応用上非常に有利である。
本発明者の実験結果によれば、傾むいた屈折率活性導波
路Ｍ１〜Ｍ３の長さＪ？ｉを２１０μｍ、端面に垂直な
屈折率活性導波路の長さｆｆをそれぞれ２０μ艶、傾き
角βを約１．８°とした場合、高出力でかつ単一ビーム
の出力光を再現性よ（得ることができた。なおβの値は
、前記第２式に以下の第３式〜ｍ５式を代入することに
より求めることができる。
路Ｍ１〜Ｍ３の長さＪ？ｉを２１０μｍ、端面に垂直な
屈折率活性導波路の長さｆｆをそれぞれ２０μ艶、傾き
角βを約１．８°とした場合、高出力でかつ単一ビーム
の出力光を再現性よ（得ることができた。なおβの値は
、前記第２式に以下の第３式〜ｍ５式を代入することに
より求めることができる。
！３＝ ５μ輸 ・・・（３）λ、）＝
０．７８μ優 ・・・（４）Ｎｅｆｆ＝ ３．
４５ ＝１５ ）本発明に従う半導体レー
ザアレイｖ装置は、前記実施例で述べた材料以外の材料
を用いて構成されるレーザ素子に関しても実施され得る
。また屈折率活性屈折率活性導波路の構造が、前記実施
例以外の構造を有するレーザ素子や、前記実施例の伝導
型とすべての伝導型が逆のレーザ素子などに関しても実
施され得る。
０．７８μ優 ・・・（４）Ｎｅｆｆ＝ ３．
４５ ＝１５ ）本発明に従う半導体レー
ザアレイｖ装置は、前記実施例で述べた材料以外の材料
を用いて構成されるレーザ素子に関しても実施され得る
。また屈折率活性屈折率活性導波路の構造が、前記実施
例以外の構造を有するレーザ素子や、前記実施例の伝導
型とすべての伝導型が逆のレーザ素子などに関しても実
施され得る。
効 果
以上のように本発明によれば、平行な限敗本の屈折率活
性導波路を有し、かつこれらの導波路のうち少なくと６
１の導波路がレーザ共振器反射面を構成する結晶面に対
して垂直な方向から予め定めた角度だけずらすことによ
って、その遠視野像を高出力でかつ単一の細いビームに
することができる。
性導波路を有し、かつこれらの導波路のうち少なくと６
１の導波路がレーザ共振器反射面を構成する結晶面に対
して垂直な方向から予め定めた角度だけずらすことによ
って、その遠視野像を高出力でかつ単一の細いビームに
することができる。
第１図および第２図は本発明に従う半導体レーザアレー
イ装置１０の構造を説明するための図、第３図は光波同
位相化の概念図、第４図および第５図は半導体レーザア
レイ装置１０の充電界分布および遠視野像を示す図、第
６図および第７図は従来の半導体レーザ７レイ９のｖＩ
Ｉ造を説明するための図、第８図およびｍＡ９図は半導
体レーザアレイ９の光電界分布および遠視野像を示す図
、第１０図は半導体レーザ７レイクのスーパーモードし
きい値ゲインの理論解析結果を説明するｊこめの図であ
る。 １１・・・基板、１２・・・電流狭さく層、１３・・・
表面保護層、１４・・・凹溝、１５．１７・・・クラッ
ド層、１６・・・活性層、１８・・・コンタクト層、１
０・・・半導体レーザアレイ装置、Ｍ １ 、Ｍ ２
、Ｍ ３・・・屈折率活性導波路 代理人 弁理士 四教 圭一部 １４ 第２図 第３図 横方向距離 第４図 遠視野角度 第５図 第６図 第７図 第８図 遠７Ｊｌｊ予角ハ【 第９図
イ装置１０の構造を説明するための図、第３図は光波同
位相化の概念図、第４図および第５図は半導体レーザア
レイ装置１０の充電界分布および遠視野像を示す図、第
６図および第７図は従来の半導体レーザ７レイ９のｖＩ
Ｉ造を説明するための図、第８図およびｍＡ９図は半導
体レーザアレイ９の光電界分布および遠視野像を示す図
、第１０図は半導体レーザ７レイクのスーパーモードし
きい値ゲインの理論解析結果を説明するｊこめの図であ
る。 １１・・・基板、１２・・・電流狭さく層、１３・・・
表面保護層、１４・・・凹溝、１５．１７・・・クラッ
ド層、１６・・・活性層、１８・・・コンタクト層、１
０・・・半導体レーザアレイ装置、Ｍ １ 、Ｍ ２
、Ｍ ３・・・屈折率活性導波路 代理人 弁理士 四教 圭一部 １４ 第２図 第３図 横方向距離 第４図 遠視野角度 第５図 第６図 第７図 第８図 遠７Ｊｌｊ予角ハ【 第９図
Claims (1)
- 平行な複数の屈折率活性導波路を有し、前記導波路のう
ち少なくとも１つの導波路が、レーザ共振器反射面を構
成する結晶面に対して垂直な方向から予め定めた角度だ
けずれていることを特徴とする半導体レーザアレイ装置
。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60154716A JPS6215877A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| US06/881,096 US4747109A (en) | 1985-07-12 | 1986-07-02 | Semiconductor laser array device |
| DE19863622885 DE3622885A1 (de) | 1985-07-12 | 1986-07-08 | Halbleiterlaseranordnung |
| GB8616834A GB2178233B (en) | 1985-07-12 | 1986-07-10 | Semiconductor laser array device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60154716A JPS6215877A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6215877A true JPS6215877A (ja) | 1987-01-24 |
| JPH0453115B2 JPH0453115B2 (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=15590401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60154716A Granted JPS6215877A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4747109A (ja) |
| JP (1) | JPS6215877A (ja) |
| DE (1) | DE3622885A1 (ja) |
| GB (1) | GB2178233B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6486587A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-31 | Sharp Kk | Semiconductor laser array device |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63302595A (ja) * | 1987-06-02 | 1988-12-09 | Murata Mfg Co Ltd | チップ部品の取付構造 |
| JPH0232582A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 集積型半導体レーザとその製造方法 |
| JPH0394481A (ja) * | 1989-09-07 | 1991-04-19 | Ricoh Co Ltd | アレイ状半導体発光装置 |
| JPH05152683A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-06-18 | Fuji Xerox Co Ltd | マルチビーム半導体レーザーアレイ |
| JP2003282939A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Oki Degital Imaging:Kk | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| DE102013213720A1 (de) | 2012-07-19 | 2014-01-23 | Avx Corporation | Temperaturstabiler Festelektrolytkondensator |
| US9548163B2 (en) | 2012-07-19 | 2017-01-17 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved performance at high voltages |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58197894A (ja) * | 1982-05-14 | 1983-11-17 | Omron Tateisi Electronics Co | 高出力半導体レ−ザ |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4255717A (en) * | 1978-10-30 | 1981-03-10 | Xerox Corporation | Monolithic multi-emitting laser device |
| JPS5793588A (en) * | 1980-12-02 | 1982-06-10 | Nec Corp | Light emitting element |
| US4742526A (en) * | 1985-01-12 | 1988-05-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array device |
| JPS61296785A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-27 | Sharp Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| GB2191631B (en) * | 1986-06-09 | 1990-01-31 | Stc Plc | Laser array |
-
1985
- 1985-07-12 JP JP60154716A patent/JPS6215877A/ja active Granted
-
1986
- 1986-07-02 US US06/881,096 patent/US4747109A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-07-08 DE DE19863622885 patent/DE3622885A1/de active Granted
- 1986-07-10 GB GB8616834A patent/GB2178233B/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58197894A (ja) * | 1982-05-14 | 1983-11-17 | Omron Tateisi Electronics Co | 高出力半導体レ−ザ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6486587A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-31 | Sharp Kk | Semiconductor laser array device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2178233A (en) | 1987-02-04 |
| DE3622885A1 (de) | 1987-01-22 |
| US4747109A (en) | 1988-05-24 |
| GB2178233B (en) | 1989-05-10 |
| GB8616834D0 (en) | 1986-08-20 |
| JPH0453115B2 (ja) | 1992-08-25 |
| DE3622885C2 (ja) | 1990-06-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0212886A (ja) | 間隔の狭いアンチガイドを使用する半導体レーザの位相ロック・アレイ | |
| JP3186705B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| US4792962A (en) | A ring-shaped resonator type semiconductor laser device | |
| JPS6215877A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| US4852113A (en) | Laser array with wide-waveguide coupling region | |
| JPS62169389A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| US4692925A (en) | Phase-locked laser array | |
| US4764929A (en) | Semiconductor laser array apparatus with adjustable phase plate | |
| JPH0431195B2 (ja) | ||
| JPH055391B2 (ja) | ||
| JPS61296785A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| US4815088A (en) | Semiconductor laser array device | |
| JPS6257275A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JPS6215879A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JPH0440874B2 (ja) | ||
| JPH02180085A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH0440877B2 (ja) | ||
| JPH09214047A (ja) | 面発光半導体レーザ | |
| JPH01238082A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS6393187A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| CA1242787A (en) | Phase-locked laser array with varying electrical current distribution | |
| JPH01175280A (ja) | 半導体レーザアレイ装置 | |
| JPH0337876B2 (ja) | ||
| JPS63117482A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JPS63258091A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 |