JPS62161952A - 立方晶窒化硼素薄膜の形成方法 - Google Patents
立方晶窒化硼素薄膜の形成方法Info
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- JPS62161952A JPS62161952A JP193486A JP193486A JPS62161952A JP S62161952 A JPS62161952 A JP S62161952A JP 193486 A JP193486 A JP 193486A JP 193486 A JP193486 A JP 193486A JP S62161952 A JPS62161952 A JP S62161952A
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Landscapes
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体分野における絶縁性膜や切削工具用耐
摩耗性膜として有用な立方晶窒化硼素薄膜の形成方法に
関するものである。
摩耗性膜として有用な立方晶窒化硼素薄膜の形成方法に
関するものである。
［従来の技術］
立方晶窒化硼素（Ｃｕｂｉｃ Ｂａｒｏｎ Ｎ１ｔｒｉ
ｄｅ 、以下ＣＢＮという）は、電気絶縁性及び熱伝導
性が優れていることからＩＣのヒートシンクやパッシベ
ーション膜として有用であり、また耐摩耗性及び耐熱性
が優れていることから金属あるいはセラミック製工作機
械の基材表面に対するコーテイング材として利用価値が
高く、殊に難削材切削用基材や高速切削用基材の各表面
コーテイング材として注目を集めている。
ｄｅ 、以下ＣＢＮという）は、電気絶縁性及び熱伝導
性が優れていることからＩＣのヒートシンクやパッシベ
ーション膜として有用であり、また耐摩耗性及び耐熱性
が優れていることから金属あるいはセラミック製工作機
械の基材表面に対するコーテイング材として利用価値が
高く、殊に難削材切削用基材や高速切削用基材の各表面
コーテイング材として注目を集めている。
上記基材上にＣＢＮ膜を形成する技術としては、スパッ
タリング、イオンブレーティングの手法に基づくものが
数例報告されている。例えば特開昭５７−２７９１０号
には、Ｂ：６０重量％以上とＡＩ、Ｃｏ、Ｎｔ、Ｍｎを
含む多元合金をＮＨ３ガス中でイオン化反応させ基材上
にＣＢＮ膜を形成する技術が開示されているが、この場
合には多元合金を均質に蒸発させることが非常に難しく
、しかも成膜時には基材を１０００℃近くまで加熱する
必要があるので基材の靭性を損なうという重大な欠点が
ある。また特開昭５９−８０７７５号には、ＩＶａ、Ｖ
ａ、Ｖｉａ族の金属の１種以上をＢＨに加え、これらを
同時にイオンブレーティングもしくはスパッタリング等
の手法によって基材上に蒸着させる技術が開示されてい
るが、前記と同様に複数の成分を均等に蒸発させること
が難しい為にＢとＮの組成比を厳密に制御することが困
難である。さらに特開昭５８−２０２２号にはＢ蒸着と
同時にイオン注入機を用いＮ２＋イオンを４０ｋｅＶの
エネルギーで基材へ打込むことによって基材上にＣＢＨ
膜を形成する技術が開示されているが、この場合には成
膜速度が０．７ Å／秒と低く、しかも大がかりなイオ
ン注入機を使用する為、処理コストが高くつくという問
題がある。尚この方法において、成膜速度をあげる目的
で大イオン電流を採用し蒸着速度を上げると、大きな運
動エネルギーが熱エネルギーに変換され基板温度が上昇
するという問題が生じる。
タリング、イオンブレーティングの手法に基づくものが
数例報告されている。例えば特開昭５７−２７９１０号
には、Ｂ：６０重量％以上とＡＩ、Ｃｏ、Ｎｔ、Ｍｎを
含む多元合金をＮＨ３ガス中でイオン化反応させ基材上
にＣＢＮ膜を形成する技術が開示されているが、この場
合には多元合金を均質に蒸発させることが非常に難しく
、しかも成膜時には基材を１０００℃近くまで加熱する
必要があるので基材の靭性を損なうという重大な欠点が
ある。また特開昭５９−８０７７５号には、ＩＶａ、Ｖ
ａ、Ｖｉａ族の金属の１種以上をＢＨに加え、これらを
同時にイオンブレーティングもしくはスパッタリング等
の手法によって基材上に蒸着させる技術が開示されてい
るが、前記と同様に複数の成分を均等に蒸発させること
が難しい為にＢとＮの組成比を厳密に制御することが困
難である。さらに特開昭５８−２０２２号にはＢ蒸着と
同時にイオン注入機を用いＮ２＋イオンを４０ｋｅＶの
エネルギーで基材へ打込むことによって基材上にＣＢＨ
膜を形成する技術が開示されているが、この場合には成
膜速度が０．７ Å／秒と低く、しかも大がかりなイオ
ン注入機を使用する為、処理コストが高くつくという問
題がある。尚この方法において、成膜速度をあげる目的
で大イオン電流を採用し蒸着速度を上げると、大きな運
動エネルギーが熱エネルギーに変換され基板温度が上昇
するという問題が生じる。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明はこうした事情に着目してなされたものであり、
単純な装置で実施することができ、ＢＮ組成を厳密に制
御し得ると共に成膜速度が大きく、しかも低温でＣＢＨ
膜を形成することができる様なＣＢＨの形成方法を提供
しようとするものである。
単純な装置で実施することができ、ＢＮ組成を厳密に制
御し得ると共に成膜速度が大きく、しかも低温でＣＢＨ
膜を形成することができる様なＣＢＨの形成方法を提供
しようとするものである。
［問題点を解決する為の手段］
上記目的を達成した本発明方法は、基材表面に立方晶窒
化硼素薄膜を形成する方法において、ＢＮ又はＢを蒸発
させ３〜１５Å／秒の蒸着速度でＢを基材上に蒸着させ
ると共に、蒸着と同時又は交互に上記基材に向けて窒素
イオンを５００ｅＶ〜１０ｋｅＶのエネルギーで照射す
る点に要旨を有するものである。
化硼素薄膜を形成する方法において、ＢＮ又はＢを蒸発
させ３〜１５Å／秒の蒸着速度でＢを基材上に蒸着させ
ると共に、蒸着と同時又は交互に上記基材に向けて窒素
イオンを５００ｅＶ〜１０ｋｅＶのエネルギーで照射す
る点に要旨を有するものである。
［作用］
本発明においては、まずＢＮあるいはＢを蒸発させて基
材上に蒸着させる。一方これに、同時又は交互に（後か
ら）Ｎイオンビームを照射してＢ元素を活性化させＮイ
オンと反応させて窒化物を形成する。しかるにこうして
得られる窒化物はこのままでは脆弱であるので、本発明
では 照 射するＮイオンビームの照射エネルギーをあ
げてスパッタリング効果により蒸着膜表面を活性化させ
強固な窒化物膜を形成する。即ちスパッタリング作用の
あるＮイオンビームを基材に向けて照射すると、前述の
通りＮイオンにより活性化されたＢイオンとの間で反応
が起こって窒化物が生成するが、これと同時に余剰のＢ
元素や結合力の弱い窒化物粒子のスパッタリングも進行
する。しかるに本発明ではスパッタリング進行速度より
ＢＮ蒸着速度を大きく設定するので、スパッタリングに
より膜形成が阻止されることがない。−ガスバッタされ
たＢ元素や脆弱窒化物粒子はＮイオンと再び衝突し活性
化され強固な窒化物となって再び基材表面に堆積する。
材上に蒸着させる。一方これに、同時又は交互に（後か
ら）Ｎイオンビームを照射してＢ元素を活性化させＮイ
オンと反応させて窒化物を形成する。しかるにこうして
得られる窒化物はこのままでは脆弱であるので、本発明
では 照 射するＮイオンビームの照射エネルギーをあ
げてスパッタリング効果により蒸着膜表面を活性化させ
強固な窒化物膜を形成する。即ちスパッタリング作用の
あるＮイオンビームを基材に向けて照射すると、前述の
通りＮイオンにより活性化されたＢイオンとの間で反応
が起こって窒化物が生成するが、これと同時に余剰のＢ
元素や結合力の弱い窒化物粒子のスパッタリングも進行
する。しかるに本発明ではスパッタリング進行速度より
ＢＮ蒸着速度を大きく設定するので、スパッタリングに
より膜形成が阻止されることがない。−ガスバッタされ
たＢ元素や脆弱窒化物粒子はＮイオンと再び衝突し活性
化され強固な窒化物となって再び基材表面に堆積する。
尚基板に高周波を印加すると未結合粒子が活性化されて
窒化物膜の強化が促進される。
窒化物膜の強化が促進される。
かかる窒化物（ＣＢＮ）膜形成過程を適正に進める為に
は、Ｂ蒸着速度並びＮイオンビーム照射エネルギーの調
整が重要であり、本発明ではその条件を夫々前記の如く
設定している。即ちＢ蒸着′速度が３Å／秒未満と低す
ぎると、スパッタリング進行速度とのバランスがとれな
くなるだけでなく、蒸着装置内の残留ガス成分に由来す
るＯやＣが膜中に２０ａｔ％以上侵入し膜強度を低下さ
せる。特に０は８．０３となり硬質ＢＮ［ｉの合成を阻
害する。一方Ｂ蒸着速度が１５Å／秒を超えると蒸着速
度が速くなりすぎてＢリッチの窒化物となり硬質膜を得
ることができない。またＮイオン照射エネルギーはスパ
ッタリング効果を有効に発揮させる上で５００ｅＶ以上
とする必要がある。
は、Ｂ蒸着速度並びＮイオンビーム照射エネルギーの調
整が重要であり、本発明ではその条件を夫々前記の如く
設定している。即ちＢ蒸着′速度が３Å／秒未満と低す
ぎると、スパッタリング進行速度とのバランスがとれな
くなるだけでなく、蒸着装置内の残留ガス成分に由来す
るＯやＣが膜中に２０ａｔ％以上侵入し膜強度を低下さ
せる。特に０は８．０３となり硬質ＢＮ［ｉの合成を阻
害する。一方Ｂ蒸着速度が１５Å／秒を超えると蒸着速
度が速くなりすぎてＢリッチの窒化物となり硬質膜を得
ることができない。またＮイオン照射エネルギーはスパ
ッタリング効果を有効に発揮させる上で５００ｅＶ以上
とする必要がある。
一方照射エネルギーが１０ｋｅＶを超えるとＮイオンが
基材表面層に侵入する所謂イオン注入現象が優勢となり
スパッタリングは低下する。こうした理由からＮイオン
照射エネルギーは５００ｅＶ〜１０ｋｅＶに設定する必
要があり、より好ましい範囲は１〜５ｋｅＶである。
基材表面層に侵入する所謂イオン注入現象が優勢となり
スパッタリングは低下する。こうした理由からＮイオン
照射エネルギーは５００ｅＶ〜１０ｋｅＶに設定する必
要があり、より好ましい範囲は１〜５ｋｅＶである。
本発明の基本構成は上記の通りであるが、本発明はＢイ
オンを基材表面に蒸着させながら、同時にあるいは交互
に別のイオン源から発生させたＮイオンを該蒸着面に照
射するものであり、言わばイオンビーム支援蒸着法と称
するものである。但し単なるイオンビーム支援蒸着法で
はなく、イオンビームの照射エネルギーをスパッタリン
グ発生領ｆ５に設定することにより反応系を活性化させ
Ｂ−Ｎ結合の形成を促進し窒化膜の強化をはかつている
。
オンを基材表面に蒸着させながら、同時にあるいは交互
に別のイオン源から発生させたＮイオンを該蒸着面に照
射するものであり、言わばイオンビーム支援蒸着法と称
するものである。但し単なるイオンビーム支援蒸着法で
はなく、イオンビームの照射エネルギーをスパッタリン
グ発生領ｆ５に設定することにより反応系を活性化させ
Ｂ−Ｎ結合の形成を促進し窒化膜の強化をはかつている
。
かかる本発明において、Ｂ源蒸発機構としては電子ビー
ムやホロカソード放電等の高融点金属蒸発ソースを利用
することができる。さらに蒸発Ｂのイオン化率を有効に
上げる為に蒸発源近傍にバイアスプローブ等を設けるこ
とも本発明の効果を向上させる上で有用な手段である。
ムやホロカソード放電等の高融点金属蒸発ソースを利用
することができる。さらに蒸発Ｂのイオン化率を有効に
上げる為に蒸発源近傍にバイアスプローブ等を設けるこ
とも本発明の効果を向上させる上で有用な手段である。
この様に本発明ではＢ蒸着速度を調整すると共にＮイオ
ンビーム照射エネルギーを適正に設定することにより、
基材上に強固なＣＢＮ膜を形成することに成功しており
、特に基材を高温に加熱することがないので基材の熱劣
化や熱歪を生ずることがない。またＢの蒸発とＮの供給
を個別に制御するのでＢＮ組成を厳密に制御することが
できる。
ンビーム照射エネルギーを適正に設定することにより、
基材上に強固なＣＢＮ膜を形成することに成功しており
、特に基材を高温に加熱することがないので基材の熱劣
化や熱歪を生ずることがない。またＢの蒸発とＮの供給
を個別に制御するのでＢＮ組成を厳密に制御することが
できる。
［実施例］
電子ビーム溶解機構を備えたイオンブレーティング装置
に、Ｂ蒸気（又はイオン）及び窒素イオンビームが同時
に照射可能な位置にイオン銃を設置した。電子ビーム溶
解ルツボには焼結ＢＮを入れ真空槽を加熱しつつガス放
出を行ない、クライオポンプを用いて５Ｘ１０″″６Ｔ
ｏｒｒまで減圧を行なった。次に０．Ｉ Ｔｏｒｒ （
Ａ ｒガス雰囲気にてＩＫＶのバイアスを印加して基板
のＡｒボンバードメントを１０分間行なった。続いてＮ
２ガスを用い槽内を１０″″’ Ｔｏｒｒにして５分間
パージを行ない再び１Ｏ−６Ｔｏｒｒに減圧完了後電子
銃を作動し溶解を開始した。同時にルツボ直上のプロー
ブに５０〜８０ｖの正電位を与えることによって蒸発成
分のイオン化を開始し、更に熱電子を照射することによ
りイオン化率を促進した。次いでイオン銃から基板に向
ってＮイオンビームを照射すると共にシャッターを開き
イオンブレーティングを開始した。この時基板バイアス
は８００Ｖ、Ｎイオン加速電圧３ｋｅＶ、イオン電流密
度０．７ｍÅ／ｃｍ２． Ｂ蒸着速度４００ Å／分
＝６．７人／秒であった。２μｍの厚さまでＢＮを蒸着
させたＳｉウェハーの表面を反射電子線回折により測定
したところＢＮは立方晶であることが分かった（第１図
参照）。この膜の硬度を測定したところ、ビッカース硬
度は５０ｇ荷重で４０００ Ｋｇ／ｍｍ’ と高い値を
示した。
に、Ｂ蒸気（又はイオン）及び窒素イオンビームが同時
に照射可能な位置にイオン銃を設置した。電子ビーム溶
解ルツボには焼結ＢＮを入れ真空槽を加熱しつつガス放
出を行ない、クライオポンプを用いて５Ｘ１０″″６Ｔ
ｏｒｒまで減圧を行なった。次に０．Ｉ Ｔｏｒｒ （
Ａ ｒガス雰囲気にてＩＫＶのバイアスを印加して基板
のＡｒボンバードメントを１０分間行なった。続いてＮ
２ガスを用い槽内を１０″″’ Ｔｏｒｒにして５分間
パージを行ない再び１Ｏ−６Ｔｏｒｒに減圧完了後電子
銃を作動し溶解を開始した。同時にルツボ直上のプロー
ブに５０〜８０ｖの正電位を与えることによって蒸発成
分のイオン化を開始し、更に熱電子を照射することによ
りイオン化率を促進した。次いでイオン銃から基板に向
ってＮイオンビームを照射すると共にシャッターを開き
イオンブレーティングを開始した。この時基板バイアス
は８００Ｖ、Ｎイオン加速電圧３ｋｅＶ、イオン電流密
度０．７ｍÅ／ｃｍ２． Ｂ蒸着速度４００ Å／分
＝６．７人／秒であった。２μｍの厚さまでＢＮを蒸着
させたＳｉウェハーの表面を反射電子線回折により測定
したところＢＮは立方晶であることが分かった（第１図
参照）。この膜の硬度を測定したところ、ビッカース硬
度は５０ｇ荷重で４０００ Ｋｇ／ｍｍ’ と高い値を
示した。
［発明の効果］
本発明は以上の様に構成されており、以下要約する効果
を得ることができる。
を得ることができる。
（１）イオン注入装置の様な大がかりな装置を必要とし
ないので設備コストが小さくて済む。
ないので設備コストが小さくて済む。
（２）Ｂ２源とＮ源を別々に設置するので夫々の出力制
御が容易であり、ＢＮ比の厳密な制御を行なうことがで
きる。
御が容易であり、ＢＮ比の厳密な制御を行なうことがで
きる。
（３）Ｂ蒸着とＮイオンの照射により大きな成膜速度で
ＣＢＮを成膜することができる。
ＣＢＮを成膜することができる。
（４）基材を加熱することがないので低温で成膜するこ
とができ、基材の熱劣化や熱歪を生ずることがない。
とができ、基材の熱劣化や熱歪を生ずることがない。
第１図は本発明方法により得たＣＢＮ蒸着膜の反射電子
線回折パターンを示す図面代用説明図である。
線回折パターンを示す図面代用説明図である。
Claims (1)
- 基材表面に立方晶窒化硼素薄膜を形成する方法において
、ＢＮ又はＢを蒸発させ３〜１５Å／秒の蒸着速度でＢ
を基材上に蒸着させると共に、蒸着と同時又は交互に上
記基材に向けて窒素イオンを５００ｅＶ〜１０ｋｅＶの
エネルギーで照射することを特徴とする立方晶窒化硼素
薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP193486A JPS62161952A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 立方晶窒化硼素薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP193486A JPS62161952A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 立方晶窒化硼素薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62161952A true JPS62161952A (ja) | 1987-07-17 |
Family
ID=11515434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP193486A Pending JPS62161952A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 立方晶窒化硼素薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62161952A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62230965A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-09 | Hitachi Ltd | 薄膜の製作方法 |
| JPH02159362A (ja) * | 1988-12-13 | 1990-06-19 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 薄膜製造方法および装置 |
| JPH03285062A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-16 | Nissin Electric Co Ltd | 窒化ホウ素薄膜被覆基体とその製造方法 |
| JPH04124258A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-24 | Nissin Electric Co Ltd | 窒化ホウ素薄膜の形成方法 |
| US5433974A (en) * | 1990-12-22 | 1995-07-18 | Samsung Electron Devices Co., Ltd. | Method of depositing anti-doming material to prevent doming of a shadow mask |
| US5450833A (en) * | 1991-12-06 | 1995-09-19 | Robert Bosch Gmbh | Breather for an internal combustion engine fuel tank |
-
1986
- 1986-01-08 JP JP193486A patent/JPS62161952A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62230965A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-09 | Hitachi Ltd | 薄膜の製作方法 |
| JPH02159362A (ja) * | 1988-12-13 | 1990-06-19 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 薄膜製造方法および装置 |
| JPH03285062A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-16 | Nissin Electric Co Ltd | 窒化ホウ素薄膜被覆基体とその製造方法 |
| JPH04124258A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-24 | Nissin Electric Co Ltd | 窒化ホウ素薄膜の形成方法 |
| US5433974A (en) * | 1990-12-22 | 1995-07-18 | Samsung Electron Devices Co., Ltd. | Method of depositing anti-doming material to prevent doming of a shadow mask |
| US5450833A (en) * | 1991-12-06 | 1995-09-19 | Robert Bosch Gmbh | Breather for an internal combustion engine fuel tank |
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