JPS62174752A - 光記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ジアセチレン誘導体化合物を含有する光記録
媒体への光記録方法に関し、特に光−）き込み手段とし
て８００〜９００ｎｍの赤外線レーザーを用いた光記録
方法に関する。

〔従来の技術〕

最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスクか注目を集めている。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大（１１の文−）、文献等を記録保存できる
ため、オフィスにおける文−を等の整理、管理か効率よ
く実ＪＭできる。この光デイスク用の記録素子としては
、各種のものが検討されているか、価格、製造の容易さ
から有機材料を用いたものかン十目されている。

このような記録素子用の有機材料として、ジアセチレン
誘導体化合物が知られており、該化合物の熱変色性に着
目し、レーザー記録素子として用いる記録技術が特開昭
５６−１４７８０７号に開示されている。しかし、この
明細書中には、どのようなレーザーを用いたか、あるい
は用いるべきかの記載がなく、単にレーザーを用いて記
録を実施したとの記載に留まっている。

本発明者らは、種々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録が可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーザー（波長８００〜９００ｎｍ）を使用した場
合にはレーザー記録が実施できないことを確認した。し
かし、光ディスク等の実用的な記録媒体としては、小型
で低出力の半導体レーザーにより光書き込みが可能なこ
とが要請される。

−・方、特開昭５９−４０６４８号、同４０６４９号お
よび同４０６５０号には、熱安定性のよい特定構造のポ
リメチレン化合物を含有する有機被膜が開示され、これ
らの有機被膜が半導体レーザーの輻射波長領域の輻射線
を吸収し発熱するので、レーザーエネルギーによりピッ
トを形成するいわゆるヒートモード記録が実施できるこ
とを開示している。しかし、記録媒体の表面に物理的な
ピットを形成して記録を実施する場合には、初期の記録
層の表面が十分に下漬であると同時に記録後においても
記録媒体の表面に傷を付けないようト分な注意が必要と
なるとともに、高密度で高速記録を実施することは比較
的困難である。

また、これらの記録媒体の記録層は、ジアセチレン誘導
体化合物の微結晶あるいは前記ポリメチレン化合物がバ
インダー中に分散してなるものであり、記録層内におけ
るこれら化合物の配向はランダムであり、そのため場所
によって光の吸収率や反射率が異ったり、化学反応の程
度が相違したりする現象が生じ、高密度の記録には必ず
しも適しているとはいえなかった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は小型軽晴な半導体レー
ザーにより光書き込みが可能な光記録方法を提供するこ
とにある。

本発明の他の目的は、高密度、高感度で高速記録の可能
な光記録方法を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録方法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち、本発明の光記録方法は、少なくとも親水性部
位および疎水性部位を併有するジアセチレン誘導体化合
物と、ド記一般式（１）または（２）で表わされる化合
物の一種以七とを含有してなる記録層を有する光記録媒
体に、紫外線を照射し、次いで８００〜９００ｎｍの赤
外線を記録情報に応じて照射し、記録層の照射部を変色
させる工程を有することを特徴とする。

一般式（１） 一般式（２） へ Ｒ１”ｃ−ｃｕ−ｃｕ−ｎ・−ｃｕ−ｃｈ−Ｒ３（２）
【 （式中、Ｒ１，Ｒ２、Ｒ３は、それぞれ独立して置換」
＾を有してもよいアリール基を表わし、Ｒ４およびＲ５
は、隣接した二つの−ＣＩｌ＝ＣＨ−基と共役二重結合
系を形成する置換基を有してもよいアリーレン基を表わ
し、Ｒ６は、水素または置換基を仔してもよいアリール
基を表わし、　Ａはアニオン残基を表わす。） 本発明の方法に用いる光記録媒体に含有される親水性部
位および疎水性部位を併有するジアセチレン誘導体化合
物（以上、Ｄへ化合物と略称する）とは、隣接する分子
中のＣ旺−Ｃ旺官能基間において１．４−付加重合反応
が可能な化合物であり、代表的には下記一般式 Ｉｔ　　（ｃ＋１２）「ｃ：　ｃ−ｃＥ　Ｃ−（ＣＨ２
）ｎ　　−ｘ（式中、Ｘは、親水性部位を形成する親水
性基であり、ｍ、ｎは整数を表わす。） で表わされる化合物が挙げられる。

上記ＤＡ化合物における親水性基Ｘとしては、例えばカ
ルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシ基、ニトリル基、
チオアルコール基、イミノ基、スルホン酸基、スルフィ
ニル基またはその金属若しくはアミン塩が挙げられる。

疎水性部位を形成する＋１（ＣＨ２）「表わされるアル
キル基としては炭素原子数が１〜３０の長鎖アルキル基
が好ましい。また、ｎ＋ｍとしては３０以下の整数が好
ましい。

一方、本発明で用いる前記一般式（１）または（２）で
表わされる化合物（以下、ポリメチレン化合物と略称す
る）は、　７５０ｎｍ以上の波長域に吸収ピークを有し
、この波長の赤外光により発熱する化合物である。

このポリメチレン化合物塩につきより具体的に説明する
と、一般式（１）および（２）中、Ｒ１，Ｒ２およびＲ
３はそれぞれ独立して置換基を有してもよいフェニル基
、ナフチル基等のアリール基を表わす。

ここで置換基としてはジメチルアミノ、ジエチルアミノ
、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジフェニルアミ
ノ、フェニルベンジルアミン、フェニルエチルアミノ等
の置換アミノ基、モルホリノ、ピペリジニル、ピロリジ
ノ等の環状アミン基、メトキシ、エトキシ、ブトキシ等
のアルコキシ基があげられる。Ｒ４８よびＲ５はｐ−フ
ェニレン、１，４−ナフチレン等の隣接した二つの一〇
Ｈ＝ＣＨ−基と共役二重結合系を形成する置換基を有し
てもよいアリーレン基を表わす、ここで置換基としては
塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、メチル、エチル
等のアルキル基、メトキシ、エトキシ等のアルコキシ基
があげられる　Ｒ６は水素または置換基を有してもよい
フェニル基、ナフチル基等のアリール基を表わす、置換
基としてはＲ１ないしＲ３で例示したものと同様なもの
が挙げられる。９士アニオン残基で、例えばＢＦ？、ｃ
＋ｏ：”：　ＣＦ３ＣＯ駅ＰＦ”’　。

Ｃ９Ｂ’Ｐ　’Ｆ’、等、）７、’Ｏケア　原子、Ｃｌ
５Ｏ？、ＣＨ３５Ｏ，Ｆ。

ｅｅｅ　　　　　　　ｅ　　　　　　　ｅ（１：２Ｈ，
、ＳＯ３、Ｃ３Ｈ７５０３、Ｃ４Ｈ９５０３、ｃ、Ｈ，
、ｓｏ３、Ｃ６Ｈ，３ｓｏ３　、ＣＨ３ＣｌＩＣｌＳＯ
３，ＣｌＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３、歌＞（：Ｈ−５Ｏ３、θ
　　５、 ＩＣＨ２ＳＯ３なとのアルキルスルホン酸化合物、ぐＩ
Ｅ）−ｃ　Ｈ２ＳＦ？、、　Ｃｔ（＝Σｃ　Ｈ２ＳＥ？
３　ｆｌ　と（７）　ヘ’Ｊ　セ”／　スル＊　ン酸化
合物！０３ＳＣＨ２ＳＯｐ、θｏ３Ｓ　ＣＨ７ＣＨ２Ｓ
　Ｑ、ｇｓ（ＣＨ２）６ｓ２、ｅＯ３ＳＣＨ２ＣＩ＋、
−０−ＣＨ２ＣＨ２ＳＯｐ、などのアルキルジスルホン
酸化合物、 このポリメチレン化合物の具体例を以下に例示する。

−＋　　　　　　　　　　　ＣＶｌ　　　　　　　　　
　　　　の−−Ｎ−一ζ 寸　　　　　　　　　　　　　　０　　　　　　　　　
　　　　　　ロＩ−＾　　　　　　　　　　　　　　　
　　　へト　　　　　　　　　　ω　　　　　　　　　
　　Φ＋＋　　　　　　　　　　　　　　　　＋＋　　
　　　　　　　　　　　　　　　Ｎｉづ　　　　　　　
　　　　　　巴　　　　　　　　　　　　　　づ１）罵 ＪＣＪ 〆１ ８　　　　　　　　ｇ　　　　　　　　　　Ｓづ　　　
　　　　　６５：Ｉ ５　　　　　　　６　　　　　　　　　　　心ｄ　　　
　　　　　　　さ ξ〕　　　　　　　　　　　　　　Ｇ５　　　　　　　
　　　　　　　　９９３　　　　　　　　　　　　　　
　　Ｇ３　　　　　　　　　　　　　　　　　　’；Ｊ
ご　　　　　　６　　　　　　日　　　　　　リｇ３　
　　　　　　　　　　ら ＝ｓｚ　　　　　　　　Ｑ　　　　　　　　３２ン Ｇ　　　　　　　　ε ２ン 本発明の方法に用いる光記録媒体は、面記り＾化合物と
館記ポリメチレン化合物とを含有し、かつ該ＤＡ化合物
がｍ独でまたはポリメチレン化合物との混合状態でｍ分
子膜またはその累積膜を形成している記録層を有してな
るものであるが、該光記録媒体の具体的な構成としては
、以下に示すような態様がある。

（１）　［）へ化合物９と、ポリメチレン化合物１０と
の混合単分子膜またはその累積膜からなる記録層を有す
るもの（第２図に摸式的断面図を示す）。

（２）　Ｄ式化合物９．のｒ株分７−膜またはその累＋
ｔ’ｔ　＋Ｉｑからなる層と、ポリメチレン化合物１０
を含有する層との二層からなる記録層を有するもの（二
層分離系、第３図に模式断面図を示す）。

（３）　Ｄ式化合物９のｍ分子膜またはその累積膜から
なるＡ層の　層以トと、ポリメチレン化合物を含有する
中−分−ｒ−１漠またはその累積膜からなるＢ層との一
層以トとが積層されてなる記録層を有するもの（ペテロ
累積膜系、第４図に模式断面図を示す）。

なお、二層分雛茶およびペテロ累積膜糸においては、Ｄ
Ａ化合物の単分子膜またはその累積膜からなる層と、ポ
リメチレン化合物を含有する輻射線吸収層もしくはＢ層
との積層順序はいずれが記録層の表面側に位置してもよ
く、また、必要に応じてこのように構成される記録層の
七に各種の保護層を設けてもよい。

本発明に用いる光記録媒体の基板８としては、ガラス、
アクリル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプ
ラスチックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料が使
用できるが、基板側から輻射線を照射して記録を実施す
る場合には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを
用いる。

Ｊ、ξ板上あるいはポリメチレン化合物を含有する層り
にＤＡ化合物の単分子膜または単分子累積膜を形成する
には、例えば［、Ｌａｎｇｍｕｉｒらの開発したラング
ミュア・プロジェット法（以下、ＬＢ法と略）が用いら
れる。ＬＢ法は、分子内に親木基と疎水基を有する構造
の分子において、両者のバランス（両親媒性のバランス
）が適度に保たれているとき、この分子−は水面１：で
親水基を丁に向けた７１１１分子の層になることを利用
してＩ…分子・膜または中分子一層の累積した膜を作成
する方法である。水面トの中分子層はニー次元系の特徴
をもつ。分子がまばらに散開しているときは、　−分Ｙ
−当り面積Ａと表面圧■との間に二次元理想気体の式、
■Ａ＝ｋＴ が成り立ち、“気体膜”となる。ここに、ｋはポルツマ
ン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを１−分小さくすれば
分子間相互作用が強まり二次元１１４体の“凝縮膜（ま
たは固体膜）°°になる。凝縮膜はガラスなどの基板の
表面へ・層ずつ移すことができる。

この方法を用いて、Ｄ式化合物の単分子膜またはｍ分子
累積膜は、例えば次のようにして製造される。まずＯＡ
化合物を、クロロホルム等の溶剤に溶解し、こねを水相
上に展開し、これら化合物を膜状に展開させた展開層を
形成する。次にこの展開層が水相上を自由に拡散して拡
かりすぎないように仕切板（または浮子）を設けて展開
層のｎ７ｉ　ｈｌを制限してこれら化合物の集合状態を
制御し、その集合状態に比例した表面圧ｎを得る。この
仕切板を動かし、展開面積を縮少して膜物質の集合状態
を制御し、表面圧を徐々に上昇させ、累積膜の製造に適
する表面圧ｎを設定することができる。この表面圧を維
持しながら静かに清浄な基板を弔直にＪ：丁させること
により、ＤＡ化合物のｃ林分子膜が基板トあるいは表面
にポリメチレン化合物を含有する層ヒに移しとられる。

単分子膜はこのようにして製造されるが、四分−４層累
積膜は、面記の操作を繰り返すことにより所望の累積度
の四分子層累積１漠が形成される。

ｉｐ−分子膜を基板上に移すには、上述した東向浸漬法
の他、水侶付着法、回転円筒法などの方法が採用できる
。水゛ト付着法は基板を水面に水ｔに接触させて移しと
る方法で、回転円筒法は、円筒型の基体を水面トを回転
させてｍ分子・層を１．（体表面に移しとる方法である
。１π１述した東向浸漬法では、水面を横切る方向に表
面が親水性である基板を水中から引きＬげると、一層［
１はＤ式化合物の親水基が基板側に向いた弔分子層が基
板トに形成される。基板を上下させると、各行程ごとに
−・層ずつ混合単分子膜が積層されていく。成膜分子の
向きが引トげ行程と浸漬行程で逆になるので、この方法
によると、各層間は親木基と親木基、疎水基と疎水基が
向かい合うＹ型膜が形成される。

これに対し、水平付着法は、基板を水面に水平に接触さ
せて移しとる方法で、晶化合物の疎水基が基板側に向い
た単分子膜が基板トに形成される。この方法では、累積
しても、Ｄ式化合物の分その向きの交代はなく全ての層
において、疎水基が基板側に向いたＸ型１摸が形成され
る。反対に全ての層において親木基が基板側に向いた累
積膜はＺ型膜と呼ばれる。

回転円筒法は、円筒型の基体を水面計を回転させて四分
子一層をＪｌ（体表面に移しとる方法である。

９１分子層を基板にに移す方法は、こわらに限定される
わけではなく、大面積基板を用いる時には、基板ロール
から水相中にＪ、（板を押し出していく方法などもとり
得る。また、前述した親木基、疎水基の基板への向きは
原則であり、基板の表面処理等によって変えることもで
きる。

これらの四分子−ｆｌＱの移し取り操作の詳細について
は既に公知であり、例えば「新実験化学講座１８界面と
コロイド」４９８〜５０７頁、丸善刊、に記載されてい
る。

また、二以上の化合物からなるいわゆる混合単分子膜ま
たは混合単分子累積膜もト述と同様の方法により得られ
る。このとき、混合単分子膜または混合単分子膜積膜を
構成する二以トの化合物のうち少なくともその一つが親
水性部位と疎水性部位とを併有するものであればよく、
必ずしも全ての化合物に親水性部位と疎水性部疎水基と
の併存が要求されるものではない。すなわち、少なくと
も一つの化合物において両親媒性のバランスが保たれて
いれば、水面計に単分子層が形成され、他の化合物は両
親媒性の化合物に挟持され、結局全体として分子秩序性
のある単分子層が形成される。

したがって、ＤＡ化合物とポリメチレン化合物との混合
中−分子膜または混合単分子膜禎膜かうなる記録層は、
Ｄへ化合物とポリメチレン化合物とをクロロホルム等の
溶剤に溶解し、これを水相上に展開し、これら化合物を
膜状に展開させた展開層を形成して先と同様にしてＬＢ
法により形成することができる。

一方、ポリメチレン化合物を含有する層を形成するには
、代表的にはポリメチレン化合物を適当な揮発性溶媒に
溶解して塗布液を作成し、これを塗布するか法が採用で
きる。塗布液には、基板やＤＡ化合物のｍ分子膜または
その累積１１９からなる層との密着性を向１させるため
に、適宜天然若しくは合成高分子からなる各種バインダ
ーを添加してもよい。また、この層の安定性、品質向Ｆ
を計るために各種の添加剤を加えてもよい。

好適なバインターとしては、広範な樹脂から選択するこ
とができる。具体的には、ニトロセルロース、リン酸セ
ルロース、硫酸セルロース、酢酸セルロース、プロピオ
ン酸セルロース、酪酸セルロース、ミリスチン酸セルロ
ース、パルミチン酸セルロース、酢酸プロピオン酸セル
ロース、酢酸酪酸セルロースなどのセルロースエステル
類：メチルセルロース、エチルセルロース、プロピルセ
ルロース、ブチルセルロースなどのセルロースエーテル
類：ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、
ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリビ
ニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどのビニル樹
脂類；スチレン−ブタジェンコポリマー、スチレン−ア
クリロニトリルコポリマー、スチレン−ブタジェン−ア
クリロニトリルコポリマー、塩化ビニル−酢酸ビニルコ
ポリマーなどの共重合樹脂類；ポリメチルメタクリレー
ト、ポリメチルアクリレート、ポリアクリル酸、ポリメ
タクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニトリ
ルなどのアクリル樹脂類；ポリエチレンテレフタレート
などのポリエステル類；ポリ（４，４’−イソブロビリ
デンジフェニレンーコ−１，４−シクロヘキシレンジメ
ヂレンカーボネート）、ポリ（エチレンジオキシ−３，
３′−フェニレンチオカーボネート）、ポリ（４，４’
−イソブロピリデンジフェニレンカーボネートーコーテ
レフタレート）、ポリ（４，４’−イソプロピリデンジ
フェニレンカーボネート）、ポリ（４，４’　−ｓｅａ
　−ブチリデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４
，４′−イソプロピリデンジフェニレンカーボネート−
ブロック−オキシエチレン）などのボリアリレート樹脂
類；ポリアミド類；ポリイミド類；エポキシ樹脂類；フ
ェノール樹脂類；およびポリエチレン、ポリプロピレン
、塩素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類などを用
いることができる。

ポリメチレン化合物の好適な溶媒としては、メタノール
、エタノール、イソプロパツール等のアルコール類：ア
セトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケ
トン類；アセトニトリル等の脂肪族ニトリル類；クロロ
ホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素
、トリクロルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類
；等が挙げられ、塩化メチレン、アセトニトリルが特に
好適である。

このようにして得た塗布液の塗工は、スピナー回転塗布
法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、ピ
ードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、ブ
レードコーティング法、ローラーコーティング法、カー
テンコーティング法等の手法が用いられる。

また、ポリメチレン化合物を含有する層は、Ｄへ化合物
の単分子膜またはその累積膜からなる層と同様に？社分
子膜またはその累積膜であってもよい。しかし、ポリメ
チレン化合物は両親媒性物質ではないので、単独ではＬ
Ｂ法によっては単分子膜を形成することはできない。と
ころが、例えばステアリン酸、アラキシン酸などの高級
脂肪酸のような両親媒性のバランスの適度に保たれた有
機品分Ｙ−を担体分子として任意の比率で混合使用して
ＬＢ法を適用すれば、ポリメチレン化合物を含有する混
合単分子膜または混合単分子膜積膜が形成できる。

記録層がＤＡ化合物とポリメチレン化合物との混合単分
子膜またはその累積膜からなるものである場合には、そ
のＩＩＱ厚としては、累積度が４００程度までのものが
実用」二好ましい。

また、二層分ｍ＆の場合は、Ｄへ化合物の四分イ・ｊ摸
またはその累積膜のｊ膜厚としては、累積度が４００程
度までのものが好ましく、ポリメチレン化合物含有層の
膜厚としては、重分１′膜またはその累積膜として形成
されている場合には、累積度が４００程度までのものが
、非単分子膜として形成されている場合には、　１００
人〜ＩＩｕ１程度、特に２００〜５０００人の範囲が好
ましい。

ペテロ累栢膜系の場合は、Ａ層とＢ層との接合面が二以
上存在し、Ａ層とＢ層とを併せたＩＦ−’Ａ−子膜の累
積度が２００程度までのものが実用ト好ましい。

このようにして、基板上に形成される単分子膜およびそ
の累Ｎ膜は、高密度で高度な秩序性を有しているので、
場所による光吸収のバラツキは極めて小さい。したがっ
て、このような膜によって記録層を構成することにより
、Ｄへ化合物とポリメチレン化合物との機能に応じて、
光記録、熱的記録の可能な高密度、高解像度の記録機能
を存する本発明に用いる記録媒体が得られる。

本発明の記録方法においては、記録に供される上記のよ
うに構成された記録媒体は、まず記録層中の晶化合物を
重合させる。すなわち、ＯＡ化合物は、初期にはほぼ無
色透明であるが、記録層全体に紫外線を照射すると重合
し、ポリジアセチレン誘導体化合物へと変化する。この
重合は紫外線の照射等によって起り、単に熱エネルギー
を加えても生じない。この重合の結果、記録層は６２０
〜６６０ｎｍに最大吸収波長を有するようになり、青色
乃至暗色へと変化する。この重合に基づく色相の変化は
不可逆変化であり、−・度青色乃至暗色へ変化した記録
層は無色透明膜へとは戻らない。このようにして、記録
層中のＤＡ化合物が屯合しポリジアセチレン誘導体化合
物へと変化し、１′１−色乃至暗色化した記録層を有す
る記録媒体が、本発明の方法に使用される。

このｉＷ色乃値暗色へ変化したポリジアセチレン誘導体
化合物は、約５０℃以上に加熱すると今度は約５４１１
ｎ１１に最大吸収波長を仔するようになり、赤色へと変
化する。この変化も不可逆変化である。

本発明の光記録方法は、このようなポリジアセチレン誘
導体化合物の変色特性を利用して記録を実施するもので
あり、以Ｆこの本発明の記録方法につき詳述する。

第１図は、本発明の光記録方法を実施するのに用いる光
記録装置の−・例を示す模式図である。この光記録装置
は、光記録媒体１を所定位置にセットするための不図示
の光記録媒体載置ト段と光記録媒体ヘナＡＷｉｌを占込
むための情報書込み手段とから構成されている。情報書
込み手段は、８００〜９００ｒ＋＋ｎの範囲内の波長の
紫外線を放射する半導体レーザー２、人力情報に応じて
半導体レーザー２の発振を制御する一制御回路３および
光学系（コリメートレンズ４、反射板５、波長板６およ
び対物レンズ７）から構成されている。を導体レーザー
２としては、出力波長８２０〜８４０ｎｍのＧａＡｓの
接合レーザー、例えばＩＩＬＰ−１５００（商品名、日
立製作所製出力波長８３０ｎｍ、最大出力１０ｍＷ　）
を使用するのが好適である。

人力情報は、制御回路を経て半導体レーサーにより光信
号に変換される。この光信号は光学系を経て、光記録媒
体載置手段上に載置され、同期回転しているｒ’を色の
記録層を有する光記録媒体の所定の位置に結像される。

結像点く部位）に存在するポリジアセチレン誘導体化合
物はこの波長のレーザービームを吸収しないが、ポリメ
チレン化合物はこのレーザービームを吸収し発熱する。

このポリメチレン化合物の発熱が隣接するポリジアセチ
レン誘導体化合物に伝わり、ポリジアセチレン誘導体化
合物が赤色へと変色する。かくして入力情報に応じて記
録層Ｅの記録部位の色変化による光記録か実施される。

光記録媒体としては、Ｅ述の例では円盤状のディスク（
光ディスク）が用いられたが、ポリジアセチレン誘導体
化合物およびポリメチレン化合物を含仔する記録層を支
持する基板の種類により、光テープ、光カード等も使用
できる。

〔発明の効果〕

本発明の光記録方法の効果を以ドに列挙する。

（１）記録層かＤへ化合物の、混合または弔独の中２分
子・膜またはその累積膜で形成されているので高密度で
高度な秩序性を打しておりピンホール等が少なく、した
がって信号／雑音化が高く、高密度で均質な信頼性の高
い記録が可能である。

（２）記録層が波長８００〜９００ｎｍの波長域の赤外
線を吸収して発熱するポリメチレン化合物を含任してい
るので、この波長域の赤外線を放射する小型軽量のや導
体レーザーを用いて光記録が実施できる。

（３）光照射による記録層の色相の変化を利用した記録
が可能なので、高速、高感度、高密度な光（実施例〕 以ド、本発明を実施例に基つきより詳細に説明する。

実７Ｉｈ例１ 一般式に、、　Ｈ，５−ｃ＝ｃ−ｃ＝ｃ−ｃ、ＨＩ３−
ｃｏｏｎで表わされるジアセチレン誘導体化合物１重量
部と前記の化合物遂１４で表わされるポリメチレン化合
物１重６１部とをクロロホルムにｔＸ＋Ｏ−３モル／ｌ
の濃度で溶解した溶液を、ｐｌ＋が６．５で塩化カドミ
ニウム濃度がｌＸｌ０−モル／ｌの水相上に展開した。

溶媒のクロロホルムを蒸発除去した後、表面圧を２０ｄ
ｙｎｅ／ｃｍまで高め、−・定に保ちながら、上方に洗
浄し、表面が上方に清浄で親水性となっているガラス基
板を、水面を横切る方向に上下速度１．０ｃｍ７分で静
かに上下させ、晶化合物とポリメチレン化合物との混合
単分子膜を基板りに移しとり、混合！Ｆ分〜ｒ−膜なら
びに２１層、４１層および８１層に累積した１１１合東
分子累積膜を基板りに形成した光記録媒体を作成した。

これら光記録媒体に２５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分
に照射し、記録層中のＯＡ化合物をＩＦ合させ、記録層
を青色膜にした後、人力情報にしたがい、以丁の記録条
件により記録を実施した。

゛ト導体レーザー：　　（１１１，１）−１５００、口
１′Ｌ製作所製）レーサーど一ム径：　１間 レーザｍｍカニ　　３ｍＷ、 ｌビットあたりのレーザービームの照射時間：００ｎｓ 、１色の光記録媒体表面にレーザービームを照射すると
照射部は赤色に変色し、記録が実施された。この記録の
評価を次のようにして実施した。

記録濃度は、記録（赤色）部のオプティカルデンシティ
−を測定した。解像度および感度は、記録画像とレーザ
ービーム径の対応を顕微鏡により観察して判定し、非常
に良好なものを◎、良好なものをＯ１記録ができないあ
るいは対応の劣悪なものを×とした。この記録結果の＋
ｉｆ価を第１表に示した。

実施例２ 実施例１で作成した四種の光記録媒体に２５４ｎｍの紫
外線を均　かつ（分に照射し、記録層を１′１色１漠に
した後、人力情報にしたがい、以ドの記録層ｆ）１によ
り記録を実ｈ’ｔｉ　Ｌ／た。

゛ｒ、導体Ｌ／しサー　＋　（ＩＩＬＩ３−７８０２、
［］　１７．”Ｊｌ　住所’９Ｊ　）レーザービーム径
：　１μｍ レーザｍｍカニ　　３＋ｎＷ、 １ビツトあたりのレーザービームの照射時間；３００ｎ
ｓ 記録の評価は、実施例１と同様な基準により実＆ｉし、
その評価結果を第１表に示した。

実施例３．比較例１．２ 記録に用いるレーザーをそれぞれＦ記のものに変更した
ことを除いては実施例１と同様な条件で記録の−７き込
みおよび読み取りを実施した。記録の評価は、実施例１
と同様な基準により実施し、その評価結果を第１表に示
した。

実施例３：゛Ｌ導体レーザー（Ｇａ　−Ａｓレーザー（
Ｗ−へテロ構造）、試作品）レーザー波長：　８９０ｎ
ｍ 比較例１：゛Ｌ導体レーザー（Ｇａ−Ａｓレーザー（Ｗ
−へテロ構造）、試作品）レーザー波長：　９５０ｎｍ 比較例２：キセノンガスレーザー、レーザー波長：　７
５２ｎｍ 比較例３ ポリメチレン化合物を使用しない以外は、実施例１と同
様の方法により光記録媒体を作成した。

この光記録媒体に対して、実施例１の記録条件により記
録を実施した。その評価結果を第１表に示した。

第　　　１　　　表 実施例４ 一般式ＣＩ２　Ｈ２，−Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ６Ｈｌ　６
−　ＧＯ叶で表わされるジアセチレン誘導体化合物に代
え、一般式ＣｏＨ，７−ＣミＧ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ２Ｈ，−［
００１１で表わされるジアセチレン誘導体化合物を用い
たことを除いては、実施例１と同様の方法により累積数
２１の光記録媒体を作成した。この光記録媒体に対して
実施例１と同じ記録条件により記録を実施した。その評
価結果を第２表に示した。

実施例５〜８ 化合物遂１４で表わされるポリメチレン化合物に代え、
化合物逝１、５．１８、および２６で表わされるポリメ
チレン化合物をそれぞれ用いたことを除いては実施例４
と同様にして光記録媒体を作成した。これらの光記録媒
体に対して実施例１と同じ記録条件によりそれぞれ記録
を実＆ｉした。その評価結果を第２表に示した。

第２表 実施例９ 面記の化合物層１４で表わされるポリメチレン化合物１
０　’ｌ［ｊ　、ｒｌ、ｉ部を塩化メチレン２０ｒ［置
部中に溶解して得た塗布液を、スピナー塗布機に装着し
たガラス製のディスク基板（厚さ　１．５ｍｍ、直径２
００ｍｍ）の中央部に少計滴下した後、所定の回転数で
所定の時間スピナーを回転させ塗布し、常温で乾燥し、
基板上の乾燥後の塗膜の厚みが３００人および３０００
人のものをそれぞれ多数準備した。

次に、一般式ｃ、２Ｈ２５−Ｃ＝Ｃ−Ｃ’＝Ｃ−Ｃ３Ｈ
，６−ＧＯ叶で表わされるＤＡ化合物をクロロホルムに
３ｘｌＯ−３モル／ｌの濃度で溶解した溶液を、ｐＨが
６．５で塩化カドミニウム濃度がｉｘ＋ｏ−３モル／ｌ
の水相上に展開した。溶媒のクロロホルムを蒸発除去し
た後、表面圧を２０ｄｙｎｅ／ｃ［ＩＩまで高め一定に
保ちながら、先にポリメチレン化合物層を表面に形成し
たガラス基板を、水面を横切る方向に上下速度１．０ｃ
ｍ／分で静かに上下させ、ＯＡ化合物の単分子膜をポリ
メチレン化合物層上に移しとり、単分子膜並びに７層、
４１層、　１０１層および２０１層に累積した単分子累
積膜を基板上に形成した光記録媒体を作成した。

これら光記録媒体に２５４層ｍの紫外線を均一かつ上方
に照射し、記録層中のＯＡ化合物を重合させ、記録層を
青色膜にした後、実施例１と同様の記録条件により記録
を実施した。記録の評価は実施例１と同様の方法で行い
、その結果の評価を第３表に示した。

第　　　３　　　表 実施例１〇 −・般式Ｃ，２Ｈ２ｒ、−ＣＥＣ−ＣＥＣ−Ｃ８Ｈ，６
−（：００＋１で表わされるＤＡ化合物をクロロホルム
に　ｌＸｌ０−３モル／ｉの濃度で溶解した溶液を、ｐ
Ｈが６．５で塩化カドミニウム濃度がｌＸ１０−３モル
／ｌの水相上に展開した。溶媒のクロロホルムを除去し
た後、表面圧を２０ｄｙｎｅ／ｃｍまで高め、一定に保
ちながら、十分に清浄し、表面が親水性となっているガ
ラス基板（既にポリメチレン化合物類を含有する単分子
膜から構成される累積膜等が形成されている場合を含む
）を、水面を横切る方向に上下速度１．０ｃｍ７分で静
かに所定の回数上下させ（途中、乾燥工程を実施する）
、ＤＡ化合物の単分子膜を基板上に移しとり、単分子膜
または単分子累積膜を形成した。

面記の化合物Ａ１１ＬＩ４で表わされるポリメチレン化
合物１重量部とアラキシン酸２重量部をクロロホルムに
ＩｘｌＯ−モル／ｌの濃度で溶解した溶液を、ρｔ１が
６．５で塩化カドミニウム濃度がｌＸｌ０−３モル／ｌ
の水相Ｆに展開した。溶媒のクロロホルムを除去した後
、表面圧を２０ｄｙｎｅ／ｃｍまで高め一定に保ちなが
ら、！−分に清浄し、表面が親水性となっているガラス
基板（既にＤＡ化合物のｔα分子膜から構成される累積
膜等が形成されている場合を含む）を、水面を横切る方
向に１ニ下速度１’、　Ｏｃｍ／分で静かに所定の回数
上下させ（途中、乾燥工程を実施する）、ポリメチレン
化合物を含有する中分子膜を基板上に移しとり、単分子
膜または中−分子累積膜を形成した。

ト記した、ＯＡ化合物！住分子膜およびポリメチレン化
合物を含有する中−分子膜の作製プロセスを基本として
、これらの操作を適宜組合せて実施することにより　８
種のへテロ累積１漠をガラス基板上に作製した。このよ
うにして作製したベテロ累積膜（光記録媒体）を第４表
に示した。なお、光記録媒体の構成を示す記号、番号の
意味を下記に例示する。

■Ｇ／２０ＰＭ６０Ｄ八／２０ＰＭ ガラス基板（Ｇ）上に、累積度２０のポリメチレン化合
物を含有する単分子累ｈＩＩＩ！２→累積度６゜のＤＡ
化合物の単分子累積膜→累積度２ｏのポリメチレン化合
物を含有する単分子累積膜、の順で積層して構成された
光記録媒体。

■ａ　／　ＩＯｘ　（２ＰＭ／　６Ｄ＾）ガラス基板（
Ｇ）上に、累積度２のポリメチレン化合物を含有する単
分子累積ｎｒ２と累積度６のＤ＾化合物の単分子累積膜
との積層の組合せが、１０回繰り返され積層して構成さ
れた光記録媒体。

これら光記録媒体に２５４ｎｍの紫外線を均一がっト分
に照射し、記録層中のＯＡ化合物を重合させ、記録層を
青色膜にした後、人力情報にしたがい、実施例１と同様
の記録条件により記録を実施した。記録のＪ′Ｐ価は実
施例１と同様にして行い、その結果を第４表に示した。

第　　４　　表

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法用いる情ｌｉｉ！記録装置の一例
を示すブロック図であり、第２図、第３図および第４図
は、本発明に使用する光記録媒体の典型的態様例の模式
的断面図である。 １：光ディスク　　　２：半導体レーザ３：制御回路　
　　　４：コリメートレンズ５：反射鏡　　　　　６二
１／４波長板７：対物レンズ　　　８：基板 ９ニジアセチレン＋ｉＡ　ｆＡ体化合物１０：ポリメチ
レン化合物 １１：ポリメチレン化合物含有層 １２；Ａ層　　　　　１３：８層 １４ニイｒ機担体分子

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）少なくとも親水性部位および疎水性部位を併有する
   ジアセチレン誘導体化合物と、下記一般式（１）または
   （２）で表わされる化合物の一種以上とを含有してなる
   記録層を有する光記録媒体に、紫外線を照射し、次いで
   ８００〜９００ｎｍの赤外線を記録情報に応じて照射し
   て、記録層の照射部を変色させる工程を有することを特
   徴とする光記録方法。一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１） 一般式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３は、それぞれ独立して
   置換基を有してもよいアリール基を表わし、Ｒ＾４およ
   びＲ＾５は、隣接した二つの−ＣＨ＝ＣＨ−基と共役二
   重結合系を形成する置換基を有してもよいアリーレン基
   を表わし、Ｒ＾６は、水素または置換基を有してもよい
   アリール基を表わし、Ａはアニオン残基を表わす。）