JPS62162321A - 電子機器の製造法 - Google Patents
電子機器の製造法Info
- Publication number
- JPS62162321A JPS62162321A JP61004570A JP457086A JPS62162321A JP S62162321 A JPS62162321 A JP S62162321A JP 61004570 A JP61004570 A JP 61004570A JP 457086 A JP457086 A JP 457086A JP S62162321 A JPS62162321 A JP S62162321A
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- Japan
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- resin
- low molecular
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- Pending
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- Insulating Of Coils (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、民生用、産業用の電気機器に用いられるシリ
コン樹脂を絶縁物として用いる電子機器の製造法に関す
るものである。
コン樹脂を絶縁物として用いる電子機器の製造法に関す
るものである。
従来の技術
この種のシリコン樹脂を充填したトランスは、第５図に
示すような構成で、ボビン１にコイル６１゜６′を巻回
しコア２を組込むことにより構成したコイル部本体と、
このコイル部本体を収容する絶縁ケース３、及びシール
ドケース４とで構成されている。なお、５は注型樹脂と
してのシリコン樹脂である。
示すような構成で、ボビン１にコイル６１゜６′を巻回
しコア２を組込むことにより構成したコイル部本体と、
このコイル部本体を収容する絶縁ケース３、及びシール
ドケース４とで構成されている。なお、５は注型樹脂と
してのシリコン樹脂である。
発明が解決しようとする問題点
このような構成において注型樹脂５としてシリコン樹脂
を用いる場合、樹脂の硬化温度は７０〜９０°Ｃ１時間
で硬化させる。しかし、硬化時の加熱ではシリコン樹脂
６中に含まれる低沸点のガスである環状低分子量シロキ
サンが揮発せず、電気機器に組込んで使用しているとき
に揮発し電気機器内のブラシ付モータの火花等で分解し
酸化ケイ素を形成する。この様子は、 の化学式で示される。この５ｉ０２がブラシ部に付着し
、モーターの接触不良を誘発する問題があった０尚、こ
の種のトランスは小型軽量化を要求される電気機器等に
使用されるため内部構成が非常に高密度化となっており
、電気機器内の密閉度も高くなっているため微少のガス
による影響が出やすい。
を用いる場合、樹脂の硬化温度は７０〜９０°Ｃ１時間
で硬化させる。しかし、硬化時の加熱ではシリコン樹脂
６中に含まれる低沸点のガスである環状低分子量シロキ
サンが揮発せず、電気機器に組込んで使用しているとき
に揮発し電気機器内のブラシ付モータの火花等で分解し
酸化ケイ素を形成する。この様子は、 の化学式で示される。この５ｉ０２がブラシ部に付着し
、モーターの接触不良を誘発する問題があった０尚、こ
の種のトランスは小型軽量化を要求される電気機器等に
使用されるため内部構成が非常に高密度化となっており
、電気機器内の密閉度も高くなっているため微少のガス
による影響が出やすい。
本発明は、このような従来の問題点を解決するもので信
頼性の向上９品質向上を図ることを目的とするものであ
る。
頼性の向上９品質向上を図ることを目的とするものであ
る。
問題点を解決するための手段
この問題を解決するために本発明の電子機器の製造法は
、シリコン樹脂の充填硬化后、さらに熱処理を行うこと
を製造工程に付加したものである。
、シリコン樹脂の充填硬化后、さらに熱処理を行うこと
を製造工程に付加したものである。
作用
この製造法により、残留揮発成分を８０〜９０°Ｃ１ｏ
ｏ時間以上の熱処理にて揮発させてしまい、使用時にお
ける揮発ガスによる問題をなくシ、信頼性９品質の向上
を得ることができる。
ｏ時間以上の熱処理にて揮発させてしまい、使用時にお
ける揮発ガスによる問題をなくシ、信頼性９品質の向上
を得ることができる。
実施例
以下、本発明の実施例を図面第１図〜第４図を用いて説
明する。
明する。
まず、第１図においてトランスを一実一施例として説明
すると、−次コイル７１．二次コイル７ｂを巻回したコ
イルポビン８に磁心９を組込んで構成したトランス本体
を、外周面にシールドケース１ｏを被せた絶縁ケース１
１内に収納し、この絶縁ケース１１内にシリコン樹脂１
２を充填し、これを７０〜９０°Ｃの温度で約１時間加
熱して硬化させる。その後、８０〜９０ ’Ｃの温度で
１００時間以上の熱処理を施し、シリコン樹脂１２中に
残存する環状低分子量シロキサンを揮発させてトランス
の製造を行う。
すると、−次コイル７１．二次コイル７ｂを巻回したコ
イルポビン８に磁心９を組込んで構成したトランス本体
を、外周面にシールドケース１ｏを被せた絶縁ケース１
１内に収納し、この絶縁ケース１１内にシリコン樹脂１
２を充填し、これを７０〜９０°Ｃの温度で約１時間加
熱して硬化させる。その後、８０〜９０ ’Ｃの温度で
１００時間以上の熱処理を施し、シリコン樹脂１２中に
残存する環状低分子量シロキサンを揮発させてトランス
の製造を行う。
第２図に示すものは、各種電気機器に利用される電源装
置を実施例としたものであり、トランス１３、整流回路
や制御回路などを構成する各種電子部品１４を組込んだ
プリント基板１６を絶縁ケース１６内に収納し、この絶
縁ケース１θ内にシリコン樹脂１７を充填し、これを７
ｏ〜９０’Ｃの温度で約１時間熱処理して硬化させ、さ
らに８゜〜９０°Ｃの温度で１００時間以上熱処理を施
して、シリコン樹脂１７中の環状低分子量シロキサンを
揮発させて電源装置を完成品とする。
置を実施例としたものであり、トランス１３、整流回路
や制御回路などを構成する各種電子部品１４を組込んだ
プリント基板１６を絶縁ケース１６内に収納し、この絶
縁ケース１θ内にシリコン樹脂１７を充填し、これを７
ｏ〜９０’Ｃの温度で約１時間熱処理して硬化させ、さ
らに８゜〜９０°Ｃの温度で１００時間以上熱処理を施
して、シリコン樹脂１７中の環状低分子量シロキサンを
揮発させて電源装置を完成品とする。
上述のシリコン樹脂１２．１７は一般にベースレジン人
とＢを重合させ、これを精製し、これに充填剤を混練し
たものを濃過して製造され（ＣＨ３）２５ｉＯで示され
るＤが環状に整数個結合されている。このＤの数によっ
て環状低分子量シロキサン含有量が第３図に示すガスク
ロマトグラフィー分析のように異なる。このシリコン樹
脂をそのま＼用いれば従来のように使用中に低分子量シ
ロキサンが揮発し悪影響を及ぼすことになる。
とＢを重合させ、これを精製し、これに充填剤を混練し
たものを濃過して製造され（ＣＨ３）２５ｉＯで示され
るＤが環状に整数個結合されている。このＤの数によっ
て環状低分子量シロキサン含有量が第３図に示すガスク
ロマトグラフィー分析のように異なる。このシリコン樹
脂をそのま＼用いれば従来のように使用中に低分子量シ
ロキサンが揮発し悪影響を及ぼすことになる。
しかし、本発明ではシリコン樹脂を充填し、７０〜９０
’Ｃで１時間加熱硬化した後、８ｏ〜９０°Ｃで１００
時間以上の熱処理を施し、上述の方法で製造したシリコ
ン樹脂中に残留した重量比１チ程度の環状低分子量シロ
キサンの７ｏ〜８０％を揮発させる。
’Ｃで１時間加熱硬化した後、８ｏ〜９０°Ｃで１００
時間以上の熱処理を施し、上述の方法で製造したシリコ
ン樹脂中に残留した重量比１チ程度の環状低分子量シロ
キサンの７ｏ〜８０％を揮発させる。
第４図にこの熱処理後のシリコン樹脂の環状低分子量シ
ロキサンのガスクロマトグラフィー分析の結果を示し、
第３図て比べてＤ４〜Ｄ７の全体にわたって環状低分子
量シロキサ／の含有量が減少しており、この結果、使用
中に環状低分子量シロキサンが揮発して電気機器に悪影
響を与えるようなことは無くなる。また、実施例では充
填用の絶縁物としてシリコン樹脂を用いるものについて
のみ説明したが、シリコン樹脂の成形品を用いる場合に
もこの熱処理はきわめて効果的であることは言うまでも
ない。
ロキサンのガスクロマトグラフィー分析の結果を示し、
第３図て比べてＤ４〜Ｄ７の全体にわたって環状低分子
量シロキサ／の含有量が減少しており、この結果、使用
中に環状低分子量シロキサンが揮発して電気機器に悪影
響を与えるようなことは無くなる。また、実施例では充
填用の絶縁物としてシリコン樹脂を用いるものについて
のみ説明したが、シリコン樹脂の成形品を用いる場合に
もこの熱処理はきわめて効果的であることは言うまでも
ない。
発明の効果
以上のように本発明の電子機器の製造法は、シリコン樹
脂を充填硬化した後、８０〜９０’Ｃで１００時間以上
熱処理して環状低分子量シロキサンをほとんど揮発させ
たため、使用中に環状低分子量シロキサンが揮発して、
火花発生などによって分解されてＳｉ０２の絶縁物とな
って接点部分に付着して導通性を阻害するといっだこと
もなくなり、品質面での向上が図れ信頼性に富んだもの
とすることができ工業的価値の犬なるものである。
脂を充填硬化した後、８０〜９０’Ｃで１００時間以上
熱処理して環状低分子量シロキサンをほとんど揮発させ
たため、使用中に環状低分子量シロキサンが揮発して、
火花発生などによって分解されてＳｉ０２の絶縁物とな
って接点部分に付着して導通性を阻害するといっだこと
もなくなり、品質面での向上が図れ信頼性に富んだもの
とすることができ工業的価値の犬なるものである。
第１図、第２図は本発明の電子機器の製造法の実施例に
より製造されたものを示す断面図、第３図は一般的なシ
リコン樹脂の環状低分子量シロキサンの含有量を示す比
較図、第４図は本発明の方法により熱処理した後のシリ
コン樹脂の環状低分子量シロキサ／の含有量を示す比較
図、第５図は従来の電子機器を示す断面図である。 Ｔ１，７ｂ・・・・・・−次、二次コイル、８・・・・
・・コイルボビン、９・・・・・・磁心、１１・・・・
・・絶縁ケース、１２・・・・・・シリコン樹１１Ｌ１
３・・・・・・トランス、１４・・・・・・電子部品、
１５・・・・・・プリント基板、１６・・・・・・絶縁
ケース、１７・・・・・・シリコン樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
より製造されたものを示す断面図、第３図は一般的なシ
リコン樹脂の環状低分子量シロキサンの含有量を示す比
較図、第４図は本発明の方法により熱処理した後のシリ
コン樹脂の環状低分子量シロキサ／の含有量を示す比較
図、第５図は従来の電子機器を示す断面図である。 Ｔ１，７ｂ・・・・・・−次、二次コイル、８・・・・
・・コイルボビン、９・・・・・・磁心、１１・・・・
・・絶縁ケース、１２・・・・・・シリコン樹１１Ｌ１
３・・・・・・トランス、１４・・・・・・電子部品、
１５・・・・・・プリント基板、１６・・・・・・絶縁
ケース、１７・・・・・・シリコン樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
Claims (1)
- 部品本体または各種電子部品を収容するケースに、絶
縁樹脂を封入し、上記ケースまたは絶縁樹脂としてシリ
コン樹脂を用いたものを熱処理により環状低分子量シロ
キサンを揮発させることを特徴とした電子機器の製造法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61004570A JPS62162321A (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | 電子機器の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61004570A JPS62162321A (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | 電子機器の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62162321A true JPS62162321A (ja) | 1987-07-18 |
Family
ID=11587697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61004570A Pending JPS62162321A (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | 電子機器の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62162321A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6469306A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Toray Silicone Co | Releasing agent |
| JPH01287911A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-11-20 | Tokin Corp | チップ型インダクタの製造法 |
-
1986
- 1986-01-13 JP JP61004570A patent/JPS62162321A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6469306A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Toray Silicone Co | Releasing agent |
| JPH01287911A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-11-20 | Tokin Corp | チップ型インダクタの製造法 |
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