JPS62164882A - 堆積膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、機能性膜、殊に半導体デバイス、電子写真用
の感光デバイス、光学的画像入力装置用の光入力センサ
ーデバイス等の電子デバイスの用途に有用な半導体性堆
積膜の形成装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、機能性膜、殊に非結晶質乃至多結晶質の半導体膜
は、所望される物理的特性や用途等の観点から個々に適
した成膜方法が採用されている。

例えば、必要に応じて、水素原子（Ｈ）やハロゲン原子
（Ｘ）等の補償剤で不対電子が補償された非晶質や多結
晶質の非単結晶シリコン（以後［Ｎ０Ｎ−５ｉ　（Ｈ，
Ｘ）Ｊと略記し、その中でも殊に非結晶質シリコンを示
す場合にはｒＡ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）　Ｊ、多結晶質シリ
コンを示す場合にはｒｐｏｌｙ−３ｉ　（Ｈ。

Ｘ）Ｊと記ず）膜等のシリコン系堆積膜（尚、俗に言う
微結晶シリコンは、Ａ　−Ｓ　ｉ　（Ｈ、Ｘ　）の範鴎
にはいることは断るまでもない）の形成には、真空蒸着
法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、反応スパッタリン
グ法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法などが試み
られている。

特に、電子写真用の感光デバイスの成膜方法として、プ
ラグｖＣＶＤ　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）法がすでに実用化されている。

この方法は反応室を高真空に減圧し、原料ガスを反応室
に供給した後グロー放電によって原料ガスを分解し、反
応室内に配置された基板上に薄膜を形成する方法である
。

この方法でＳｉＨ４，５ｉｚＨｅ　　等のシランガスを
原料ガスとして作成した非晶質硅素（Ａ−Ｓｉ）膜は非
晶質硅素（Ａ−３ｉ）の禁止帯中に存在する局在準位が
比較的少なく、置換型不純物のドーピングにより、価電
子制御が可能であり、電子写真感光体としても優れた特
性を有するものが得られる成膜方法である。

第６図は従来のプラズマＣＶＤ法の量産型真空成膜装置
の好適な実施態様例の主要部分の基本構成を示したもの
で、これに従って円筒型基体表面上に成膜処理を行う場
合に就いて具体的に説明する。

６１１は円筒型基体６４１を所定位置に設置する為の取
り入れ室（基体設置ステージ）で、扉６１５を開けて１
つ又は複数の円筒型基体６４１の複数が固定治具６１６
に固定される。

扉６１５を閉めて排気系６３１により取り入れ室６１１
内を所望圧まで減圧にするとともに基体加熱ヒーター６
２４により、円筒型基体６４１を例えば２００〜３００
℃程度に加熱する。温度が十分安定した後、搬送手段６
１７により、排気系６４２で所望の真空圧に保たれた中
継室（中継ステージ）６１２に中間のゲートバルブ６１
９を開けて、円筒型基体６４１を移動する。移動後にゲ
ートバルブ６１９を閉め、円筒型基体６４１と同数設け
られたゲートバルブ６２９を開け、上下動手段６１８に
より円筒型基体６４１を降下させ、各ゲートバルブに対
応して設けられた複数の反応炉（成膜ステージ）６１４
−１，６１４−２の夫々の内に円筒型基体６４１の夫々
を移動させる。

駆動源６３７により回転可能な円筒型基体用受は冶具６
２γの夫々に円筒型基体６４１の夫々を固定した後、上
下動手段６１８はもとの位置にもどる。

ゲート６２９の夫々を閉じた後、反応炉６１４−１゜６
１４−２の排気系６３２及びシラン等の膜形成用の原料
ガスの導入系６３４により、反応炉６１４−１，６１４
−２の内部圧力を所望に従って適当に調整し、その後高
周波電源６３３により支持体と同軸円筒形電極６２６に
高周波電圧を印加し、反応炉６１４−１，６１４−２内
に放電を生じせしめる。この放電により、原料ガス導入
系６３４で導入したシラン等の原料ガスを分解し、円筒
型基体６４１表面に非晶質硅素膜等を成膜させる。その
際円筒型基体６４１は、加熱ヒーター６２８により内部
より加熱し、かつ駆動源６３７により回転し、膜厚の均
一化を計る。放電によって生ずるプラズマは、電気的シ
ールド６２５により反応炉６１４−１，６１４−２の所
定の空間内にとじ込められる。

成膜工程の終了後、原料ガスの導入を止めると同時に高
周波電源をきり、その後ゲートバルブ６２９を開けて、
上下動手段６１８により、表面を成膜された複数の円筒
型基体６４１の夫々は中継室６１２に引き上げられ、そ
の後ゲートバルブ６２９は閉じられる。次いでゲートバ
ルブ６２０を開け、予め所定の圧力に減圧されている取
り出し室（支持体取り出しステージ）６１３に、搬送手
段６２１を使って、成膜された円筒型基体６４１の夫々
を移動させる。

移動終了後ゲートバルブ６２０は再び閉じられる。

取り出し室６１３に移動した円筒型基体６４１は冷却手
段６３６により冷却された冷却板６２３の冷却作用によ
り、所定の減圧の下で所定の温度まで下げられる。しか
る後、リークバルブ６３９を形成された膜に悪影響を与
えないように徐々に開き、取り出し室６１３内を外気と
通じさせ、その後取り出し扉６２２を開けて、成膜され
た円筒型基体６４１を外部に取り出す。

以上説明した成膜動作工程を繰り返す事により多数の基
体上に成膜する事を連続的に行っていた。

〔従来の技術の問題点〕

上記の様に従来のプラズマＣＶＤ法では、堆積膜電力を
導入することが必要であった。

そのため、一つの反応室で同時に１本以上の円筒形基体
に堆積膜を形成することが困難であり、生産性の向上に
問題があった。

また同様に、プラズマＣＶＤ法では反応室内で円筒形基
体と同軸円筒状の電極が必要であり、堆積膜は円筒形基
体と同軸円筒状の両方に同程度の膜厚に堆積するため、
原料ガスのごく一部分が目的とする円筒形基体に堆積す
るだけであった。そのため原料ガスの利用効率が低く、
堆積膜のコストが高くなるという問題点があった。

更に、プラズマＣＶＤ法では、原料ガスを外部が導入し
た高周波エネルギーで分解し堆積させるため、高周波エ
ネルギーを効率よく反応室に導入することが難しく、装
置コストが高くなるという問題点があった。

さらには、工程操作上のいくつかの問題、そしてまた設
備投資上の問題が存在する。工程操作については、例え
ば、基体温度、導入ガスの流量並びに流量比、層形成時
の圧力、高周波電力、電極構造、反応容器の構造、排気
速度、プラズマ発生方式の相互関係のパラメーターをと
ってみても既に多くのパラメーターが存在し、この他に
もパラメーターが存在するわけであって、所望の製品を
得るについては厳密なパラメーターの選択が必要とされ
、そして厳密に選択されたパラメーターであるが故に、
その中の１つの構成因子、とりわけそれがプラズマであ
って、不安定な状態になったりでもすると形成される膜
は著しい悪影響を受けて製品として成立し得ないものと
なる。そして装置については、上述したように厳密なパ
ラメーターの選択が必要とされることから、構造はおの
ずと複雑なものとなり、装置規模、種類が変れば個々に
厳選されたパラメーターに対応し得るように設計しなけ
ればならない。こうしたことから、プラズマＣＶＤ法に
ついては、それが今のところ至適な方法とされてはいる
ものの、上述したことから、所望のＡ−３ｉ膜を量産す
るとなれば装置に多大の設備投資が必要となり、そうし
たところで尚量産のための工程管理項目は前述した様に
多く且つ複雑であり、工程管理許容幅は狭く、そしてま
た装置調整が微妙であることから、結局は製品をかなり
コスト高のものにしてしまう等の問題がある。

また一方には、電子写真用感光デバイスは多様化してき
ており、各種特性等の要件を総じて満足するとともに、
適用対象、用途に相応し、安定なＡ−３ｉ膜で構成され
た電子写真用感光デバイスを、低コストで定常的に供給
されることが社会的要求としてあり、この要求を満たす
方法、装置の開発が切望されている状況がある。

これ等のことは、他の層、例えば酸素原子、炭素原子及
び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有する
Ａ−３ｉ膜等からなる層においてもまた然りである。

さらには多層構成の半導体素子を作成する場合に於ては
各層間に生じる界面は得られる半導体素子の特性を悪化
させる要因となっている。たとえば電子写真用感光体を
例に挙げると第５図に示す様にＡＩ！製基体５００の上
に、光反射防止層（第１層、Ｇｅにより禁制帯幅を制御
された非晶質シリコンゲルマニウム層）　５０１？？１
！荷注入阻止層（第２層、Ｂをドーピングした非晶質シ
リコン層）５０２．感光層（第３層、ドーピングされて
いない非晶質層）５０３．表面保護及び光吸収増加層（
第４層、非晶質シリコンカーバイド層）５０４が堆積さ
れている。夫々の堆積層を形成させるための原料ガスの
種類、流量、あるいはプラズマの放電強度は極端に異な
るので、通常は第１層と第２層との間、第２層と第３層
との間及び第３層と第４層との間に於て放電を止めて完
全にガスの交換を行ったり、又は連続的にガスの種類、
流量あるいはプラズマの放電強度を除々に変化させた変
化層を設けることにより、各堆積層間に生ずる界面の影
響を低減させる努力がなされている。しかし、いずれの
場合に於ても満足のゆく界面特性の変化向上は認められ
いていない。

上述の如く、シリコン系堆積膜の形成に於ては解決され
るべき点はまだ残されており、その実用可能な特性、均
一性を維持させながら低コストな装置で省エネルギー化
を計って量産化でき、又、電子写真用感光デバイス等の
多層構成の堆積膜の界面状態を向上させる堆積膜形成装
置の開発が切望されている。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上述した堆積膜形成装置の欠点を除去
すると同時に、従来の形成方法によらない新規な堆積膜
形成法を利用した電子写真用感光デバイス等の半導体デ
バイスを連続的に製造しうる装置を提供するものである
。

本発明の他の目的は、プラズマ反応を介することなく省
エネルギー化を計ると同時に膜品質の管理が容易で大面
積に亘って均一特性の界面特性の向上がなされた多層構
成堆積膜を連続的に形成しうる堆積膜形成装置を提供す
るものである。

本発明の更に別の目的は、生産性、量産性に優れ、高品
質で電気的、光学的、半導体的等の物理特性に優れた多
層構成の堆積膜が簡便に得られる堆積膜形成装置を提供
することでもある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者らは上記目的を達成するため鋭意研究を重ねた
結果、堆積膜形成用の気体状原料物質と、該原料物質に
酸化作用をする性質を有する気体状酸化剤とを接触させ
堆積膜を形成する装置において、堆積膜形成室の壁面の
一方に前記気体状原料物質放出孔及び前記気体状酸化剤
放出孔を有するガス放出手段を設け、該ガス放出手段と
対向する壁面に堆積膜形成室内を排気減圧にする為のガ
ス排気孔を設置し、前記ガス放出手段と前記ガス排気孔
とを結ぶ平面内に少なくともその一部を含む堆積膜形成
用支持体設置手段を設置した堆積膜形成室を複数室連結
させることによって本発明を完成するに至った。本発明
は新規な堆積膜形成装置を提供するものである。

〔作用〕

上記の本発明の堆積膜形成装置によれば、プラズマ反応
を介することなく省エネルギー化と同時に大面積化、膜
厚均一性、膜品質の均一性を十分満足し、かつ、界面特
性の向上がなされた多層構成堆積膜が、管理の簡素化と
量産化を図り、量産装置に多大な設備投資も必要とせず
、またその量産の為の管理項目も明確となり、管理許容
幅も広（、装置の調整も簡単に連続形成が可能となる。

本発明の堆積膜形成装置に於いて、使用される堆積膜形
成用の気体状原料物質及び価電子制御剤となる成分及び
／又は禁制帯幅制御剤となる成分を構成要素として含む
気体状物質（Ｄ）は、気体状酸化剤との接触により酸化
作用をうけるものであり、目的とする堆積膜の種類、特
性、用途等によって所望に従って適宜選択される。本発
明に於いては、上記の気体状原料物質、気体状物質（Ｄ
）及び気体状酸化剤は、反応空間内に導入されて接触を
する際に気体状とされるものであれば良く、通常の場合
は、気体でも液体でも固体であっても差支えない。

堆積膜形成用の原料物質、物質（Ｄ）あるいは酸化剤が
通常状態の場合に液体又は固体である場合には、Ａｒ、
　　Ｈｅ、　　Ｎ２　　、Ｈ２等のキャリアーガスを使
用し、必要に応じては熱も加えながらバブリングを行な
って反応空間に堆積膜形成用の原料物質、物質（Ｄ）及
び酸化剤を気体状として導入する。

この際、上記気体状原料物質、気体状物質（Ｄ）及び気
体状酸化剤の分圧及び混合比は、キャリアーガスの流量
あるいは堆積膜形成用の原料物質及び気体状酸化剤の蒸
気圧を調節することにより設定される。

本発明に於いて使用される堆積膜形成用の原料物質とし
ては、例えば、半導体性の或いは電気的絶縁性のシリコ
ン堆積膜を得るのであれば、直鎖状、及び分岐状の鎖状
シラン化合物、環状シラン化合物等が有効なものとして
挙げることが出来る。

具体的には、直鎖状シラン化合物としては、５ｉｎＨ２
ｎ＋２　（ｎ＝１．２，３，４，５，６，７．８）、分
岐状鎖状シラン化合物としては、５ｉＨ３ＳｉＨ（Ｓｉ
Ｈ３）ＳｉＨ２ＳｉＨ３゜環状シラン化合物としては５
ｉｎＨ２ｎ　（ｎ＝＝３．４，５゜６）等が挙げられる
。

勿論、これ等のシリコン系化合物１種のみならず２種以
上混合して使用することも出来る。

本発明に於いて使用される気体状酸化剤は、反応室間内
に導入される際気体状とされ、同時に反応空間内に導入
される堆積膜形成用の気体状原料物質に接触するだけで
効果的に酸化作用をする性質を有するもので、酸素系酸
化剤、窒素系酸化剤、ハロゲン系酸化剤を挙げることが
出来、具体的には空気、酸素、オゾン等の酸素類、Ｎ２
Ｏ４゜Ｎ２Ｏ３，Ｎ２０．Ｎｏ等の酸素の或いは窒素の
化合物、Ｈ２Ｏ２等の過酸化物、Ｆ２　、Ｃ１２２，Ｂ
ｒ２．Ｉ２゜Ｃｊ７Ｆ等のハロゲンガス ＆念乏が有効なものとして挙げることが出来る。

これ等の酸化剤は気体状で、前記の堆積膜形成用の原料
物質の気体及び前記の物質（Ｄ）の気体と共に所望の流
量と供給圧を与えられて反応空間内に導入されて前記原
料物質及び前記物質（Ｄ）と混合衝突することで化学反
応を起こし、前記原料物質及び前記の物質（Ｄ）に酸化
作用をして励起状態の前駆体を含む複数種の前駆体を効
率的に生成する。生成される励起状態の前駆体及び他の
前駆体は、少なくともそのいずれか１つが形成される堆
積膜の構成要素の供給源として働く。

生成される前駆体は分解して又は反応して別の励起状態
の前駆体又は別の励起状態にある前駆体になって、或い
は必要に応じてエネルギーを放出はするがそのままの形
態で成膜空間に配設された基体表面に触れることで、基
体表面温度が比較的低い場合には三次元ネットワーク構
造の堆積膜が　　　。

基体表面温度が高い場合には結晶質の堆積膜が作成され
る。

本発明に於いては、堆積膜形成プロセスが円滑に進行し
、高品質で所望の物理特性を有する膜が形成される可く
、成膜因子としての、原料物質及びハロゲン系酸化剤の
種類と組み合せ、これ等の混合比、混合時の圧力、流量
、成膜空間内圧、ガスの流量、成膜温度（基体温度及び
雰囲気温度）が所望に応じて適宜選択される。これ等の
成膜因子は有機的に関連し、単独で決定されるものでは
なく相互関連の下に夫々に応じて決定される。

本発明に於いて、ハロゲン系酸化剤と、酸素系の又は／
及び窒素系の酸化剤の反応空間への導入量の割合は、作
成される堆積膜の種類及び所望される特性に応じて適宜
状められるが、好ましくは、１０００／１〜１１５０、
より好ましくは５００／１〜１／２０、最適には１００
／１−１／１０とされるのが望ましい。

本発明の方法に於いて、価電子制御剤となる成分及び／
又は禁制帯制御剤となる成分を構成要素として含む物質
（Ｄ）としては、常温常圧でガス状態であるか・、ある
いは少なくとも堆積膜形成条件下で気体であり、適宜の
気化装置で容易に気化し得る化合物を選択するのが好ま
しい。

本発明に於いて使用される物質（Ｄ）としては、シリコ
ン系半導体膜　゛　　　− の場合には、ｐ型の価電子制御剤、所謂ｐ型不純物とし
て働く周期律表第■族Ａの元素、例えばＢ。

Ａ　Ｉ！　、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔ　４７等を含む化合物、及
びｎ型の価電子制御剤、所謂ｎ型不純物として働く周期
律表第Ｖ族Ａの元素、例えばＮ、　Ｐ、　Ａｓ、　Ｓｂ
、　Ｂｉ等を含む化合物を挙げることが出来る。

具体的には、ＮＨａ、ＨＮ３．Ｎ２Ｈ６Ｎ３．Ｎ２Ｈ４
゜ＮＨ４Ｎ３．　ＰＨ３，Ｆ２１（４，ＡＳＨ３，Ｓｂ
Ｈ３，ＢｉＩ３゜Ｂ２ｌ−１６，Ｂ４１（ｔｏ、　Ｂ５
Ｈ９，Ｂ５Ｈ１ｌ、　Ｂ６ＨＩＯ，Ｂ６Ｈ１２゜ＡＩ！
（ＣＨａ）　３．ＡＩ！（Ｃ２Ｈ５）３．　　Ｇａ（Ｃ
Ｈ３）３゜Ｉｎ　（ＣＩＩ３）　３　等を有効なものと
して挙げることが出来る。

これらの価電子制御剤は多量に添加することで禁制帯調
整剤として用いることもできる。

又、禁制帯幅制御剤、所謂禁制帯幅拡大元素を含む化合
物としては炭素含有化合物、酸素含有化合物、窒素含有
化合物等を挙げることが出来る。

具体的には炭素含有化合物としては、例えば鎖状又は環
状炭化水素化合物及び鎖状又は環状炭化水素化合物の水
素原子の一部乃至全部をハロゲン原子で置換した化合物
が用いられ、具体的には、例えば、ＣＯＩ−Ｉ　２ｎ＋
２　（ｎは１以上の整数）、ＣｎＨ２ｎ＋＋　（ｎは１
以上の整数）、Ｃｎ　Ｈ２ｉｉ　（ｎは１以上の整数）
で表わされる飽和及び不飽和炭化水素、又はＣｕＹ２ｕ
＋２（ｕは１以上の整数、ＹはＦ、Ｃｌ　、Ｂｒ及び工
より選択される少な（とも一種の元素である。）で示さ
れる鎖状ハロゲン化炭素、ＣｖＹ２ｖ（ｖは３以上の整
数：、Ｙは前述の意味を有する。）で示される環状ハロ
ゲン化ケイ素、ＣｕＨｘＹｙ（ｕ及びＹは前述の意味を
有する。ｘ十ｙ＝２ｕ又は２ｕ＋２である。）で示され
る鎖状又は環状炭素化合物などが挙げられる。

これらの炭素化合物は、１種用いても２種以上を併用し
てもよい。

酸素含有化合物としては、０２．　ＣＯ２゜Ｎｏ、　Ｎ
Ｏ２，Ｎ２０．０３．　Ｃｏ、　Ｈ２Ｏ，ＣＨａＯＨ。

ＣＨａ　ＣＨ２０Ｈ等の化合物を挙げることができる。

窒素含有化合物としては、Ｎ　２　、　　Ｎ　Ｈ３，Ｎ
　２　ＨｓＮ３．Ｎ２Ｈ４，ＮＨ４Ｎ３等を挙げること
ができる。

本発明に於いて使用される禁制帯幅制御剤、所謂禁制帯
幅縮小元素を含む化合物としては、例えば、ゲルマニウ
ム化合物、スズ化合物等が有効なものとして挙げること
が出来る。

具体的には、ゲルマニウムを主骨格とする化合物として
は、例えば鎖状又は環状水素化ゲルマニウム化合物及び
鎖状又は環状ゲルマニウム化合物の水素原子の一部乃至
全部をハロゲン原子で置換した化合物が用いられ、具体
的には、例えば、Ｇｅ５Ｈ２ｓ＋２（ｓ＝１．２，３，
４，５．６）、ＧｅｔＨ２ｔ　（ｔ＝３゜４．５．６）
、Ｇ　ｅ　ｕ　Ｙ　２ｕ＋２　（ｕは１以上の整数、Ｙ
はＦ。

ＣＩ、Ｂｒ及びＩより選択される少なくとも１種の元素
である。）で示される鎖状ハロゲン化ゲルマニウムＧｅ
ｖＹ２ｖ（ｖは３以上の整数、Ｙは前述の意味を有する
。）で示される環状ハロゲン化ゲルマニウム。

ＧｅｕＨｘＹｙ　（ｕ及びＹは前述の意味を有する。ｘ
＋ｙ＝２ｕ又は２ｕ＋２である。）で示される鎖状又は
環状化合物などが挙げられる。

スズ化合物としては、例えばＳｎＨ４等の水素化スズを
挙げることができる。

上記物質（Ｄ）の気体を反応空間内に導入するには、予
め前記堆積膜形成用の原料物質と混合して導入するか、
あるいは独立した複数のガス供給源より導入することが
できる。

本発明に於いては、堆積膜形成プロセスが円滑に進行し
、高品質で所望の物理特性を有する膜が形成される可く
、成膜因子としての堆積膜形成用の、原料物質、物質（
Ｄ）及び酸化剤の種類と組み合せ、これ等の混合比、混
合時の圧力、流量、成膜空間内圧、成膜温度（基体温度
及び雰囲気温度）が所望に応じて適宜選択される。これ
等の成膜因子は有機的に関連し、単独で決定されるもの
ではなく相互関連の下に夫々に応じて決定される。本発
明に於いて、反応空間に導入される堆積膜形成用の気体
状原料物質と気体状酸化剤との量の割合は、上記成膜因
子の中間速する成膜因子との関係に於いて適宜所望に従
って決められるが、導入流量比で、好ましくは、１／２
０〜１００／１が適当であり、より好ましくは１１５〜
５０／１とされるのが望ましい。

又、気体状物質（Ｄ）の導入量の割合は、前記気体状原
料物質の種類及び作成される堆積膜の所望される半導体
特性に応じて適宜所望に従って設定されるが、価電子制
御を目的とするのであれば、前記気体状原料物質に対し
て、好ましくは１／１００００００〜１／１０．より好
ましくは１／１０００００〜ｌ／２０、最適には１／１
０００００〜１１５０とされるのが望ましい。

禁制帯幅制御を目的とするのであれば、前記気体状原料
物質に対して、好ましくは、１／１００００〜１０００
／１、より好ましくは１／１０００〜５００／■、最適
には１／１００−１００／１とされるのが望ましい。

反応空間に導入される際の混合時の圧力としては前記気
体状原料物質及び気体状物質（Ｄ）と前記気体状酸化剤
との接触を確率的により高める為には、より高い方が良
いが、反応性を考慮して適宜所望に応じて最適値を決定
するのが良い。前記混合時の圧力としては、上記の様に
して決められるが、夫々の導入時の圧力として、好まし
くはＩ　Ｘ　１０−’気圧〜５気圧、より好ましくはｌ
　Ｘ　１０−’気圧〜２気圧とされるのが望ましい。

成膜空間内の圧力、即ち、その表面に成膜される基体が
配設されている空間内の圧力は、反応空間に於いて生成
される励起状態の前駆体（Ｅ）及び場合によって該前駆
体（Ｅ）より派生的に生ずる前駆体（Ｆ）が成膜プロセ
スに効果的に寄与する様に適宜所望に応じて設定される
。

本発明における成膜空間内の圧力は、反応空間に導入さ
れる気体状原料物質と気体状物質（Ｄ）と気体状酸化剤
の導入圧力との関係に於いて決められるが、好ましくは
、Ｏ，０ＯＩＴｏｒｒ　〜１００Ｔｏｒｒ。

より好ましくは、０．０ＩＴｏｒｒ　〜３０Ｔｏｒｒ、
最適には、０．０５Ｔｏｒｒ　〜１０Ｔｏｒｒとされる
のが望ましい。

成膜時の基体温度（Ｔｓ）としては、使用されるガス種
及び形成される堆積膜の種類と要求される特性に応じて
、個々に適宜所望に従って設定されるが、非晶質の膜を
得る場合には好ましくは室温から４５０°Ｃ１より好ま
しくは５０〜４００℃とされるのが望ましい。殊に半導
体性や光導電性等の特性がより良好なシリコン系堆積膜
を形成する場合には、基体温度（Ｔｓ）は７０〜４００
℃とされるのが望ましい。また、多結晶の膜を得る場合
には、好ましくは２００〜７００℃、より好ましくは３
００〜６０００Ｃとされるのが望ましい。

成膜空間の雰囲気温度（Ｔａｔ）としては、生成される
前記前駆体（Ｅ）及び前記前駆体（Ｆ）が成膜に不適当
な化学種に変化せず、且つ効率良く前記前駆体（Ｅ）が
生成される様に基体温度（ＴＳ）との関連で適宜所望に
応じて決められる。

本発明に於いて使用される基体としては、形成される堆
積膜の用途に応じて適宜所望に応じて選択されるもので
あれば導電性でも電気絶縁性であっても良い。導電性基
体としては、例えば、Ｎｉ−Ｃｒ、ステンレス、Ａ　ｌ
　、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、ｒｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ。

Ｐｔ、Ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性基体としては、ポリエステル、ポリエチレン
、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリプロ
ピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリス
チレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシート
、ガラス、セラミック等が通常使用される。これらの電
気絶縁性基体は、好適には少な（ともその一方の表面が
導電処理され、該導電処理された表面側に他の層が設け
られるのが望ましい。

例えばガラスであれば、その表面がＮｉＣｒ、　Ａｊ７
゜Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、Ｔａ、　Ｖ
、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ。

Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２．ＩＴＯ（Ｉｎ２０３＋５ｎ０２
）等の薄膜を設ける事によって導電処理され、或いはポ
リエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、Ｎ
ｉＣｒ、　　Ａｌ、　　Ａｇ、　　Ｐｂ、　　Ｚｎ、　
　Ｎｉ、　　Ａｕ。

Ｃｒ、　　Ｍｏ、　　［ｒ、　　Ｎｂ、　　Ｔ’ａ、　
　Ｖ、　　Ｔｉ、　　Ｐｔ等の金属で真空蒸着、電子ビ
ーム蒸着、スパッタリング等で処理し、又は前記金属で
ラミネート処理して、その表面が導電処理される。

基体は、基体と膜との密着性及び反応性を考慮して上記
の中より選ぶのが好ましい。更に両者の熱膨張の差が大
きいと膜中に多蛍の歪が生じ、良品質の膜が得られない
場合があるので、両者の熱膨張の差が近接している基体
を選択して使用するのが好ましい。

又、基体の表面状態は、膜の構造（配向）や錐状組織の
発生に直接関係するので、所望の特性が得られる様な膜
構造と膜組織となる様に基体の表面を処理するにが望ま
しい。

本発明におけるガスの原型に就いては、反応空間への前
記堆積膜形成用の原料物質、物質（Ｄ）及び酸化剤の導
入の際にこれ等が均一に効率良く混合され、前記前駆体
（Ｅ）が効率的に生成され且つ成膜が支障なく適切にさ
れる様に、ガス放出孔と基体とガス排気孔との幾何学的
配置が決定された。

本発明においては、堆積膜形成室の壁面の一方にガス放
出孔を設け、該ガス放出孔と対向する壁面にガス排気孔
が設けられ、これらを結ぶ平面内に基体が設置されてい
る。これらの配置をすることによりガスの流れを導入か
ら排気までを直線型に維持できる為、ガスの滞溜がな（
、均一なガスの流れを得ることができ、膜厚及び膜質の
均一性を向上させることができる。そしてこの幾何学的
配置は同一の堆積膜形成室内に複数対設けても、夫々の
ガス放出孔とガス排気孔とを結ぶ平面が交叉することが
なければ十分にその効果を維持することができる。

本発明に於て、一つの堆積膜形成室内で十分な特性を有
する多層構成の堆積膜を形成することは可能であるが、
前述した様にさらに界面特性の変化向上を達成する為に
は、複数の堆積膜形成室を連結し各堆積層を別々の堆積
膜形成室で形成することが好ましい。

本発明に於ては、堆積膜形成室内には堆積膜形成用原料
ガスの残留が少ないが、さらに各堆積層ごとに堆積膜形
成室を変えることによって前の堆積膜形成室内に残留す
る堆積膜形成用原料ガスの影害を極限まで低下させるこ
とが可能であり、界面特性の変化向上が飛躍的に達成さ
れる。

本発明の堆積膜形成装置により、多層構成の堆積膜を有
する電子写真用感光デバイスの連続生産を行うには、基
体の流れが一方向になる様に設定する。たとえば基体に
最も近い第１層目の堆積膜の堆積膜形成室を最初に、次
に第２層目の堆積膜の堆積膜形成室を次に連結させ、以
下同様に基体に近い堆積膜の順に堆積膜形成室を連結さ
せ連続的に基体を移動させ堆積膜を積層させるようにす
ればよい。もちろん第１層目の堆積膜形成室の前に前処
理室、最終層の堆積膜形成室の後に後処理室を連結させ
ることもできる。

以下、本発明による堆積膜形成装置を図面の実施例によ
り、更に詳しく説明するが、本発明の堆積膜形成装置は
これによって限定されるものではない。

第１図に本発明の堆積膜形成装置の模式的な上面図を第
２図に模式的な透視図を示す。本発明の堆積膜形成装置
は長方形の堆積膜形成室１０１，２０１内に、５対の円
筒状Ａｆ製基体１０２，２０２、ガス放出器１０３ａ。

２０３ａ、ガス排気孔１０５ａ、２０５ａ、及び基体加
熱用ハロゲンランプ１０４ａ、２０４ａ、反射鏡１０４
ｂ、２０４ｂ。

基体搬送用受台１１３，２１５が配設されており、ゲー
トバルブ１１１，２１１によって隣接する堆積膜形成室
と隔離されている。気体状原料物質及び原料物質（Ｄ）
は不図示のボンベよりガス供給バイブｌ　０９ａ。

２０９ａ、ガス導入管１０９ｂ、２０９ｂを通って、ガ
ス放出孔１０３ｃ、２０３ｃより、気体状酸化剤は不図
示のボンベよりガス供給パイプ１１０ａ、２１０ａ、ガ
ス導入管１１０ｂ、２１０ｂを通ってガス放出孔１０３
ｂ、２０３ｂより夫々基体１０２，２０２の方向に向っ
て放出され、さらに対向する壁面に設けられたガス排気
孔１０５ａ。

２０５ａより、ガス排気管１０５ｂ、２０５ｂ、ガス集
合排気管１０６，２０６、メイン真空バルブ１０７，２
０７を用受台１１３，２１５は、矢印の方向１１２，２
１２に向って搬送用レール２１８の上を搬送される。

円筒状基体１０２，２０２は回転治具２１３の上に保持
され、外部に設けられた駆動用モーター２１７により、
回転用ギア２１６，２１４を介して回転させることがで
きる。

本発明において気体状原料物質及び気体状酸化剤を長手
方向に均一に、かつ安定して効率良く混合させるために
は、夫々のガスを交互に放出させる様にガス放出孔の配
置を設定する必要がある。その好適な例を第４図に示し
た。

４０１ａ〜４０４ａはガス放出器本体であり、ガス放出
孔４０１ｂ　〜４０４ｂ、及びガス放出孔４０１０〜４
０４ｃ（斜線で示しである）を交互に配置しである。第
４図（４）はスリット状の放出孔を３列並べたものであ
り、ガス放出孔４０１ｂをガス放出孔４０１Ｃがはさむ
形になっている。スリット中は好ましくは０゜０１〜５
０ｍｍ１より好ましくは０　、０２〜３０　ｍ　ｍ　、
最適には０．０３〜１０ｍｍとされるのが望ましい。第
４図（２）は（１）を３列に増やしたものであるが、大
口径の基体に成膜をする際、あるいは堆積速度を早めた
い時などに有効である。スリットの数は所望により適宜
決定される。スリット長さは基体の長さに応じて適宜決
定される。

第４図（３）は円形の放出孔を縦方向に交互に１列に並
べたものである。第４図（４）は円形の放出孔を縦及び
横方向に交互に並べたものであるが大口径の基体に成膜
をする際、あるいは堆積速度を早めたい時などに有効で
ある。放出孔の長径は０．０１〜ｌ　ＯＯｍ　ｍ　、よ
り好ましくは０　、０５〜５０　ｍ　ｍ　。

最適には０．１〜３０　ｍ　ｍとされるのが望ましい。

スリット状及び円形の放出孔は隣設していても、間隔を
あけて配設しても良いが、間隔はスリット中もしくは直
径の１０倍以上に離して設置することは好ましくない。

ガス放出孔４０１ｂ〜４０４ｂと４０１Ｃ〜４０４Ｃよ
り夫々放出されるガスの種類によらず得られる堆積膜の
膜質は本質的に変わることはない。

本発明の場合ガス放出孔と基体表面との距離は、形成さ
れる堆積膜の種類及びその所望される特性、ガス流量、
真空チャンバーの内圧等を考慮して適切な状態になる様
に決められるが、好ましくは、数ｍ　ｍ　〜２０　ｃ　
ｍ　、より好ましくは、５　ｍ　ｍ−１５ｃ　ｍ程度と
されるのが望ましい。

以下、実施例に従って、本発明を更に具体的に説明する
。

〔実施例〕

第１図乃至第３図に模式的に示した本発明の堆積膜形成
装置を利用した非晶質シリコン（Ａ−３Ｇｉ　：Ｈ）膜
を利用して電子写真用感光デバイスを作製した。

尚、この際の電子写真用感光デバイスの層構成を第５図
に示す。

即ち、第５図に示す電子写真用感光デバイスは、（第２
層、ｐ＋型Ａ−３ｉ：Ｈ：Ｆ：Ｂ：Ｏ）　５０２、感光
層（第３層、Ａ−５ｉ　：　Ｈ：　Ｆ）　５０３、表面
保護及び光吸収増加層（第４層、Ａ−５ｉ　：　Ｃ：　
Ｈ：　Ｆ）　５０４から構成されている。

以下、作製工程を詳述する。

ガス放出器は第４図（１）の形状のものを用いた。

まず、直径８０ｍｍのＡｆ製同円筒状基体３０２５本ゲ
ートバルブ３１１ａを開け、前処理室３０１ａに搬入し
た。排気装置３０８ａにより前処理室３０１ａ内を約１
０−１Ｔ　ｏ　ｒ　ｒにしだ後不図示のボンベよりＡｒ
ガスをガス供給パイプ３０９ａ、ガス放出孔３０３ａよ
り導入し、メイン真空バルブ３０７ａの開度を調整し内
圧を０．５Ｔｏｒｒに保った。ハロゲンランプ３０４ａ
を点灯させ基体温度が２５０°Ｃになる様に設定した。

その間、基体は駆動用モーター２１７により回転させて
いる。次に、Ａｒガスの導入を止め、不図示のボンベよ
り、Ｆｚ　　ガス１０１００５ｃをガス供給パイプ３１
０ａ、ガス放出孔３０３ａより導入し、基体表面を軽く
エツチングし清浄化した。このとき、前処理室内の圧力
は０．３Ｔｏｒｒに保った。Ｆ２ガスの導入を止め前処
理室内を約１Ｏ−６Ｔｏｒｒに真空引きした。

このとき隣設する成膜室（１）３０１ｂ内も同時に排気
装置３０８ｂにより前処理室内と同じ内圧に真空引きし
た。内圧が等しくなった時点でゲートバルブ３１１ｂを
開け、基体を基体搬送用受台２１５に乗せたまま、成膜
室（１）３０１ｂ内に搬送した。

ゲートバルブ３１１ｂを閉じた後、基体加熱用ハロゲン
ランプ３０４ｂを点灯させ、基体温度が２５００Ｃにな
る様に設定した。基体温度が安定した後、不図示のボン
ベより堆積膜形成用気体状原料物質、及び原料物質ＣＤ
）としてのＳ　ｉ　Ｈ４ガス７００ｓｃｃｍ。

ＧｅＧｅＨ４１８０ｓｃ、　Ｂ２Ｉ４６　　（１％Ｈｅ
希釈）　１００ｓｃｃｍをガス供給パ、イブ３０９ｂよ
り、又、不図示のボンベより基体状酸化剤としてのＦｚ
　　ガス６００ｓｃｃｍ。

Ｎｏガス２００　ｓ　ｅ　ｃ　ｍ　、希釈用Ｈｅガスｌ
ｏｏｏｓｃｃｍをガス供給パイプ３１０ｂより供給し、
ガス放出器３０３ｂより成膜室（１）内に放出しメイン
真空バルブ３０７ｂの開度を調節し内圧を０．６Ｔｏｒ
ｒに保ちつつ、Ａｆ製同円筒状基体上光反射防止層を０
．７μｍ形成した。その後Ｇｅ　Ｈ４ガスのみの供給を
止め連続して内圧を０．６Ｔｏｒｒに保ちつつ電荷注入
阻止層を２．５μｍ形成した。反応後すべてのガスの供
給を止め、成膜室（１）内を約１０＝　Ｔ　ｏ　ｒ　ｒ
に真空引きした。このとき、隣接する成膜室（２）　３
０１ｃ内も同時に排気装置３０８Ｃにより、成膜室（１
）内と同じ内圧に真空引きした。内圧が等しくなった時
点でゲートバルブ３１１ｃを開け、基体を基体搬送用受
台２１５に乗せたまま、成膜室（２）　３０１ｃ内に搬
送した。

ゲートバルブ３１１ｃを閉じた後、基体加熱用ハロゲン
ランプ３０４Ｃを点灯させ、基体温度が２５０℃になる
様に設定した。基体温度が安定した後、不図示のボンベ
より堆積膜形成用気体状原料物質としてのＳ　ｉ　Ｈ４
ガス１５００ｓｃｃｍをガス供給パイプ３０９ｃより、
又、不図示のボンベより気体状酸化剤としてのＦｋ　ガ
ス１８００ｓｃｃｍ、希釈用Ｈｅガス２０００ｓｃｃｍ
をガス供給パイプ３１０ｃより供給し、ガス放出器３０
３ｃより成膜室（２）内に放出しメイン真空バルブ３０
７ｃの開度を調節し内圧をＩＴｏｒｒに保ちつつ、電荷
注入防止層上に感光層を１８μｍ形成した。反応後すべ
てのガスの供給を止め、成膜室（２）内を約１０＝　Ｔ
　ｏ　ｒ　ｒに真空引きした。このとき、成膜室（３）
３０１ｄ内も同時に排気装置３０８ｄにより、成膜室（
２）内と同じ内圧に真空引きした。内圧が等しくなった
時点でゲートバルブ３１１ｄを開け、基体を基体搬送用
受台２１５に乗せたまま、成膜室（３）　３０１ｄ内に
搬送した。

ゲートバルブ３１１ｄを閉じた後、基体加熱用ハロゲン
ランプ３０４ｄを点灯させ、基体温度が２５０°Ｃにな
る様に設定した。基体温度が安定した後、不図示のボン
ベより堆積膜形成用気体状原料物質としてのＳ　ｉ　Ｈ
４ガス１５０　ｓ　ｃ　ｃ　ｍ　、　Ｃ２Ｈ４１２００
ｓ　ｃ　ｃ　ｍガス１０００ｓｅｃｍをガス供給パイプ
３１０ｄより供給し、ガス放出器３０３ｄより成膜室（
３）内に放出し、メイン真空バルブ３０７ｄの開度を調
節し、内圧を０．６Ｔｏｒｒに保ちつつ感光層上に表面
保護及び光吸収増加層を０．５μｍ形成した。反応後す
べてのガスの供給を止め、成膜室（３）内を約１０−６
Ｔ　ｏ　ｒ　ｒに真空引きした。このとき、後処理室３
０１ｅ内も同時に排気装置３０８ｅにより、成膜室（３
）内と同じ内圧に真空引きした。内圧が等しくなった時
点でゲートバルブ３１１ｅを開け、基体を基体搬送用受
台２１５に乗せたまま後処理室３０１ｅ内に搬送した。

ゲートバルブ３１１ｅを閉じた後、不図示のボンベより
Ａｒガス２００ｓｅｃｍをガス供給パイプ３１０ｅより
供給し、ガス放出器３０３ｅより後処理室３０１ｅ内に
放出し、基体温度が室温になるまで冷却した。

十分に基体温度が下った後、メイン真空バルブ３０７ｅ
を閉じＡｒガスにより後処理室３０１ｅ内を大気圧にパ
ージし、ゲートバルブ３１１ｆを開けて完成した電子写
真用感光デバイスを取り出した。

完成した５本の電子写真用感光デバイスの電子写真特性
を、従来の量産機で作製した電子写真用感光デバイスと
比較し評価したところ、帯電能が１５％以上向上し、感
度も１３％以上向上していた。周方向及び上下方向での
特性ムラは３％以下であった。

５本の電子写真用感光デバイスの間の特性ムラは５％以
下であり、本発明による堆積膜形成装置は量産機として
の性能は十分満足するものであった。

〔発明の効果〕

本発明の堆積膜形成装置によれば、プラズマ反応を介す
ることなく省エネルギー化と同時に大面積化、膜厚均一
性、膜品質の均一性を十分満足し、かつ、界面特性の向
上がなされた多層構成堆積膜が管理の簡素化と量産化を
図り、■産装置に多大な設備投資も必要とせず、またそ
の量産の為の管理項目も明確となり、管理許容幅も広く
、装置の調整も簡単に連続形成が可能となる。

具体的には、 （１）一つの堆積膜形成装置内で一度に多数本の成膜が
均一に行なえるため装置コストが安い。

（２）ガスの流れが導入から排気までが直線型に維持で
きる為、膜厚及び膜質の均一性を向上させることができ
る。

（３）慣林ｆ血料物質と慣体ぜ酸化剤が効率よく混合す
るため反応効率がよ（、ガスの利用効率が高い。

（４）支持体の加熱以外に、外部からのエネルギーが不
用であるため、装置のランニングコストが安い。

（５）多層構成の堆積膜を形成する際各基積層を別々の
堆積膜形成室で形成することができるため、界面特性の
向上が図れる。

（６）基体の流れを一方向にすることにより連続生産が
可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に用いた堆積膜形成装置の模式
的な上面図、第２図は第１図の堆積膜形成装置の模式的
な透視図、第３図は本発明の実施例に用いた連続堆積膜
形成装置の模式的な上面図、第４図は本発明の実施例に
用いたガス放出器の模式的概略図、第５図は本発明の堆
積膜形成装置を用いて作製した電子写真用感光デバイス
の模式的層構成図、第６図は従来のプラズマＣＶＤによ
る電子写真用感光デバイス製造装置の模式的概略図であ
る。 １０１．２０１−−−−−−−−−一堆積膜形成室、１
０２，２０２，３０２−−−−−−−一円筒状基体、１
０３ａ、２０３ａ、３０３ａ−ｅ　−−−−ガス放出器
、１０３ｂ、１０３ｃ、２０３ｂ、２０３ｃ　−−−−
ガス放出孔、１０４ａ、２０４ａ　−−−一基体加熱用
ハロゲンランプ、１０４ｂ、２０４ｂ　−−−−−−−
−−−−一反射鏡、１０５ａ、２０５ａ　−−−−−−
−−−一ガス排気孔、１０５ｂ、２０５ｂ、３０５ａ＝
ｅ　−−−−−−ガス排気管、１０６．２０６，３０６
ａ＝ｅ　−−−−−ガス集合排気管、１０７．２０７，
３０７ａ−ｅ　−−−一メイン真空バルブ、１０８．２
０８，３０８ａ〜ｅ　−−−−−−−一排気装置、１０
９ａ、２０９ａ、１１０ａ、２１０ａ、３０９ａ　〜ｅ
、３１０ａ　〜ｅ−−−−−−−−−−−−−−−ガス
供給パイプ、１０９ｂ、２０９ｂ、１１０ｂ、２１０ｂ
−−−−ガス導入管、１１１．２１１，３１１ａ−ｆ−
−−−−−ゲートバルブ、１１２．２１２−−−−−−
−−−−−一基体の流れ、１１３．２１５−−−−−−
−−−一基体搬送用受台、２１３−−−−−−−−−−
−−−−一回転治具、２１４．２１６−−−−−−−−
−−−一回転用ギア、２１７−−−−−−−−−−−−
駆動用モーター、２１８−一一−−−−−−−−−−搬
送用レール、３０１ａ　−−−−−−−−−−−−−一
前処理室、３０１ｂ−−−−−−−−−−一〜−−成膜
室（１）、３０１ｃｍ−−一一一一一〜−−−−−成膜
室（２）、３０１ｄ−−一−−−−−−−−−−−成膜
室（３）、３０１ｃｍ−−一−−−−−−−−−−−後
処理室、３０４ａ、３０４ｂ、３０４ｃ、３０４ｄ、３
０４ｅ　−−−−−−−一一一一基体加熱用ハロゲンラ
ンプ及び反射鏡、４０１ａ〜４０４ａ　−−−−−−一
一一　ガス放出器、４０１ｂ　〜４０４ｂ、４０１ｃ　
〜４０４ｃ　−−−ガス放出孔、５００−−−−−−−
−−−−−−−−−一基体、５０１−−−−−−−−−
一一−−光反射防止層、５０２−−−−−−−−−−−
一電荷注入阻止層、５０３−−−−−−−−−一−−−
−−−感光層、５０４−−−−−−−−−−−−−一表
面保護層、６１１−−−−−一−−−−−−基体取り入
れ室、６１２−−−−−−−−−−−−−−−一中継室
、６１３−−−−−−−−−−−一基体取り出し室、６
１４−−−−−−−−−〜−−−−−−反応炉、６１５
．２２−−−−−−−−一−−−−−−一扉、６１６−
−−−−−−−−−−−−基体固定冶具、６１７．２１
−一−−−−−−−−−−−搬送手段、６１８−一−−
−−−−−−−−−一上下動手段、６１９．２０．２９
−−−−−−−−−ゲートバルブ、６２３−−−−−−
−−−−−−−−−一冷却板、６２４．２８−−−−−
−−−−−一加熱ヒーター、６３０−−−−−−−−一
−−−−ヒーター電源、６３１．３２，３５．４２−−
−−−一−−−−−排気系、６３３−−−−−−−−−
一−−−高周波電源、６３４−−−−−−−−−−−一
　原料ガス導入系、６３６−−−−−−−−−−−−−
−−−冷却機、６３８．３９．４０−−−−−−−−−
−リークバルブ、６４１−−−、−−−−−−−−−−
一円筒状基体。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）堆積膜形成用の気体状原料物質と該原料物質に酸
   化作用をする性質を有する気体状酸化剤とを接触させ堆
   積膜を形成する装置において、堆積膜形成室の壁面の一
   方に前記気体状原料物質放出孔及び前記気体状酸化剤放
   出孔を有するガス放出手段を設け、該ガス放出手段と対
   向する壁面に堆積膜形成室内を排気減圧にする為のガス
   排気孔を設置し、前記ガス放出手段と前記ガス排気孔と
   を結ぶ平面内に少なくともその一部を含む堆積膜形成用
   支持体設置手段を設置した堆積膜形成室が複数室連結さ
   れていることを特徴とする堆積膜形成装置。
2. （２）前記堆積膜形成室内に複数対の前記ガス放出手段
   及び前記ガス排気孔及び前記堆積膜形成用支持体設置手
   段を有し、夫々の前記ガス放出孔と前記ガス排気孔とを
   結ぶ平面が交叉することがないことを特徴とする特許請
   求の範囲第１項に記載の堆積膜形成装置。
3. （３）前記堆積膜形成室が所望する多層構成の堆積膜の
   層数に応じて複数室連結されていることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形成装置。
4. （４）前記複数室の堆積膜形成室の連結に加えて、前処
   理室及び後処理室を連結することを特徴とする特許請求
   の範囲第３項に記載の堆積膜形成装置。