JPS62164880A - 堆積膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、機能性膜、殊に半導体デバイス。

電子写真用の感光デバイス、光学的画像人力装置用の光
入力センサーデバイス等の電子デバイスの用途に有用な
半導体性堆積膜の形Ｉ＆装置に関する。

〔従来の技術〕

従来１機能性膜、殊に非結晶質乃至多結晶質の半導体膜
は、所望される物質的特性や用途等の観点から個々に適
した成膜方法が採用されている。

例えば、必要に応じて、水素原子（Ｈ）やハロゲン原子
（Ｘ）等の補償剤で不対電子が補償された非晶質や多結
晶質の非単結晶質シリコン（以後ｒＮＯＮ−５ｉ　（Ｈ
，Ｘ）Ｊと略記し、ソノ中でも殊に非結晶質シリコンを
示す場合にはｒａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）Ｊ、多結晶質シリコ
ンを示す場合にはｒｐｏｌｙ−Ｓｉ　（Ｈ，Ｘ）Ｊと記
す）　Ｉ＋！２等のシリコン系堆積膜（尚、俗に言う微
結晶シリコンは、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）の範鴎にはいるこ
とは断るまでもない）の形成には、真空蒸着法、プラズ
マＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、反応スパッタリング法、イオ
ンブレーティング法、光ＣＶＤ法などが試みられている
。

特に電子写真用の感光デバイスの成膜方法として、プラ
グ−？ＦＣＶＤ　（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ　　Ｄ
ｅｐｏｓｉｔ　１ｏｎ）法がすでに実用化されている。

この方法は反応室を高真空に減圧し、原料ガスを反応室
に供給した後グロー放電によって原料ガスを分解し、反
応室内に配置された基板上に薄膜を形成する方法である
。

この方法でＳｉＨ４，５ｉ２Ｈｓ等のシランガスを原料
ガスとして作成した非晶質硅素（ａ　−５ｉ　）　Ｉｆ
りは非晶質硅素（ａ−Ｓｉ）の禁止ダ；？中に存在する
局在準位が比較的少なく、コ換型不純物のドーピングに
より、価電子制御が可能であり、電子写真感光体として
も優れた特性を有するものが得られる成膜方法である。

第６図は従来のプラズマＣＶＤ法の量産型真空成膜装置
の好適な実施態様例の主要部分の基本構成を示したもの
で、これに従って円筒型基体表面上に成膜処理を行う場
合に就いて具体的に説明する。

６１１は円筒型基体６４１を所定位置に設置する為の取
り入れ室（基体設置ステージ）で、扉６１５を開けて１
つ又は複数の円筒型基体６４１の複数が固定治具６１６
に固定される。

扉６１５を閉めて排気系６３１により取り入れ室６１１
内を所望圧まで減圧するとともに基体加熱ヒーター６２
４により１円筒型基体６４１を例えば２００〜３００を
程度に加熱する。温度が十分安定した後、搬送手段６１
７により、排気系６４２で所望の真空圧に保たれた中継
室（中継ステージ）６１２に中間のゲートバルブ６１９
を開けて１円筒型基体６４１を移動する。移動後にゲー
トバルブ６１９を閉め１円筒型基体６４１と同数設けら
れたゲートバルブ６２９を開け、上下動手段６１８によ
り円筒型基体６４１を降下させ、各ゲートバルブに対応
して設けられた複数の反応炉（成膜ステージ）６４１−
１．６４１−２の夫々の内に円筒型基体６４１の夫々を
移動させる。

駆動源６３７により回転可能な円筒型基体用受は治具６
２γの夫々に円筒型基体６４１の夫々を固定した後、上
下動手段６１８はもとの位置にもどる。

ゲート６２９の夫々を閉じた後、反応炉６１４−１，６
１４−２の排気系６３２及びシラン等のｎＱ形成用の原
料ガスの導入系６３４により、反応炉６１４−１，６１
４−２の内部圧力を所望に従って適昌に調整し、その後
高周波電源６３３により支持体と同軸円筒形電極６２６
に高周波電圧を印加し、反応炉６１４−１．６１４−２
内に話電を生じせしめる。この放電により、原料カス導
入系６３４で導入したシラン等の原料ガスを分解し、円
筒型基体８４１表面に非晶質硅素膜等を成膜させる。そ
の際円筒型基体６４１は、加熱ヒーター６２８により内
部より加熱し、かつ駆動源６３７により回転し、膜厚の
均一化を計る。放電によって生ずるプラズマは、電気的
シールド６２５により反応炉６１４−１，６１４−２の
所定の空間内にとじ込められる。

成膜工程の終了後、原料ガスの導入を止めると同時に高
周波電源をきり、その後ゲートバルブ６２９を上げて、
上下動手段６１８により１表面を成膜された複数の円筒
型基体６４１の夫々は中継室６１２に引き上げられ、そ
の後ゲートバルブ６２９は閉じられる６次いでゲートバ
ルブ６２０を開け、予め所定の圧力に減圧されている取
り出し室（支持体取り出しステージ）６１３に、搬送手
段６２１を使って、成膜された円筒型基体６４１の夫々
を移動させる。移動終了後ゲートバルブ６２０は再び閉
じられる。取り出し室６１３に移動した円筒型基体６４
１は冷却手段６３６により冷却された冷却板６２３の冷
却作用により、所定の減圧の下で所定の温度まで下げら
れる。

しかる後、リークバルブ６３９を形成された膜に悪影響
を与えないように徐々に開き、取り出し室６１３内を外
気と通じさせ、その後取り出し扉６２２を上げて、成膜
された円筒型基体６４１を外部に取り出す。

以上説明した成膜動作工程を繰り返す事により多数の基
体上に成膜する事を連続的に行っていた。

〔従来の技術の問題点〕

上記の様に従来のプラズマＣＶＤ法では、堆積波電力を
導入することが必要であった。

そのため、一つの反応室で同時に１本以上の円筒形基体
に堆積膜を形成することが困難であり、生産性の向上に
問題があった。

また同様に、プラズマＣＶＤ法では反応室内で円筒形ノ
、（体と同軸円筒状の電極が必要であり、堆積■りは円
筒形基体と同軸円筒状の両方に同程度の膜厚に堆積する
ため、原料ガスのごく一部分が目的とする円筒形基体に
堆積するだけであった。そのため原料ガスの利用効率が
低く、堆積膜のコストが高くなるという問題点があった
。

更に、プラズマＣＶＤ法では、原料ガスを外部が導入し
た高周波エネルギーで分解し堆積されるため、高周波エ
ネルギーを効率よく反応室に導入することが難しく、装
置コストが高くなるという問題点があった。

さらには、工程操作上のいくつかの問題、そしてまた設
備投資上の問題が存在する。工程操作については、例え
ば、基体温度、導入ガスの流量並びに流量比、層形成時
の圧力、高周波電力、電極構造、反応容器の構造、排気
速度、プラズマ発生方式の相互関係のパラメーターをと
ってみても既に多くのパラメーターが存在し、この他に
もパラメーターが存在するわけであって、所望の製品を
得るについては厳密なパラメーターの選択が必要とされ
、そして厳密に選択されたパラメーターであるが故に、
その中の１つの構成因子、とりわけそれがプラズマであ
って、不安定な状態になったりでもすると形成される膜
は著しい悪影響を受けて製品として成立し得ないものと
なる６そして装置については、に述したように厳密なパ
ラメーターの選択が必要とされることから、構造はおの
ずと複雑なものとなり、装置規模１種類が変えれば個々
に厳選されたパラメーターに対応し得るように設計しな
ければならない、こうしたことから、プラズマＣＶＤ法
については、それが今のところ至適な方法とされてはい
るものの、上述したことから、所望のａ−５ｉ膜を量産
するとなれば装置に多大の設備投資が必要となり、そう
したところで尚量産のだめの工程管理項目は前述した様
に多く且つ複雑であり、工程管理許容幅は狭く、そして
また装置調整が微妙であることから、結局は製品をかな
りコスト高のものにしてしまう等の問題がある。

またー・・方には、電子写真用感光デバイスは多様化し
てきており、各種特性等の要件を総じて満足するととも
に、適用対象、用途に相応し、安定なａ−Ｓｔ膜で構成
された電子写真用感光デバイスを、低コストで定常的に
供給されることが社会的要求としてあり、この要求を満
たす方法、装置の開発が切望されている状況がある。

これ等のことは、他の層、例えば酸素原子、炭素原子及
び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有する
ａ　−Ｓ　ｉ　ｌ＋２等からなる層においてもまた然り
である。

さらには、多層構成の半導体素子を作成する場合−於て
は、各層間に生じる界面は得られる半導体素子の特性を
悪化させる要因と、たとえば電子写真用感光体を例に挙
げると第５図に示す様にＡ文型基体５００の上に、光反
射防止層（第１Ｂをドーピングした非晶質シリコン層）
５０２、感光層（第３層、ドーピングされていない非晶
質層）５０３、表面保護及び光吸収増加層（第４層、非
晶質シリコンカーバイド層）５０４が堆積されている。

夫々の堆ＭｉＮを形成させるための原ネ４ガスの種類、
流量、あるいはプラズマの放電強度は極端に異なるので
１通常は第１層と第２層との間、第２層と第３層との間
及び第３暦と第４層との間に於て放電を止めて完全にガ
スの変換を行ったり、又は連続的にガス種類、流量ある
いはプラズマの放電強度を徐々に変化させた変化層を設
けることにより、各堆積層間に生ずる界面の影！を低減
させる努力がなされている。しかし、いずれの場合に於
ても満足のゆく界面特性の変化向上は認められていない
。

上述の如く、シリコン系堆積膜の形成に於ては解決され
るべき点はまだ残されており、その実用Ｕ［能な特性、
均一性を維持させながら低コストな装とで省エネルギー
化を計って量産化でき、又、電子写真用感光デバイス等
の多層構成の堆積膜の界面状態を向上させる堆積膜形成
装置の開発が切望されている。

〔発明の１」的〕 本発明の目的は、上述した堆積膜形成装置の欠点を除去
すると同時に、従来の形成方法によらない新規な堆積膜
形成法を利用した電子写真用感光デバイス等の半導体デ
バイスを連続的に製造しうる装置を提供するものである
。

本発明の多の目的は、プラズマ反応を介することなく、
省エネルギー化を計ると同時に膜品質の管理が容易で大
面積に亘って均一特性の界面特性の向上がなされて多層
構成堆積膜を連続的に形成しうる堆積膜形成装置を提供
するものである。

本発明の更に別の目的は、生産性、量産性に優れ、高品
質で電気的、光学的、半導体的等の物理特性に優れた多
層構成の堆積膜が簡便に得られる堆積１１り形成装置を
提供することでもある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者らは上記目的を達成するため鋭意研究を重ねた
結果堆積膜形成用の気体状原料物質と。

該原料物質に酸化作用をする性質を有する気体状酸化剤
とを接触させ堆積膜を形成する装置において、堆積膜形
成室の相対する壁面の両方に前記気体状原料物質放出孔
及び前記気体状酸化剤放出孔を有するガス放出手段を設
け、該ガス放出手段どうしを結ぶ平面内に少なくとも一
部を含む堆積膜上 形成用支持体設置手段を設置した堆積膜形成室牽複数室
連結させることによって本発明を完成するに至った。

〔作　用〕

上記の本発明の堆積膜形成装置によれば、プラズマ反応
を介することなく省エネルギー化と同時に大面積化、膜
厚均一性、膜品質の均一性を十分満足し、かつ、界面特
性の向上がなされた多層構成堆積膜が管理の簡麦化と？
ｉ１：産化を計り、量産装置に多大な設備投資も必要と
せず、またその量産の為の管理項目も明確となり、管理
許容幅も広く、装置のｊＡ整も簡単に連続形成が可能と
なる。

本発明の成膜膜形成装置に於いて、使用される１（ｆ積
膜形成用の気体状原料物質及び価電子制御剤となる成分
及び／又は禁制帯幅制御剤となる成分を構成要素として
含む気体状物質（Ｄ）は、気体状酸化剤との接触により
酸化作用をうけるものであり、目的とする堆積膜の種類
、特性、用途等によって所望に従って適宜選択される６
本発明に於いては、上記の気体状原料物質、気体状物質
ＣＤ）及び気体状酸化剤は、反応空間内に導入されて接
触をする際に気体状とされるものであれば良く１通常の
場合は、気体でも液体でも固体であっても差支えない。

堆積膜形成用の原料物質、物質（Ｄ）あるいは酸化剤が
通常状態の場合に液体又は固体である場合には、Ａｒ、
Ｈｅ、Ｎ２．Ｎ２等のキャリアーガスを使用し、必四に
応じては熱も加えながらバブリングを行なって反応空間
に堆積膜形成用の原料物質、物質（Ｄ）及び酸化剤を気
体状として導入する。

この際上記気体状原料物質、気体状物質（Ｄ）及び気体
状酸化剤の分圧及び混合比は、キャリアーガスの流量あ
るいは堆積膜形成用の原料物質及び気体状酸化剤の蒸気
圧を２ｇＩｍすることにより設定される。

未発明に於いて使用される堆積膜形成用の原料物質とし
ては２例えば、半導体性の或いは電気的絶縁性のシリコ
ン堆積膜を得るのであれば、直鎖状、及び分岐状の鎖状
シラン化合物、環状シラン化合物等を有効なものとして
挙げることが出来る。

具体的には、直鎖状シラン化合物としては、５ｉｎＨ２
ｎ＋２　（ｎ＝１．２，３，４，５゜６　、７　、８）
　、分岐状鎖状シラン化合物としては、Ｓ　１Ｈ３Ｓ　
ｉＨ（Ｓ　１Ｈ３）Ｓ　１Ｈ２Ｓ　ｉＨ３、環状シラン
化合物としてはＳ　ｉ　ｉＨ２ｎ（ｎ＝３．４，５．６
）等が挙、げられる。

勿論、これ等のシリコン系化合物１種のみならず２種以
上混合して使用することも出来る。

本発明に於いて使用される気体状酸化剤は１反応室間内
に導入される際気体状とされ、同時に反応空間内に導入
される堆積膜形成用の気体状原料物質に接触するだけで
効果的に酸化作用をする性質を有するもので、酸素系酸
化剤、窒素系酸化剤、ハロゲン系酸化剤を挙げる事が出
来、具体的には空気、酸素、オゾン等の酸素類、Ｎ２Ｏ
４、Ｎ２Ｏ３、Ｎ２２、Ｎｏ等の酸素の或いは窒素の化
合物、Ｈ２Ｏ２等の過酸化物、Ｆ２．Ｃ交２、Ｂｒ２．
Ｉ２、Ｃ交Ｆ等のハロゲン系酸化剤を士−を有効なもの
として挙 げることが出来る。

これ等の酸化剤は気体状で、前記の堆積膜形成用の原料
物質の気体及び前記の物質（Ｄ）の気体と共に所望の流
量と供給圧を与えられて反応空間内に導入されて前記原
料物質及び前記物質ＣＤ）と混合衝突することで化学反
応を起こし、前記原料物質及び前記の物質（Ｄ）に酸化
作用をして励起状態の前駆体を含む複数種の前駆体を効
率的に生成する。生成される励起状態の前駆体及び他の
前駆体は、少なくともそのいずれか１つが形成される堆
Ｍ膜の構成要素の供給源として働く。

生成される前駆体は分解して又は反応して別の励起状態
の前駆体又は別の励起状態にある前駆体になって、或い
は必要に応じてエネルギーを放出はするがそのままの形
態で成膜空間に配設された基体表面に触れることで、基
体表面温度が比較的低い場合には三次元ネットワーク構
造の堆積膜が基体表面温度が高い温度には結晶質の堆積
膜が作成される。

本発明に於いては、堆積膜形成プロセスが円滑に進行し
、高品質で所望の物理特性を有する膜が形成される可く
、成膜因子としての、原料物質及びハロゲン系酸化剤の
種類と組み合せ、これ等の混合比、混合時の圧力、流量
、成膜空間内圧、ガスの波型、成膜温度（基体温度及び
雰囲気温度）が所望に応じて適宜選択される。これ等の
成膜因子は有機的に関連し、単独で決定されるものでは
なく相互関連の下に夫々に応じて決定される。

本発明に於いて、ハロゲン系酸化剤と、酸素系の又は／
及び窒素系の酸化剤の反応空間への導入ｅの割合は１作
成される堆積膜の種類及び所望される特性に応じて適宜
状められるが、好ましくは、１０００／１〜１１５０、
より好ましくは５００／ｌ−１／２０．最適には１００
／１〜１／１０とされるのが望ましい。

本発明の方法に於いて、価電子制御剤となる成分及び／
又は禁制帯制御剤となる成分を構成要素として含む物質
（Ｄ）としては、常温常圧でガス状態であるか、あるい
は少なくとも堆積膜形成条件下で気体であり、適宜の気
化装置で容易に気化し得る化合物を選択するのが好まし
い。

本発明に於いて使用される物質ＣＤ）としては、シリコ
ン系半導体膜　　゛　　　　　−Ｕの場合には、ｐ型の
価電子制御剤、所謂Ｐ型不純物として働く周期率表第ｍ
族Ａの元素１例えばＢ、ＡＪｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｕ等を
含む化合物。

およびｎ型の価電子制御剤、所謂ｎ型不純物として働く
周期率表第Ｖ族Ａの元素、例えばＮ、Ｐ。

Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ等を含む化合物を挙げることが出来る
。

具体的には、ＮＨ３、ＨＮ３　、Ｎ２Ｈ５Ｎ３　。

Ｎ２Ｈ４，ＮＨ４Ｎ３．ＰＨ３，Ｐ２Ｈ４，Ａ５Ｈ３，
ＳｂＨ３，ＢｉＩ３．Ｂ２Ｈｓ、Ｂ４ＨｔＯ。

Ｂ５Ｈ９、Ｂ５Ｈ１１，Ｂ６Ｈ１０，Ｂ６Ｈ１２，Ａ見
（Ｃ）１３）３　　、Ａ文　（Ｃ２Ｈ５）３　　、Ｇａ
　　（ＣＩ（３）３　、Ｉｎ　（ＣＨ３）３等を有効な
ものとして挙げることが出来る。これらの価電子制御剤
は多量に添加することで禁制帯幅調整剤として用いるこ
ともできる。

又、禁制帯幅制御剤、所ｒ４禁制帯幅拡大元素を含む化
合物としては炭素含有化合物、酸素含有化合物、窒素含
有化合物等を挙げることが出来る。

具体的には炭素含有化合物としては１例えば鎖状又は環
状炭化水素化合物及び鎖状又は環状炭化水素化合物の水
素原子の一部乃至全部をハロゲン原子で置換した化合物
が用いられ、具体的には、例えばＣｎＨ２ｎ＋２　（ｎ
は１以上の整数）、ＣｎＨ２ｎ＋１　（ｎは１以上の整
数）、ＣｎＨ２゜（ｎは１以上の整ａ）で表わされる飽
和及び不悠和炭化水素、又はＣｕＹ２ｕ＋２　（ｕは１
以上の整数、ＹはＦ、Ｃ１，Ｂｒ及び■より選択される
少なくとも一種の元素である。）で示される鎖状ハロゲ
ン化炭素、ＣｖＹ２ｖ　（ｖは３以上の整数、Ｙは前述
の意味を有する。）で示される環状ハロゲン化ケイ素、
ＣｕＨｘＹｙ　（ｕ及びＹは前述の意味を有する。Ｘ＋
１＝２ｕ又は２ｕ＋２である。）で示される鎖状又は環
状炭素化合物などが挙げられる。

これらの炭素化合物は、１種用いても２種以上を併用し
てもよい。

酸素含有化合物としては０２．ＣＯ２，Ｎｏ。

ＮＯ２、Ｎ２０，０３　、Ｃｏ、Ｉ（２０，ＣＨ３０Ｈ
，ＣＨ３ＣＨ２０Ｈ等の化合物を挙げることができる。

窒素含有化合物としては、Ｎ２．ＮＨ３、Ｎ２Ｈ５Ｎ３
　、Ｎ２Ｈ４、ＮＨ４Ｎ３等を挙げることができる。

本発明に於いて使用される禁制帯幅制御剤、所ｒＩ禁制
帯幅縮小元素を含む化合物としては１例えば、ゲルブニ
ウム化合物、スズ化合物等を有効なものとして挙げるこ
とが出来る。

具体的には、ゲルマニウムを主骨格とする化合物として
は１例えば鎖状又は環状水素化ゲルマニウム化合物及び
鎖状又は環状ゲルマニウム化合物の水套原子の一部乃至
全部をハロゲン原子で置換した化合物が用いられ、具体
的には、例えば、Ｇｅ’；Ｈ２Ｓ＋２　（Ｓ＝１．２，
３，４，５．６）、ＧｅｔＨ２ｔ　（ｔ＝３．４，５．
６）、ＧｅｕＹ２ｕ＋２（ｕは１以上の整数、ＹはＦ、
Ｃ１゜Ｂｒ及びｌより選択される少なくとも１種の元素
である。）で示される鎖状ハロゲン化ゲルマニウムＧｅ
ｖＹ２ｖ（ｖは３以上の整数、Ｙは前述の意味を有する
。）で示される環状ハロゲン化ゲルマニウム、ＧｅＨＨ
ｘＹｙ　（ｕ及びＹは前述の意味を有するＸ＋１＝２ｕ
又は２ｕ＋２である。）で示される鎖状又は環状化合物
などが挙げられる。スズ化合物としては、例えばＳｎＨ
４等の水素スズを挙げることができる。

Ｌ記物質ＣＤ）の気体を反応空間内に導入するには、予
め前記堆積１１り形成用の原料物質と混合して導入する
か、あるいは独立した複数のガス供給源より導入するこ
とができる。

本発明においては、堆積膜形成プロセスが円滑に、１１
行１．　嘉品哲でＩ′ｆｒ切の物理４〜峠ル六ナス１σ
が形成される可く、成膜因子としての堆積膜形成用の、
原料物質、物質（Ｄ）及び酸化剤の種類と組み合せ、こ
れ等の混合比、混合時の圧力、流量。

成膜空間内圧、成膜温度（基体温度及び雰囲気温度）が
所望に応じて適宜選択される。これ等の成膜因子は有機
的に関連し、単独で決定されるものではなく相互関連の
下に夫々に応じて決定される。

本発明に於いて、反応空間に導入される堆積膜形成用の
気体状原料物質と気体状酸化剤との量の割合は、上記成
膜因子の中間速する成膜因子との関係に於いて適宜所望
に従って決められるが、導入泣量比で、好ましくは、ｌ
／２０〜１００／１が適当であり、より好ましくは１７
５〜５０／１とされるのが望ましい。

又、気体状物質ＣＤ）の導入砥の割合は、前記気体状原
料物質の種類及び作成される堆積膜の所望される半導体
特性に応じて適宜所望に従って設定されるが、価電子制
御を目的とするのであれば前記気体状原料物質に対して
、好ましくは１／１００００００〜１／ｌＯ１より好ま
しくは１／１０００００〜１／２０、最適には１／１０
００００〜１１５０とされるのが望ましい。

禁制帯幅制御を目的とするのであれば、前記気体状原料
物質に対して、好ましくは、１／１００００−１０００
／１、より好ましくは１／１０００〜５００／１．最適
にはｌ／１００〜１００／ｌとされるのが望ましい。

反応空間に導入される際の混合時の圧力としては前記気
体状原料物質及び気体状物質（Ｄ）と前記気体状酸化剤
との接触を確率的により高める為には、より高い方が良
いが、反応性を考慮して適宜所望に応じて最適値を決定
するのが良い、前記混合時の圧力としては、Ｅ記の様に
して決められるが、夫々の導入時の圧力として、好まし
くはｌ　Ｘ　１０−７気圧〜５気圧、より好ましくは１
ＸｌＯ−６気圧〜２気圧とされるのが望ましい。

成膜空間内の圧力、即ち、その表面に成膜される気体が
配設されている空間内の圧力は、反応空間に於いて生成
される励起状態の前駆体（Ｅ）及び場合によって該前駆
体（Ｅ）より派生的に生ずる前駆体（Ｆ）が成膜プロセ
スに効果的に寄与する様に適宜所望に応じて設定される
。

本発明における成膜空間内の圧力は、反応空間に導入さ
れる気体状原料物質と気体状物質（Ｄ）と気体状酸化剤
の導入圧力との関係に於いて決られるが、好ましくは、
Ｏ，０ＯＩＴｏｒｒ−１００Ｔｏ　ｒ　ｒ、より好まし
くは、０．０ＩＴｏｒｒ　〜３０Ｔｏ　ｒ　ｒ、最適に
は、０．０５Ｔｏｒｒ　〜１０Ｔｏｒｒとされるのが望
ましい。

成膜時の基体温度（Ｔａｔ）としては、使用されるガス
種及び形成される堆ｖＩＷ２の種類と要求される特性に
応じて、個々に適宜所望に従って設定されるが、非晶質
の膜を得る場合には好ましくは室温から４５０℃、より
好ましくは５０〜４００°Ｃとされるのが望ましい、殊
に半導体性や光導電性等の特性がより良好なシリコン系
堆積膜を形成する場合には、基体温度（Ｔｓ）は７０〜
４００℃とされるのが望ましい、また、多結晶の膜を得
る場合には、好ましくは２００〜７００　’Ｃ１より好
ましくは３００〜６００℃とされるのが望ましい。

成膜空間の雰囲気温度（Ｔｓ）としては、生成される前
記前駆体（Ｅ）及び前記前駆体（Ｆ）が成膜に不適当な
化学種に変化せず、且つ効率良く前記前駆体（Ｅ）が生
成される様に基体温度（ＴＳ）との関連で適宜所望に応
じて決められる。

本発明に於いて使用される基体としては、形成される堆
積膜の用途に応じて適宜所望に応じて選択されるのであ
れば導電性でも電気絶縁性であっても良い。導電性基体
としては、例えば、Ｎｉ−Ｃｒ、ステアＬ／ス、ＡＪＩ
　、Ｃｒ　、Ｍｏ　、Ａｕ　。

Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ等の金属又は
これ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性基体としては、ポリエステル、ポリエチレン
、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリプロ
ピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリス
チレン、ボリアミント等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック等が通常使用される。これらの
電気絶縁性基体は、好適には少なくともその一方の表面
が導電処理され、該導電処理された表面側に他の層が設
けられるのが望ましい。

例えばガラスであれば、その表面がＮｉＣｒ。

Ａｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２゜ＩＴＯ
（Ｉ　ｎ２０３＋ｓ　ｎｏ２）等の薄膜を設けることに
よって導電処理され、あるいはポリエステルフィルム等
の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、Ａｉ、Ａｇ、
Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ　、Ａｕ。

Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金
属で真空蒸着、ＴＬ子ビーム蒸着、スパッタリング等で
処理し、又は前記金属でラミネート処理して、その表面
が導電処理される。

基体は、基体と膜とのに若性及び反応性を考慮して上記
の中より選ぶのが好ましい、更に両者の熱膨張の差が大
きいと膜中に多情の歪が生じ、良品質の膜が得られない
場合があるので、両者の熱膨張の差が近接している基体
を選択して使用するのが好ましい。

ヌ、基体の表面状態は、膜の構造（配向）や錐状組織の
発生に直接関係するので、所望の特性が得られる様な膜
構造と膜組織となる様に基体の表面を処理するのが望ま
しい。

本発明におけるガスの流型に就いては１反応空間への前
記堆積膜形成用の原料物質、物質（Ｄ）及び酸化剤の導
入の際にこれ等が均一に効率良く混合され、前記前駆体
（Ｅ）が効率的に生成され且つ成膜が支障なく適切にな
される様に、ガス放出孔と基体とガス排気孔との幾何学
的配置が決定される。

本発明においては、堆積膜形成室の相対する壁面の両方
にガス放出孔を設け、これらを結ぶ平面内に基体が設置
されている。これらの配置をすることによりガスの流れ
は基体を中心に左右両方向から基体表面上に向う、従っ
て、一方向のみから１（Ｅ積層の形成を行なうよりは堆
積速度を早めたり、膜厚及び膜質の均一性を向上させる
ことができる。そしてこの幾何学的配置は同一の堆積膜
形成室内に複数対設けても、夫々のガス放出孔どうしを
結ぶモ面が交叉することがなければ十分にその効果を維
持することができる。膜厚及び膜質の均一性を向上させ
る為、ガスの排気孔の設定位置は堆Ｊ＆　Ｉ＋！；Ｉ形
成室内に設置された基体の上部及び／又は下部に対向す
る壁面に配置することが好ましい、もちろん複数本の基
体を設置した時にはそれぞれの基体の上部及び／又は下
部に対向する壁面に配置することが好ましい。

本発明に於て、一つの堆積膜形成室内で十分な特性を有
する多層構成の堆積膜を形成することは可能であるが、
前述した様にさらに界面特性の変化向上を達成する為に
は、複数の堆積膜形成室を連結し各堆ＩＲ層を別々の堆
積膜形成室で形成することが好ましい。

本発明に於ては、堆積膜形成室内には堆積膜形成用原料
ガスの残留が比較的少ないが、さらに各堆積層ごとに堆
積膜形成室を変えることによって前の堆積膜形成室内に
残留する堆積層形成用原料ガスの影響を極限まで低下さ
せることが可能であり、界面特性の変化向上が飛躍的に
達成される。

本発明の堆積膜形成装置により、多層構成の堆積膜を有
する電子写真用感光デバイスの連続生産を行うには、基
体の流れが一方向になる様に設定する。たとえば基体に
最も近い第１層目の堆積膜の堆積膜形成室を最初に、次
に第２層目の堆積膜の堆積膜形成室を次に連結させ、以
下同様に基体に近い堆積膜の順に堆積膜形成室を連結さ
せ連続的に基体を移動させ、堆積膜を積層させるように
すればよい、もちろん第１層目の堆積膜形成室の前に前
処理室、最終層の堆積膜形成室の後に後処理室を連結さ
せることもできる。

以Ｆ、本発明による堆積膜形成装置を図面の実施例によ
り、更に詳しく説明するが１本発明の堆積＋＋ｑ形成装
置はこれによって限定されるものではない。

第１図に本発明の堆積膜形成装置の模式的な上面図を第
２図に模式的な透視図を示す０本発明の堆積層形成室匠
は長方形の堆積膜形成室１０１゜２０１内に、５木の円
筒状Ａ２製基体１０２゜２０２、該円筒状Ａ文型基体１
０２，２０２を挟むように壁面に５対のガス放出器１０
３ａ。

２０３ａ、及び円筒状Ａｉ製基体１０２，２０２の下部
に対向する壁面にガス排気孔１０５ａ、２０５　ａ、基
体加熱用ハロゲンランプ１０４ａ。

２０４ａ、反射鏡１０４ｂ、２０４ｂ、基体搬送用受台
１１３，２１５が配設されており、ゲートバルブ１１１
，２１１によって隣接する堆積膜形成室と隔離されてい
る。気体状原料物質および原料物質（Ｄ）は不図示のボ
ンベよりガス供給パイプ１０９ａ、２０９ａ、ガス導入
管１０９ｂ。

２０９ｂを通って、ガス放出孔１０３ｃ、２０３Ｃより
、気体状酸化剤は付図示のボンベより供給パイプ１ＬＯ
ａ、２１０ａ、ガス導入ｔ６　ｔ　ｔ　ｏ　ｂ　。

２１０ｂを通って壁面の５対のガス放出孔１０３ｂ、２
０３ｂより夫々基体１０２．２０２の方向に向って放出
され、円筒状ＡｆＬ製基体の下部に設けられたガス排気
孔１０５ａ、２０５ａより、ガス排気孔１０５，２０５
ａ、ガス排気管２０５　ｂ、ガス集合排気管１０６，２
０６．　　メイン真空バルブ１０７．２０７を通って、
排気装塁１０８゜２０８により排気される。

粟 成膜終了後は基体１０２，２０２の集った。

基体搬送用受台１１３，２１５は、矢印の方向１１２．
２１２に向って搬送用レール２１８の上を搬送される。

円筒状基体１０２，２０２は回転治具２１３の上に保持
され、外部に設けられた駆動用モーター２１７により、
回転用ギア２１８．２１４を介して回転させることがで
きる。

本発明において気体状原料物質及び基体状酸化剤を長手
方向に均一に、かつ安定して効率良く混合させるために
は、夫々のガスを交互に放出させる様にガス放出孔の配
置を設定する必要がある。

その好適な例を第４図に示した。

４０１ａ〜４０４ａはガス放出器本体であり。

ガス放出孔４０１ｂ〜４０４ｂ、及びガス放出孔４０１
ｃ〜４０４ｃ　（斜線で示しである）を交互に配置しで
ある。第４図（１）はスリット状の放出孔を３列に並べ
たものであり、ガス放出孔４０１ｂをガス放出孔４０１
Ｃがはさむ形になっている。スリット巾は好ましくは０
．０１〜５０ｍｍ、より好ましくは０．０２〜３０ｍｍ
、最適には０．０３〜１０ｍｍとされるのが望ましい、
第４図（２）は（１）を３列に増やしたものであるが。

大口径の基体に成膜をする際、あるいは堆積速度を早め
た峰などに有効である。スリットの数は所望により適宜
決定される。

スリット長さは基体の長さに応じて適宜決定される。

第４図（３）は円形の放出孔を縦方向に交互に１列に並
べたものである。第４図（４）は円形の放出孔を縦及び
横方向に交互に並べたものであるが大口径の基体に成膜
をする際、あるいは堆積速度を早めたい時などに有効で
ある。放出孔の長径は０．０１−１００ｍｍ、より好ま
しくは０．０５〜５０ｍｍ、ｆｉｉ８には０．１〜３０
　ｍ　ｍとされるのが望ましい。

スリット状及び円形の放出孔は隣接していても１間隔を
あけて配設しても良いが１間隔はスリット巾もしくは直
径の１０倍以上に敲して設置することは好ましくない。

ガス放出孔４０１ｂ〜４０４ｂと４０１ｃ〜４０４ｃよ
り夫々放出されるガスの種類によらず得られる堆積膜の
膜質は木質的に変わることはない。

本発明の場合ガス放出孔と基体表面との距離は、形成さ
れる堆積膜の種類及びその所望される特性、ガス流量、
真空チャンバーの内圧等を考慮して適切な状態になる様
に決められるが、好ましくは、数ｍｍ〜２０ｃｍ、より
好ましくは、５ｍｍ〜１５ｃｍ程度とされるのが望まし
い。

以下、実施例に従って、本発明を更に具体的に説明する
。

〔実施例〕

第１図乃至第３図に模式的に示した本発明の堆積１１り
形成装置を利用して非晶質シリコン（ａ−３ｉ：Ｈ）膜
を利用した電子写真用感光デバイスを作製した。

尚、この際の電子写真用感光デバイスの層構成を第５図
に示す。

即ち、第５図に示す電子写真用感光デバイスは、電荷注
入阻１Ｆ層（第２層、Ｐ生型ａ−３ｉ：Ｈ：Ｆ：Ｂ：０
）５０２．感光層（第３層、ａ−３ｉ：　Ｈ：　Ｆ）５
０３．表面保護及び光吸収増加層（第４層、ａ−５ｉ　
：Ｃ：Ｈ：　Ｆ）５０４から構成されている。

以下作製工程を詳述する。

ガス放出器は、第４図（１）の形状のものを用いた。ま
ず、直径８０ｍｍのＡｉ製同円筒状基体３０２５本ゲー
トバルブ３１１ａを開け、前処理室３０１ａに搬入した
。排気装置３０８ａにより前処理室３０１ａ内を約ｔｏ
　　　Ｔｏｒｒにした後、不図示のボンベよりＡｒガス
をガス供給パイプ３０９ａ、ガス放出孔３０３ａより導
入し。

メイン真空バルブ３０７ａの開度を調整し内圧を０、５
　Ｔ　Ｏｒ　ｒ　４．：保った。ハロゲンランプ３０４
ａを点灯させ基体温度が２５０℃になる様に設定した。

その間、８体は駆動用モーター２１７により回転させて
いる０次に、Ａｒガスの導入を止め、不図示のボンベよ
り、Ｆ２ガス１８０ＳＣＣＭをガス供給パイプ３１０ａ
、ガス放出孔３０３ａより導入し、基体表面を軽くエツ
チングし清浄化した。このとき、前処理室内の圧力は０
．４Ｔｏｒｒに保った。　Ｆ２ガスの導入をＩｈめ前処
理室内を約１０　　　Ｔｏｒｒに真空引きした。このと
き、隣接する成膜室（１）３０１ｂ内も同時に排気装置
３０８ｂにより前処理室内と同じ内圧に真空引きした。

内圧が等しくなった時点でゲートバルブ３ｔｔｂを開け
、基体を基体搬送用受台２１５に乗せたまま、成膜室（
１）３０１ｂ内に搬送した。

ゲートバルブ３１１ｂを閉じた後、基体加熱用ハロ・ゲ
ンランプ３０４ｂを点灯させ、基体温度が２５０　’Ｃ
になる様に設定した。基体温度が安定した後、不図示の
ボンベより堆ｆ？ｔ　ＩＩ！２形成用基体状原料物質、
及び原料物質（Ｄ）としてのＳｉＨ４ガス９００ＳＣＣ
Ｍ、ＧＧｅＨ４２４０ＳＣＣ、Ｂ２Ｈ６（１％Ｈ２Ｎｋ
釈）１００ｓｃｃＭをガス供給パイプ３０９ｂより、又
、不図示のボンベより気体状酸化剤としてのＦ２ガス８
００ＳＣＣＭＮｏガス２５０ＳＣＣＭ、希釈用Ｈｅガス
１４００ＳＣＣＭをガス供給パイプ３１０ｂより供給し
ガス放出器３０３ｂより成膜室（１）内に放出し、メイ
ン真空バルブ３０７　ｂの開度を調節し内圧を０．７　
Ｔ　ｏ　ｒ　ｒに保ちつつ、Ａｌ製円筒状基体上に光反
射防止層を０．７　ＪＬ　ｍ形成した。その後ＧｅＨ４
ガスのみの供給を止め連続して内圧を０、７　Ｔ　ｏ　
ｒ　ｒに保ちつつ電荷注入阻止層を２．４＃Ｌｍ形成し
た０反応後すべてのガスの供給を止め、成膜室（１）内
を約１Ｏ−６Ｔｏｒｒに真空引きした。このとき、隣設
する成膜室（２）３０１Ｃ内も同時に排気装ｆｉ３０８
ｃにより、成膜室（１）内と同じ内圧に真空引きした。

内圧が等しくなった時点でゲートバルブ３１１ｃを開け
、基体を基体搬送用受台２１５に乗せたまま、成膜室（
２）３０１ｃ内に搬送した。

ゲートバルブ３１１ｃを閉じた後、基体加熱用ハロゲン
ランプ３０４ｃを点灯させ、基体温度が２５０℃になる
様に設定した。基体温度が安定した後、不図示のボンベ
より堆積膜形成用基体状原料物質としてのＳｉＨ４ガス
１８００ｓｃｃＭをガス供給パイプ３０９ｃより、又、
不図示のボンベより気体状酸化剤としてのＦ２ガス２２
００ＳＣＣＭ、希釈用Ｈｅガス２５００ＳＣＣＭをガス
供給パイプ３１０ｃより供給し、ガス放出器３０３ｃよ
り成膜室（２）内に放出し、メイン真空バルブ３０７ｃ
の開度を調節し内圧を１．２Ｔｏｒｒに保ちつつ、電荷
注入防止層上に感光層２０ｐＬｍ形成した０反応後すべ
てのガスの供給を止め、成膜室（２）内を１０４Ｔｏｒ
ｒに真空引きした。このとき、成膜室（３）３ｏｔｄ内
も同時に排気装置３０８ｄにより、ｌ＆、膜室（２）内
と同じ内圧に真空引きした。内圧が等しくなった時点で
ゲートバルブ３１１ｄを開け、基体を基体搬送用受台２
１５に乗せたまま、成１１り室（３）３０１ｄ内に搬送
した。

ゲートバルブ３１１ｄを閉じた後、基体加熱用ハロゲン
ランプ３０４ｄを点灯させ、基体温度が２５０°Ｃにな
る様に設定した。基体温度が安定した後、不図示のボン
ベより堆積膜形成用基体状原料物質、としてのＳｉＨ４
ガス２２０ＳＣＣＭ。

ＣＣ２Ｈ４１５００ＳＣＣをガス供給パイプ３０９ｄ、
又、不図示のボンベより気体状酸化剤としてのＦ２ガス
３００ＳＣＣＭ、希釈用Ｈｅガス１２００ＳＣＣＭをガ
ス供給パイプ３１０ｄより供給し、ガス放出器３０３ｄ
より成膜室（３）内に放出し、メイン真空バルブ３０７
ｄの開度を調節し内圧を０．７Ｔｏｒｒに保ちつつ、感
光層上に表面保護及び光吸収増加層を０．５４　ｍ形成
した。

後処理室３０１ｅ内も同時に排気装ｆｉ３０８ｅにより
、成膜室（３）内と同じ内圧に真空引きした。内圧が等
しくなった時点でゲートバルブ３１１ｅを開け、基体を
基体搬送用受台２１５に乗せたまま後処理室３０１ｅ内
に搬送した。

ゲートバルブ３１１ｅを閉じた後、不図示のボンベより
Ａｒガス３００ＳＣＣＭをガス供給パイプ３１０ｅより
供給し、ガス放出器３０３ｅより後処理室３０１ｅ内に
放出し、基体温度が室温になるまで冷却した。十分に基
体温度が下った後。

メイン真空バルブ３０７ｅを閉じ、Ａｒガスにより後処
理室３０１ｅ内を大気圧にパージし、ゲートバルブ３１
１ｆを開けて完成した電子写真用感光デバイスを取り出
した。

完成した５木の電子写真用感光デバイスの電子写真特性
を、従来の量産機で作製した電子写真用感光デバイスと
比較し評価したところ、帯電能が１４％以上向上し、感
度も１２％以上向上していた。周方向及び上下方向での
特性ムラは２％以下であった。５木の電子写真用感光デ
バイスの間の特性ムラは５％以下であり１本発明による
堆積膜形成装置は量産機としての性能は十分満足するも
のであった。

〔発明の効果〕

本発明の堆積膜形成装置によれば、プラズマ反応を介す
ることなく省エネルギー化と同時に大面積化、膜厚均一
性、膜品質の均一性を十分満足し、かつ、界面特性の向
上がなされた多層構成堆積膜が管理の簡素化と量産化を
図り、量産装置に多大な設備投資も必要とせず、またそ
の川岸の為の管理項目も明確となり、管理許容幅も広く
、装置の調整も簡単に連続形成が可能となる。

具体的には、 （１）一つの堆積膜形成装置内で一度に多数本の成膜が
均一に行なえるため装置コストが安い。

（２）ガスの流れが基体を中心に左右両方向から基体表
面に向うため、膜厚及び膜質の均一性を向上させること
ができる。

（３）気体状原料物質と気体状酸化剤が効率よく混合す
るため反応効率がよく、ガスの利用効率が高い。

（４）支持体の加熱以外に、外部からのエネルギーが不
用であるため、装置のランニングコストが安い。

（５）多層構成の塩ｍ膜を形成する際、各堆桔層を別々
の堆積膜形成質で形成することができるため、界面特性
の向上が図れる。

（６）基体の流れを一方向にすることによりｉ！！！生
産が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を用いた堆積膜形成装置の模式
的な上面図、 第２図は第１図の堆積膜形成装置の模式的な透視方図。 第３図は本発明の実施例に用いた連続堆積膜形成装置の
模式的な上面図、 第４図は本発明の実施例に用いたガス放出器の模式的概
略図、 第５図は本発明の堆積膜形成装置を用いて作製した電子
写真用感光デバイスの模式的層構成図、第６図は従来の
プラズマＣＶＤによる電子写真用感光デバイス製造装置
の模式的概略図である。 １０１　、２０１−−−−−−−−−−−−一堆積膜形
成室、１０２　、２０２　、３０２−−−−−一円筒状
法体、１０３　ａ　、　２０３　ａ　、　３０３　ａ　
−ｅ　−−−−−−−−−ガス放出器、 １０３　ｂ　、　１０３　ｃ　、　２０３　ｂ　、　２
０３　ｃ　−−−−−−ガス放出孔。 １０４　ａ　、　２０４　ａ−−−−−−−−−一基体
加熱用ハロゲンランプ、 １０４　ｂ　、　２０４　ｂ−−−−−−−−−一反射
鏡、１０５．２０５ａ、３０５ａ−ｅ−−ガス排気孔。 ２０５　ｂ−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
ガス排気管。 １０６．２０６，３０６ａ−ｅ−−−−一−−−ガス集
合排気管、 １０７．２０７，３０７ａ−ｅ−−−−−−−−メイン
具用バルブ、 １０８．２０８．３０８　ａ−ｅ−−−−−一排気装置
、１０９ａ、２０９ａ、１１０ａ、２１０ａ、３０９　
ａ−ｅ　、　３１０　ａ−ｅ−−−−−−カス供給パイ
プ、１０９　ｂ　、　２０９　ｂ　、　１１０　ｂ　、
　２１０　ｂ　、　−−−−ガス導入管。 １１１．２１１，３１１ａ−ｅ−−ゲートバルブ、１１
２　、２１−２−−−−−一−−−−−−−−基体の流
れ、１１３　、２１５−−−−−−−−−−−−−一基
体搬送用受台。 ２　Ｌ　３−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
−一回転治具、２１４　、２１６−−−−−−−−−−
−−−−回転用ギア。 ２１７−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
駆動用モーター、２１８−−−−−−−−−−−−−一
−−−−−−−−搬送用レール。 ３０１　ａ−−−−−−−−−−−−−−−−＝−一前
処理室、３０　ｌ　ｂ−−−−−−−−−一〜−−−−
−−−−−成膜室（１）。 ３０１　ｃ−−−−−−−−−−−−−−−−−−−一
成膜室（２）。 ３０１　ｄ−−−−−−−−−−−−−−−−−−−一
成膜室（３）、３０１　ｅ−−−−−−−−−−−−−
−−−−−−一後処理室、３０４ａ　　、　　３０４ｂ
　　、　　３０４ｃ　　。 ３０４　ｄ　、　３０４　ｅ−−−−−−一基体加熱用
ハロゲンランプ及び反射鏡、 ４０１　ａ　〜４０４　ａ−−−−−−−−−−ガス放
出器、４０１ｂ〜４０４ｂ、４０１ｃ〜４０４ｃｍ−〜
−−−ガス放出孔、 ５００−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
１５体。 ５０１−−−−−−−−−−−−−−−−−−一−−−
光反射防止層、５０２−−−−−−−−−−−−−−−
−−−−−−一電荷注入阻止層、５０３−−−−−−−
−−−−−−−−一−−−−−−感光層。 ５０４−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−一
表面層、６１１−−−−−−−−−−−−−−−−−−
一−−−基体取り入れ室。 ６１２−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−一
中継室、６１３−−−−−−−−−−−−−−−−−−
−−−一基体取り出し室。 ６１４−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−一
反応炉。 ６　１　５　　、　２　２−−−−−−−−−−−−−
−−ｍｍ。 ６１６−−−−−−−−−−−−−−−〜−−−一−−
基体固定治具。 ６１７　、２１−−−、−−−−−−−−−−−−一搬
送手段。 ６１８−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−一
上下動手段、６１９　、２０　、２９−−−−−−−−
−−ゲートバルブ、６２３−−一−−−−−−−−−−
−−〜−−−−−一冷却板。 ６２４　、２８−−−−−−−−−−一−−−−−加熱
ヒーター。 ６３０−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
ヒーター電源。 ６３１．３２．３５．４２−−−一排気系。 ６３３−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−一
高周波電源、６３４−−−一−−−−−−−−−−−−
−−−−−一原料ガス導入系。 ６３６−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
冷却機、６３８　、３９　、４９−−一−−−−−−−
リークバルブ。 ６４１−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−一
円筒状基体。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）堆積膜形成用の気体状原料物質と該原料物質に酸
   化作用をする性質を有する気体状酸化剤とを接触させ堆
   積膜を形成する装置において、堆積膜形成室の相対する
   壁面の両方に前記気体状原料物質放出孔及び前記気体状
   酸化剤放出孔を有するガス放出手段を設け、該ガス放出
   手段どうしを結ぶ平面内に少なくとも一部を含む堆積膜
   形成用支持体設置手段を設置した堆積膜形成室が複数室
   連結されていることを特徴とする堆積膜形成装置。
2. （２）前記堆積膜形成室内に複数対の前記ガス放出手段
   及び前記堆積膜形成用支持体設置手段を有し、夫々の前
   記ガス放出孔どうしを結ぶ平面が交叉することがないこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形
   成装置。
3. （３）前記堆積膜形成室が所望する多層構成の堆積膜の
   層数に応じて複数室連結されていることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形成装置。
4. （４）前記複数室の堆積膜形成室の連結に加えて、前処
   理室及び後処理室を連結することを特徴とする特許請求
   の範囲第３項に記載の堆積膜形成装置。